封装参数汇总

"封装热参数"这个术语可能指的是在电子封装设计中涉及的热相关参数。

在电子封装领域，热管理是一个关键的考虑因素，因为封装必须能够有效地传递热量，同时保持足够的机械强度和电气绝缘性能。

以下是一些与封装热参数相关的重要因素：
1. 热导率：材料传导热量的能力，通常用W/m·K表示。

高热导率的材料（如铜和铝）更适合用作散热器或热传导路径。

2. 热阻：材料抵抗热量流动的能力，通常用°C/W表示。

热阻越高，材料在相同温差下传导热量的能力越差。

3. 热膨胀系数：材料温度变化1°C时，其长度的相对变化。

在温度变化时，封装材料和芯片之间的热膨胀差异可能导致应力和变形。

4. 热容量：材料吸收或释放热量的能力，通常用J/kg·K表示。

热容量高的材料可以吸收更多的热量而温度变化较小。

5. 散热面积：封装表面用于散热的区域。

散热面积越大，散热效率通常越高。

6. 热流密度：单位时间内通过单位面积的热量，通常用W/m²表示。

热流密度高意味着需要更好的散热解决方案。

7. 温度梯度：温度随位置变化的率。

在封装设计中，需要控制温度梯度，以避免局部过热。

8. 时间常数：热扩散系数的一个指标，反映了材料内部温度变化的速率。

在封装设计中，这些热参数必须综合考虑，以确保封装能够满足电路的散热需求，同时避免因温度过高或过低导致的性能下降或损坏。

封装设计人员会使用这些参数来优化封装结构和材料选择，以及制定热管理系统的设计方案。

元件封装大全-元件封装大全元件封装电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列无极性电容：cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4常用元件封装尺寸电解电容：electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0电位器：pot1pot2；封装属性为vr-1到vr-5二极管：封装属性为diode-0.4(小功率）diode-0.7(大功率）发光二极管:RB.1/.2三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管）to-3(大功率达林顿管）电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等79系列有7905，7912，7920等常见的封装属性有to126h和to126v整流桥：BRIDGE1BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46）场效应管和三极管一样晶振XTAL1电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。

其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。

一般470uF用RB.3/.6二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4发光二极管：RB.1/.2 电子小制作网按键SW-PB 封装属性KEYSB3集成块：DIP8-DIP40 其中８－４０指有多少脚，８脚的就是DIP8贴片电阻0603表示的是封装尺寸与具体阻值禄有关系但封装尺寸与功率有关元件封装发光二极管：颜色有红、黄、绿、蓝之分，亮度分普亮、高亮、超亮三个等级，罕用的封装形式有三类：0805、1206、1210二极管：根据所承受电流的的限度，封装形式大致分为两类，小电流型（如1N4148）封装为1206，大电流型（如IN4007）暂没有具体封装形式，只能给出具体尺寸：5.5 X 3 X 0.5电容：可分为无极性和有极性两类，无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603；而有极性电容也就是我们平时所称的电解电容，一般我们平时用的最多的为铝电解电容，由于其电解质为铝，所以其温度稳定性以及精度都不是很高，而贴片元件由于其紧贴电路版，所以要求温度稳定性要高，所以贴片电容以钽电容为多，根据其耐压不同，贴片电容又可分为A、B、C、D四个系列，具体分腊下：类型封装形式耐压A 3216 10VB 3528 16VC 6032 25VD 7343 35V拨码开关、晶振：等在市场都可以找到不同规格的贴片封装，其性能价格会根据他们的引脚镀层、标称频率以及段位相关联。

通用继电器型号产品外形图线路图额定电压（VDC）主要特征HK15F 5 、6 、9 、12、24、48、1101、外形尺寸：32.4*27.5*28；2、30A触点切换能力；3、印制板式引出脚，触点端子快速连接引出；4、具有密封型和非密封型两种封装方式HK115F/FH 5、6、12、24、48、60、1101、外形尺寸：29*12.7*15.7；2、低高度，仅为15.7mm；3、线圈功耗400mW；4、触点与线圈间耐压为5KV，爬电距离为10mm；5、最大16A的切换能力HK43F 3、5、6、9、12、241、外形尺寸：20.4*7*15；2、宽度仅7mm，适合高密度安装；3、触点和线圈间耐冲击电压为4KV；4、线圈功耗仅为200mWHK21F 3、5、6、9、12、24、481、外形尺寸：20.2*16.5*20.2；2、价格低；3、具有一组常开，一组转换触点形式；4、标准制板输出引脚；5、具有密封型和非密封型两种封装方式HK14F/14FD/14FH 3、5、6、9、12、24、481、外形尺寸：29*12.7*20.8；2、最大16A触点切换能力；3、触点与线圈间耐压高达5KV；4、具有一组，两组转换触点形式；5、具有密封型和非密封型两种封装方式HK36F 3、5、6、9、12、24、481、外形尺寸：24.5*10.5*25.4；2、10A触点切换能力；3、具有一组常开触点形式；4、标准双列直插引出脚；5、具有密封型和非密封型两种封装方式HK48F 3、5、6、9、12、24、481、外形尺寸：20*10*10.5；2、线圈功耗仅为0.2W；3、最大8A触点切换能力；4、触点与线圈间耐压为4KV；5、高度仅为10.5mm；6、可燃性等级UL94V-0HK3FF 3、5、6、9、12、24、481、外形尺寸：19*15.5*15.8；2、10A触点切换能力；3、具有一组常开，一组转换触点形式；4、超小型，标准印刷制板引出脚；5、密封型与半密封型两种封装方式通信继电器型号产品外形图线路图额定电压（VDC）主要特征HK23F 3、5 、6 、9 、12、241、外形尺寸：12.5*7.5*10.3；2、2A触点切换能力；3、高灵敏度，线圈功耗仅150mW；4、标准双列直插引出脚；5、镀金触点；6、超小型；7、塑封装HK19F 3、5、6、9、12、241、外形尺寸：20.2*10*12；2、两组转换触点形式；3、高切换容量24W，125VA；4、DIP结构与标准16脚IC插座匹配；5、塑封结构适用于波峰焊和浸渍清洗；6、高灵敏度线圈功耗仅为0.15WHK4100 3、5、6、9、12、241、外形尺寸：15.5*10.5*11.8；2、价格低；3、具有一组转换；4、印制板式引出端功率继电器型号 产品外形图 线路图额定电压（VDC ）主要特征HK18F5 、6 、9 、12、24、48、1101、外形尺寸：28*21.5*35；2、多种类型继电器，包括内置发光二极管，高容量型；3、具有二、四组转换触点形式；4、具有多种引出脚方式；5、透明防尘罩，多种安装方式供选 HK13F5、6、12、24、48、60、1101、外形尺寸：28*21.5*35；2、继电器系列范围广；3、触点切换电流可达15A ；4、具有一组，二组触点形式；5、透明防尘罩，多种安装方式汽车继电器型号产品外形图线路图额定电压（VDC ）主要特征HKV66、9、12、24 1、外形尺寸：15.7*12.2*13.7；2、20A 触点切换能力；3、具有一组常开，一组转换和二组常开触点形式；4、具有密封型和非密封型两种封装方式 HKV56、9、12、24 1、外形尺寸：28*28*25.4；2、40A 触点切换能力；3、具有两组常开触点形式；4、可有多种安装方式 HKV46、9、12、241、外形尺寸：26*26*24.5；2、40A 触点切换能力；3、具有一组常开，一组常闭，一组转换三种触点形式；4、可选择安装方式；5、多种防尘罩形式；6、具有塑封型封装形式HKV3 3、5、6、9、12、241、外形尺寸：26*21*20.5；2、40A触点切换能力；3、印制电路板安装方式；4、具有塑封型、密封型和无外壳型三种封装形式；5、备有美国式和欧洲式两种引出脚尺寸HKV2 6、9、12、241、外形尺寸：17.5*15*19.5；2、具有六种触点形式；3、印制电路板引出端；4、具有最大20A的触点切换能力；5、具有敞开式和塑封式封装方式。

电阻 AXIAL无极性电容 RAD电解电容 RB-电位器 VR二极管 DIODE三极管 TO电源稳压块78和79系列 TO－126H和TO-126V场效应管和三极管一样整流桥 D－44 D－37 D－46单排多针插座 CON SIP双列直插元件 DIP晶振 XTAL1电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列无极性电容：cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4电解电容：electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5二极管：封装属性为diode-0.4(小功率）diode-0.7(大功率）三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管）to-3(大功率达林顿管）电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等79系列有7905，7912，7920等常见的封装属性有to126h和to126v整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46）电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4 瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。

其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。

一般<100uF用RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4 发光二极管：RB.1/.2集成块：DIP8-DIP40, 其中８－４０指有多少脚，８脚的就是DIP8贴片电阻0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系但封装尺寸与功率有关通常来说0201 1/20W0402 1/16W0603 1/10W0805 1/8W1206 1/4W电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是:0402=1.0x0.50603=1.6x0.80805=2.0x1.21206=3.2x1.61210=3.2x2.51812=4.5x3.22225=5.6x6.5关于零件封装我们在前面说过，除了DEVICE。

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资1.IRF系列：IRF540N、IRF840、IRF3205等IRF系列是一种N沟道MOS管，具有低电源电流和高开关速度特点，可以工作在高频率下。

常用的封装有TO-220、TO-247、D2-Pak等。

-IRF540N参数：导通电阻：0.077Ω最大耗散功率：150W最大漏电流：50μA最大栅源电压：100V最大漏源电压：100V最大栅极电荷：49nC-IRF840参数：导通电阻：0.85Ω最大耗散功率：125W最大漏电流：10μA最大栅源电压：500V最大漏源电压：500V最大栅极电荷：90nC-IRF3205参数：导通电阻：8mΩ最大耗散功率：110W最大漏电流：250μA最大栅源电压：20V最大漏源电压：55V最大栅极电荷：75nC2.IRFP系列：IRFP250N、IRFP460等IRFP系列是一种P沟道MOS管，具有低导通电阻和高开关速度特点，适合高频率下的应用。

常用的封装有TO-247、TO-3P等。

-IRFP250N参数：导通电阻：0.095Ω最大耗散功率：200W最大漏电流：250μA最大栅源电压：100V最大漏源电压：200V最大栅极电荷：73nC-IRFP460参数：导通电阻：0.27Ω最大耗散功率：180W最大栅源电压：500V最大漏源电压：500V最大栅极电荷：123nC3.IRL系列：IRL540N、IRL3713等IRL系列是一种低电平驱动的MOS管，具有低导通电阻和高开关速度特点，适合低电平驱动电路。

常用的封装有TO-220、D2-Pak等。

-IRL540N参数：导通电阻：0.054Ω最大耗散功率：120W最大漏电流：50μA最大栅源电压：55V最大漏源电压：100V最大栅极电荷：32nC-IRL3713参数：导通电阻：7.5mΩ最大耗散功率：60W最大漏电流：50μA最大栅源电压：20V最大栅极电荷：20nC以上是常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资的介绍，不同型号的MOS管具有不同的特点和适用场景，用户可以根据实际需求选择适合的型号和封装方式。

钽电容封装大全及技术参数虽然一些工厂和经销商在生产和销售的时候会涉及到钽电容,但是很多却对钽电容不怎么了解,今天看到一些关于钽电容的封装知识,大致上整理了一下,和大家分享分享!!长的话是+-0.2 ,宽是+-0.1 高（MM）A 型的尺寸3.2 X1.6 X1.6 俗称: A(3216)B型的尺寸 3.5 X2.8 X1.9 俗称: B(3528)C型的尺寸 6.0X 3.2X 2.6 俗称: C(6032)D 型的尺寸7.3 X4.3 X2.9 俗称: D(7343) 厚度2.9英寸E 型的尺寸7.3 X4.3 X4.1 俗称: E(7343) 厚度4.1英寸V 型的尺寸7.3X 6.1 X3.45 俗称: V(7361)J(1608)P(2012)也就是0805的封装尺寸：毫米（英寸）Code EIACodeL±0.20(0.008)W+0.20(0.008)-0.10(0.004)H+0.20 (0.008)-0.10 (0.004)W1±0.20(0.008)A+0.30(0.012)-0.20(0.008)S Min.A 3216-18 3.20 (0.126) 1.60 (0.063) 1.60 (0.063) 1.20 (0.047) 0.80 (0.031) 1.80 (0.071)B 3528-21 3.50 (0.138) 2.80 (0.110) 1.90 (0.075) 2.20 (0.087) 0.80 (0.031) 1.40 (0.055)C 6032-28 6.00 (0.236) 3.20 (0.126) 2.60 (0.102) 2.20 (0.087) 1.30 (0.051) 2.90 (0.114)D 7343-31 7.30 (0.287) 4.30 (0.169) 2.90 (0.114) 2.40 (0.094) 1.30 (0.051) 4.40 (0.173)E 7343-43 7.30 (0.287) 4.30 (0.169) 4.10 (0.162) 2.40 (0.094) 1.30 (0.051) 4.40 (0.173)V 7361-38 7.30 (0.287) 6.10 (0.240) 3.45±0.30(0.136±0.012)3.10 (0.120) 1.40 (0.055)4.40(0.173)W1 dimension applies to the termination width for A dimensional area only.钽电容电容量和额定电压(字母表示封装大小)电容量85°C时DC额定电压（VR）μF Code 2.5V (e) 4V (G) 6.3V (J) 10V (A) 16V (C) 20V (D) 25V (E) 35V (V) 50V (T)0.10 0.15 0.22 104154224AAAAA/BA/B0.33 0.47 0.68 334474684AAAA/BA/BBB/CB/C1.01.52.2 105155225 AAAA/BAA/BA/BA/BA/B/CA/B/CB/CC/DC/D3.34.7 6.8 335475685 AAAA/BA/BA/BA/BA/BA/B/CA/BBB/CB/CB/C/DC/DC/DDD10 15 22 106156226AAAAA/BA/BA/B/CA/B/CB/C/DB/CB/CB/C/DC/DC/DC/DC/D/EC/DD/ED/EEV33 47 68 336476686AAAABAA/B/CB/CA/B/CB/CB/CB/C/DC/DC/DC/DC/D/ED/ED/ED/EE/VD/E/VE/VV100 150 220 107157227BBB/DBB/CB/C/DB/CC/DC/D/EB/C/DC/D/ED/ED/ED/E/VE/VD/E/VE/VV330 470 680 337470680DC/DD/EC/DD/ED/ED/ED/E/VE/VD/E/VE/V1000 1500 2200 108158228D/ED/E/VVD/E/VE/VV。

【定义】集成电路（integrated circuit，港台称之为积体电路）是一种微型电子器件或部件。

采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，这样，整个电路的体积大大缩小，且引出线和焊接点的数目也大为减少，从而使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。

集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。

它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。

用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。

它在电路中用字母“IC”（也有用文字符号“N”等）表示。

【分类】（一）按功能结构分类集成电路按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。

模拟用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间边疆变化的信号。

例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等），而数字用来产生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和幅度上离散取值的信号。

例如VCD、DVD重放的音频信号和视频信号）。

（二）按制作工艺分类按制作工艺可分为半导体和薄膜。

膜又分类厚膜和薄膜。

（三）按集成度高低分类按集成度高低的不同可分为小规模、中规模、大规模和超大规模。

（四）按导电类型不同分类按导电类型可分为双极型和单极型。

双极型的制作工艺复杂，功耗较大，代表有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。

单极型的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模，代表有CMOS、NMOS、PMOS等类型。

（五）按用途分类按用途可分为电视机用、音响用、影碟机用、录像机用、电脑（微机）用、电子琴用、通信用、照相机用、遥控、语言、报警器用及各种专用。

常用电子物料封装及参数电子物料基础知识详解一、电子器件分类及外形（一）按功能分类1.连接件（Interconnect）：提供机械与电气连接/断开，由连接插头和插座组成，将电缆、支架、机箱或其它PCB与电路板连接起来2.有源电子元件（Active）：在模拟或数字电路中，可以自己控制电压和电流，以产生增益或开关作用，即对施加信号有反应，可以改变自己的基本特性。

3.无源电子元件（Passive）：当施以电信号时不改变本身特性，即提供简单的、可重复的反应。

4.异型电子元件（Odd-form）：其几何形状因素是奇特的，因此必须用手工贴装，其外壳形状是不标准的，例如：许多变压器、混合电路结构、风扇、机械开关块。

（二）按封装外形形状/尺寸分类Chip：片电阻，电容等，尺寸规格：0201，0402，0603，0805，1206，1210，2010，等。

.0402（40milX20mil）1in=25.4mm SOT：晶体管，SOT23，SOT143，SOT89等。

Melf：圆柱形元件，二极管，电阻等…。

SOIC：集成电路，尺寸规格：SOIC08，14，16，18，20，24，28，32…。

QFP：密脚距集成电路…。

PLCC：集成电路，PLCC20，28，32，44，52，68，84…。

BGA：球栅列阵包装集成电路，列阵间距规格：1.27，1.00，0.80…。

CSP：CSP：集成电路，元件边长不超过里面芯片边长的1.2倍，列阵间距《0.50的µBGA…外形图：二、电阻电阻（resistor）：在电子线路中，具有电阻性能的实体元件称为电阻器，习惯上称电阻，电阻在电路中用“R”加数字表示，如R1表示编为1的电阻1.电阻在电路中的主要作用为分流，限流，分压，偏置等。

2.电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ），1兆欧=1000000欧3.电阻主要参数：电阻值、额定功率、误差范围等。

4.电阻分类4-1按材料分：线绕、非线绕和敏感电阻。

bga封装的电气参数BGA封装的电气参数BGA（Ball Grid Array）芯片封装技术是一种新兴的封装技术，在现代电子产品的应用中越来越广泛。

BGA封装结构具有紧凑、高密度、高信号完整性和可靠性等优点，因此，BGA芯片的电气参数也比较复杂，今天我们就来详细了解一下BGA封装的电气参数。

1. 接触电阻在BGA封装中，芯片与印制电路板之间采用焊球完成接触。

接触电阻是指焊球与印制电路板之间的电阻。

接触电阻的大小对信号传输和功率传输都会产生影响。

由于BGA芯片的发热量大，接触电阻小可以有效降低芯片温度。

2. 导线电阻和电感BGA封装中，芯片内部多个引脚通过金属导线与焊球相连。

导线电阻和电感是指这些金属导线的电阻和电感。

它们会导致信号传输的失真和延迟。

因此，在设计BGA芯片时需要考虑导线电阻和电感对信号传输的影响。

3. 串扰和信号完整性在高密度布线中，信号之间会产生串扰，即一个信号对另一个信号产生干扰。

BGA封装中，信号线之间距离比较小，因此它们之间的串扰较为严重。

同时，信号完整性也是BGA芯片设计中需要考虑的一个重要因素。

如何防止信号的削弱和失真是BGA芯片设计中需要解决的问题。

4. 电源噪声BGA芯片内部会产生一些噪声，特别是功率分配网络中。

这些噪声会影响芯片的性能和可靠性。

因此，电源噪声是BGA芯片设计中需要特别关注的一个因素。

如何降低电源噪声并保证芯片的正常工作是设计师需要解决的问题。

5. 热模拟和散热由于BGA芯片的密度比较高，内部的发热量也比较大。

为了保证芯片的可靠性，需要对芯片进行热模拟和散热分析。

在设计BGA芯片时，需要考虑热模拟和散热对芯片性能和可靠性的影响。

总的来说，BGA封装的电气参数很多，设计师需要考虑各种因素对芯片性能和可靠性的影响。

只有在不断优化设计的同时，才能推动BGA 封装技术的发展，为现代电子产品的应用提供更加可靠和高效的解决方案。

标准贴片封装尺寸参数标准贴片封装尺寸参数是电子元器件制造中的关键指标，对封装技术的发展和应用有重要意义。

本文将对标准贴片封装尺寸参数进行详细介绍。

标准贴片封装尺寸参数包含了封装的几何形状、外观面积、连接脚的结构形式、尺寸和位置等多个参数。

其中，最基本的参数有以下几个：1.芯片尺寸：指芯片的长、宽和厚度。

常用的芯片尺寸有0603、0805、1206等。

2.外形尺寸：指封装的边长、厚度和高度等。

常用的外形尺寸有SOT23、SOP8、QFP64等。

3.引脚间距：指相邻引脚的距离。

常用的引脚间距有0.5mm、0.65mm、0.8mm、1.0mm等。

4.引脚数目：指封装的引脚数目。

常用的引脚数目有2、4、6、8、14、16、20、24、28、32、40、48、64、80、100等。

5.引脚形式：指引脚的形状。

常用的引脚形式有直脚、弯脚、SMD、BGA等。

6.引脚排列方式：指引脚的排列方式。

常用的引脚排列方式有单列、双列、四列等。

7.引脚位置：指引脚在封装中的位置。

常用的引脚位置有中心位置、四周位置等。

以上是标准贴片封装尺寸参数的基本内容，还有一些其他的参数也是需要注意的，如引脚长度、引脚形态等。

对于不同的封装，其尺寸参数会有不同的要求。

例如，对于耐高温封装，需要更高的尺寸精度和更严格的实现标准，而对于低成本的贴片封装，尺寸精度要求相对较低。

总之，标准贴片封装尺寸参数是电子元器件生产过程中必须重视的重要指标，其精度和准确性不仅关系到产品的品质和稳定性，也关系到整个生产过程的流畅程度和成本效益。

因此，在生产过程中，要严格执行相关的标准，确保封装尺寸参数的精度和稳定性。

1. 标准电阻：RES1、RES2；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0两端口可变电阻：RES3、RES4；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0三端口可变电阻：RESISTOR TAPPED，POT1，POT2；封装：VR1-VR52.电容：CAP（无极性电容）、ELECTRO1或ELECTRO2（极性电容）、可变电容CAPV AR 封装：无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4，有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0.3.二极管：DIODE（普通二极管）、DIODE SCHOTTKY（肖特基二极管）、DUIDE TUNNEL （隧道二极管）DIODE V ARCTOR（变容二极管）ZENER1~3（稳压二极管）封装：DIODE0.4和DIODE 0.7;（注意做PCB时别忘了将封装DIODE的端口改为A、K）4.三极管：NPN，NPN1和PNP，PNP1；引脚封装：TO18、TO92A（普通三极管）TO220H （大功率三极管）TO3（大功率达林顿管）以上的封装为三角形结构。

T0-226为直线形，我们常用的9013、9014管脚排列是直线型的，所以一般三极管都采用TO-126啦！5、效应管：JFETN（N沟道结型场效应管），JFETP（P沟道结型场效应管）MOSFETN（N 沟道增强型管）MOSFETP（P沟道增强型管）引脚封装形式与三极管同。

6、电感：INDUCTOR、INDUCTOR1、INDUCTOR2（普通电感），INDUCTOR V AR、INDUCTOR3、INDUCTOR4（可变电感）8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2，引脚封装形式为D系列，如D-44，D-37，D-46等。

9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列，从CON1到CON60，引脚封装形式为SIP系列，从SIP-2到SIP-20。

10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同，引脚封装形式DIP系列，不如40管脚的单片机封装为DIP40。