电子技术基础期末试卷(A卷)

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内蒙古应用技术专修学院2014 — 2015 学年第 2 学期

电子技术基础期末考试卷(A卷)

班级姓名学号

一、选择题(本大题共10小题,每小题3分,共计30分。每小题只有一个正确答案。)

1、半导体二极管加正向电压时,有()

A、电流大电阻小

B、电流大电阻大

C、电流小电阻小

D、电流小电阻大

2、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于()

A、反向偏置击穿状态

B、反向偏置未击穿状态

C、正向偏置导通状态

D、正向偏置未导通状态

3、三极管工作于放大状态的条件是()

A、发射结正偏,集电结反偏

B、发射结正偏,集电结正偏

C、发射结反偏,集电结正偏

D、发射结反偏,集电结反偏

4、三极管电流源电路的特点是()

A、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小

B、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大

C、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小

D、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大

5、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源V

CC

应当()

A、短路

B、开路

C、保留不变

D、电流源

6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入()

A、共射电路

B、共基电路

C、共集电路

D、共集-共基串联电路7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V,(见图2所示)则此三极管为()

A、PNP型锗三极管

B、NPN型锗三极管

C、PNP型硅三极管

D、NPN型硅三极管

8、当放大电路的电压增益为-20dB时,说明它的电压放大倍数为()

A、20倍

B、-20倍

C、-10倍

D、0.1倍

9、电流源的特点是直流等效电阻( )

A、大

B、小

C、恒定

D、不定

10、在单相桥式整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为()

A、U0=0.45U2

B、U0=1.2U2

C、U0=0.9U2

D、U

=1.4U2

二、判断题(本大题共5小题,每小题2分,共计10分。每小题叙述正确的在答题卡上选涂“ A”,叙述错误的在答题卡上选涂“ B”。)1.P型半导体中,多数载流子是空穴()

2.环境温度升高时,半导体的导电能力将显著下降()

3.二极管正偏时,电阻较小,可等效开关断开()

4.稳压二极管工作在反向击穿区域()

5.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件()

题号一二三四总分阅卷人

分数

图2

三、填空题(本大题共10小题,每小题3分,共计30分。) 1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为 V ,导通后在较大电流下

的正向压降约为 V ;锗二极管的门槛电压约为 _ _V ,导通后在

较大电流下的正向压降约为_ _V 。

2、二极管的正向电阻 ;反向电阻 。

3、二极管的最主要特性是 。PN结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 。

4、二极管最主要的电特性是 ,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 。

5、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是 电容,影响高频信号放大的是 电容。

6、在NPN 三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则I BQ ,I CQ ,U CEQ 。

7、三极管的三个工作区域是 , , 。集成运算放大器是一种采用 耦合方式的放大电路。

8、某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压V a = 1.2V , V b = 0.5V, V c = 3.6V, 试问该三极管是 管(材料), 型的三极管,该管的集电极是a 、b 、c 中的 。

9、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB 和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 dB ,总的电压放大倍数为 。

10.三极管有三个电极,即发射极、 和集电极。

二、简答题(本大题共2小题,每小题15分,共计30分。) 1.简述影响放大电路频率特性的主要因素。

2.简述负反馈对放大电路性能的影响。