集成电路封装和可靠性Chapter2-1-芯片互连技术【芯片封装测试】
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集成电路封装与测试复习题(含答案)第1章集成电路封装概论2学时第2章芯片互联技术3学时第3章插装元器件的封装技术1学时第4章表面组装元器件的封装技术2学时第5章BGA和CSP的封装技术4学时第6章POP堆叠组装技术2学时第7章集成电路封装中的材料4学时第8章测试概况及课设简介2学时一、芯片互联技术1、引线键合技术的分类及结构特点?答:1、热压焊:热压焊是利用加热和加压力,使焊区金属发生塑性形变,同时破坏压焊界面上的氧化层,使压焊的金属丝与焊区金属接触面的原子间达到原子的引力范围,从而使原子间产生吸引力,达到“键合”的目的。
2、超声焊:超声焊又称超声键合,它是利用超声波(60-120kHz)发生器产生的能量,通过磁致伸缩换能器,在超高频磁场感应下,迅速伸缩而产生弹性振动经变幅杆传给劈刀,使劈刀相应振动;同时,在劈刀上施加一定的压力。
于是,劈刀就在这两种力的共同作用下,带动Al丝在被焊区的金属化层(如Al膜)表面迅速摩擦,使Al丝和Al膜表面产生塑性形变。
这种形变也破坏了Al层界面的氧化层,使两个纯净的金属面紧密接触,达到原子间的“键合”,从而形成牢固的焊接。
3、金丝球焊:球焊在引线键合中是最具有代表性的焊接技术。
这是由于它操作方便、灵活,而且焊点牢固,压点面积大,又无方向性。
现代的金丝球焊机往往还带有超声功能,从而又具有超声焊的优点,有的也叫做热(压)(超)声焊。
可实现微机控制下的高速自动化焊接。
因此,这种球焊广泛地运用于各类IC和中、小功率晶体管的焊接。
2、载带自动焊的分类及结构特点?答:TAB按其结构和形状可分为Cu箔单层带:Cu的厚度为35-70um,Cu-PI双层带Cu-粘接剂-PI三层带Cu-PI-Cu双金属3、载带自动焊的关键技术有哪些?答:TAB的关键技术主要包括三个部分:一是芯片凸点的制作技术;二是TAB载带的制作技术;三是载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线的焊接术。
制作芯片凸点除作为TAB内引线焊接外,还可以单独进行倒装焊(FCB)4.倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法?答:蒸镀焊料凸点:蒸镀焊料凸点有两种方法,一种是C4 技术,整体形成焊料凸点;电镀焊料凸点:电镀焊料是一个成熟的工艺。
UESTC-Ning Ning1Chapter 2Chip Level Interconnection宁宁芯片互连技术集成电路封装测试与可靠性UESTC-Ning Ning2Wafer InWafer Grinding (WG 研磨)Wafer Saw (WS 切割)Die Attach (DA 黏晶)Epoxy Curing (EC 银胶烘烤)Wire Bond (WB 引线键合)Die Coating (DC 晶粒封胶/涂覆)Molding (MD 塑封)Post Mold Cure (PMC 模塑后烘烤)Dejunk/Trim (DT 去胶去纬)Solder Plating (SP 锡铅电镀)Top Mark (TM 正面印码)Forming/Singular (FS 去框/成型)Lead Scan (LS 检测)Packing (PK 包装)典型的IC 封装工艺流程集成电路封装测试与可靠性UESTC-Ning Ning3⏹电子级硅所含的硅的纯度很高,可达99.9999 99999 %⏹中德电子材料公司制作的晶棒(长度达一公尺,重量超过一百公斤)UESTC-Ning Ning4Wafer Back Grinding⏹PurposeThe wafer backgrind process reduces the thickness of the wafer produced by silicon fabrication (FAB) plant. The wash station integrated into the same machine is used to wash away debris left over from the grinding process.⏹Process Methods:1) Coarse grinding by mechanical.(粗磨)2) Fine polishing by mechanical or plasma etching. (细磨抛光)UESTC-Ning Ning5旋转及振荡轴在旋转平盘上之晶圆下压力工作台仅在指示有晶圆期间才旋转Method:The wafer is first mounted on a backgrind tape and is then loaded to the backgrind machine coarse wheel . As the coarse grinding is completed, the wafer is transferred to a fine wheel for polishing .。
一、填空题1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置,粘贴固定以及连接,引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装;在次根基之上,将封装体与装配成完整的系统或者设备,这个过程称之为广义封装。
2、芯片封装所实现的功能有传递电能;传递电路信号;提供散热途径;构造保护与支持。
3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。
4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。
5、金属凸点制作工艺中,多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。
6、成型技术有多种,包括了转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术、其中最主要的是转移成型技术。
7、在焊接材料中,形成焊点完成电路电气连接的物质叫做煤斜;;用于去除焊盘外表氧化物,提高可焊性的物质叫做助焊剂;在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做锡直。
8、气密性封装主要包括了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。
9、薄膜工艺主要有遮射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、光刻工艺。
10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件(MOdUIe)、⅛路卡工艺(Card)、主电路板(Board)、完整电子产品。
11、在芯片的减薄过程中,主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀等。
12、芯片的互连技术可以分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。
13、DBG切割方法进展芯片处理时,首先进展在硅片正面切割一定深度切口再进展反面磨削。
14、膜技术包括了薄膜技术和厚膜技术,制作较厚薄膜时常采用丝网印刷和浆料枯燥烧结的方法O15、芯片的外表组装过程中,焊料的涂覆方法有点涂、丝网印刷、钢模板印刷三种。
16、涂封技术一般包括了顺形涂封和封胶涂封。
二、名词解释1、芯片的引线键合技术(3种)是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上而形成电路互连,包括超声波键合、热压键合、热超声波键合。
集成电路芯片封装:是指利用膜技术及微细加工技术,将芯片及其他要素在框架或基板上布置,粘贴,固定及连接,引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定构成整体立体结构的工艺封装工程:将封装体与基板连接固定装配成完整的系统或电子设备,并确保整个的综合性能的工程(合起来就是广义的封装概念)芯片封装实现的功能:①传递电能,主要是指电源电压的分配和导通②传递电路信号,主要是将电信号的延迟尽可能的减小,在布线时应尽可能使信号线与芯片的互联路径及通过封装的I/O接口引出的路径最短③提供散热途径,主要是指各种芯片封装都要考虑元器件部件长期工作时,如何将聚集的热量散出的问题④结构保护与支持,主要是指芯片封装可为芯片和其他连接部件提供牢固可靠的机械支撑封装工程的技术层次①第一层次,该层次又称为芯片层次的封装,是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连线与封装保护的工艺②第二层次,将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电路卡的工艺③第三层次,将数个第二层次完成的封装,组装成的电路卡组合在一个主电路板上,使之成为一个部件或子系统的工艺④第四层次,将数个子系统组装成一个完整电子产品的工艺过程芯片封装的分类:按照封装中组合集成电路芯片的数目,可以分为单芯片封装与多芯片封装按照密封的材料区分,可分为高分子材料和陶瓷为主的种类按照器件与电路板互连方式,可分为引脚插入型和表面贴装型按照引脚分布形态,可分为单边引脚,双边引脚,四边引脚与底部引脚零级层次,在芯片上的集成电路元件间的连线工艺SCP,单芯片封装MCP,多芯片封装DIP,双列式封装BGA,球栅阵列式封装SIP,单列式封装ZIP,交叉引脚式封装QFP,四边扁平封装MCP,底部引脚有金属罐式PGA,点阵列式封装芯片封装技术的基本工艺流程:硅片减薄,硅片切割,芯片贴装,芯片互连,成型技术,去飞边,毛刺,切筋成型,上焊锡,打码芯片减薄:目前硅片的背面减薄技术主要有磨削,研磨,干式抛光,化学机械平坦工艺,电化学腐蚀,湿法腐蚀,等离子增强化学腐蚀,常压等离子腐蚀等芯片切割:刀片切割,激光切割(激光半切割,激光全切割)激光开槽加工是一种常见的激光半切割方式芯片贴装也称为芯片粘贴,是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。
集成电路封装与测试技术随着科技的不断发展,电子与电气工程在现代社会中扮演着至关重要的角色。
其中,集成电路封装与测试技术作为电子与电气工程领域的重要组成部分,对于电子产品的研发和生产起着关键性的作用。
本文将对集成电路封装与测试技术进行深入探讨。
一、集成电路封装技术集成电路封装技术是将裸片芯片封装在外壳中,以保护芯片并提供连接引脚的过程。
封装技术的发展不仅关乎芯片的可靠性和稳定性,还与电路性能、功耗和成本等因素密切相关。
在封装技术中,常见的封装形式包括直插式封装、贴片式封装和球栅阵列封装等。
直插式封装通过引脚插入插座或焊接于印刷电路板上,适用于较大尺寸的芯片。
贴片式封装则将芯片直接粘贴在印刷电路板上,适用于小型和轻薄的电子产品。
球栅阵列封装则是一种先进的封装技术,通过微小焊球连接芯片和印刷电路板,具有较高的集成度和可靠性。
除了封装形式,封装材料也是封装技术中的重要因素。
常见的封装材料包括塑料封装、陶瓷封装和金属封装等。
塑料封装成本低、制造工艺简单,适用于大规模生产;陶瓷封装耐高温、抗冲击性好,适用于高性能芯片;金属封装具有良好的散热性能,适用于高功率芯片。
二、集成电路测试技术集成电路测试技术是对封装完成的芯片进行功能、性能和可靠性等方面的测试,以确保芯片的质量和可靠性。
测试过程主要包括芯片测试、封装测试和系统测试等。
芯片测试是对裸片芯片进行测试,以验证其设计和制造是否符合要求。
常见的芯片测试方法包括逻辑功能测试、电气特性测试和可靠性测试等。
逻辑功能测试通过输入不同的信号,验证芯片的逻辑功能是否正确;电气特性测试则测试芯片的电压、电流和功耗等性能参数;可靠性测试则通过长时间的高温、低温和振动等环境测试,验证芯片的可靠性。
封装测试是对封装完成的芯片进行测试,以验证封装过程是否正确,是否存在焊接问题和短路等缺陷。
常见的封装测试方法包括外观检查、焊接可靠性测试和封装参数测试等。
外观检查通过目视或显微镜检查封装是否完整、引脚是否正常;焊接可靠性测试通过模拟实际使用环境下的温度变化和机械振动等,验证封装的可靠性;封装参数测试则测试封装的电气参数,如引脚电阻、电容和电感等。
集成电路封装与测试技术随着信息技术的快速发展和应用的广泛普及,集成电路在现代社会中扮演着重要的角色。
而集成电路封装与测试技术作为集成电路制造的重要环节,对于电子产品的性能、可靠性和稳定性起着至关重要的作用。
本文将介绍集成电路封装与测试技术的基本概念、重要性以及相关的发展趋势。
一、集成电路封装技术1.1 封装技术的定义与作用集成电路封装技术是将裸片芯片进行外包装,以提供对芯片的保护、连接和便于插拔。
其主要目标是保证芯片的电性能、机械可靠性和环境适应性,同时满足产品的体积、功耗和成本要求。
1.2 封装技术的分类根据不同的封装方式和结构,集成电路封装技术可以分为裸片封装、芯片级封装和模块级封装等多种形式。
其中,裸片封装是指将芯片直接粘贴在PCB板上,不进行封装的方式;芯片级封装是将芯片封装成单芯片或多芯片封装;模块级封装是将集成电路芯片与其他元器件进行封装。
1.3 封装技术的发展趋势随着集成电路的功能不断增强和尺寸不断缩小,封装技术也在不断创新与发展。
目前,多芯片封装、三维封装、无线封装等是集成电路封装技术的研究热点与发展方向。
这些新技术的应用将进一步提高集成电路的性能和可靠性。
二、集成电路测试技术2.1 测试技术的定义与作用集成电路测试技术是对封装好的集成电路芯片进行功能、电性能和可靠性等方面的验证和测试。
通过测试可以确保芯片的质量和性能符合设计要求,提高产品的可靠性和稳定性。
2.2 测试技术的分类根据不同的测试目的和方法,集成电路测试技术可以分为芯片测试、模块测试和系统测试等多种形式。
其中,芯片测试是对单个芯片进行测试,模块测试是对芯片封装后的模块进行测试,系统测试是对整个集成电路系统进行测试。
2.3 测试技术的发展趋势随着集成电路的复杂度不断提高,传统的测试技术已经无法满足需求。
因此,新型测试技术如板级测试、全片测试、MEMS测试等正在逐渐发展起来。
这些新技术的应用将提高测试效率、降低测试成本,并能同时满足不同级别的测试需求。
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Chapter 2
Chip Level Interconnection
宁宁
芯片互连技术
集成电路封装测试与可靠性
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2
Wafer In
Wafer Grinding (WG 研磨)Wafer Saw (WS 切割)Die Attach (DA 黏晶)Epoxy Curing (EC 银胶烘烤)Wire Bond (WB 引线键合)Die Coating (DC 晶粒封胶/涂覆)
Molding (MD 塑封)Post Mold Cure (PMC 模塑后烘烤)Dejunk/Trim (DT 去胶去纬)
Solder Plating (SP 锡铅电镀)Top Mark (TM 正面印码)Forming/Singular (FS 去框/成型)
Lead Scan (LS 检测)Packing (PK 包装)
典型的IC 封装工艺流程
集成电路封装测试与可靠性
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⏹
电子级硅所含的硅的纯度很高,可达99.9999 99999 %
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中德电子材料公司制作的晶棒(
长度达一公尺,重量超过一百公斤
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Wafer Back Grinding
⏹Purpose
The wafer backgrind process reduces the thickness of the wafer produced by silicon fabrication (FAB) plant. The wash station integrated into the same machine is used to wash away debris left over from the grinding process.
⏹Process Methods:
1) Coarse grinding by mechanical.(粗磨)2) Fine polishing by mechanical or plasma etching. (细磨抛光
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旋转及振荡轴
在旋转平盘上之晶圆
下压力
工作台仅在指示有晶圆期间才旋转
Method:
The wafer is first mounted on a backgrind tape and is then loaded to the backgrind machine coarse wheel . As the coarse grinding is completed, the wafer is transferred to a fine wheel for polishing .。