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第一章 缺陷

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砼质量缺陷处理方案

砼质量缺陷处理方案

砼质量缺陷处理方案从钢筋外露、砼蜂窝、麻面、缺棱掉角、施工缝夹层及楼板裂缝等质量缺陷分析其原因、预防措施及治理方法。

第一章：缺陷的产生原因及处理方法1 施工缝夹层现象：施工缝处砼结合不好,有缝隙或夹有杂物，造成结构整体性不良.1。

1原因分析:1.1。

1在灌注砼前没有认真处理施工缝表面;灌注过程中，捣实不够。

1.1。

2灌注大体积砼结构时,往往分层分段施工。

在施工停歇期间常有木块、锯末等杂物积存在砼表面，未认真检查清理，再次灌注砼时混入砼内。

l.2 预防措施：l。

2。

l在已硬化的砼表面上继续灌注砼前，除掉表面水泥薄膜和松动石子或软弱砼层,并充分湿润和冲洗干净,残留在砼表面的水予清除。

1。

2.2在灌注前，施工缝宜先铺抹水泥浆或与砼相同的水泥砂浆一层。

l.2.3在模板上沿施工缝位置通条开口,以便清理杂物和冲洗.冬季施工时可采用高压风吹.全部清理后，再将通条开口封闭，并抹水泥浆或减石子砼砂浆，再灌注砼.l。

3处理措施：对结构构件承载力无影响的细小裂缝，可将裂缝处加以冲洗,用水泥砂浆抹补。

如果裂缝开裂较大较深时，应将裂缝、夹层附近的砼表面凿毛，将夹层中的杂物和松软砼清除，用清水冲洗干净，充分湿润,再采用高一等级的细石砼灌注捣实并认真养护。

2露筋现象：钢筋砼结构内的主筋、负筋或箍筋等露在砼表面。

2。

l原因分析：2。

1.1因配合比不当砼产生离析,浇捣部位缺浆或模板严重漏浆。

2。

1.2砼振捣时，振捣棒撞击钢筋，使钢筋移位。

2。

1.3砼灌注振捣时。

钢筋垫块移位或垫块太少甚至漏放，钢筋紧贴模板。

2.1。

4钢筋砼结构断面较小，钢筋过密，如遇大石子卡在钢筋上，砼水泥浆不能充满钢筋周围.2.1。

5砼保护层振捣不密实，或木模板湿润不够，砼表面失水过多等，拆模时砼缺棱掉角。

2。

2预防措施:2.2.l灌注砼前，检查钢筋位置和保护层厚度是否准确.2。

2.2为保证砼保护层的厚度。

要注意固定好垫块.2。

2。

3为防止钢筋移位，严禁振捣棒撞击钢筋。

连铸坯缺陷 ppt课件

连铸坯缺陷 ppt课件

PPT课件
8
1.2 各种裂纹的形成机理及其特征
高温失延裂纹
在固相线以下的高温阶段，金属处于不断增长的固相收缩应力 作用之下，变形方式主要是依靠位错或空位沿着晶界的扩散、移动 进行。当沿晶界的扩散变形遇到障碍时（如三晶粒相交的顶点）， 就会因应变集中导致裂纹。
空穴开裂理论认为晶界滑动和晶界迁移同时发生，两者共同作 用可形成晶界台阶，进而形成空穴并发展成微裂纹。
这类裂纹常出现在具有强烈淬硬倾向的高（中）碳钢、高强度合 金钢、工具钢的焊件中。
2020/3/31
PPT课件
13
1.2 各种裂纹的形成机理及其特征
低塑性脆化裂纹：
它是某些低塑性材料冷却到较低温度时，由于体积收缩所引起的 应变超过了材料本身所具有的塑性储备量时所产生的裂纹。
这种裂纹通常也无延迟现象，常发生在铸铁或硬质合金构件的成 形加工中。如灰口铸铁在400℃以下基本无塑性，焊接裂纹倾向很大。
珠光体耐热钢中的V元素，会使SR裂纹敏感性显著增加；
二是与加热速度和加热时间有关，不同的钢种存在不同的易产生再热
裂纹的敏感温度范围。因此，在制定加热工艺时，应尽量减少坯料在
敏感温度范围内的停留时间。前者是内在因素，后者是外在因素。
PPT课件
15
1.3 铸坯裂纹类型与形成位置的关系
PPT课件
16
1.3 铸坯裂纹类型与形成位置的关系
期
裂纹的深度
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17
1.3 铸坯裂纹类型与形成位置的关系
裂纹的断口
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18
1.3 铸坯裂纹类型与形成位置的关系
裂纹的脱碳
PP件
连铸坯形成裂纹的必要条件:
外因
内因，钢的裂纹敏感性

第一章 晶体结构与晶体中的缺陷

第一章 晶体结构与晶体中的缺陷

第一章晶体结构与晶体中的缺陷一、名词解释1．正尖晶石与反尖晶石；2．弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷；3．刃位错与螺位错；4．固溶体；5．非化学计量化合物：二、填空与选择2．在硅酸盐结构分类中，下列矿物Ca[Al2Si2O8]；CaMg[Si2O6]；β-Ca2SiO4和Mg3[Si4O10](OH)2，分别属于；；；和四类。

3．在负离子作立方密堆的晶体中，为获得稳定的晶体结构，正离子将所有八面体空隙位置填满的晶体有，所有四面体空隙均填满的晶体有，填满一半八面体空隙的晶体有，填满一半四面体空隙的晶体有。

4．在尖晶石（MgAl2O4）型晶体中，O2－作面心立方最紧密堆积，Mg2＋填入了；金红石晶体中，所有O2－作稍有变形的六方密堆，Ti4＋填充了。

（A全部四面体空隙；B 全部八面体空隙；C四面体空隙的半数；D八面体空隙的半数；E四面体空隙的八分之一；F八面体空隙的八分之一）5．构成层状硅酸盐的[Si2O5]片中的Si4＋，通常被一定数量的Al3＋所取代，为满足鲍林第二规则（静电价规则），在层状结构中结合有（OH）－离子和各种二价正离子或三价正离子。

这种以Al3＋取代Si4＋的现象，称为。

（ A同质多晶（同质多象）；B类质同晶；C有序－无序转化；D同晶置换（同晶取代））6．高岭石与蒙脱石属于层状硅酸盐结构，前者的结构特征是，后者的结构特征是。

（A二层型三八面体结构；B三层型三八面体结构；C二层型二八面体结构；D 三层型二八面体结构）7．在石英的相变中，属于重建型相变的是，属于位移式相变的是。

（A α-石英→α-鳞石英；B α-石英→β-石英；C α-鳞石英→α-方石英；D α方石英→β-方石英）8．晶体结构中的热缺陷有和二类。

9．CaO掺杂到ZrO2中，其中置换了。

由于电中性的要求，在上述置换同时产生一个空位。

以上置换过程可用方程式表示。

10．由于的结果，必然会在晶体结构中产生"组分缺陷"，组分缺陷的浓度主要取决于：和。

铸件质量标准与铸件缺陷分类

铸件质量标准与铸件缺陷分类

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!342实实测测·75)*)6)((*65)58!!!!
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34实测 ———灰铸铁实测硬度，34 < 76’ 时上式才有效；
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"总 ———总含碳量（ ?）；
伸率 ! 为 目 的 变 数；碳、锰、硅 及 硫、磷 为 独 立 变 数 的 回 归 方 程，使 硫、磷 成 分 一 定 （) % )$?），便可找到对应于!2 与!)=& 的最佳碳、锰与硅元素搭配。或者在这些主要元素
上限规定的条件下，获得要求强度下成分的变动范围。化学成分与性能之间关系通过重
回归分析，有利于进行过程控制。
如为了提高铸钢件的焊接性能，把碳的实际控制量比标准降低 ! " !#$ ，生产成本增高有 限，但铸件的适用性和机械产品的功能大增，可更好地适应国际市场需要，增加机电产品 的出口竞争能力。
铸件质量标准定 量 地 表 示 铸 件 满 足 一 定 要 求 的 适 用 程 度，例 如 抗 磨 白 口 铸 铁 标 准 %& ’()*—’+ 中硬度是保证抗磨的必备条件，成分、金相组织和力学性能是供协议的保证 条件，而热处理工艺、熔炼和铸造方法都是参考条件。
!! 2 $ 0 # 2 -
!# 2 $ 0 4 2 -
铸件加工表面粗糙度可用均方根值或微观不平度 %- 点高度（ # 5）来描述。铸件非加 工表面则是反映铸型表面的凸凹的状况，无规律可循，因此用均方根值方法测定铸件非

供热公司缺陷管理制度

供热公司缺陷管理制度

第一章总则第一条为加强供热公司设备管理，确保供热系统安全、稳定、高效运行，提高供热服务质量，特制定本制度。

第二条本制度适用于供热公司所有供热设备、设施及附属设施的缺陷管理。

第三条缺陷管理遵循“预防为主、防治结合”的原则，确保供热系统安全、稳定、高效运行。

第二章缺陷定义与分类第四条缺陷是指供热设备、设施及附属设施在运行过程中，由于设计、制造、安装、使用、维护等原因，导致其功能、性能、结构、外观等方面不符合规定要求的现象。

第五条缺陷按性质和轻重程度分为以下三类：1. 紧急缺陷：指可能导致事故发生，必须立即处理的缺陷。

2. 重大缺陷：指对供热系统运行影响较大，需在短期内消除的缺陷。

3. 一般缺陷：指对供热系统运行影响较小，可列入年度或大、小修计划消除的缺陷。

第三章缺陷报告与处理第六条发现缺陷时，相关人员应立即向部门负责人报告，部门负责人应及时上报公司缺陷管理部门。

第七条缺陷管理部门接到报告后，应立即组织相关人员对缺陷进行核实、分类，并制定处理方案。

第八条处理方案应包括以下内容：1. 缺陷原因分析；2. 处理措施及责任人；3. 预防措施及改进措施；4. 处理期限。

第九条处理缺陷时，应遵循以下原则：1. 紧急缺陷应立即处理；2. 重大缺陷应在规定时间内处理；3. 一般缺陷应按计划处理。

第四章预防与改进第十条公司应建立健全供热设备、设施及附属设施的预防性维护保养制度，定期进行保养，降低缺陷发生概率。

第十一条对已发生的缺陷，应分析原因，采取有效措施，防止类似缺陷再次发生。

第十二条公司应定期对供热设备、设施及附属设施进行安全检查，及时发现并消除缺陷。

第五章奖惩第十三条对及时发现并报告缺陷的人员给予表扬和奖励。

第十四条对因工作失误导致缺陷发生或未及时报告缺陷，造成不良后果的人员，给予通报批评、经济处罚等处理。

第十五条对在缺陷处理过程中表现突出的个人或集体给予表彰和奖励。

第六章附则第十六条本制度由公司设备管理部门负责解释。

第一章 晶体结构缺陷习题及解答

第一章 晶体结构缺陷习题及解答

第一章 晶体结构缺陷习题与解答1.1 名词解释（a ）弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷；（b ）刃型位错和螺型位错 解：（a ）当晶体热振动时，一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中，形成间隙原子，而原来位置上形成空位，这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。

如果正常格点上原子，热起伏后获得能量离开平衡位置，跃迁到晶体的表面，在原正常格点上留下空位，这种缺陷称为肖特基缺陷。

（b ）滑移方向与位错线垂直的位错称为刃型位错。

位错线与滑移方向相互平行的位错称为螺型位错。

1.2试述晶体结构中点缺陷的类型。

以通用的表示法写出晶体中各种点缺陷的表示符号。

试举例写出CaCl 2中Ca 2+置换KCl 中K +或进入到KCl 间隙中去的两种点缺陷反应表示式。

解：晶体结构中的点缺陷类型共分：间隙原子、空位和杂质原子等三种。

在MX 晶体中，间隙原子的表示符号为M I 或X I ；空位缺陷的表示符号为：V M 或V X 。

如果进入MX 晶体的杂质原子是A ，则其表示符号可写成：A M 或A X （取代式）以及A i （间隙式）。

当CaCl 2中Ca 2+置换KCl 中K +而出现点缺陷，其缺陷反应式如下：CaCl 2−→−KCl •K Ca +'k V +2Cl ClCaCl 2中Ca 2+进入到KCl 间隙中而形成点缺陷的反应式为：CaCl 2−→−KCl ••i Ca +2'k V +2Cl Cl1.3在缺陷反应方程式中，所谓位置平衡、电中性、质量平衡是指什么？ 解：位置平衡是指在化合物M a X b 中，M 格点数与X 格点数保持正确的比例关系，即M ：X=a ：b 。

电中性是指在方程式两边应具有相同的有效电荷。

质量平衡是指方程式两边应保持物质质量的守恒。

1.4（a ）在MgO 晶体中，肖特基缺陷的生成能为6ev ，计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。

（b ）如果MgO 晶体中，含有百万分之一mol 的Al 2O 3杂质，则在1600℃时，MgO 晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势？说明原因。

软件质量管理实践总结

第一章：缺陷综述1.软件缺陷的立义：软件产品在某种程度上不能满足用户的需求。

2.软件缺陷的生命周期：从一个软件缺陷被发现、报告到这个缺陷被修复、验证，最后关闭的过程。

3.缺陷产生的原因：原因很多，例如重技术不重管理、项目监控和讣划做得不够好、不扎实等等。

4.缺陷是谁产生的：任何人都有可能产生缺陷。

5.缺陷发现的手段：同行评审、测试、管理评审、QA发现、项目组内部发现、客户反馈。

第二章：需求开发与管理1.需求的概念和层次①概念：需求就是以一种淸晰、简洁、一致且无二性的方式，对待开发的各个有意义方面的陈述的集合。

②层次：从应用角度看软件需求。

A.业务需求：反映组织机构/客户对系统产品高层次的目标要求B.用户需求：用户使用产品必须完成的任务C.功能需求：开发人员实现软件功能，使得用户能够完成的任务，从而满足业务需求2.需求管理：控制和维持需求的约定：需求追踪是双向的，正向由PM主导，其他人辅助，逆向由测试主导。

3.需求验证：评审为主，一般参与人员为各个技术的专家。

第三章：配置与变更管理1.槪念：一门用来记录并且控制软件产品数据的管理学科，是对各类工作产品的内容、版本、变更和发布进行控制。

①忽视软件配宜管理会导致如下现象：A.已经排除的bug,反复出现B.找不到最新修改的源代码C.找不到原来的编程人员D.发行的版本错误E.软件正常安装后不能工作F.异地不能正常工作2.配置控制委员会CCB：一般项目经理会根拯配置控制委员会的建议和批准管理各项活动并且控制它们的进程，一般组成人员：髙层经理、项目经理、关键的RD、关键的QA、PPQA 代表、CM代表、PM, CCB的组长不能是项目经理。

3.配置项：一般包含：计算机程序、开发者和用户的文档、数据等，每一个配置项需表明：作者、时间、原因、当前状态、版本号。

4.配置管理活动：①内容A.制左配置管理计划B.建立三库（开发库、受控库、发行库）C.确左配置标识规则D.进行版本管理和发行管理E.实施变更控制F.进行配麗审计G.报告配苣状态5.变更管理活动①发生在开发过程的所有阶段，从需求分析到产品开发再到维护。

第一章晶体的结构及晶体中的缺陷


ˆn c ˆn ˆh s
I
s
在晶体中反轴 对应的操作是先绕(轴)线旋转α度，然后再通过线上 (中心)点进行倒反(或先倒反再旋转)，即能产生等价图形。这种连续性 操作的符号为 “ L( ) I ”, 其中“ ”为倒反, “L( )” 为旋转.
由此可知， 与Sn都属于复合对称操作，且都由旋转与另一相连的操 作组合而成。
小角度晶界： 晶粒位向差小于10度的晶界。其结构为位 错列，又分为对称倾侧晶界和扭转晶界。
5、晶界能
Gb W＝ ( A0 ln 0 ) 4 (1 ) b A0 1＋ ln( ) 2r0 G 剪切模量；－－失配度； b －－柏氏矢量；
－－泊松比； r0 与位错线有关的一个
除了对称元素和对称操作的符号和名称的不完全相同外，晶体的宏观 对称性与有限分子的对称性最本质的区别是：晶体的点阵结构使晶体 的宏观对称性受到了限制，这种限制主要表现在两方面： 在晶体的空间点阵结构中，任何对称轴(包括旋转轴、反轴以及以后 介绍的螺旋轴)都必与一组直线点阵平行，与一组平面点阵垂直(除 一重轴外)；任何对称面(包括镜面及微观对称元素中的滑移面)都必 与一组平面点阵平行，而与一组直线点阵垂直。 晶体中的对称轴(包括旋转轴,反轴和螺旋轴)的轴次n并不是可以有 任意多重，n仅为1,2,3,4,6，即在晶体结构中，任何对称轴或轴性 对称元素的轴次只有一重、二重、三重、四重和六重这五种，不可 能有五重和七重及更高的其它轴次，这一原理称为“晶体的对称性 定律”。 所以，综合前面的讨论，由于点阵结构的限制，晶体中实际存在 的独立的宏观对称元素总共只有八种，见表2
1.3准晶体 准晶体是1984年科学家发现的一种新的物 质聚集形态。一种介于晶体和非晶体之间的

第一章 铸造缺陷

缺陷见于各种黑色金属和铜合金砂型铸件。
缺 陷 成 因 1.上型面夹砂结疤
（1）型壁形成以低强
剖 视
度的水分凝结层，接着
图
形成一层干砂层，其膨
胀受到两侧型壁阻碍，
使之受压而拱起。当液
态金属上升接触砂层时，
俯
液态金属的压力将拱起
视 图
的沙层顶回，使砂层破
裂。于是，液态金属进
入砂层背后的空间，形
成一薄层金属凸起，构
淬 裂 的 铝 合 金 铸 件
消除缺陷的措施：改用冷却速度低的淬火液，如用 热水或油。检查淬火温度，也可改进铸件的设计。
4、白点 （发裂）
钢中主要因氢的析出而引起的缺陷。在纵向 断面上， 它呈现近似圆形或椭圆形的银白色 斑点， 故称白点； 在横断面宏观磨片上， 腐蚀后则呈现为毛细裂纹， 故又称发裂
消除缺陷的措施：延长金属型的生产周期和加大金属型 的型壁斜度毅力铸件出型。操作者应认真工作，勿使铸件过 早出型。铸件的出型方向应与分型面垂直。
2、应力热裂
形状不规则，深浅不一的晶间裂纹。裂口常呈现细密 的树枝状结晶，且表面氧化。
这类缺陷最常发生在铸件上存在着内应力的最后凝固 的断面处（如厚、薄断面的交接处、内角处等）。
晶、偏析、球化不良，石墨粗大等。
第一节 多肉类缺陷
1、飞翅 （飞边）
定义：垂直于铸件表面上厚薄不均匀薄片状金属突起 物， 常产生在铸件分型面和芯头处以及铸型中任何 两个部分的交合面上。
灰铸铁 湿型
由于砂芯与芯座 之间的缝隙过大、砂 芯尺寸太小、或下芯 前砂芯磨削太多而造 成的毛刺。右上方是 夹砂结疤。
缺陷成因：
1.基本机理：合金在凝固过程中，当其温度接近固相线时受到 应力或变形的作用。

新版缺陷管理制度

新版缺陷管理制度第一章总则第一条为了规范和加强缺陷管理工作，提高产品质量，保障用户权益，制定本制度。

第二条本制度适用于公司的所有产品设计、开发、测试和运营过程中的缺陷管理工作。

第三条缺陷管理应当遵循“及时发现、及时解决、持续改进”的原则，严格执行缺陷管理流程。

第四条公司领导要高度重视缺陷管理工作，将缺陷管理作为企业质量管理的重要内容，加强组织、技术和人员保障，确保制度的有效实施。

第五条公司各部门和人员都有责任和义务参与和配合缺陷管理工作，确保缺陷得到及时发现和解决。

第六条公司应当建立健全缺陷管理的信息系统，定期收集和分析缺陷数据，为决策提供及时和准确的信息支持。

第七条公司应当建立健全缺陷管理的监督和评估机制，定期对缺陷管理工作进行评估和改进，确保制度的有效实施。

第八条公司应当建立健全缺陷管理的奖惩机制，对于在缺陷管理工作中有突出表现的人员给予表彰和奖励，对于违反制度规定的行为给予责任追究和处罚。

第二章缺陷管理的流程和方法第九条缺陷管理应当采用统一的流程和方法进行，确保在产品设计、开发、测试和运营的各个阶段都能有效发现和解决缺陷。

第十条缺陷管理的流程包括缺陷发现、缺陷定级、缺陷分析、缺陷解决和缺陷验证等环节，各个环节之间应当相互衔接、相互配合。

第十一条缺陷发现应当包括内部发现和外部发现两种方式，内部发现主要由产品设计、开发和测试人员进行，外部发现主要由用户和客户反馈。

第十二条缺陷定级应当根据缺陷的严重程度和影响范围进行分类，分为严重缺陷、一般缺陷和轻微缺陷三个级别，对于不同级别的缺陷要采取不同的处理措施和优先级。

第十三条缺陷分析应当对缺陷的产生原因进行深入分析，找出根本原因并提出解决方案，避免相同或类似的缺陷再次发生。

第十四条缺陷解决应当根据缺陷定级和分析结果制定相应的解决方案，并组织相应的人员进行实施，确保缺陷能够得到有效解决。

第十五条缺陷验证应当对缺陷的解决效果进行验证，确保缺陷得到有效解决并能够长期稳定运行。

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4）扩展位错网络的形成
面上一组位错群；
与面交线上有螺
C
位错，它们分别在各
B
自滑移面上扩展。
C D
C D
C C B B
C
B
B
C D
C D
C D
C D
( )
C
B
B
( )
C D
扩展位错宽度的估算：
曲率半径为R的弯曲位错产生一指向曲 率中心的力F＝T／R。 同时受到反方向层错能作用 ，平衡时：
＝T／R＝b2/R, 0.5
三. 单位位错间的合成反应
在不同滑移面上移动的两个单位位错相遇
Ａ
发生位错反应，所形成的新位错可能是可
动位错，也可能是不动位错。
例如：面上
BC矢量，面上
CD
矢量发生合成反应。
Ｃ
Ｄ
Ｂ
或者： 面上 AC 矢量，面上 CD
矢量发生合成反应。
四. 单位位错的分解反应 1）FCC点阵中的堆垛层错与不全位错
面角位错（L-C位错锁）的形成：
AB
一种方式
AB
( )
B
A
( ) B
A
( ) B A
( ) B
A
B A B A 0
B B
A A
另一种方式
A
C
C
D
C ＋ C
面角位错是一种不动位错
组态，对材料的加工硬化
有重要贡献。
A
D
3）空位凝聚形成的位错结构
A
在层错能低的材料中层错四面体的形成
b1 b2 b2 2d 4d
由此得：R6d
R
C D
§ 1.2 BCC晶体中的位错
一 .单位位错
1 b [111]
2
二 .层错
[112] 7a
1）通过在｛112｝面上做
1/6[111]矢量滑移产生。
2）通过在｛110｝面上做 1/8[110]和1/4[112]矢量 Z
滑移产生。
Y
X
6f
(110)
B
(112)
D
[111]
b OCB
1 [111]
6
1
[111]
1
[112]
1
[111]
2
3
6
A
b
1
[111]
2
(121) C’
O B
C
[111]
1
b CB
bOC'C
[111] 6
O ''
O'
C ''
C'
d
O
C
b3
(112) D
1
[112]
1
[101]
1
[121]
3
2
6
§ 1.3 超点阵中的位错
单位位错：［110］ 不全位错：1/2[110]
z [001]
A
B
C B
A x [100]
Ay
[010]
B
APB
SF+APB
SF+APB
X
Y
Z
1 [110]
2
极轴位错概念：
OA和OB为极轴位错，OC为扫动位错。
b1 b2 b3 0
B
n
n b3 0 n b2 d （螺位错螺距）
n b1 n b2 0
b2 （）
有一螺位错垂直于面，其柏氏
b1
O
b3
C
矢量即为d值, 平行的面为其螺
旋面。
A
(121)
b
1
[111]
A2
O
1
bOB [112] 3
C
5e
4d 3c
2b 1a
(112)面堆垛序
［112］
a
f
1 [111]
6
e abcdefabcdefab
e f a bc d e f
defabcd
d
c de f a b
bc d e f
c
abcd
层错和孪晶的形成 b
a
在
(11
0面) 上的投影图
A
1 b2 [112]
4
b
1[111]
2
B
b1
1[110]
A
A
D
BAຫໍສະໝຸດ AAAD
B
C
C Frank位错环
D
C
四个面均为层错，
B 六个棱均为压杆
位错的四面体。
粗略估算一下形成层错四面体的临界尺寸： 根据： 反应前的能量之和 > 反应后的能量之和 即： 层错能＋Frank位错能量 > 层错能＋压杆位错能量
计算得：l=40nm, 实际观察到这种缺陷的最大尺寸约 50nm，因此可认为层错四面体的形成理论是正确的。
6 2 (1 )d
6
6
b2 (2 )
(1
2
cos 2) 0
8d (1 ) 2
当 F
扩展位错宽度：
d
b2 (2 ) 8 (1 )
(1
2 2
cos
2 )
扩展位错的运动： 扩展位错可以在层错面上（也是滑移面）滑移，螺型位错 形成的扩展位错还可以进行交滑移。
束集
交滑移
二次扩展
扩展位错的交滑移需要克 服一定的激活能才能完成。
z [001] A
C B
A B
x [100]
B
Ay
[010]
A
b
1
[112]
6
A
A
1 1 1
[101] [112] [211]
2
6
6
层错的形成方式： 通过原子面滑移方式，并产生Shockley位错； 通过抽出一层原子面方式，并产生负Frank位错； 通过插入一层原子面方式，并产生正Frank位错。
a)在{112}面上扩展
1
1 1 1
[111] [111] [111] [111]
2
6
6
6
1 [111]
6
1 [111]
2
（不可以整体滑移）
1 [111]
2
1 [111]
6
1 [111]
6
缺少中心不全 位错，不稳定
1 [111]
6
1 [111]
6
1 [111]
6
b)在{110}面上分解
1 [111] 1 [111] 1 [110] 1 [101] 1 [011]
2
4
8
8
8
（不可以整体滑移）
在应力作用下可转化成：
1 [111] 1 [101] 1 [011] 1 [334]
4
8
8
8
1 [334] 1 [110] 1 [112]
8
8
4
（可以整体滑移）
1 [101] 8 1 [110] 8
1 [111]
4
1 [011] 8
四. BCC晶体中孪晶的位错形成机制
不全位错的性质： Shockley位错：可以并只能在层错面上滑移；位错线 可以是刃型、螺型和混合型的。 Frank位错：是纯刃型位错，只能在层错面上做攀移运 动。
2）扩展位错
扩展位错宽度的计算：
位错线
b1
b3
b2
F
b b 23
cos(
) cos(
)
b b 23
sin( )sin( )
2d
6
8
BCC晶体(11 0面) 堆垛序和层错的形成
三. 扩展位错
1）共面分解的扩展位错 a) 在{112}面上分解
1 [111] 1 [111] 1 [111]
2
6
3
可以整体滑移
b)在{110}面上分解
1 [111] 1 [110] 1 [112] 1 [110] 可以整体滑移
2
8
4
8
2）不共面分解的扩展位错
第一章 实际晶体中的位错
§ 1.1 FCC晶体中的位错和位错反应
一. 单位位错
1 b [110]
2
FCC晶体中纯刃型 位错含有两个多余 的半原子面，当它 们分开一定距离时 即形成扩展位错。
z
(0 2 2)
(011)
(111)
(0 2 2)
y
1
x
b [011] 2
二. 汤普森四面体及其符号
z [001] B
A
y
D
[010]
C x [100]
Ｄ
Ｂ
Ｄ
Ａ
Ｃ
Ｄ
（1）四个滑移面：，，，；
（2）单位位错： AB AC BC 等；
（3）Frank位错： A
D
B
等；b
1 [111] 3
（4）Shockley位错：
A
D
C
等；
b
1 [112]
（5）压杆位错：
等；
b
1 [110]
6
6
问题：比较这几种位错的能量，那一种位错的能量最低？