第2章 半导体三极管及其基本放大电路

（1）U1=3.5V、U2=2.8V、 U3=12V （2）U1=3V、 U2=2.8V、 U3=12V （3）U1=6V、 U2=11.3V、 U3=12V （4）U1=6V、 U2=11.8V、 U3=12V 判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。
解： 原则：先求UBE，若等于0.6-0.7V，为硅管；若等于0.2-0.3V，为锗管。
2
1
03 6 ICEO
截止条件：
100A 发射结反偏（或零偏），集电结反偏。
80A
60A 特点：
40A （1）三极管无电流放大作用，相当于一
20A 个断开的开关。uBE小于死区电压，发射结 IB=0 反偏。
9 12 UCE(V) （2)IB=0，IC不为0，IC=ICEO≈0。
截止区
ICEO叫穿透电流。
三极管的开关特性
• 三极管同二极管一样，也可以作为电 子开关器件，构成电子开关电路。当三极管 用于开关电路中时，三极管工作在截止区和 饱和区。如下表是三极管开关特性说明。
开关状态 三极管工作状态 内阻特性
解说
开关接通 饱和状态 开关断开 截止状态
集电极与 发射极间 内阻很小
集电极与 发射极间 内阻很大
二、三极管的电流放大作用
1。放大作用的内部条件：
发射区掺杂浓度最高 基区掺杂浓度最低且最薄
2. 放大作用的外部条件： 集电区面积最大
发射结正偏、集电结反偏
从电位的角度看：
C
NPN
发射结正偏 集电结反偏
发射结正偏 集电结反偏
VB>VE
VC>VB PNP
VB<VE VC<VB
N
B
P

IE=IB+IC
IC IB
IE(1)IB
三、三极管的电流放大作用
（1）三极管的电流放大作用就是基极电流IB的微小变化控 制了集电极电流IC较大的变化。
（2）三极管放大电流时，被放大的IC是由电源VCC提供 的，并不是三极管自身生成的，放大的实质是小信号对大信 号的控制作用。
（3）三极管是一种电流控制器件。
UB
Rb 2V CC Rb1 Rb2
若电路满足I1≥（5~10）IB，UB≥（5~10）UBE由上式可知， UB由Rb1、Rb2分压而定，与温度变化基本无关。
如果温度升高使IC增大，则IE增大，发射极电位UE=IERe升 高，结果使UBE=UB－UE减小，IB相应减小，从而限制了IC的增 大，使IC基本保持不变。上述稳定工作点的过程可表示为
这个值时，放大性能下降或损坏管子。
（2）反向击穿电压（Reverse breakdown voltage） U(BR)CBO ： 发射极开路时，集电极－基极之间允许施加的最高 反向电压，超过此值，集电结发生反向击穿。 U(BR)EBO ： 集电极开路时，发射极－基极之间允许施加的最高反 向电压。 U(BR)CEO：基极开路时，集电极与发射极之间所能承受的最高反 向电压。为可靠工作，使用时VCC取U(BR)CEO的1/2或2/3。在输出特 性曲线中，iB＝0的曲线开始急剧上翘所对应的电压即为U(BR)CEO ， 其值比U(BR)CBO小。T↑，U(BR)↓。
图（b）的电路，由于C1的隔断直流作用，VCC不能通过Rb 使管子的发射结正偏即发射结零偏，因此三极管不工作在放大 区，无放大作用。
2.2.4 共射基本电路的静态工作点
一般，三极管的UBE可视为已知量，硅管│UBE│取0.7V， 锗管│UBE│取0.2V，VCC>>UBE。

模拟电⼦技术基础（第4版）课后习题答案（周良权）第2章半导体三极管及其基本放⼤电路⼀、填空题2．1 BJT ⽤来放⼤时，应使发射结处于偏置，集电结处于偏置；⽽⼯作在饱和区时，发射结处于偏置，集电结处于偏置。

2．2 温度升⾼时，BJT 的电流放⼤系数β，反向饱和电流CBO I ，发射结电压BE U 。

2．3⽤两个放⼤电路A 和B 分别对同⼀个电压信号进⾏放⼤，当输出端开路时，OB OA U U =；都接⼈负载L R 电阻时，测得OB OA U U ?，由此说明，电路A 的输出电阻⽐电路B 的输出电阻。

2．4对于共射、共集和共基三种基本组态放⼤电路，若希望电压放⼤倍数⼤，可选⽤组态；若希望带负载能⼒强，应选⽤组态；若希望从信号源索取电流⼩，应选⽤组态；若希望⾼频性能好，应选⽤组态。

2．5 FET 是通过改变来改变漏极电流(输出电流)的，所以它是⼀个器件。

2．6 FET ⼯作在可变电阻区时，D i 与DS u 基本上是关系，所以在这个区域中，FET 的d 、s 极间可以看成⼀个由GS u 控制的。

2．7 FET 的⾃偏压电路只适⽤于构成的放⼤电路；分压式⾃偏压电路中的栅极电阻S R ⼀般阻值很⼤，这是为了。

⼆、选择正确答案填写(只需选填英⽂字母)2．8 BJT 能起放⼤作⽤的内部条件通常是：(1)发射区掺杂浓度 (a 1．⾼，b 1．低，c 1．⼀般)；(2)基区杂质浓度⽐发射区杂质浓度 (a 2．⾼，b 2．低，c 2．相同)，基区宽度 (a 3．⾼，b 3．窄，c 3．⼀般)；集电结⾯积⽐发射结⾯积 (a 4．⼤，b 4．⼩，c 4．相等)。

2．9 测得BJT I B =30µA 时，I C = mA ；I B =40µA 时，I C =3 mA ，则该管的交流电流放⼤系数β为 (a ．80，b ．60，c ．75)。

2．10⽤万⽤表判别放⼤电路中处于正常⼯作的某个BJT 的类型(指NPN 型还是PNP 型)与三个电极时，以测出最为⽅便(a ．各极间电阻，b ．各极对地电位，c ．各极电流)。

2.2 基本放大电路
• 2.2.3 交流通路和直流通路
2.3 基本放大电路的分析方法
• 2.3.1 用图解法分析基本放大电路 • 图解法就是在三极管输入、输出特性曲线上，用 图解法就是在三极管输入、输出特性曲线上， 作图的方法来分析放大电路的静态工作情况或动 态工作情况。 态工作情况。 • 1．静态分析 • 图解法静态分析的目的是确定静态工作点，求得 图解法静态分析的目的是确定静态工作点， BQ、 BEQ、 CQ和 CEQ的具体数值 的具体数值。 IBQ、UBEQ、ICQ和UCEQ的具体数值。
2.3 基本放大电路的分析方法
• 3．放大电路的非线性失真 • 1) 截止失真 • 2) 饱和失真
2.3 基本放大电路的分析方法
• 4．估算最大不失真输出幅值Uom 估算最大不失真输出幅值U • 最大不失真输出幅值是放大电路的主要技术指标 之一。 之一。可用图解法大致估算出放大电路最大不失 真输出的范围。 真输出的范围。
2.2 基本放大电路
• 2.2.3 交流通路和直流通路 • 1．直流通路 • 所谓直流通路，就是放大电路中直流电流通过的途径。 画直流通路的原则是：耦合电容、旁路电容视为开路；电 感视为短路。这样可得图2-2ห้องสมุดไป่ตู้5(a)单管共射放大电路的直 流通路，如图2-2-5(b)所示。 • 2．交流通路 • 所谓交流通路，就是放大电路中交流电流通过的途径。 画交流通路的原则是：耦合电容、旁路电容视为短；由于 直流电压源对交流的内阻很小，也可看作短路。这样可得 图2-2-5(a)的交流通路， • 如图2-2-5(c)所示
2.1 半导体三极管
• 2.1.2 三极管的放大原理 • 2．三极管的偏置
2.1 半导体三极管
• 2.1.2 三极管的放大原理 • 3．三极管内部载流子的运动和各极电流的形成