X射线衍射(XRD)法测定Ni电极材料结构、半高宽、峰高比及其测定方法的研究
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xrd半峰宽的单位XRD半峰宽的意义及其影响因素X射线衍射(XRD)是一种常用的材料表征技术,可以用于分析晶体结构、晶体缺陷、晶体取向等信息。
在XRD图谱中,半峰宽是一个重要的参数,它反映了晶体中原子的排列情况和晶体缺陷的程度。
本文将介绍XRD半峰宽的意义及其影响因素。
一、XRD半峰宽的意义XRD半峰宽是指XRD图谱中半峰高度的宽度,通常用角度或者2θ值表示。
半峰宽越小,表示晶体中原子的排列越有序,晶体缺陷越少;半峰宽越大,表示晶体中原子的排列越无序,晶体缺陷越多。
因此,XRD半峰宽可以用来评估晶体的质量和缺陷程度。
二、影响XRD半峰宽的因素1. 晶体结构晶体结构是影响XRD半峰宽的主要因素之一。
对于具有完美晶体结构的样品,XRD半峰宽通常很小;而对于具有缺陷或者非完美晶体结构的样品,XRD半峰宽通常较大。
因此,通过XRD半峰宽可以评估晶体结构的完整性和缺陷程度。
2. 晶体取向晶体取向也是影响XRD半峰宽的因素之一。
对于具有随机取向的样品,XRD半峰宽通常较大;而对于具有定向取向的样品,XRD半峰宽通常较小。
因此,通过XRD半峰宽可以评估晶体取向的均匀性和定向程度。
3. X射线波长X射线波长也是影响XRD半峰宽的因素之一。
对于较短的X射线波长,XRD半峰宽通常较小;而对于较长的X射线波长,XRD半峰宽通常较大。
因此,通过选择合适的X射线波长可以控制XRD半峰宽的大小。
4. 仪器分辨率仪器分辨率也是影响XRD半峰宽的因素之一。
对于分辨率较高的仪器,XRD半峰宽通常较小;而对于分辨率较低的仪器,XRD半峰宽通常较大。
因此,通过选择合适的仪器分辨率可以控制XRD半峰宽的大小。
5. 样品制备样品制备也是影响XRD半峰宽的因素之一。
对于制备不良的样品,XRD半峰宽通常较大;而对于制备良好的样品,XRD半峰宽通常较小。
因此,通过优化样品制备过程可以控制XRD半峰宽的大小。
三、总结XRD半峰宽是评估晶体质量和缺陷程度的重要参数,它受到晶体结构、晶体取向、X射线波长、仪器分辨率和样品制备等因素的影响。
x射线衍射线宽法X射线衍射(X-raydiffraction,XRD)是一种用于分析材料结晶结构的技术,而X射线衍射线宽法则是用于研究晶体的缺陷、应变和晶粒大小等信息的一种手段。
下面简要介绍X射线衍射线宽法的基本原理和应用。
X射线衍射线宽法原理:X射线衍射是通过照射晶体样品,根据X射线与晶体中电子云的相互作用而产生的衍射图案来分析晶体结构。
在X射线衍射实验中,观察到的衍射峰并非是理想的尖峰,而是有一定宽度的。
这个衍射峰的宽度可以提供关于晶体微观结构的信息。
X射线衍射线宽法主要通过研究衍射峰的形状和宽度,来获取有关晶体缺陷、晶格应变、晶粒大小等信息。
X射线衍射线宽法的应用:晶体缺陷研究:X射线衍射线宽法可用于分析晶体中的点缺陷、位错等缺陷结构,从而了解晶体内部的缺陷性质。
晶格应变分析:通过观察衍射峰的位移和宽度变化,可以推断晶体中的应变状态,包括弹性应变和塑性应变。
晶粒大小测定:X射线衍射线宽法还可用于测定晶体的晶粒大小,即晶体中各个晶粒的尺寸分布。
相变研究:在材料的相变过程中,X射线衍射线宽法也可以提供关于相变的信息,如相变温度、相变动力学等。
总体而言,X射线衍射线宽法是一种强大的工具,可用于深入了解材料的微观结构和性质,对材料科学、固体物理学等领域有着广泛的应用。
在具体实验中,通常需要配合专业的X射线衍射仪器和分析软件来进行研究。
晶体是由原子或离子按照一定的规律排列而成的固体物质,其性质与晶粒度密切相关。
晶粒度是指晶体中晶粒的大小和分布情况,直接影响着晶体的力学性质、导电性能以及光学特性等。
因此,准确测量晶粒度对于研究和应用晶体材料具有重要意义。
x射线衍射线线宽法是一种常用的测试晶粒度的方法。
通过测量x射线衍射峰的半高宽,可以间接反映晶体的晶粒度。
该方法适用于各种类型的晶体,无需破坏样品,并可以得到晶体的取向分布信息。
在实验中,首先需要选择合适的x射线波长,以使得衍射峰的半高宽能够被仪器测量。
文章主题:xrd测试原理及操作的基本流程一、引言在材料科学与工程领域中,X射线衍射(XRD)是一种重要的分析技术,可用于对晶体结构、物相分析和晶体质量的表征。
本文将深入探讨XRD测试的原理和操作的基本流程,以便读者能够全面理解XRD 分析的重要性和实验方法。
二、XRD测试原理1. X射线衍射的基本原理X射线衍射是通过照射物质,观察衍射光的方向和强度来了解物质的结构性质。
当入射X射线与晶体的原子排列相互作用时,会出现衍射现象,从而得到关于晶体结构的信息。
2. 布拉格方程布拉格方程是描述X射线衍射条件的基本方程。
它表示为:nλ=2dsinθ,其中n为衍射级别,λ为入射X射线的波长,d为晶格间距,θ为衍射角。
3. 结晶衍射图样通过X射线衍射仪测得的数据可以绘制成结晶衍射图样,从中可以读取出晶面间距、晶格常数等信息。
三、XRD测试操作基本流程1. 样品制备与加载首先需要将待测样品研磨成粉末,并压制成均匀的薄片或圆盘。
然后将样品加载到X射线衍射仪的样品台上。
2. 仪器参数设置在进行XRD测试前,需要设置仪器的参数,包括X射线波长、入射角范围、扫描速度等。
3. 开始测试启动X射线衍射仪,开始进行测试。
X射线穿过样品,与晶体发生相互作用,产生衍射光,再由探测器接收并记录下来。
4. 数据分析与结果解读对从X射线衍射仪得到的数据进行分析与解读,可以得到有关样品晶体结构、晶胞参数等重要信息。
四、个人观点和理解作为X射线衍射技术的一种,XRD分析在材料研究和质量检测中起着关键作用。
通过XRD测试,不仅可以了解样品的晶体结构,还可以分析其中包含的物相。
掌握XRD测试的原理和操作流程对于科研工作者和工程师来说都是非常重要的。
五、总结与回顾通过本文的讨论,我们全面了解了XRD测试的原理及操作的基本流程。
X射线衍射技术的应用范围非常广泛,可以帮助我们更好地理解材料的性质和结构。
希望读者通过本文的介绍,能对XRD分析有更深入、全面和灵活的认识。
X射线衍射实验报告实验目的:1.理解X射线的基本原理和衍射现象;2.学习使用X射线衍射技术进行晶体结构分析;3.掌握X射线衍射仪器的操作和数据处理方法。
实验原理:X射线衍射是利用物质对X射线的散射现象来研究物质的结构的一种方法。
当X射线照射到晶体上时,晶格中的原子会对X射线进行干涉和散射,形成一系列的衍射斑。
通过测量和分析这些衍射斑的位置和强度,可以确定晶体的晶格结构和晶胞参数。
实验步骤:1.将待测试的晶体样品固定在X射线衍射仪器的样品台上;2.调节X射线束的能量、强度和角度,使其照射到样品上;3.调整检测仪器的位置和参数,记录衍射斑的出现位置和强度;4.根据衍射斑的位置和强度,利用衍射理论计算晶体的晶格结构和晶胞参数;5.对实验数据进行处理和分析,得出相应的结论。
实验结果:根据实验测量到的衍射斑的位置和强度,通过衍射理论计算得到了待测晶体的晶胞参数和晶格结构。
比较实验结果与已知数据,验证了实验的准确性和可靠性。
实验讨论:2.实验方法的改进和优化;3.实验结果的意义和应用。
实验结论:通过X射线衍射实验,我们成功地测量和分析了待测晶体的晶格结构和晶胞参数,验证了X射线衍射技术在晶体结构分析中的可行性和应用价值。
同时,我们也进一步了解了X射线的基本原理和衍射现象,对X射线衍射仪器的操作和数据处理方法有了更深入的认识和理解。
总结:X射线衍射实验是一种重要的手段,用于研究物质的结构和性质。
通过实验,我们不仅学到了理论知识,还提高了实验操作和数据处理的能力。
这些都对我们今后的学习和工作具有重要意义。
需要进一步加强对实验原理和技术的理解,不断优化和改进实验方法,使实验结果更加准确、可靠和有意义。
xrd表征方法摘要:1.XRD表征方法简介2.XRD仪器组成及工作原理3.XRD图谱分析方法4.XRD在材料研究中的应用5.XRD数据的解析与处理6.XRD技术的优缺点7.发展趋势与展望正文:一、XRD表征方法简介X射线衍射(XRD)是一种广泛应用于材料表征的无损检测技术。
通过对样品产生的X射线进行衍射,可以获得样品的晶体结构、相组成、晶格常数等信息。
XRD表征方法在材料研究、矿物分析、生物医学等领域具有重要应用价值。
二、XRD仪器组成及工作原理XRD仪器主要由光源、样品室、探测器、数据采集与处理系统等部分组成。
X射线由光源发出,经过样品后产生衍射,衍射信号被探测器接收,并通过数据采集与处理系统转换为可供分析的数字信号。
三、XRD图谱分析方法XRD图谱分析主要包括峰值解析、半高宽分析、积分强度分析等。
通过对图谱中各峰的位置、强度、形状等特征进行分析,可以获得样品的晶体结构、相组成等信息。
四、XRD在材料研究中的应用XRD在材料研究中的应用主要包括:相图研究、晶体生长、微观应变分析、薄膜材料研究等。
通过XRD技术,可以对材料的相稳定性、晶体生长机制、微观应变状态等进行深入研究。
五、XRD数据的解析与处理XRD数据解析主要包括物相识别、晶胞参数测定、微观应变分析等。
数据处理主要包括峰形拟合、背景扣除、基线校正等。
通过数据解析与处理,可以获得更多关于样品晶体结构的信息。
六、XRD技术的优缺点优点:无损检测、分辨率高、分析速度快、适用范围广。
缺点:对样品厚度有一定要求、对复杂结构的样品分析有一定局限性。
七、发展趋势与展望随着科技的不断发展,XRD技术在材料研究、生物医学、环境监测等领域的应用将越来越广泛。
未来发展趋势包括:高分辨率XRD仪器的研发、原位XRD技术的发展、XRD在生物医学领域的应用等。
x衍射分析实验报告X射线衍射分析实验报告引言X射线衍射分析是一种重要的实验技术,它可以用来研究材料的晶体结构和晶体学性质。
在本次实验中,我们使用X射线衍射技术对样品进行了分析,以了解其晶体结构和组成成分。
本报告将介绍实验的目的、方法、结果和结论。
实验目的本次实验的主要目的是利用X射线衍射技术分析样品的晶体结构和成分。
通过实验,我们希望了解样品的晶体结构参数、晶胞参数和晶体学性质,为进一步的材料研究提供参考。
实验方法1. 准备样品:首先,我们准备了待测样品,并将其制备成适当的形状和尺寸,以便于X射线的照射和衍射。
2. 实验装置:我们使用了X射线衍射仪进行实验。
该仪器能够产生高能的X射线,并能够测量样品对X射线的衍射图样。
3. 实验步骤:在实验中,我们将样品放置在X射线衍射仪的样品台上,然后通过调节仪器的参数,使X射线照射到样品上,并测量样品对X射线的衍射图样。
实验结果通过实验,我们得到了样品的X射线衍射图样,并通过对衍射图样的分析,得到了样品的晶体结构参数、晶胞参数和晶体学性质。
我们发现样品的晶体结构为立方晶系,晶格常数为a=5Å,晶体学性质为具有良好的晶体结构和稳定的晶体形态。
结论通过本次实验,我们成功地利用X射线衍射技术对样品进行了分析,得到了样品的晶体结构参数、晶胞参数和晶体学性质。
这些结果为我们进一步的材料研究提供了重要的参考和依据。
同时,我们也发现X射线衍射技术是一种非常有效的分析方法,可以用来研究材料的晶体结构和晶体学性质,具有重要的应用价值。
总结本次实验对X射线衍射分析技术进行了探讨和实践,通过实验我们对该技术有了更深入的了解。
X射线衍射技术在材料研究中具有重要的应用价值,可以为我们提供丰富的信息和数据,为材料的研究和开发提供重要的支持和指导。
希望通过本次实验,能够增进我们对X射线衍射技术的理解,为今后的科研工作提供更多的帮助和支持。
xrd的实验报告
《X射线衍射分析实验报告》
摘要:本实验使用X射线衍射仪对样品进行了分析,通过观察样品的衍射图谱
和分析峰位、峰形等参数,确定了样品的晶体结构和晶格常数。
实验结果表明,X射线衍射分析是一种有效的手段,可以用于研究材料的晶体结构和性质。
引言:X射线衍射是一种常用的材料分析方法,通过测量材料对X射线的衍射
图谱,可以确定材料的晶体结构和晶格常数。
本实验旨在通过X射线衍射分析,研究样品的晶体结构和性质。
实验方法:首先,将样品放置在X射线衍射仪的样品台上,然后调节X射线管
和检测器的位置,使得X射线能够正常照射到样品上,并且能够检测到样品的
衍射信号。
接着,通过调节X射线管的电压和电流,以及检测器的角度,获取
样品的衍射图谱。
最后,利用衍射图谱的峰位、峰形等参数,确定样品的晶体
结构和晶格常数。
实验结果:通过对样品的衍射图谱进行分析,我们确定了样品的晶体结构和晶
格常数。
实验结果表明,样品为立方晶系,晶格常数为a=5.67 Å。
此外,我们
还观察到了样品的衍射峰位和峰形,通过与标准样品进行比对,确定了样品的
晶体结构。
讨论:X射线衍射分析是一种有效的手段,可以用于研究材料的晶体结构和性质。
通过本实验,我们成功地确定了样品的晶体结构和晶格常数,为进一步研
究样品的性质奠定了基础。
结论:本实验使用X射线衍射仪对样品进行了分析,通过观察样品的衍射图谱
和分析峰位、峰形等参数,确定了样品的晶体结构和晶格常数。
实验结果表明,
X射线衍射分析是一种有效的手段,可以用于研究材料的晶体结构和性质。
X射线衍射分析X射线衍射分析(X-ray Diffraction, XRD)是一种重要的材料分析技术,用于研究晶体的结构和性质。
它利用X射线的特征衍射现象,通过测量和分析样品对X射线的衍射图案,可以确定样品的晶胞、晶体结构、晶格常数等信息。
X射线衍射分析最早由德国物理学家Wilhelm Conrad Röntgen于1895年发现,并因此获得了1901年的诺贝尔物理学奖。
从那时起,X射线衍射分析在材料科学、物理学、化学等领域得到了广泛应用。
在X射线衍射实验中,样品首先被放置在样品支架上,然后被照射一束特定的X射线。
当X射线通过样品时,由于样品的晶体结构,它们将被散射成不同的角度。
探测器可以记录这些衍射角度和强度,并将其转换为衍射图谱。
通过分析衍射图谱,可以确定样品的晶体结构和晶胞参数。
这是因为每个晶体都有一组特定的晶胞参数,如晶格常数、晶体类别、晶胞形状等等。
根据衍射角度和衍射强度之间的关系,可以计算出这些晶胞参数。
除了确定晶体结构外,X射线衍射分析还可以用于确定晶体的物理性质,如晶格常数的变化、晶体的缺陷、晶体的应力情况等等。
通过对衍射图谱进行进一步的分析和计算,可以得到这些信息。
X射线衍射分析在材料科学中具有广泛的应用。
它可以用于研究各种不同类型的材料,如金属、陶瓷、液晶、聚合物等等。
通过确定晶体结构和物理性质,可以帮助科学家和工程师设计新的材料,改进现有材料的性能,解决材料失效问题等等。
总而言之,X射线衍射分析是一种重要的材料分析技术,通过测量和分析样品对X射线的衍射图案,可以确定样品的晶胞、晶体结构、晶格常数等信息。
它在材料科学、物理学、化学等领域具有广泛的应用,对于研究和开发新型材料具有重要意义。
X射线衍射(XRD)法测定Ni电极材料结构、半高宽、峰高比及其测定方法的研究程群1北京普析通用仪器有限责任公司北京 100081摘要:通过衍射峰的半高宽和峰高比可以研究Ni电极材料粉末颗粒的微结构特征,本文描述了应用X射线衍射法测定Ni阳电极材料结构、计算其衍射峰的半高宽和峰高比。
求解峰高比时改进测定方法,采用定点测量的方法,减小了在密封式管条件下由于计数小而产生很大的计数统计误差1/N,使定量更准确。
从而可以更好地了解Ni电极材料的电极性能,便于建立工艺条件。
关键词:X射线衍射;Ni阳电极材料;半高宽;峰高比Study on Determining Nickel Electrode Material Structure, Half-width and the Ratio of Peak Height Including the Optimized Measurement Method byX-ray DiffractometerAbstract: The microstructure characteristic of nickel electrode materials was studied by the half-width and the ratio of peak height. In this paper, the nickel electrode material was determined by X-ray diffractometer. The half-width and the ratio of peak height were obtained. The fixed-point measurement method was studied to obtain the ratio of peak height. The optimized measurement method which reduced the statistic error for the small counts in the condition of sealed tube was studied to obtain the ratio of peak height. Then the quantity was more accurate. The electrode performance could be analyzed. The technology could be optimized.Keywords: X-ray diffractometer;Nickel electrode materials;Half-width;Ratio of peak height.1引言镍氢电池具有操作温度范围宽、对环境污染小、良好的快充性能、循环寿命长和成本低(单位容量价格与镍镉电池相近)等优点,目前已取代镍镉电池,广泛应用于笔记本电脑、摄像机、特别是汽车和航空等领域。
镍氢电池的性能与正负极的电极材料密切相关,近年来作为负极的活性材料贮氢合金发展迅速,使镍氢电池的容量主要受正极材料的限制。
氢氧化镍(Ni(OH)2)是Ni/MH和Ni/Cd 二次碱性电池主要的正极材料(简称Ni电极)[1]。
X射线衍射是研究物质结构以及结构微小差异的基本实验方法[2,3],从亚微晶结构特征的观点,Ni(OH)2是由许多带微孔的微晶结成的微球,所以这些Ni(OH)2产品被称为“球镍”。
多年来,许多研究者研究发现其X射线衍射谱线呈不同的宽化,如(101)和(201)型的衍射线呈异常的宽化。
X射线衍射线的半高宽和峰高比能直观地表征Ni电极材料粉末颗粒的微结构特征。
例如,(001)峰和(100)峰分别反映层状结构厚度方向和反映长度方向状态,利用X 射线衍射确定的微晶结构参_____________________1联系作者。
电话:(010)62133636-1059;E-mail: qun.cheng@数可以用于了解Ni电极材料的电极性能,建立工艺条件[4]。
2实验部分2.1仪器与试剂XD-3型多晶X射线衍射仪(北京普析通用仪器有限责任公司),氢氧化镍来自某电池厂。
2.2实验方法2.2.1Ni电极材料定性分析以及计算半高宽实验方法将粉末样品压片,于X射线衍射仪上进行测定,测定条件:Cu靶,管压:36kV,管流:30mA,扫描速度:2°/min,2θ扫描范围:15°-90°,步宽:0.02°,发散狭缝(DS):1°,接收狭缝(RS):0.3mm,防散射狭缝(SS):1°,石墨单色器。
2.2.2Ni电极材料定量分析实验方法本文不采用常规的连续扫描方法来获得峰强度值(以计数率(cps)表示)进行定量的方法,优化实验测定条件,改进测定方法。
具体采用的优化方法如下:首先对Ni电极材料进行分段扫描得到需要求解的(001),(100),(101)晶面的三条衍射线对应的2θ值:19.000°,33.060°,38.360°。
固定2θ于(001)峰位,固定计数时间为300s,测定强度I001(以计数(counts)表示)。
类似地,测得I100,I101。
最后通过计算得到I101/I001,I100/I001。
3结果与讨论3.1样品的物相分析XRD测定Ni电极材料全图,谱图如图1所示。
经计算机检索谱图标准PDF卡片库,图1中2θ=19.000°,33.060°,38.360°,59.020°,62.660°,51.780°等均为Ni(OH)2(标准卡片PDF号14-0117)的特征峰,可知此材料主要物相为Ni(OH)2。
图1 Ni电极材料XRD谱图(图中竖线表示标准卡片中Ni(OH)2(标准卡片PDF号14-0117)对应的直棍图)3.2半高宽(FWHM)的计算对Ni电极材料经上述实验方法进行测定,选择起止点连直线的方法扣背景,多项式拟合的方法平滑,Kα2不剥离模式下,软件自动计算得到(001)峰FWHM值为0.76°,(101)峰FWHM值为1.08°。
前人研究发现(001)和(101)晶面衍射峰的半高宽分别大于0.7°和0.8°时,Ni(OH)2具有较高的利用率和优良的倍率充放电性能[5],故而一般用(001)和(101)的衍射谱线来表征Ni 电极材料的化学性能。
虽然现有文献提出这种表征的不全面而引进层错率的概念[6],但是层错率实际还是和这些峰的半高宽参数相关的。
3.3峰高比的计算X射线衍射谱线呈各项异性宽化直接导致峰高比也会相应产生变化,从而可采用峰高比来表征Ni电极材料的化学性能。
3.3.1对Ni电极材料常规的扫描直接获得峰高比XRD测定条件:Cu靶,管压:36kV,管流:30mA,扫描速度:2°/min,2θ扫描范围:15°-90°,步宽:0.02°,发散狭缝(DS):1°,接收狭缝(RS):0.3mm,防散射狭缝(SS):1°,石墨单色器。
表1 常规扫描测定Ni电极材料所获得峰高比的重复性图2 不同时间(100),(101)与(001)晶面峰高比由表1可知,常规的扫描来获得峰高比的测定误差较大。
从图1可知,Ni电极材料在此扫描条件的峰高最高计数率为2740,则实际计数为2740×(60/100)=1644,由于不可避免存在计数统计误差1/N(N为计数),则统计误差约为0.02,误差较大,不能满足材料表征的要求。
3.3.2Ni电极材料峰高比以及改进的测定方法采用上述定点测量的方法,计算得到I101/I001,I100/I001。
实验时间的优化:随着时间的延长,计数N也会增大,由图2可知,若时间较短峰高比会有一定的随机性,随着时间的延长,峰高比基本稳定不变。
综合考虑实验误差尽量小并且时间不至于过长,本实验选择测定时间为300s。
在相同条件下Ni 电极材料峰高比重复性的测定:测定条件:Cu 靶,管压:36kV ,管流:30mA ,定时计数,发散狭缝(DS ):1°,接收狭缝(RS ):0.3mm ,防散射狭缝(SS ):1°,计数时间:300s ,石墨单色器,2θ:19.000°,33.060°,38.360°。
表2 改进的方法测定Ni 电极材料峰高比重复性 表3 重新制样后改进的方法测定Ni 电极材料峰高比重复性由表2可知,新的测定方法的重复性显然比常规连续扫描测定Ni 电极材料所获得峰高比重复性好,结果令人满意。
重新制样后Ni 电极材料峰高比重复性的测定:测定条件同上,测得重复性如表3所示。
比较表2和表3可知,重新制样对于定量测定会有一定的影响,这可能是由于样品晶粒不够细,取向不够均匀,实验中可以通过使用旋转样品台附件来消除制样对其的影响。
但是由表2和表3的结果可知,制样引起的偏差不是太大,结果令人满意。
4 结论由以上XRD 测定及分析结果可知,本文应用XRD 测定Ni 电极材料结构、半高宽、峰高比,采用改进的测定方法为XRD 定量分析提供新的思路,减小了计数统计误差1/N ,使峰高比的测定结果更准确,结果令人满意。
利用衍射峰的半高宽和峰高比可以研究Ni 电极材料粉末颗粒的微结构特征,从而了解Ni 电极材料的电极性能,有利于建立工艺条件。
参考文献:[1] 张倩,徐艳辉,王晓琳等,稀有金属材料与工程2005,34,1823. [2] 江超华,X射线粉末衍射实验技术基础,. [3] 王英华,X 光衍射技术基础,北京:清华大学出版社,2003. [4] 王超群,任小华,蒋文全等,电源技术1999,23,94. [5] 姜长印,万春荣,张泉荣等,电源技术1997,21,243. [6] 王超群,王宁,刑政良等,有色金属2001,53,83.。