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绪论一.符号约定•大写字母、大写下标表示直流量。
如：V CE、I C等。
•小写字母、大写下标表示总量〔含交、直流〕。
如：v CE、i B等。
•小写字母、小写下标表示纯交流量。
如：v ce、i b等。
•上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。
如：等。
二．信号〔1〕模型的转换〔2〕分类〔3〕频谱二.放大电路〔1〕模型〔2〕增益如何确定电路的输出电阻r o？三．频率响应以及带宽第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
电子电路基础知识点汇总电子电路是一门涉及电学、物理学和工程学的重要学科，它是现代科技的基石，广泛应用于通信、计算机、控制工程等众多领域。
下面让我们一起来梳理一下电子电路的基础知识点。
一、电路元件1、电阻电阻是电路中最常见的元件之一，用于限制电流的流动。
其电阻值的大小决定了电流通过时的阻力。
电阻的单位是欧姆（Ω），电阻的阻值可以通过色环法或者直接标注来表示。
2、电容电容是存储电荷的元件，能够在电路中起到滤波、耦合、旁路等作用。
电容的单位是法拉（F），但常用的单位有微法（μF）和皮法（pF）。
电容的特性是“隔直通交”，即对直流信号呈现开路，对交流信号呈现一定的阻抗。
3、电感电感是储存磁场能量的元件，通常由线圈构成。
电感的单位是亨利（H），常用的单位还有毫亨（mH）和微亨（μH）。
电感的特性是“通直阻交”，对直流信号的阻碍很小，对交流信号呈现较大的阻抗。
4、二极管二极管是一种具有单向导电性的半导体器件。
正向偏置时，二极管导通，反向偏置时，二极管截止。
常见的二极管有整流二极管、稳压二极管、发光二极管等。
5、三极管三极管是一种具有放大作用的半导体器件，分为NPN 型和PNP 型。
三极管可以用作放大器、开关等。
二、电路定律1、欧姆定律欧姆定律描述了电阻、电流和电压之间的关系，即 U ＝ IR，其中U 是电压，I 是电流，R 是电阻。
2、基尔霍夫定律基尔霍夫定律包括电流定律（KCL）和电压定律（KVL）。
电流定律指出，在任何一个节点处，流入节点的电流之和等于流出节点的电流之和。
电压定律指出，在任何一个闭合回路中，各段电压的代数和为零。
三、电路分析方法1、等效电路法通过将复杂的电路简化为等效的简单电路，来分析电路的性能。
2、支路电流法以支路电流为未知量，根据基尔霍夫定律列出方程组求解。
3、节点电压法以节点电压为未知量，根据基尔霍夫定律列出方程求解。
4、叠加定理在线性电路中，多个电源共同作用时产生的响应等于每个电源单独作用时产生的响应之和。
信息技术教程必考点知识总结第一章:信息技术基础(第一章在历年考试笔试中占2—3分)必考点:1.2：微电子技术简介考核点:(1)现代信息技术的主要特征是以数字技术为基础,以计算机及其软件为核心(2)微电子技术是实现电子电路和电子系统超小型化及微型化的技术,以集成电路为核心(3)集成电路是20世纪50年代出现的,以半导体单晶片作为材料(4)现代集成电路使用的半导体材料主要是硅,也可以是化合物如砷化镓(5)集成电路根据它所包含的电子元件可分为小规模(小于100),中规模(100-3000)、大规模(3000-10万)、超大规模(10万-100万)和极大规模集成电路(>100万)(6)中小规模集成电路以简单的门电路或单级放大器为集成对象,大规模集成电路以功能部件、子系统为集成对象,现代PC机中使用的微处理器、芯片组、图形加速芯片等都是超大规模或极大规模集成电路(7)集成电路芯片是微电子技术的结晶,是计算机和通信设备的核心,是现代信息产业的基础(8)集成电路的工作速度主要取决于组成逻辑门电路的晶体管的尺寸,尺寸越小,极限工作频率越高,门电路的开关速度越快(9)摩尔定律:单块集成电路平均每18—24个月翻一翻(10)IC卡又称为集成电路卡,不受磁场影响,可靠存储数据,IC卡分为存储器卡与CPU卡,存储器卡主要用于安全度要求不高的场合,如电话卡,水电费卡,公交卡,医疗卡。
CPU卡上除了CPU外,还配有操作系统,手机中的SIM卡就是一种特殊的CPU卡(11)经过抛光后的硅片成为硅抛光片,一个硅抛光片上有成百上千个独立的集成电路,排满了集成电路的硅片称作”晶圆”典型试题:1．在下列有关集成电路及其应用的叙述中,错误的是______ 。
(2010春)A．集成电路的制造工序繁多,工艺复杂且技术难度高B．经过抛光后的硅片称为晶圆硅抛光片,每个晶圆最多可以制成一个合格的集成电路芯片C．IC卡分为接触式IC卡和非接触式IC卡,后者通常又称为射频卡或感应卡D．集成电路应用十分广泛,目前我国第2代居民身份证中就有集成电路芯片2.在下列有关集成电路的叙述中,正确的是。
数电和模电知识点模电复习资料第⼀章半导体⼆极管⼀.半导体的基础知识1.半导体---导电能⼒介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流⼦----带有正、负电荷的可移动的空⽳和电⼦统称为载流⼦。
5.杂质半导体--在本征半导体中掺⼊微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺⼊微量的三价元素（多⼦是空⽳，少⼦是电⼦）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺⼊微量的五价元素（多⼦是电⼦，少⼦是空⽳）。
6. 杂质半导体的特性*载流⼦的浓度---多⼦浓度决定于杂质浓度，少⼦浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体⾃⾝的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，⼀种杂质半导体可以改型为另外⼀种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截⽌。
8. PN结的伏安特性⼆. 半导体⼆极管*单向导电性------正向导通，反向截⽌。
*⼆极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析⽅法------将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态⼯作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题⼿段----将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳*三种模型微变等效电路法三. 稳压⼆极管及其稳压电路*稳压⼆极管的特性---正常⼯作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压⼆极管在电路中要反向连接。
第⼆章三极管及其基本放⼤电路⼀. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
电路基础原理运算放大器的放大与滤波作用电路基础原理是电子学的基础，而运算放大器作为电路中的重要组成部分，在电子技术中发挥着重要的作用。
本文将介绍运算放大器的放大和滤波作用。
运算放大器是一种电子放大器，具有高增益和低失真的特性。
它通常由一个差动输入级、一个差动放大级和一个输出级组成。
差动输入级能够提供高共模抑制比，差动放大级能够提供高增益，输出级能够提供较大的输出电流。
这样的结构使得运算放大器能够将输入信号进行放大，同时还能够消除输入中的共模干扰。
运算放大器的放大作用在很多电路中得到应用。
在信号处理中，运算放大器可以将输入信号放大到合适的幅度，以满足后续电路的需求。
例如，在音频放大器中，运算放大器可以将微弱的声音信号放大到足够大的幅度，以驱动扬声器发出声音；在测量仪器中，运算放大器可以放大微小的传感器信号，以便进行准确的测量。
此外，运算放大器还可以实现滤波功能。
滤波是将特定频率范围的信号从混合的信号中分离出来的过程。
运算放大器可以通过正确选择电容和电阻的参数来实现滤波的功能。
根据不同的滤波需求，可以设计出低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等不同类型的电路。
例如，当需要从输入信号中滤除高频噪声时，可以使用低通滤波器。
低通滤波器的基本原理是通过将高频信号分流到地，只传递低频信号。
通过在运算放大器的输入端串联一个电容，可以实现低通滤波的效果。
类似地，当需要滤除低频噪声时，可以使用高通滤波器。
带通滤波器则可以将指定频率范围内的信号通过，而滤除其他频率范围的信号。
带阻滤波器则是将指定频率范围内的信号屏蔽掉。
通过将运算放大器与滤波器相结合，可以实现更复杂的电路功能。
例如，可以使用运算放大器与多个滤波器级联来实现多级滤波器，以获得更加精确的滤波效果。
此外，运算放大器也可以与其他电子元件相结合，如电容、电感等，来实现更加多样化的滤波特性。
总之，电路基础原理中的运算放大器具有放大和滤波的作用。
它能够将输入信号放大到合适的幅度，并可以通过滤波器来滤除不需要的信号成分。
电路基础原理运算放大器的虚短与虚断电路基础原理中，运算放大器起着至关重要的作用。
它是一种电子放大器，用于放大和处理电压信号。
在运算放大器的运作过程中，有两个概念非常重要，那就是虚短和虚断。
虚短是指在运算放大器中，输入端的差模电压为零时，输出端也接近于零。
简单来说，虚短指的是差模模式下输入阻抗极大，近似等于无穷大，而共模模式下输入阻抗很小，近似等于零。
虚短的存在使得运算放大器可以进行差模信号的放大，并对共模信号进行抑制。
虚断则是指在运算放大器中，输出电压为零时，输入电压也接近于零。
虚断可以看作是虚短的逆过程。
虚断存在的好处是可以实现输出电阻的减小，提高运算放大器的驱动能力和抗干扰能力。
虚短和虚断在运算放大器中被广泛应用。
通过合理地设计运算放大器的电路结构，可以实现理想的虚短和虚断效果。
在实际应用中，我们可以通过不同的电阻、电容和晶体管等元件的组合，来构建出具有理想虚短和虚断特性的运算放大器。
虚短和虚断的应用使得运算放大器能够在电路中起到重要的放大和处理信号的作用。
它不仅能够进行信号的差分放大和滤波，还可以实现反馈控制和比较运算等功能。
在实际电路设计中，运算放大器被广泛应用于模拟电路、信号处理、调制解调、传感器信号放大和微电子系统等领域。
虽然虚短和虚断在运算放大器的设计过程中起着重要作用，但是在实际应用中也会遇到一些问题。
比如，在高频频率下，电容和电感元件的存在会导致虚短和虚断无法完全实现，从而影响运算放大器的性能。
此外，温度的变化也会对虚短和虚断产生一定的影响，因此在工程设计中需要考虑温度补偿和稳定性等因素。
在总结中，虚短和虚断作为电路基础原理中重要的概念，对于运算放大器的设计和应用起着关键的作用。
它们能够实现差模信号的放大和共模信号的抑制，提高运算放大器的性能和稳定性。
虽然虚短和虚断在实际应用中可能会面临一些挑战，但是通过合理的电路设计和参数选择，可以最大程度地发挥运算放大器的优势，满足不同应用场景的需求。
模电复习资料第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体--在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
BJT与MOSFET单管放大器浅析任永浩 1301100821王艳 1301100828夏星星 1301100831摘要我们将介绍金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）以及双极型晶体管（BJT），这两类晶体管都有独特的特征和应用范围。
MOSFET毫无疑问是应用最广泛的电子器件，CMOS是集成电路的首选技术，然而，BJT仍然是一个重要的器件，CMOS电路加入BJT后性能会更优越。
我们会对这两种类型的电路做一个比较，讨论这两类晶体之间的差别，进一步了解这两类晶体管。
关键词BJT MOSFET 比较中图分类号：××××××××××文献标志码：A1双极性晶体管（BJT）双极性晶体管，全称双极性结型晶体管，俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件。
这种晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也称双极性载流子晶体管。
这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同，后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。
两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。
1.1 器件结构与物理特性图1 npn、pnp晶体管的简化结构如图一所示，BJT有三个半导体区域组成：发射区（n型）、基区（p型）、集电区（n型）。
这种晶体管叫做npn晶体管。
；另一种晶体管是npn晶体管的对偶，它具有p 型发射区、n型基区和p型集电区，称为pnp晶体管。
晶体管由两个pn结组成，即发射结（EBJ）和集电结（CBJ）。
根据这两个结的偏置条件（正向和反向），可以得到BJT不同的工作模式，如表1所示。
表1 BJT的工作模式放大模式也称正向放大模式，当晶体管作为放大器工作时，应用这种模式。
开关应用使用截止模式和饱和模式。
反向放大模式只有有限的应用范围，但是其概念很重要。
1.2 npn型与pnp型双极晶体管原理NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。
目录摘要 (3)第一章引言 (4)第二章基础知识介绍 (5)集成电路简介 (5)CMOS运算放大器 (5)理想运放的模型 (5)非理想运算放大器 (6)运放的性能指标 (6)CMOS运算放大器的常见结构 (7)单级运算放大器 (7)简单差分放大器 (8)版图的相关知识 (9)版图介绍 (9)硅栅CMOS工艺版图和工艺的关系 (9)Tanner介绍 (10)第三章电路设计 (11)总体方案 (11)各级电路设计 (11)第三级电路设计 (11)第二级电路设计 (12)第一级电路设计 (13)三级运放整体电路图及仿真结果分析 (15)第四章版图设计 (16)版图设计的流程 (16)参照所设计的电路图的宽长比，画出各MOS管 (16)布局 (18)画保护环 (18)画电容 (18)画压焊点 (19)整个版图 (20)第五章 T-Spice仿真 (22)提取T-Spice文件 (22)用T-Spice仿真 (25)仿真结果分析 (27)第六章总结 (28)参考文献 (29)摘要本次专业综合课程设计的主要内容是设计一个CMOS三级运算跨导放大器，该放大器可根据不同的使用要求，通过开关的开和闭，选择单级、两级、三级组成放大器，以获得不同的增益和带宽。
用ORCAD画电路图，设计、计算宽长比，仿真，达到要求的技术指标，逐级进行设计仿真。
然后用L-Edit软件根据设计的宽长比画版图，最后通过T-Spice仿真，得到达到性能指标的仿真结果。
设计的主要结果归纳如下：（1）运算放大器的基本工作原理（2）电路分析（3）设计宽长比（4）画版图（5）仿真（6）结果分析关键词：CMOS运算跨导放大器；差分运放；宽长比；版图设计；T-Spice 仿真第一章引言众所周知，微电子技术、电力电子技术和计算机技术在相互渗透、相互支撑和相互促进的紧密关系中，均得到了飞速的发展。
现代信息社会的支柱——计算机和通讯，其主要硬件设备是集成电路。
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第三章放大电路基础放大电路基础电路教学要求1、掌握放大电路的组成原理，熟练掌握放大电路直流通路、交流通路及交流等效电路的画法并能熟练判断放大电路的组成是否合理。
2、熟悉理想情况下放大器的四种模型，并掌握增益、输入电阻、输出电阻等各项性能指标的基本概念。
3、掌握放大电路的分析方法，特别是微变等效电路分析法。
4、掌握放大电路三种基本组态（CE、CC、CB 及 CS、CD、CG）的性能特点。
5、了解放大电路的级间耦合方式，熟悉多级放大电路的分析方法。
基本概念和内容要点3.1 放大电路的基本概念1、放大电路的组成原理无论何种类型的放大电路，均由三大部分组成，如图 2.1 所示。
第一部分是具有放大作用的半导体器件，如三极管、场效应管，它是整个电路的核心。
第二部分是直流偏置电路，其作用是保证半导体器件工作在放大状态。
第三部分是耦合电路，其作用是将输入信号源和输出负载分别连接到放大管的输入端和输出端。
输入信号耦合电路T耦合电路输出负载偏置电路外围电路图 2.1下面简述偏置电路和耦合电路的特点。
（1）偏置电路）①在分立元件电路中，常用的偏置方式有分压偏置电路、自偏置电路等。
其中，分压偏置电路适用于任何类型的放大器件；而自偏置电路只适合于耗尽型场效应管（如 JFET 及 DMOS 管）。
42②在集成电路中，广泛采用电流源偏置方式。
偏置电路除了为放大管提供合适的静态点（Q）之外，还应具有稳定 Q 点的作用。
（2）耦合方式）为了保证信号不失真地放大，放大器与信号源、放大器与负载、以及放大器的级与级之间的耦合方式必须保证交流信号正常传输，且尽量减小有用信号在传输过程中的损失。
实际电路有两种耦合方式。
①电容耦合，变压器耦合这种耦合方式具有隔直流的作用，故各级 Q 点相互独立，互不影响，但不易集成，因此常用于分立元件放大器中。
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
