下载文档原格式
1、硅片清洗烘干（Cleaning and Pre-Baking）方法：湿法清洗＋去离子水冲洗＋脱水烘焙（热板150～250C,1～2分钟，氮气保护）目的：a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；b、除去水蒸气，是基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性（对光刻胶或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。
2、涂底（Priming）方法：a、气相成底膜的热板涂底。
HMDS蒸气淀积，200～250C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b、旋转涂底。
缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS 用量大。
目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性。
3、旋转涂胶（Spin-on PR Coating）方法：a、静态涂胶（Static）。
硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）；b、动态（Dynamic）。
低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。
决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；旋转速度，速度越快，厚度越薄；影响光刻胶均匀性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时间点有关。
一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关（因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率）：I-line最厚，约0.7～3μm；KrF的厚度约0.4～0.9μm；ArF的厚度约0.2～0.5μm。
4、软烘（Soft Baking）方法：真空热板，85～120C,30～60秒；目的：除去溶剂（4～7%）；增强黏附性；释放光刻胶膜内的应力；防止光刻胶玷污设备；5、边缘光刻胶的去除（EBR，Edge Bead Removal）。
光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。
边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。
光刻工艺步骤介绍光刻工艺是半导体芯片制造中不可或缺的一步，其目的是将芯片设计图案转移到光刻胶上，然后通过化学腐蚀或蚀刻的方式将这些图案转移到芯片表层。
下面是一个光刻工艺的详细步骤介绍：1.准备工作：首先需要清洗芯片表面，以去除表面的杂质和污染物。
清洗可以使用化学溶液或离子束清洗仪等设备。
同时，需要准备好用于光刻的基板，这通常是由硅或其他半导体材料制成的。
2.底层涂覆：将光刻胶涂覆在基板表面，胶层的厚度通常在几微米到几十微米之间。
胶液通常是由聚合物和其他添加剂组成的，可以通过旋涂、喷涂或浸涂等方法进行涂覆。
3.烘烤和预烘烤：将涂覆好的光刻胶进行烘烤和预烘烤。
这一步的目的是除去胶液中的溶剂和挥发物，使胶层更加均匀和稳定。
烘烤的温度和时间可以根据不同的胶液和工艺要求来确定。
4.掩膜对位：将掩膜和基板进行对位。
掩膜是一个透明的玻璃或石英板，上面有芯片设计的图案。
对位过程可以通过显微镜或光刻机上的对位系统来进行。
5.曝光：将掩膜下的图案通过光源进行曝光。
光源通常是由紫外线灯或激光器组成的。
曝光时间和光照强度的选择是根据胶层的特性和所需的图案分辨率来确定的。
6.感光剂固化：曝光后，光刻胶中的感光剂会发生化学反应，使胶层中的暴露部分固化。
这一步被称为光刻胶的显影，可以通过浸泡在显影剂中或使用喷雾设备来进行。
7.显影：在光刻胶上进行显影，即移去显影剂无法固化的胶层。
显影的时间和温度可以根据胶层的特性和图案的要求来确定。
显影过程通常伴随着机械搅动或超声波搅拌，以帮助显影剂的渗透和清洗。
8.硬化：为了提高图案的耐久性和稳定性，可以对显影后的芯片进行硬化处理。
硬化可以通过烘烤、紫外线照射或热处理等方法来实现。
9.检查和修复：在完成光刻工艺后，需要对光刻图案进行检查。
如果发现图案存在缺陷或错误，可以使用激光修复系统或电子束工作站等设备进行修复。
10.后处理：最后，需要对光刻胶进行去除，以准备进行下一步的制造工艺。
去除光刻胶的方法可以采用化学溶剂、等离子体蚀刻或机械刮伤等。
光刻胶liftoff技巧摘要：一、光刻胶概述二、LIFT OFF技术简介三、光刻胶LIFT OFF技巧详解1.光刻胶的选择2.光刻胶涂覆与干燥3.软烘与硬烘技巧4.曝光与显影操作5.分离与LIFT OFF过程四、应用实例与效果分析五、总结与展望正文：一、光刻胶概述光刻胶（Photoresist）是一种在微电子制造工艺中广泛应用的感光材料。
它能够在光照作用下发生化学变化，从而实现对薄膜的刻蚀。
光刻胶在半导体、光电子和微机电系统（MEMS）等领域具有重要应用价值。
二、LIFT OFF技术简介LIFT OFF技术，即激光诱导薄膜分离技术，是一种高精度的微纳米制造方法。
通过激光照射光刻胶覆盖的薄膜，使光刻胶与薄膜分离，从而实现对薄膜的图案化。
LIFT OFF技术具有分辨率高、制程简便、成本低等优点，广泛应用于微电子领域。
三、光刻胶LIFT OFF技巧详解1.光刻胶的选择选用适合LIFT OFF技术的光刻胶至关重要。
一般要求光刻胶具有较高的感光度、良好的附着力和较低的收缩率。
常见的光刻胶有正性光刻胶、负性光刻胶和光刻胶浆料等。
2.光刻胶涂覆与干燥涂覆光刻胶时，应确保薄膜表面均匀覆盖，避免出现气泡和皱褶。
涂覆后，将样品放置在干燥箱中，进行预烘烤，使光刻胶固化。
3.软烘与硬烘技巧软烘是为了使光刻胶在曝光过程中发生溶胀，从而提高LIFT OFF效果。
硬烘则是为了使光刻胶在激光照射时，保持良好的稳定性。
烘烤温度和时间需根据光刻胶的性质进行调整。
4.曝光与显影操作曝光是将光刻胶覆盖的薄膜暴露在紫外光下，使其发生感光反应。
曝光时间应根据光刻胶的感光度进行调整。
曝光后，采用显影液对光刻胶进行显影，暴露出薄膜的图案。
5.分离与LIFT OFF过程将显影后的光刻胶与薄膜一起放入激光照射室，激光照射光刻胶，使其发生热膨胀和收缩，从而与薄膜分离。
在分离过程中，应控制激光功率、扫描速度和频率等参数，以获得理想的LIFT OFF效果。
光刻和刻蚀工艺流程第一步：光刻掩膜准备光刻工艺的第一步是制备掩膜。
掩膜是一种类似于胶片的薄膜，上面有制作好的电路图形。
通常，光刻掩膜由专门的光刻工艺工程师根据电路图形设计，并通过专业软件生成掩膜图形。
之后将掩膜图形转移到掩膜胶片上。
第二步：光刻胶涂覆接下来，在待加工的硅片表面涂覆一层光刻胶。
光刻胶是一种特殊的光敏物质，具有对紫外光敏感的特性。
使用旋涂机将光刻胶均匀涂覆在硅片上。
第三步：软烘烤硅片上涂覆好光刻胶之后，需要进行软烘烤步骤。
软烘烤的作用是去除光刻胶中的溶剂以及帮助光刻胶更好地附着在硅片表面上。
软烘烤的温度和时间根据不同的光刻胶种类和工艺要求进行调节。
第四步：曝光曝光是光刻工艺的关键步骤。
在曝光台上，将掩膜和被涂覆光刻胶的硅片对准，并通过紫外光照射。
光刻胶中被曝光的部分会发生化学变化，形成光刻胶的图形。
第五步：后烘烤曝光之后，需要进行后烘烤。
烘烤的目的是加强光刻胶的图形，使其更稳定并提高精度。
烘烤温度和时间根据不同的光刻胶种类和工艺要求进行调节。
第六步：显影显影是将光刻胶中未曝光的部分溶解掉的步骤。
将硅片浸入特定的显影液中，显影液会将光刻胶中溶解掉的部分清除掉，形成具有电路图形的光刻胶。
第七步：刻蚀刻蚀是将未被光刻胶保护的硅片表面精确地去除掉部分的步骤，以形成电路图形。
刻蚀液根据硅片的材料和刻蚀目标而确定。
将硅片浸入刻蚀液中，刻蚀液会剥离掉没有光刻胶保护的硅片表面，形成光刻胶的图形。
第八步：去光刻胶刻蚀完成后，需要将光刻胶从硅片上去除。
通常使用酸性或碱性溶液将光刻胶溶解掉。
去光刻胶后，就得到了具有电路图形的硅片。
以上就是光刻和刻蚀的工艺流程。
光刻和刻蚀工艺对于微电子芯片的制造至关重要，能够提供精确的电路图形，是制造集成电路的基础步骤。
随着技术的不断发展，光刻和刻蚀工艺也在不断改进，以满足高集成度和高性能的微电子芯片的制造需求。
光刻技术流程光刻技术是现代微电子制造中一项重要的工艺技术，用于将电路图案转移到硅片上。
它是一种光学投影技术，通过使用光源和掩模来实现图案的精细转移。
光刻技术流程包括光刻胶涂覆、烘烤预处理、曝光显影、清洗和检查等步骤。
一、光刻胶涂覆光刻胶涂覆是光刻技术流程的第一步，其目的是将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面。
首先，将硅片放置在涂覆机的台面上，并将光刻胶倒入涂覆机的涂覆盆中。
然后，涂覆机会将光刻胶从涂覆盆中吸取并均匀涂覆在硅片上。
涂覆完成后，硅片会经过旋转以除去多余的光刻胶。
最后，硅片会被放置在烘烤机中进行烘烤预处理。
二、烘烤预处理烘烤预处理是为了使涂覆在硅片上的光刻胶变得更加坚硬和稳定。
在烘烤过程中，硅片会被放置在烘烤机中，加热一段时间。
烘烤的温度和时间根据所使用的光刻胶的特性而定。
烘烤后，光刻胶会形成一层坚硬的薄膜，以便进行下一步的曝光显影。
三、曝光显影曝光显影是光刻技术流程中的核心步骤，通过使用光源和掩模将电路图案转移到硅片上。
首先，将硅片放置在曝光机的台面上，并将掩模放置在硅片上方。
然后，通过控制曝光机的光源，将光照射到掩模上，形成一个投影的图案。
光线通过掩模的透明部分照射到光刻胶上，使其发生化学反应。
曝光完成后，硅片会被放置在显影机中进行显影。
显影过程中，使用显影液将未曝光的光刻胶部分溶解掉，暴露出硅片表面。
显影液的成分和浓度根据光刻胶的特性而定。
显影时间也需要根据所需的图案精度进行控制。
显影完成后，硅片会被清洗以去除残留的显影液。
四、清洗和检查清洗是为了去除硅片表面的污染物和残留的光刻胶。
清洗过程中，硅片会被浸泡在一系列的清洗液中，以去除表面的污染物。
清洗液的成分和浓度根据具体的清洗要求而定。
清洗后，硅片会被烘干以去除水分。
硅片会经过检查以确保图案转移的质量。
检查会使用显微镜或其他检测设备来观察图案的清晰度和精度。
如果发现问题，需要进行修复或重新进行光刻。
光刻技术流程包括光刻胶涂覆、烘烤预处理、曝光显影、清洗和检查等步骤。
光刻工艺的八个步骤
光刻工艺是微电子制造中最基本的工艺之一，它主要用于制作芯片中的电路图案。
以下是光刻工艺的八个步骤：
1.制备基片：将硅片等基片进行清洗和处理，使其
表面平整干净，以便后续的光刻处理。
2.涂覆光刻胶：在基片表面涂覆一层光刻胶，光刻
胶的厚度和涂布均匀度对后续的工艺影响很大。
3.预烘烤：将涂覆光刻胶的基片放入烘箱中进行预
烘烤，使光刻胶在基片上均匀固化。
4.掩膜对位：将准备好的掩膜对位到基片上，掩膜
中的芯片图案会在后续的光刻过程中传递到光刻胶上。
5.曝光：使用曝光机将光源照射到掩膜上，通过掩
膜图案将光照到光刻胶上，使得光刻胶固化或溶解。
6.后烘烤：曝光后的光刻胶需要进行后烘烤，使其
在表面形成硬膜，并去除胶层中的溶剂。
7.显影：用显影液将未固化的光刻胶溶解掉，使得
基片表面的芯片图案露出来。
8.清洗：将基片进行清洗，去除光刻胶的残留物和
显影液等杂质，使得制作出来的芯片达到一定的洁净度和
光滑度。
通过以上八个步骤，光刻工艺可以制造出复杂的微型电路图案，是微电子制造中非常重要的工艺之一。
光刻的原理光刻技术是一种重要的微电子制造工艺，广泛应用于芯片、集成电路、液晶显示器等微电子领域。
其原理是利用光的干涉、衍射和化学反应等作用，将芯片设计图案转移到光刻胶上，然后通过化学腐蚀和蚀刻等步骤，将芯片上的电路图案形成。
光刻技术的核心是光刻胶，它是一种特殊的化学物质，具有光敏性质。
当光照射到光刻胶上时，它会发生化学反应，使得光刻胶的物理性质发生变化，形成可控的图案。
因此，光刻技术的工艺流程通常包括以下几个步骤：1.基片清洗：将芯片基片进行清洗，去除表面的杂质和污染物，以便后续工艺的进行。
2.涂覆光刻胶：将光刻胶沉积在基片上，并利用旋涂机将光刻胶均匀地涂布在基片表面上，形成一层薄膜。
3.预烘烤：将光刻胶暴露在高温下，使其变得更加坚硬和稳定，以便进行后续的光刻。
4.曝光：将芯片设计图案照射在光刻胶表面上，利用光刻机器对光进行精确的控制和调节，形成可控的图案。
5.显影：将光刻胶进行显影处理，去除不需要的部分，以便后续的化学腐蚀和蚀刻。
6.腐蚀和蚀刻：根据芯片设计图案的要求，进行化学腐蚀和蚀刻处理，将芯片上的电路形成。
光刻技术的精度和稳定性是微电子制造的关键因素之一。
在光刻胶的制备和光刻机器的调节上，需要精细的控制和调整，以保证芯片上的电路图案精度和一致性。
此外，光刻技术还需要考虑光源的波长和光强度、光刻胶的选择和配方、显影液的选择和浓度等因素，以实现最佳的光刻效果。
随着微电子制造技术的不断发展和进步，光刻技术也在不断地演变和改进。
例如，使用更高分辨率的光刻机器和更先进的光刻胶，能够实现更小尺寸和更高精度的芯片设计图案。
同时，利用多重曝光、多层光刻等技术，也能够实现更加复杂和精细的芯片电路图案。
光刻技术是微电子制造的重要工艺之一，其原理和流程十分复杂和精细。
只有通过精细的控制和调节，才能够实现高精度和高稳定性的芯片设计图案。
随着技术的不断发展和进步，相信光刻技术将会越来越成熟和完善，为微电子制造带来更多的发展机遇。
KRF光刻胶的应用原理1. 什么是KRF光刻胶？KRF光刻胶是一种基于聚合物的材料，广泛用于半导体和光学器件制造过程中的光刻技术。
光刻是一种将图形或图案转移至光敏物质上的技术，通过光刻胶可以实现微米级别的图形转移。
2. KRF光刻胶的组成KRF光刻胶由以下组成部分构成：•光敏剂：负责吸收紫外线光照射并发生化学反应的物质。
•聚合物：提供光刻胶的基本性质，例如黏度、溶解度等。
•溶剂：用于调节光刻胶的黏度和稠度。
•辅助剂：起到增稠、溶解性调节等作用。
3. KRF光刻胶的应用原理KRF光刻胶的应用原理可以分为以下几个步骤：步骤一：光刻胶的涂布将KRF光刻胶涂布在待光刻的基底材料上，涂布的方式可以是旋涂、喷涂等。
涂布后的光刻胶薄膜要求均匀、无气泡和颗粒，并紧密地附着在基底上。
步骤二：光刻胶的预烘烤在涂布完光刻胶后，需要进行预烘烤来去除其中的溶剂，使光刻胶凝结。
预烘烤通常在光刻胶的最佳温度范围内进行，以保持光刻胶的性能稳定。
步骤三：光刻胶的曝光在预烘烤后，将掩模与光刻胶薄膜紧密接触，并使用紫外线光源进行曝光。
光刻胶中的光敏剂吸收紫外线光照射后，会发生光化学反应，改变光刻胶的化学性质。
步骤四：显影曝光后，光刻胶中发生化学反应的区域会发生物理或化学变化，使该区域的物性发生改变。
通过显影液的作用，可以将光刻胶中曝光过的区域溶解掉，暴露出基底材料。
未经曝光的区域则保留光刻胶层。
步骤五：后烘烤在显影后，通常需要进行一次后烘烤，以增强光刻胶薄膜的耐热性和机械强度，并使图形转移更加准确。
步骤六：残留物清除最后，在完成图形转移后，需要将光刻胶薄膜上的残留物清除掉。
这一步骤通常使用化学液进行湿法清洗。
4. KRF光刻胶的应用范围KRF光刻胶由于其优良的性能，在微电子、光电子等领域有广泛的应用：•半导体制造：光刻胶可用于制造集成电路、微处理器和存储芯片等。
•光学器件制造：可用于制造光导纤维、光波导器件、平板显示器等。
•微机械系统（MEMS）制造：通过光刻胶可以制造微机械传感器、微流体芯片等。
光刻胶的hard bake温度
光刻胶的硬烘温度是一个非常重要的参数，它直接影响到光刻胶的性能和最终的图案质量。
硬烘温度通常取决于所使用的光刻胶的种类和厂家推荐的工艺参数。
一般来说，硬烘温度在150摄氏度至200摄氏度之间。
在这个温度范围内，光刻胶会经历一定的热处理，以去除溶剂并使其固化，从而形成稳定的图案。
硬烘温度过低可能导致光刻胶未完全固化，影响图案的清晰度和稳定性；而硬烘温度过高则可能导致光刻胶的性能下降，甚至出现开裂等问题。
因此，在确定硬烘温度时，需要充分考虑光刻胶的类型、厚度、以及所需的图案质量要求。
此外，硬烘温度也需要与其他工艺步骤相匹配，以确保最终的加工效果。
总之，硬烘温度是光刻工艺中至关重要的参数，需要在实际操作中进行精确控制和调整，以获得最佳的加工效果。
光刻后烘的作用重新概述光刻是一种重要的制造工艺，在半导体和集成电路行业中被广泛应用。
它是将光线聚焦在光刻胶（photoresist）上，通过控制光的强度和位置，将期望的图案投影到硅片或其他基底上的过程。
光刻胶在光刻曝光后需要经过烘烤来固化和完成图案转移。
光刻后的烘烤过程在整个制造流程中起到至关重要的作用。
它有助于光刻胶的固化、去除溶剂和增强图案的清晰度。
在这篇文章中，我们将重新概述光刻后烘的重要作用，并探讨其对制造工艺的影响。
1. 胶固化：光刻胶在曝光后变得敏感，但仍然是一种液态或半固态的材料。
经过光刻后的烘烤可以使光刻胶中的化学反应进一步进行，使其完全固化成硬脆的薄膜。
这有助于保持图案的形状稳定性，并在后续的制造步骤中提供更好的图案保真度。
2. 溶剂去除：光刻胶通常被制造成液态以便于涂覆在基底上。
然而，液态光刻胶中含有大量的溶剂，烘烤过程可以将这些溶剂去除。
溶剂的去除有助于减少光刻胶在后续步骤中的挥发物排放，有利于环境保护。
溶剂的去除还可以减小图案的尺寸变化和形变，提高制造的精度和稳定性。
3. 形成清晰图案：光刻胶的清晰图案对于制造工艺的成功至关重要。
经过光刻后的烘烤可以消除光刻胶中的气泡和杂质，使图案边缘更加锐利和清晰。
这有助于在后续步骤中实现更高的分辨率和更好的图案质量。
除了上述作用，光刻后的烘烤还可以影响其他制造参数的选择和控制。
烘烤的温度和时间可以通过调整来控制图案尺寸的缩放和形变。
光刻后的烘烤还可以改善光刻胶与基底的附着力，提高光刻胶对化学品和偏振光的稳定性。
光刻后的烘烤是光刻工艺中不可或缺的一步。
它通过固化光刻胶、去除溶剂、提高图案清晰度等作用，为后续制造步骤提供了更好的基础。
在实际操作中，需要根据具体的制造要求和光刻胶的特性进行参数的优化和控制。
以上是对光刻后烘的作用的重新概述。
通过光刻后的烘烤，我们可以实现光刻胶的固化和去溶剂，提高图案的清晰度和保真度，为后续制造步骤奠定良好基础。
Phone: +49 731 36080-409 www.microchemicals.eu e-Mail: info@microchemicals.eu GeneralThis document aims for an understanding of the purpose of the various baking steps in pho-toresist processing, and how the baking parameters temperature and time impact on the in-dividual process.Substrate Heating before Resist CoatingHeating the substrate before resist coating can improve the resist adhesion in two ways:From 100°C on, H 2O present on all surfaces desorbs, so we recommend a baking step of 120°C for few minutes for this purpose. A two-step cleaning process with acetone, followed by isopropyl alcohol, has the same effect.From 150°C on, also OH bonds apparent on any oxidized surfaces such as silicon, glasses,quartz, or ignobel metals, are thermally cracked. These OH bonds otherwise form a hy-drophilic surface with inferior resist adhesion. Applying adhesion promoters such as HMDS or TI PRIME gives a similar result.The coating should be performed directly after cooling down of the substrates in order to avoid re-adsorption of water . However , the substrate should again have room temperature before resist coating since otherwise the resist film thickness homogeneity will suffer .The document Substrate Cleaning and Adhesion Promotion gives more details on this topic.SoftbakeAfter coating, the resist film contains a remaining solvent concentration depending on the resist, the solvent, the resist film thickness and the resist coating technique.The softbake reduces the remaining solvent content in order to:Îavoid mask contamination and/or sticking to the mask,Îprevent popping or foaming of the resist by N 2 created during exposure,Îimprove resist adhesion to the substrate,Îminimize dark erosion during development,Îprevent dissolving one resist layer by a following multiple coating , and Îprevent bubbling during subsequent thermal processes (coating, dry etching).A softbake too cool or/and short may cause the above mentioned problems. A softbake too hot or/and long will thermally decompose a significant fraction of the photo active com-pound in positive resists, with a lower development rate and higher dark erosion as a conse-quence. Negative resists will suffer from thermal cross-linking during baking, which lowers the development rate or makes through-development impossible.Generally, we recommend a softbake at 100°C on a hotplate for 1 minute per µm resist film thickness. In an oven is used, it is recommended to add some minutes softbake time. If softbake is applied at 110°C, one should halve the softbake time, while for each 10°C below 100°C the time should be doubled in order to sufficiently decrease the remaining solvent concentration.The document Softbake of Photoresist Films gives more details on this baking step.e-Mail: info@microchemicals.euPost Exposure BakeThe post exposure bake PEB (performed after exposure, but before development) can be applied above the softening point of the resist without destroying the structures to be devel-oped due to the still closed resist film. There are various different possible reasons for the application of a PEB:Chemically Amplified ResistsIn chemically amplified resists, the PEB catalytically performs and completes the photoreac-tion initiated during exposure. Most of the AZ ® and TI resists supplied by MicroChemicals ®do not belong to chemically amplified resists, and therefore do not require a PEB for this purpose. Typically, 110°C for 2 minutes are recommended for this baking step.Crosslinking Negative ResistsIn the case of many crosslinking resists such as the AZ ® nLOF 2000 series or the AZ ® 15nXT , the PEB is essential for the crosslinking mechanism initiated during the exposure. The negative resist AZ ® 125 nXT does not require a PEB, since the cross-linking already takes place at room temperature. Details on these negative resist can be found here .Highly Reflective SubstratesThe PEB promotes the thermally activated diffusion of carboxylic acid formed during exposure from the photoactive compound. This diffusion step smoothens out the rippling effect of the periodic carboxylic acid concentration. This rippling effect is due to standing light waves during monochromatic exposure, espe-cially in case of highly reflective substrates. These patterns otherwise would transfer to the resist profile thus e. g. reducing the spatial resolution of the resist and the desired aspect ratio.Alternatively, or additionally, bottom-layer anti reflec-tive coatings such as AZ ® Barli improve the resolution and resist profile on highly reflective substrates under monochromatic exposure. Details on anti-reflective-coatings are summarized in the document Anti-Reflec-tive Coatings for Photoresists .Mechanical RelaxationA PEB performed near the softening point of the pho-toresist reduces mechanical stress formed during soft-bake and exposure of especially thick resist films due to the expanding nitrogen and therefore improves re-sist adhesion and reduces under-etching in subse-quent wet chemical etching. However , a certain delay between exposure and PEB is required to outgas N 2.Otherwise, during PEB the N 2 in the resist will expand and increase mechanical stress in the film. This delay strongly depends of the resist film thickness.PEB Required?If none of the previously mentioned effects are rel-evant, a PEB is generally not necessary and can be skipped.The spatial incident light intensity dis-tribution in a resist film as a function of the substrate reflectivity increasing from 0 % (top) to 100 % (bottom).HardbakeA hardbake can be performed after development in order to increase the thermal, chemical and physical stability of developed resist structures for subsequent processes (e. g. electro-plating, wet-chemical and dry-chemical etching). Hereby the following mechanisms have to be considered:ÎEmbrittlement of the resist film with crack formationÎReflow of the photoresistÎThe need for an improved resist adhesionÎThe need for an improved chemical stability of the resist maskÎ A decreased removability of the stabilized resist after processingThese points are detailed in the document Hardbake of Photoresist Structures.Hardbake - Yes or No?The intrinsic high alkaline stability of AZ® and TI resists, together with an optimum sub-strate pretreatment, in many cases make the hardbake redundant, which simplifies the pro-cessing and arranges following wet-chemical processes more reproducible.In most cases, an optimized resist helps to avoid a hardbake: For electroplating, the nega-tive resists AZ® 15 nXT and 125 nXT show an improved adhesion and stability against most electrolytes. The AZ® ECI 3000 series has an optimized adhesion for wet etching, and the AZ® 6600 series as well as the AZ® 701 MiR an elevated thermal stability for dry etching.However, for harsh attack (e. g. mesa etching with HNO3), however, a hardbake at > 130-140°C is sometimes inevitable.Disclaimer of WarrantyAll information, process guides, recipes etc. given in this brochure have been added to the best of our knowledge. However, we cannot issue any guarantee concerning the accuracy of the information.We assume no liability for any hazard for staff and equipment which might stem from the information given in this brochure.Generally speaking, it is in the responsibility of every staff member to inform herself/himself about the processes to be performed in the appropriate (technical) literature, in order to minimize any risk to man or machine.AZ and the AZ logo are registered trademarks of AZ Electronic Materials (Germany) GmbH.。
