西南交《现代电力电子技术》在线作业一
三相半波带电阻性负载时，α为（）度时，可控整流输出的电压波形处于连续和断续的临界状态
A:0
B:60
C:30
D:120
答案：C
在晶闸管应用电路中，为了防止误触发，应将幅值限制在不触发区内的信号是（）A:干扰信号
B:触发电压信号
C:触发电流信号
D:干扰信号和触发信号
答案：A
使MOSFET开通的驱动电压一般为（）V
A:0-5
C:10-15
D:15-20
答案：C
对于电力MOSFET，栅极不加电压时，电流（）
A:一定导通
B:可能导通
C:不能导通
D:不确定
答案：C
单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（）A:180o
B:60o
C:120o
D:360o
答案：A
使IGBT开通的驱动电压一般为（）V。
现代电力电子技术二、主观题(共12道小题)(主观题请按照题目，离线完成，完成后纸质上交学习中心，记录成绩。
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)11.电力电子技术的研究内容？12.电力电子技术的分支？13.电力变换的基本类型？14.电力电子系统的基本结构及特点？15.电力电子的发展历史及其特点？16.电力电子技术的典型应用领域？17.电力电子器件的分类方式？18.晶闸管的基本结构及通断条件是什么？19.维持晶闸管导通的条件是什么？20.对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流IL在数值大小上有I L______I H。
21.整流电路的主要分类方式？22.单相全控桥式整流大电感负载电路中，晶闸管的导通角θ=________。
现代电力电子技术二、主观题(共12道小题)11.电力电子技术的研究内容？参考答案：主要包括电力电子器件、功率变换主电路和控制电路。
12.电力电子技术的分支？参考答案：电力学、电子学、材料学和控制理论等。
13.电力变换的基本类型？参考答案：包括四种变换类型：（１）整流ＡＣ－ＤＣ（２）逆变ＤＣ－ＡＣ（３）斩波ＤＣ－ＤＣ（４）交交电力变换ＡＣ－ＡＣ14.电力电子系统的基本结构及特点？参考答案：电力电子系统包括功率变换主电路和控制电路，功率变换主电路是属于电路变换的强电电路，控制电路是弱电电路，两者在控制理论的支持下实现接口，从而获得期望性能指标的输出电能。
'15.电力电子的发展历史及其特点？参考答案：主要包括史前期、晶闸管时代、全控型器件时代和复合型时代进行介绍，并说明电力电子技术的未来发展趋势16.电力电子技术的典型应用领域？参考答案：介绍一般工业、交通运输、电力系统、家用电器和新能源开发几个方面进行介绍，要说明电力电子技术应用的主要特征。
17.电力电子器件的分类方式？参考答案：电力电子器件的分类（１）从门极驱动特性可以分为：电压型和电流型（２）从载流特性可以分为：单极型、双极型和复合型（３）从门极控制特性可以分为：不可控、半控及全控型18.晶闸管的基本结构及通断条件是什么？参考答案：晶闸管由四层半导体结构组成，是个半控型电力电子器件，导通条件：承受正向阳极电压及门极施加正的触发信号。
答题要求:每题只有一个正确选项。
1(5.0分)变流器工作在逆变状态时，控制角α必须在（）。
•A)0°-90°••B)30°-120°••C)60°-150°••D)90°-150°•2(5.0分)普通的单相半波可控整流装置中一共用了（）晶闸管。
•A)一只••B)二只••C)三只••D)四只•3(5.0分)三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角γ的大小与哪几个参数有关（）。
•A)α、Id、XL、U2••B)α、Id••C)α、U2••D)α、U2、XL•4(5.0分)单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）。
•A)90°••B)120°••C)150°••D)180°•5(5.0分)可实现有源逆变的电路为（）。
•A)三相半波可控整流电路••B)三相半控桥整流桥电路••C)单相全控桥接续流二极管电路••D)单相半控桥整流电路•6(5.0分)比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。
•A)GTO••B)GTR••C)MOSFET••D)MOSFET•7(5.0分)普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
•A)有效值••B)最大值••C)平均值•8(5.0分)单相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0o时，输出的负载电压平均值为（）。
•A)0.45U2••B)0.9U2••C)1.17U2••D)2.34U2•9(5.0分)晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（）。
•A)不变••B)增大••C)减小•10(5.0分)三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0o时，输出的负载电压平均值为（）。
•A)0.45U2••B)0.9U2••C)1.17U2••D)2.34U2•答题要求:判断下列说法是否正确。
11(5.0分)单相桥式全控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是180°。
第一次作业1、电压型和电流型开关器件的工作原理(1)电压型(MOSFETIGBT):通过在控制端与公共端之间施加一定的电压信号即可实现器件的导通或关断的控制。
实际上是该电压信号在器件的两个主电路端子之间产生可控的电场，进而来改变流过器件的电流大小和通断状态。
MOSFE X作原理：导通条件：漏源电压为正，栅源电压大于开启电压。
关断条件: 漏源极电压为正，栅源极电压小于开启电压。
IGBT X作原理：导通条件：集射极电压为正，栅射极电压大于开启电压；关断条件：栅射极电压小于开启电压。
(2)电流型(SCR GTO GTR :通过在控制端注入或抽出一定的电流实现器件的导通或关断的控制。
SCR工作原理：导通条件：正向阳极电压，正向门极电压；关断条件：必须使阳极电流降低到某一数值之下 (约几十毫安)。
两种强迫关断方式：电流换流和电压换流。
GTC X作原理：与普通晶闸管相同。
开关速度高于普通晶闸管，di/dt承受能力大于晶闸管。
GTF X作原理：导通条件：集射极加正向电压，基极加正向电流；关断条件：基极加负脉冲。
2、二极管的反向击穿机理反向击穿：PN结具有一定的反向耐压能力，但当反向电压过大，超过一定限度，反向电流就会急剧增大，破坏PN结反向偏置为截止的工作状态。
反向击穿按照机理不同分为雪崩击穿、齐纳击穿两种形式。
雪崩击穿：反向电压增大，空间电荷区的电场强度增大，使从中性区漂移进入空间电荷区的载流子被加速获取很高动能，这些高能量、高速载流子撞击晶体点阵原子使其电离(碰撞电离) ，产生新的电子空穴对，新产生的电子与空穴被加速获取能量，产生新的碰撞电离，使载流子迅速成倍增加，即雪崩倍增效应，导致载流子浓度迅速增加，反向电流急剧增大，最终PN结反向击穿。
齐纳击穿：重掺杂浓度的PN结，一般空间电荷区很窄，空间电荷区中的电场因其狭窄而很强，反偏又使空间电荷区中的电场强度增加，空间电荷区中的晶体点阵原子直接被电场电离，使价电子脱离共价键束缚，产生电子空穴对，使反向电流急剧增加。
