模拟电子技术基本练习题(解)教学文稿
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《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的()组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。
二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。
( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。
( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。
( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。
( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。
( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594T V T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1eTV V>>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。
高等职业技术教育招生考试(技能考核)模拟测试一计算机信息类本试题满分 300 分,考试时间 120 分钟。
一、单项选择题(本大题共 60 小题,每小题 2.5 分,满分 150 分。
在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的。
)1. 在计算机中,用文字、图像、语言、情景、现象所表示的内容都可以称为()。
A.表象B.文章C.消息D.信息2. 计算机的发展趋势是巨型化、微型化、网络化、多媒体化和()A.智能化B.数字化C.自动化D.以上都对3. 巨型计算机指的是()A.重量大B.体积大C.功能强D.耗电量大4. 你认为最能准确反映计算机主要功能的是()A.计算机可以代替人的脑力劳动B.计算机可以存储大量的信息C.计算机可以实现高速度的运算D.计算机是一种信息处理机5. 电子数字计算机工作最重要的特征是()A.高速度B.高精度C.存储程序和程序控制D.记忆能力强6. CAD的中文含义是()。
A.计算机辅助教学B.计算机辅助工程C.计算机辅助设计D.计算机辅助制造7. 计算机技术中,英文缩写 CPU 的中文译名是()A.控制器B.运算器C.中央处理器D.寄存器8. 能直接与 CPU 交换信息的存储器是()A.硬盘存储器B. CD—ROMC.内存储器D.软盘存储器9. 在标准 ASCII 码表中,已知英文字母 A 的 ASCII码是 01000001,英文字母F的 ASCII码是( )。
A.01000011B. 01000100C.01000101D. 0100011010.字符比较大小实际上是比较它们的 ASCII码值,下列正确的比较是( )A.“A”比“B”大B.“H”比“h”小C.“F”比“D”小D.“A”比“D”大11.计算机信息计量单位中的1K代表()。
A. 102B. 103C. 210D. 2812.十进制数27对应的二进制数为( )。
A.1011 B. 1100 C. 10111 D. 1101113.操作系统是_______的接口。
闽教版小学四年级上册信息技术模拟考卷附答案一、选择题(每题1分,共5分)1. 下列哪个键可以用来进行复制操作?A. Ctrl+CB. Ctrl+VC. Ctrl+XD. Ctrl+ZA. 靠在椅背上,身体放松B. 脚放在桌子上,身体前倾C. 腰部挺直,双脚平放在地面上D. 身体紧贴桌子,眼睛离屏幕很近3. 下列哪个软件可以用来制作电子表格?A. WordB. PowerPointC. ExcelD. Paint4. 在使用互联网时,我们应该遵守哪些规则?A. 随意和传播未经授权的文件B. 在网络上发布虚假信息C. 尊重他人的隐私和知识产权D. 在网络上进行欺诈活动5. 下列哪个图标代表电子邮件?A.B.C.D.二、判断题(每题1分,共5分)1. 计算机病毒是一种可以通过互联网传播的恶意软件。
()2. 在使用计算机时,我们应该定期保存文件以防丢失。
()3. 互联网是一个全球性的计算机网络,可以让我们访问世界各地的信息。
()4. 在发送电子邮件时,我们可以在附件中添加图片、文档等文件。
()5. 使用计算机时,我们应该避免长时间盯着屏幕,以保护眼睛。
()三、填空题(每题1分,共5分)1. ________ 是一种计算机程序,可以用来创建、编辑和格式化文本。
2. 在使用互联网时,我们应该遵守 ________ 规则,以保护自己和他人的权益。
3. ________ 是一种可以用来制作演示文稿的软件。
4. 在使用电子邮件时,我们可以通过 ________ 功能将文件附加到邮件中。
5. 为了保护计算机和个人信息的安全,我们应该定期更新________。
四、简答题(每题2分,共10分)1. 简述计算机的基本组成部分。
2. 解释什么是互联网,并列举其用途。
3. 描述如何使用电子邮件发送和接收邮件。
4. 解释计算机病毒的概念,并说明如何预防计算机病毒的感染。
5. 解释为什么在计算机使用过程中要保护眼睛。
五、应用题(每题2分,共10分)1. 小明想使用计算机来写一篇作文,他应该如何操作?2. 小红想通过电子邮件给她的朋友发送一些照片,她应该如何操作?3. 小华想使用互联网来查找一些学习资料,他应该如何操作?4. 小明想使用计算机来制作一份班级通讯录,他应该如何操作?5. 小红想使用计算机来练习打字,她应该如何操作?六、分析题(每题5分,共10分)1. 分析计算机在日常生活中的应用,并举例说明。
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保R大的特点。
( √ )证其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。
图解:U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V。
五、电路如图所示,V CC =15V ,=100,U BE =。
试问:(1)R b =50k 时,U o=?(2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和0。
5pA 。
如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:m V 6.179A1m A1ln m V 26U D =μ≈ 对于锗管:m V 8.556pA5.0m A1ln m V 26U D =≈1—2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =0。
1pA.(1)当二极管正偏压为0。
65V 时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流.此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)m A 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1—3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1—3(b )所示。
已知电源电压为6V ,二极管压降为0。
7伏。
试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
第一部分电子技术第一章数字电路一、判断题(√)1、逻辑运算中,能把所有可能条件组合及其结果——对应列出的表格称为真值表。
(√)2、带有放大环节的稳压电源其放大环节的放大倍数越大,输出电压越稳定。
(√)3、逻辑电路中的与门和或门是相对的,即正与门就是负或门,正或门就是负与门。
(√)4、单稳态电路输出脉冲宽度取决于充电电容的大小。
(√)5、与非门的多余端不允许接地。
(×)6、用偶数个与非门首尾相接可组成环形多谐振荡器。
(√)7、凡具有两个稳定状态的器件都可构成二进制计数器。
(×)8、TTL与非门输入端同时悬空时,相当于输入端不加电平,故输出为高电平。
(√)9、使用TTL数字集成电路时,电源电压极性不能接反,其额定值为5V。
(×)10、若一个异或门的两个输入端的电平相同,即同为高电平或同为低电平,则输出为高电平。
(√)11、异步计数器各个触发器之间的翻转是不同步的,与CP脉冲也是不同步的。
(√)12、要将变化缓慢的电压信号整形成脉冲信号,应采用施密特触发器。
(×)13、将尖顶波变换成与它对应的等宽的脉冲,应采用单稳态触发器。
(×)14、TTL数字集成电路中,或门不使用的输入端接高电平。
(√)15、环形计数器实际上是一个自循环的移位寄存器。
(√)16、一个触发器可以存储一位二进制代码,用N个触发器就可以存储N位二进制代码。
(√)17、用二进制代码表示具有某种含义的信息称为编码。
在数字电路中,能实现编码功能的电路称编码器。
(×)18、主一从J-K触发器的输出状态中有土个是不确定的状态。
(×)19、寄存器存放数码的串行方式是数码各位从各对应位输入端同时输入到寄存器中。
二、单项选择题l、具有记忆功能的电路是( D )。
A:与非门B:异或门C:加法器D:触发器2、组合电路是由( B )组成的。
A:存储电路B:门电路C:逻辑电路D:数字电路3、下列逻辑电路错误的是( B )。
第一章 半导体基础知识自测题一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE=20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O =U CE =2V 。
2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。
习题1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D =(V -U D )/R =2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。
1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一(总分150分)(成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一)一、选择题(本大题10个小题,每小题4分,共40分。
在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的,把所选项前的字母填在题后的括号内。
)1. 用万用表的R×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω,若改用R×1k档,测量同一二极管,则其正向电阻值()a. 增加b. 不变c. 减小d. 不能确定2. 某三极管各电极对地电位如图2所示,由此可判断该三极管()a. 处于放大区域b. 处于饱和区域c. 处于截止区域d. 已损坏图23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V,当接入2kΩ负载后,其输出电压降为4V,这表明该放大电路的输出电阻为()a. 10kΩb. 2kΩc. 1kΩd. 0.5kΩ4. 某放大电路图4所示.设VCC>>VBE,LCEO≈0,则在静态时该三极管处于()a.放大区b.饱和区c.截止区d.区域不定图45. 图5所示电路工作在线性放大状态,设R'L=RD//RL,则电路的电压增益为()'gmRL' b.1+gmRs C.-gmRL' d.-RL'/gm a.gmRL-图56. 图5中电路的输入电阻Ri为()a. Rg+(Rg1//Rg2)b. Rg//(Rg1+Rg2)c. Rg//Rg1//Rg2d.[Rg+(Rg1//Rg2)]//(1+gm)RS7. 直流负反馈是指()a. 存在于RC耦合电路中的负反馈b. 放大直流信号时才有的负反馈c. 直流通路中的负反馈d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是()a. 输入信号所包含的干扰和噪声b. 反馈环内的干扰和噪声c. 反馈环外的干扰和噪声d. 输出信号中的干扰和噪声9. 在图9所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为()a. -2.5Vb. -5Vc. -6.5Vd. -7.5V图910. 在图10所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为()a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV图10二、填空题(本大题共7个小题,18个空,每空2分,共36分。
教师资格认定考试初级中学信息技术模拟题41一、单项选择题在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。
1. 小明要制作一个北京冬奥会宣传的多媒体作品,正确的制作过程是______①规划与(江南博哥)设计②需求分析③发布与评价④作品集成⑤素材采集与加工A.①④⑤③②B.⑤③②①④C.④⑤③①②D.②①⑤④③正确答案:D[解析] 制作多媒体作品首先要需求分析,然后规划和设计,根据规划采集素材、作品集成,最后发布。
2. 网络拓扑结构是指用传输介质互连各种设备的物理布局。
具有中心节点的网络拓扑属于______。
A.总线拓扑B.星型拓扑C.环型拓扑D.网状拓扑正确答案:B[解析] 星型拓扑结构是用一个节点作为中心节点,其他节点直接与中心节点相连的网络拓扑结构。
3. 下列关于幻灯片的添加效果的叙述,错误的是______。
A.可以向幻灯片添加自定义动画B.不可以为占位符对象添加动画C.可以对要添加的动画进行设置D.可以为幻灯片的切换添加动画效果正确答案:B[解析] 占位符也是PowerPoint的一种对象,也可以为其添加动画效果。
4. 微软的手机产品能让用户通过自己的声音启动语音助手Cortana。
Cortana 能够查询新闻、天气及个人信息,这种服务主要运用了______。
A.机器翻译技术B.手写文字识别技术C.语音识别技术D.光学字符识别技术正确答案:C[解析] 语音识别技术就是让机器通过识别和理解过程把语音信号转变为相应的文本或命令的技术。
语音助手Cortana可以查询新闻、天气及个人信息,这种服务主要运用了语音识别技术。
5. 下列说法不正确的是______。
A.信息在共享时不会有损耗B.信息可以从一种形态转换为另一种形态C.二维码链接中的信息不可能包含病毒,可以扫描任意的二维码D.勾选了“记住密码”选项,方便了用户登录,但可能存在安全隐患正确答案:C[解析] 信息具有共享性,共享时不会有损耗;信息是可以从一种形态转换为另一种形态的;勾选“记住密码”选项,方便登录但可能存在安全隐患;有些二维码链接有可能链接着病毒网站或不安全网站,不能随意扫描来历不明的二维码。
电子教案模板教学设计一、教学内容本节课选自《电子技术基础》第四章第三节,详细内容为“数字电路的基本逻辑门及其应用”。
内容包括逻辑门的定义、分类、工作原理和实际应用,尤其重点讲解与门、或门、非门的基本概念和功能。
二、教学目标1. 理解并掌握基本逻辑门的概念、分类和工作原理。
2. 学会运用基本逻辑门进行简单的逻辑电路分析和设计。
3. 培养学生的动手操作能力和团队协作能力。
三、教学难点与重点教学难点:基本逻辑门的工作原理及其应用。
教学重点:与门、或门、非门的基本概念、功能及其相互组合。
四、教具与学具准备1. 教具:电子电路实验箱、逻辑门电路模块、演示文稿。
2. 学具:每组一套电子电路实验箱、逻辑门电路模块、实验报告。
五、教学过程1. 引入:通过一个简单的实践情景,如“用基本逻辑门设计一个开关控制灯亮的电路”,引导学生思考基本逻辑门在实际应用中的作用。
教学活动:学生讨论、回答问题。
2. 理论讲解:(1) 介绍基本逻辑门的定义、分类和工作原理。
教学活动:教师讲解、演示文稿展示。
(2) 详细讲解与门、或门、非门的基本概念、功能及其相互组合。
教学活动:教师讲解、演示文稿展示、学生跟随操作。
3. 实践操作:(1) 学生分组进行实验,用基本逻辑门设计并实现一个开关控制灯亮的电路。
教学活动:学生实验、教师指导。
(2) 各组展示实验成果,相互交流心得。
教学活动:学生展示、交流、评价。
4. 例题讲解:(1) 分析并设计一个简单的逻辑电路。
教学活动:教师讲解、学生跟随操作。
(2) 学生完成随堂练习。
教学活动:学生练习、教师指导。
六、板书设计1. 数字电路的基本逻辑门及其应用2. 内容:(1) 逻辑门的定义、分类和工作原理。
(2) 与门、或门、非门的基本概念和功能。
(3) 逻辑电路分析和设计方法。
七、作业设计1. 作业题目:(1) 解释基本逻辑门的定义和工作原理。
(2) 分析并设计一个简单的逻辑电路。
2. 答案:(1) 基本逻辑门定义:基本逻辑门是数字电路中最基本的逻辑单元,用于实现基本逻辑运算。
模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2016.9.15目录第1 章习题及答案 (1)第2 章习题及答案 (14)第3 章习题及答案 (36)第4 章习题及答案 (45)第5 章习题及答案 (55)第6 章习题及答案 (70)第7 章习题及答案 (86)第8 章习题及答案 (104)第9 章习题及答案 (117)第10 章习题及答案 (133)模拟电子技术试卷1 (146)模拟电子技术试卷2 (152)模拟电子技术试卷3 (158)第 1 章习题及答案1.1 选择合适答案填入空内。
(1)在本征半导体中加入元素可形成N 型半导体,加入元素可形成P 型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价(2)PN 结加正向电压时,空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽(3)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小(4)稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿解:(1)A、C (2)A (3)A (4)C写出图P1.2.1 所示各电路的输出电压值,设二极管是理想的。
(1)(2)(3)图P1.2.1解:(1)二极管导通U O1=2V (2)二极管截止U O2=2V (3)二极管导通U O3=2V 写出图P1.2.2 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
(1)(2)(3)图P1.2.2解:(1)二极管截止U O1=0V (2)二极管导通U O2=-1.3V (3)二极管截止U O3=-2V 电路如P1.3.1 图所示,设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V,试判断下图中各二极管是否导通,并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解:二极管D1截止,D2导通,U O=-2.3V电路如图P1.3.2 所示,已知u i=10sinωt(v),试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3.2解:当u i>0V 时,D 导通,u o =u i;当u i≤0V 时,D 截止,u o=0V。
模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示,已知)5sin i u t V ω=,二极管导通电压降D 0.7V U =。
试画出i u 和o u 的波形,并标出幅值。
解:通过分析可知:(1) 当37V i u .>时,37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时,o i u u = (3) 当37V i u .<-时,37o u .V =- 总结分析,画出部分波形图如下所示:1.2 二极管电路如题图1.2所示。
(1)判断图中的二极管是导通还是截止?(2)分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。
解:对于(a )来说,二极管是导通的。
采用理想模型来说,6V AO U =- 采用恒压降模型来说,67V AO U .=-对于(c )来说,二极管1D 是导通的,二极管2D 是截止的。
采用理想模型来说,0AO U = 采用恒压降模型来说,07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止?用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I =解:(b )先将二极管断开,由KVL 定律,二极管左右两端电压可求出:25101515V 182255U .-⨯+⨯++左==10151V 14010U ⨯+右==故此二极管截止,流过的电流值为0D I =(c )先将二极管断开,由KVL 定律,二极管左右两端电压可求出:151525V 255U .⨯+左==,2252005V 182U ..-⨯+左==10151V 14010U ⨯+右==由于05V U U .-=右左,故二极管导通。
运用戴维宁定理,电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示,在图中标出三个电极,并说明它们是硅管还是锗管。
解: T1: 硅管,PNP ,11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管,NPN ,3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管,NPN ,12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管,PNP ,12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管,PNP ,14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管,NPN ,12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时,电压放大电路输出电压比负载开路(L R =∞)时输出电压减少20%,求该放大电路的输出电阻o r 。
模拟电子技术基本练习题(解)电子技术基础(模拟部分)综合练习题2010-12-12一.填空题:(将正确答案填入空白中)1.N型半导体是在本征半导体中掺入3价元素,其多数载流子是电子,少数载流子是空穴。
P型半导体是在本征半导体中掺入 5价元素,其多数载流子是空穴,少数载流子是电子。
2.为使三极管能有效地有放大作用,要求三极管的发射区掺杂浓度最高;基区宽度最薄;集电结结面积最大。
3.三极管工作在放大区时,发射结要正向偏置,集电结反向偏置,工作在饱和区时,发射结要正向偏置,集电结正向偏置,工作在截止区时,发射结要反向偏置,集电结反向偏置。
4.工作在放大状态的三极管,流过发射结的电流主要是扩散电流,流过集电结的电流主要是漂移电流。
5.某三极管,其α=0.98,当发射极电流为2mA,其基极电流为0.04mA,该管的β值为 49。
6.某三极管,其β=100,当集电极极电流为5mA,其基极电流为0.05mA,该管的α值为 0.99。
7.某三极管工作在放大区时,当I B从20µA增大到40µA,I C从1mA变成2mA。
则该管的β约为 50。
8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流,所以它属于电流控制器件。
其输入电阻较低;场效应管通过栅极电压控制输出电流,所以它属于电压控制器件。
其输入电阻很高。
9.晶体管的三个工作区是放大区,截止区,饱和区。
场效应的三个工作区是可变电阻区,饱和区,截止区。
10.场效应管又称单极型管,是因为只有一种载流子参与导电;半导体三极管又称双极型管,是因为有两种载流子参与导电。
11.串联式直流稳压电源是由组成取样电路;比较放大器;基准电压和调整管。
12.集成运算放大器的内部电路是由偏置电路 , 中间放大器 , 输入级和输出级四部分组成。
13.在一个三级放大电路中,已知A v1=20;A v2=-100;Av3=1,则可知这三级放大电路中A1是共基极组态;A2是共射极组态;A3是共集电极组态。
14.正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器;反馈网络;稳幅电路和选频网络。
15.为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻,在放大电路中应引入电流串联负反馈。
16.PNP三极管基区中的多数载流子是电子。
少数载流子是空穴。
17.对于放大电路,所谓开环是指放大电路没有反馈支路。
18.为稳定放大电路的输出电压和增大输入电阻,应引入电压串联负反馈。
19.单相桥式整流电路中,设变压器的副边电压为V2,则输出直流电压的平均值为0.9V2。
20.差动放大电路中,共模抑制比K CMR是指差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值。
二.选择题1.电路如图所示,设二极管的正向压降V D=0.6V,则流过二极管的电流I D为( B )。
2.电路如图所示,设二极管具有理想特性,已知v i=1.0Sinωt (V),V=2V,则输出v o 的波形如图( a )所示。
3.由稳压管组成的稳压电路如图所示,已知Vi=18V,稳压管D Z1的稳压值为7V,稳压管D Z2的稳压值为6V,稳压管具有理想特性,则输出Vo为( B )。
4.电路如图(a)~(b)所示,已知vi=20Sinωt (V),稳压管D Z1稳定电压V Z1=10V,稳压管D Z2稳定电压V Z2=6V,稳压管的正向压降忽略不计。
图(e)所示波形为电路图( b )的输出波形。
(A)0.775mA(B)1.31mA(C)0.55mA(A) 13V(B) 1V5.电路如图所示,该电路的静态电流表达式I CQ =( C )。
6.电路如图所示,已知晶体管的饱和压降V CES =0.3V ,R C =R L =2k Ω,静态工作点I CQ =2mA ,V CEQ =6V 。
该放大电路的最大不失真输出正弦电压的幅值为 B 。
7.电路如图(a )所示,其等效电路如图(b )所示。
该电路的电压放大倍数表达式为 B 。
eb BE CC eb BECC e b BE CC e b BECC R R V V D R R V V C R R V V B R R V V A )1()()1()()()1()(ββββ+++++-⨯+-++-(A ) 6V (B ) 5.7V (C ) 6.6Ve be Lebe LR r R B R r R A )1()()1()(''ββββ++-++ebe Lebe LR r R D R r R C +-+'')()(ββ8.电路如图所示,已知晶体管的β=50,V BE =0.6V ,r be =1.5k Ω。
该电路的输入电阻Ri 为 C 。
(A ) 1.36k Ω (B )15k Ω (C ) 13.4k Ω ( D ) 1.5k Ω9.电路如图所示,C 1、C 2可视为交流短路,该电路的输出电阻为 D 。
10.如图所示为一深度负反馈放大电路,所有电容认为对交流短路。
该电路的闭环电压放大倍数A vf=Vo/Vi=( C )。
(A) 10 (B) -11 (C) 11 (D) -1011.电路如图所示,要引入电压并联负反馈,正确的接法是( D )。
(A)C1接N,C2接P,F接B1;(B)C1接N,C2接P,F接B2;(C)C1接P,C2接N,F接B1;(D)C1接P,C2接N,F接B2。
*12.某放大电路的电压放大倍数的对数幅频特性如图所示,其下限频率f L、上限频率f H及下限频率和上限频率所对应的实际电压增益Av是(B)。
(A)f L=100HZ ,f H=100kHZ , Av=60dB(B)f L=100HZ ,f H=100kHZ , Av=57dB(C)f L<100HZ ,f H<100kHZ , Av=60dB(D)f L>100HZ ,f H>100kHZ , Av=57dB13.差动放大电路如图所示,已知|A vd|=100,A vc=0,v i1=10mV,v i2=5mV,则输出电压|vo| 为( A)。
(A)500mV (B) 200mV (C) 250mV (D) 125mV14.带有调零电路的差动放大电路如图所示,若输入电压v i1=v i2=0时,输出电压vo=v o1-v o2<0,欲使此时输出电压为0,则应该( D )。
15.电路如图所示,已知电路参数:R S =1k Ω,R C1=R C2=R L =10k Ω,晶体管的β=50,r be =1.5k Ω。
该电路的共模抑制比K CMR =( A )。
16.由运算放大器组成的电路如图所示,则电流I 2=( D )。
(A ) 2000 (B ) -2000 (C ) 1000(A )减小Re (B )增加Re(C )向左移动R W 的滑动端(A)0.5mA(B) 1mA(C)1.5mA17.电路如图所示,设A1、A均为理想运算放大器,则输出电压vo=(A)。
(A) 1V(B) -1.5V(C) -1V18.由理想运算放大器组成的电路如图所示,该电路的电压放大倍数A v=v o/v i=(B ).(A) 1(B) 21(C) -2119.积分电路如图所示,运放是理想的。
已知:v i1=1V,v i2=-2V。
在t=0时开关断开,试问当v o达到6V时,所需的时间t = ( A )秒。
20.运算放大器组成的放大电路如图所示,运放的饱和电压为±12V 。
其电压传输特性如图(b)所示,则电路中的电阻R1应为( B)。
*21.输入失调电流补偿电路如图所示,已知:I BN=100nA,I BP=75nA,R1=10kΩ, R f=30kΩ。
要求没有输入时,输出为0,则平衡电阻R2的数值约为(D)。
22.由模拟乘法器和运算放大器组成大电路如图所示,已知v i1>0,则电路的输出与输入关系为(D)。
(A) 3kΩ(B) 5kΩ(C) 10kΩ(A) 2(B) 1.2(C) 3(A) 5kΩ(B) 40kΩ(C) 30kΩ2121)()(iioiiovkvvBvkvvA==1221)()(iioiiokvvvDvkvvC==23.由运算放大器组成的比较器电路如图所示,设V REF>0,则该电路的电压传输特性为图中的图(C)所示。
(A)(B)(C)(D)24.比较器电路如图所示,已知V i1=2V,V i2=1V,则输出电压V O=(C)。
25.具有RC串并联选频网络的正弦波振荡电路如图所示,已知R f =120kΩ,为保证电路起振,R1应满足(D)。
(A) +12V(B) -12V(C) -6V(D) +6V26.试用相位平衡条件判断如下电路中有可能产生振荡的图是( C )。
(A) a (B) b (C) c (D) a 、b 、d27.电路如图所示,设运算放大器为理想的,热敏电阻Rt 具有正温度系数。
为能起振和稳定振幅,R f 和Rt 在电路中的位置以及Rt的最大值分别为( A )。
(A )R f 接虚框1,Rt 接虚框2,500Ω (B )R f 接虚框1,Rt 接虚框2,2k Ω (C )R f 接虚框2,Rt 接虚框1,500Ω (D )R f 接虚框2,Rt 接虚框1,2k Ω28.信号发生器电路如图所示,试指出v 01、v o2、v o3的波形是( D )。
(A) R 1>120k Ω (B) R 1<120k Ω(A )v 01方波、v o2方波、v o3 三角波 (B )v 01方波、v o2锯齿波、v o3 三角波 (C )v 01三角波、v o2方波、v o3 锯齿波 (D )v 01方波、v o2三角波、v o3 锯齿波 29.如图所示功率放大电路,已知V CC =20V ,R L =8Ω。
功率管的参数应满足的条件是( A )。
30.带电容滤波的桥式整流电路如图所示,设变压器副边电压v 2=24Sin ωt(V),负载电阻R L =10Ω。
则流过二极管的平均电流I D 和二极管承受的最大反向电压V RM约为( B )。
(A ) I D =2A ,V RM =17V (B )I D =1A ,V RM =24V(A ) P CM >5W ,I CM >2.5A ,V (BR )CEO >40V(B ) P CM >5W ,I CM >2.5A ,V (BR )CEO >20V(C ) P CM >25W ,I CM >2.5A ,V (BR )CEO >40V(C)I D=2A,V RM=24V(D)I D=1A,V RM=17V31.串联式稳压电路如图所示,已知T1的V CE1=5V,T2的V BE2=0.6V,稳压管V Z=5.4V,R1=R2=2kΩ,R W=1kΩ,则变压器的副边电压有效值V2为(B)。