半导体制程工艺 萧宏 ch13

半导体制造工艺NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。

PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查（R□）——前处理——基区氧化扩散——QC检查（tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理（P液）——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查（tox）——前处理——发射区再扩散（R□）——前处理——铝下CVD——QC检查（tox、R□）——前处理——HCl氧化——前处理——氢气处理——三次光刻——QC检查——追扩散——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查（t Al）——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——QC检查（ts）——五次光刻——QC检查——大片测试——中测——中测检查（——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查）——综合检查——入中间库。

GR平面品种（小功率三极管）工艺流程为：编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区干氧氧化——QC检查（tox）——一GR光刻（不腐蚀）——GR硼注入——湿法去胶——前处理——GR基区扩散——QC检查（Xj、R□）——硼注入——前处理——基区扩散与氧化——QC检查（Xj、tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——发射区干氧氧化——QC检查（tox）——磷注入——前处理——发射区氧化和再扩散——前处理——POCl3预淀积（R□）——后处理——前处理——铝下CVD——QC检查（tox）——前处理——氮气退火——三次光刻——QC检查——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查（t Al）——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——正向测试——五次光刻——QC检查——大片测试——中测编批——中测——中测检查——入中间库。

半导体工艺知识点总结半导体工艺这事儿啊，就像一场超级精细的魔术表演。

咱先说说半导体材料这一块吧。

硅，那可是半导体世界里的大明星，就像一场演唱会里的主唱一样重要。

它的特性特别适合用来做半导体器件。

不过你可别以为硅就是唯一的主角啦，还有像锗啊之类的材料也在这个大舞台上有自己的戏份呢。

这半导体材料啊，就像是盖房子的砖头，没有好砖头，房子肯定盖不结实，同理，没有合适的半导体材料，后面那些神奇的半导体器件就无从谈起啦。

光刻技术呢，这可是半导体工艺里的一把神奇画笔。

光刻就像是在微观世界里搞艺术创作。

光刻机能把设计好的电路图案精确地印到硅片上，这个精度啊，那是超级高的。

你要是把硅片想象成一块超级小的画布，光刻技术就是那个能在上面画出超级精细图案的神来之笔。

这就好比刺绣，普通的刺绣可能针法粗糙一点没关系，可这半导体光刻啊，就像是苏绣里最精细的那种，一针一线都不能差，稍微有点偏差，整个电路可能就废了。

蚀刻工艺也很关键呢。

蚀刻就像是一个超级精准的雕刻师，把不需要的部分一点一点地去除掉，只留下我们想要的电路结构。

这就像做木雕一样，木雕师傅拿着刻刀，一点点地把多余的木头削掉，最后呈现出精美的木雕作品。

半导体蚀刻也是这个道理，只不过它是在微观层面上进行的，那难度可比木雕大多了。

再说说掺杂工艺吧。

掺杂就像是给半导体材料注入灵魂。

往纯净的半导体材料里加入一些杂质原子，就好像给一杯白开水加点糖或者盐一样，一下子就改变了它的性质。

这一改变可不得了，能让半导体具备我们想要的电学特性，像是导电性之类的。

这就好比一个人原本很内向，突然给他注入了一些开朗的元素，整个人的性格就变得不一样了，在半导体这里，就是电学性能发生了变化。

封装工艺呢，这就是给做好的半导体芯片穿上保护的外衣。

芯片就像一个娇弱的小宝宝，需要好好保护起来。

封装就像是给小宝宝做一个坚固又舒适的小房子。

这个小房子不仅要保护芯片不受外界环境的影响，像温度、湿度之类的，还要能方便芯片和外界进行连接，就像房子要有门和窗户一样，芯片封装也要有引脚之类的东西来实现电气连接。

半导体制程工艺设备流程
半导体制程就像做小饼干一样。

做小饼干得先有材料呀，半导体制程一开始也是要准备好硅片，硅片就像是做小饼干的面粉团。

接着呢，要把硅片洗得干干净净的。

就像咱们洗手一样，把脏东西都去掉，这样做出来的半导体才好呢。

比如说，硅片上可能有一些灰尘或者小颗粒，要是不洗干净，就像小饼干里混进了沙子，那可不好啦。

然后要在硅片上进行光刻啦。

这光刻就像是给小饼干印图案。

光刻机能把设计好的图案印在硅片上，就像小印章在小饼干上印出漂亮的小花纹一样。

再之后就是蚀刻啦。

蚀刻就像是把小饼干上多余的部分去掉。

按照光刻出来的图案，把不需要的地方去掉，这样就慢慢做出半导体需要的形状了。

做完这些，还要进行掺杂呢。

这就好比给小饼干加一些特别的调料，像巧克力豆或者水果干。

掺杂就是往硅片里加入一些特殊的东西，让硅片有不同的电学性质。

最后就是封装啦。

这就像把做好的小饼干装进漂亮的盒子里。

封装就是把做好的半导体保护起来，这样它就可以用到我们的手机、电脑这些东西里面啦。

半导体NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。

PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻—□□—QC检查——单结测试——磷注入——前处理——发射区氧化——前处理——发射区再扩散——前处理——POCl3预淀积（R□）——后处理——前处理——HCl退火、N2退火——三次光刻——QC检查——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查（t Al）——四次光刻——QC检查——前处理——氮氢合金——氮气烘焙——正向测试（ts）——外协作（ts）——前处理——五次光刻——QC检查——大片测试——测试ts——中测编批——中测——中测检查——入中间库。

变容管制造的工艺流程为：外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查——N+光刻——QC检查——前处理——干氧氧化——QC检查——P+注入——前处理——N+扩散——P+光刻——QC检查——硼注入1——前处理——CVD（LTO）——QC检查——硼注入2——前处理——LPCVD ——QC检查——前处理——P+扩散——特性光刻——电容测试——是否再加扩——电容测试——......（直到达到电容测试要求）——三次光刻——QC检查——前处理——铝蒸发——QC检查（t Al）——铝反刻——QC检查——前处理——氢气合金——氮气烘焙——大片测试——中测——电容测试——粘片——减薄——QC检查——前处理——背面蒸发——综合检查——入中间库。

半导体制程工艺发展史嘿，朋友们！今天咱们来唠唠半导体制程工艺那超级有趣的发展史。

这就像是一场科技界的超级变变变魔术秀。

很久很久以前啊，半导体的制程工艺就像个蹒跚学步的小娃娃。

那时候的制程，简单又粗糙，就像用石头和树枝搭建小房子一样，晶体管大得像巨人的脚趾头。

早期的半导体制造就像在黑暗中摸索的探险家，到处乱撞，不过这也是一切伟大开始的模样嘛。

然后呢，制程工艺就像个努力减肥的人，开始慢慢变瘦变小。

晶体管的尺寸不断缩小，就像从大象变成了小老鼠。

这个过程就像是一场微观世界的缩骨功表演，那些技术人员就像是微观世界的魔法师，指挥着原子和分子乖乖听话。

到了后来，制程工艺进入了一个狂飙突进的时代。

这就像是赛车在高速赛道上飞奔，一刻也不停歇。

光刻技术闪亮登场，它就像一把超级精准的雕刻刀，在硅片这个大蛋糕上精心雕琢。

这时候的晶体管变得更小了，小到你感觉它们就像一群小精灵，在硅片的小天地里欢快地跳舞。

再往后啊，制程工艺的发展像是一场军备竞赛。

各个科技公司就像争强好胜的武林高手，都想把自己的制程工艺修炼到极致。

每一次制程的提升就像是学会了一招新的绝世武功，都想在半导体这个江湖里称霸一方。

随着时间的推移，半导体制程工艺越来越像一个神秘的黑科技乐园。

3D NAND闪存技术的出现，就像是在硅片上盖起了高楼大厦，原本平平无奇的硅片瞬间变成了繁华的微观都市。

这简直是把微观世界变成了一个充满奇迹的梦幻王国。

现在啊，半导体制程工艺已经像是一艘冲向宇宙深处的超级飞船。

量子技术也开始渗透进来，这就像是给飞船加上了超级燃料。

它朝着更小、更高效、更强大的方向一路狂奔，谁也不知道它最终会发展成什么样子，也许会像科幻电影里那样，创造出拥有自我意识的超级芯片呢。

总之，半导体制程工艺的发展史就像是一部充满惊喜和奇迹的长篇小说，每一页都写满了人类智慧的光辉。

从最初的粗陋到现在的高精尖，就像一只毛毛虫变成了绚丽的蝴蝶。

而我们就像坐在观众席上的吃瓜群众，眼睁睁地看着这场精彩的科技大秀不断上演新的节目。

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第三代半导体器件制造工艺流程下载温馨提示：该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。

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半导体的生产工艺流程微机电制作技术，尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术(silicon- based micromachining)，原本就肇源于半导体组件的制程技术，所以必须先介绍清楚这类制程，以免沦于夏虫语冰的窘态。

一、洁净室一般的机械加工是不需要洁净室(clean room)的，因为加工分辨率在数十微米以上，远比日常环境的微尘颗粒为大。

但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都是以微米计算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能影响到其上精密导线布局的样式，造成电性短路或断路的严重后果。

为此，所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，这就是洁净室的来由。

洁净室的洁净等级，有一公认的标准，以class 10为例，意谓在单位立方英呎的洁净室空间内，平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。

所以class后头数字越小，洁净度越佳，当然其造价也越昂贵(参见图2-1)。

为营造洁净室的环境，有专业的建造厂家，及其相关的技术与使用管理办法如下：1、内部要保持大于一大气压的环境，以确保粉尘只出不进。

所以需要大型鼓风机，将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。

2、为保持温度与湿度的恒定，大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。

换言之，鼓风机加压多久，冷气空调也开多久。

3、所有气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配，使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。

4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。

5、所有人事物进出，都必须经过空气吹浴 (air shower) 的程序，将表面粉尘先行去除。

6、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源，为此务必严格要求进出使用人员穿戴无尘衣，除了眼睛部位外，均需与外界隔绝接触 (在次微米制程技术的工厂内，工作人员几乎穿戴得像航天员一样。

) 当然，化妆是在禁绝之内，铅笔等也禁止使用。

7、除了空气外，水的使用也只能限用去离子水 (DI water, de-ionized water)。