(亥姆霍兹线圈 JK-50)霍尔效应实验仪
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亥姆霍兹线圈实验报告实验目的:本实验旨在通过对亥姆霍兹线圈的实验研究,探究其在物理学中的应用和原理,以及对磁场的产生和控制。
实验原理:亥姆霍兹线圈是由两个相同半径的同轴圆线圈组成,通过通电产生均匀磁场。
两个线圈之间的距离和电流的大小可以调节,从而控制磁场的强度和方向。
亥姆霍兹线圈可以被广泛应用于物理学实验和研究中,如电子束轨迹的研究、磁场对粒子的影响等。
实验材料和仪器:1. 亥姆霍兹线圈。
2. 直流电源。
3. 磁场测量仪。
4. 实验样品。
实验步骤:1. 将亥姆霍兹线圈连接至直流电源,调节电流大小和方向,使得线圈产生均匀磁场。
2. 使用磁场测量仪测量线圈产生的磁场强度和方向。
3. 将实验样品置于线圈中,观察其在磁场中的受力情况。
4. 调节线圈之间的距离和电流大小,观察磁场的变化对实验样品的影响。
实验结果:通过实验测量和观察,我们得出了以下结论:1. 亥姆霍兹线圈产生的磁场强度和方向可以通过调节电流大小和方向来控制。
2. 实验样品在不同磁场条件下表现出不同的受力情况,验证了磁场对物质的影响。
实验应用:亥姆霍兹线圈在物理学研究和应用中具有重要意义,其均匀磁场的特性使得其可以被广泛应用于磁场实验和研究中。
同时,亥姆霍兹线圈也被应用于医学成像、粒子加速器等领域。
总结:通过本次实验,我们对亥姆霍兹线圈的原理和应用有了更深入的了解,同时也掌握了实验操作和数据处理的方法。
亥姆霍兹线圈作为一种重要的实验工具,对于物理学研究和应用具有重要意义。
结语:通过本次实验,我们对亥姆霍兹线圈的原理和应用有了更深入的了解,同时也掌握了实验操作和数据处理的方法。
亥姆霍兹线圈作为一种重要的实验工具,对于物理学研究和应用具有重要意义。
希望通过今后的学习和实践,能够更好地应用亥姆霍兹线圈,推动物理学领域的发展和进步。
亥姆霍兹线圈实验报告亥姆霍兹线圈实验报告引言:亥姆霍兹线圈是一种由两个同轴圆形线圈组成的实验装置,广泛应用于物理学、电子学以及医学等领域。
本实验旨在通过观察亥姆霍兹线圈在不同电流条件下的磁场分布,探究其在磁场研究中的应用。
实验目的:1. 了解亥姆霍兹线圈的基本结构和工作原理;2. 掌握亥姆霍兹线圈的实验操作方法;3. 研究不同电流条件下亥姆霍兹线圈的磁场强度分布。
实验装置:1. 亥姆霍兹线圈:由两个同轴圆形线圈组成,线圈间距与半径相等;2. 电源:提供电流供给;3. 磁场测量仪器:如磁力计或霍尔效应传感器。
实验步骤:1. 将亥姆霍兹线圈放置在水平桌面上,并调整两个线圈的间距与半径相等;2. 将电源与亥姆霍兹线圈相连,确保电流正常通路;3. 将磁场测量仪器放置在亥姆霍兹线圈的中心位置,并进行校准;4. 开始实验前,先设置电流大小为零,观察磁场测量仪器的示数是否为零;5. 逐步增加电流,记录不同电流下磁场测量仪器的示数;6. 根据记录的数据,绘制电流与磁场强度的关系曲线。
实验结果:通过实验观察和数据记录,我们得到了电流与磁场强度之间的关系曲线。
根据曲线的形状,我们可以得出以下结论:1. 在亥姆霍兹线圈内部,磁场强度随着电流的增大而增大;2. 在亥姆霍兹线圈中心位置,磁场强度较为均匀,呈现出近似于匀强磁场的分布;3. 在亥姆霍兹线圈外部,磁场强度随着距离线圈中心的增加而减小。
讨论:亥姆霍兹线圈的实验结果与理论预期相符。
根据安培定律和比奥-萨伐尔定律,我们可以推导出亥姆霍兹线圈内部的磁场强度与电流的关系。
在实验中,我们观察到了磁场强度与电流成正比的关系,这与理论计算结果一致。
亥姆霍兹线圈的磁场分布特性使其在物理学研究中具有广泛的应用。
例如,在粒子加速器中,亥姆霍兹线圈可以用来产生稳定的磁场,用于粒子束的聚焦和偏转。
在医学影像学中,亥姆霍兹线圈被用于磁共振成像(MRI)设备中,通过产生均匀的磁场来激发人体组织中的核磁共振信号。
亥姆霍兹线圈磁场实验报告亥姆霍兹线圈磁场实验报告引言:磁场是我们日常生活中常常接触到的物理现象之一。
为了更好地理解和研究磁场的特性,科学家们进行了许多实验。
本实验报告将介绍亥姆霍兹线圈磁场实验的过程和结果,并探讨其在科学研究和应用中的意义。
实验目的:本实验的目的是通过制作亥姆霍兹线圈并测量其磁场强度,验证亥姆霍兹线圈的磁场特性,并了解磁场对物体的影响。
实验装置和原理:实验中使用的主要装置是亥姆霍兹线圈,它由两个平行的同轴线圈组成,每个线圈上有N个匝数。
当通过线圈的电流为I时,可以产生均匀的磁场。
亥姆霍兹线圈的磁场强度可以通过以下公式计算得出:B = (μ0 * N * I) / (2 * R)其中,B表示磁场强度,μ0是真空中的磁导率,N是线圈的匝数,I是通过线圈的电流,R是线圈半径。
实验步骤:1. 制作亥姆霍兹线圈:根据实验要求,选择合适的线圈半径和匝数,使用导线绕制两个平行的同轴线圈,并将其固定在一个支架上。
2. 连接电路:将线圈的两端与电源连接,确保电流可以通过线圈。
3. 测量磁场强度:使用磁场强度计或霍尔效应传感器等仪器,在不同位置上测量磁场强度,并记录测量结果。
4. 改变电流强度:通过调节电源的电流大小,改变线圈的电流强度,再次测量磁场强度,并记录结果。
实验结果与分析:根据实验步骤,我们制作了亥姆霍兹线圈并进行了磁场强度的测量。
通过将磁场强度计放置在不同位置上,我们得到了一系列的测量结果。
随着距离线圈中心的距离增加,磁场强度逐渐减小,符合亥姆霍兹线圈的磁场分布特性。
通过改变线圈的电流强度,我们可以观察到磁场强度的变化。
根据磁场强度与电流的线性关系,我们可以验证亥姆霍兹线圈的磁场公式。
实验结果与理论计算值相符,进一步验证了亥姆霍兹线圈的磁场特性。
实验意义:亥姆霍兹线圈磁场实验是研究磁场特性的重要手段之一。
通过实验,我们可以更好地理解磁场的分布规律和影响因素。
亥姆霍兹线圈的磁场特性研究对于电磁学的发展和应用具有重要意义。
亥姆霍兹线圈磁场测量实验报告今天咱们要聊聊亥姆霍兹线圈,这可是个有趣的家伙!想象一下,两个线圈就像一对好朋友,相互靠近,默契十足。
它们的任务呢,就是创造一个均匀的磁场,听起来是不是很高大上?这实验的目的就是测量这个磁场,看看它到底有多“牛”。
我们就像探险者一样,带着一颗好奇的心,去揭开这个磁场的神秘面纱。
在实验开始之前,咱们得先准备好工具。
电源、线圈、磁场探测器……这些东西可少不了。
你知道的,电源就像这场派对的DJ,必须得有它才能让大家嗨起来。
线圈则是舞池中的主角,越转越欢,越转越带劲。
然后是磁场探测器,哎,这个小家伙可是个“侦探”,专门负责捕捉那些微妙的磁场变化,真是个靠谱的伙伴。
把线圈放在一起,调好距离,就像搭建一个小舞台。
之后连接电源,轻轻一按,瞬间就感觉到空气中弥漫着电流的气息。
线圈里开始流动着电,仿佛在欢快地跳舞,伴随着微微的电流声,真让人心情大好。
这时候,咱们的探测器就得派上用场了,慢慢地靠近,准备好记录下它的“表现”。
开始测量啦!每当探测器靠近线圈时,那磁场的变化就像一场奇妙的音乐会,时高时低,宛如交响乐在耳边回响。
测量的过程也是个技术活,得小心翼翼,别让这个小侦探失了分寸。
有时候数据就像个调皮的小孩,让你哭笑不得,跑来跑去,根本捉不住。
不过,没关系,科学就是这么有趣,充满了挑战和惊喜。
随着测量的深入,咱们逐渐收集到了很多数据。
这些数据就像拼图一样,只有把它们组合在一起,才能看到整个画面。
有时候感觉自己像个侦探,正在破解一个个小秘密,嘿,心里那个乐呀!不过,有些数据可能会让人皱眉,结果总是出乎意料,甚至与预期大相径庭。
可是,科学嘛,哪能总是一帆风顺呢?遇到困难才更能激发我们解决问题的灵感。
咱们终于整理出了完整的实验结果。
看着这些数据,心中不禁感慨万千。
原来,亥姆霍兹线圈的磁场竟然如此均匀,简直让人佩服得五体投地!这些数据不仅是数字,更像是一幅幅生动的画面,描绘出科学的奥妙。
通过这次实验,我们不仅学到了磁场的基本知识,更感受到了探索科学的乐趣。
一、实验目的1. 了解亥姆霍兹线圈的组成和原理。
2. 观察亥姆霍兹线圈中磁场的分布情况。
3. 验证磁场叠加原理。
4. 掌握霍尔效应原理及其在磁场测量中的应用。
二、实验原理亥姆霍兹线圈是由两个相同的线圈同轴放置,其中心间距等于线圈的半径。
当两个线圈通以同向电流时,磁场叠加增强,并在一定区域形成近似均匀的磁场;通以反向电流时,则叠加使磁场减弱,以至出现磁场为零的区域。
霍尔效应是指当电流垂直于磁场通过导体时,导体中会产生横向电压。
霍尔电压的高低与霍尔元件所在处的磁感应强度成正比,因而可以用霍尔元件测量磁场。
三、实验仪器1. 亥姆霍兹线圈演示仪2. 霍尔元件3. 稳压电源4. 数码显示屏5. 导轨6. 电流表7. 电流源四、实验步骤1. 打开数码显示屏后面板的开关,先对LED显示屏调零。
2. 打开稳压电源(已调好),同方向闭合两电键(使两线圈通以相同方向电流)。
3. 转动小手柄,使位于线圈轴线上的霍尔元件由导轨的一端缓慢移向另一端,观察两同向载流圆线圈磁场合成后的分布。
显示屏示数由小变大,中间一段基本不变,最后又由大变小。
4. 改变其中一个线圈的电流方向,重复步骤3的操作,观察两反向载流圆线圈磁场合成后的分布。
显示屏示数由小变大,由大变小,又由小变大,由大变小。
5. 将霍尔元件移动到两个线圈的中部,观察磁场分布情况。
五、实验结果与分析1. 当两个线圈通以同向电流时,磁场叠加增强,在中间区域形成近似均匀的磁场。
这是由于两个线圈的磁场在中间区域叠加,使得磁场强度较大,且方向相同。
2. 当改变其中一个线圈的电流方向时,磁场减弱,出现磁场为零的区域。
这是由于两个线圈的磁场在中间区域相互抵消,使得磁场强度减小,甚至为零。
3. 将霍尔元件移动到两个线圈的中部,观察到磁场分布情况。
在中间区域,磁场强度较大,且方向相同;在两端区域,磁场强度逐渐减小,方向逐渐发散。
六、实验误差分析1. 线圈参数误差:实验中使用的亥姆霍兹线圈参数可能与实际参数存在一定偏差,导致实验结果与理论值存在误差。
开放性实验实验报告——亥姆霍兹线圈磁场测定姓名学号班级亥姆霍兹线圈是一对相同的、共轴的、彼此平行的各有N匝的圆环电流。
当它们的间距正好等于其圆环半径R时,称这对圆线圈为亥姆霍兹线圈。
在亥姆霍兹线圈的两个圆电流之间的磁场比较均匀。
在生产和科研中经常要把样品放在均匀磁场中作测试,利用亥姆霍兹线圈是获得一种均匀磁场的比较方便的方法。
一、实验目的1. 熟悉霍尔效应法测量磁场的原理。
2. 学会亥姆霍兹磁场实验仪的使用方法。
3. 测量圆线圈和亥姆霍兹线圈上的磁场分布,并验证磁场的叠加原理二、实验原理同学们注意,根据自己的理解,适当增减,不要太多,有了重点就可以了。
1.霍尔器件测量磁场的原理图3—8—1 霍尔效应原理如图3—8—1所示,有-N型半导体材料制成的霍尔传感器,长为L,宽为b,厚为d,其四个侧面各焊有一个电极1、2、3、4。
将其放在如图所示的垂直磁场中,沿3、4两个侧面通以电流I,电流密度为J,则电子将沿负J方向以速度运动,此电子将受到垂直方向磁场B的洛仑兹力作用,造成电子在半导体薄片的1测积累过量的负电荷,2侧积累过量的正电荷。
因此在薄片中产生了由2侧指向1侧的电场,该电场对电子的作用力,与反向,当两种力相平衡时,便出现稳定状态,1、2两侧面将建立起稳定的电压,此种效应为霍尔效应,由此而产生的电压叫霍尔电压,1、2端输出的霍尔电压可由数显电压表测量并显示出来。
如果半导体中电流I是稳定而均匀的,则电流密度J的大小为(3—8—1)式中b为矩形导体的宽,d为其厚度,则bd为半导体垂直于电流方向的截面积。
如果半导体所在范围内,磁场B也是均匀的,则霍耳电场也是均匀的,大小为(3—8—2)霍耳电场使电子受到一与洛仑兹力F m相反的电场力F e,将阻止电子继续迁移,随着电荷积累的增加,霍耳电场的电场力也增大,当达到一定程度时,F m与F e大小相等,电荷积累达到动态平衡,形成稳定的霍耳电压,这时根据F m=F e有(3—8—3)将(3—8—2)式代入(3—8—3)式得(3—8—4)式中、容易测量,但电子速度难测,为此将变成与I有关的参数。
亥姆霍兹线圈的应用原理1. 什么是亥姆霍兹线圈?亥姆霍兹线圈是一种由两个同轴的、相同半径和相同电流的环形线圈组成的装置。
它由德国物理学家赫尔曼·冯·亥姆霍兹于19世纪中叶发明,用于产生均匀的磁场。
亥姆霍兹线圈的两个线圈之间的间距等于它们的半径,线圈内部的电流方向相同,线圈外部的电流方向相反,以确保在线圈中心产生的磁场均匀。
2. 亥姆霍兹线圈的原理亥姆霍兹线圈的原理基于比奥-萨伐尔定律(Biot-Savart Law)和超议方程(Superposition Principle)。
根据比奥-萨伐尔定律,通过一个导线产生的磁场(B)与电流(I)、导线长度(L)以及观测点与导线距离(r)有关。
超议方程则指出多个导线产生的磁场可以通过矢量的叠加来求和。
亥姆霍兹线圈由两个同轴的线圈组成,每个线圈在其轴线上均匀分布。
当两个线圈上通过相同电流时,由每个线圈产生的磁场强度相等且方向相反,但相互叠加后仍然保持平行并且均匀。
3. 亥姆霍兹线圈的应用领域亥姆霍兹线圈由于其均匀的磁场特性在许多实际应用中得到广泛应用。
以下是几个常见的应用领域:3.1 医学影像设备亥姆霍兹线圈可以用于医学影像设备中的磁共振成像(MRI)系统。
在MRI系统中,亥姆霍兹线圈用于产生一个均匀的磁场,以确保成像结果的准确性和可重复性。
通过调节亥姆霍兹线圈的电流,可以控制生成的磁场的强度。
3.2 磁学实验亥姆霍兹线圈也被广泛应用于磁学实验中。
通过在亥姆霍兹线圈中通电,可以产生一个均匀的磁场,用于实验中对磁性材料的研究。
研究人员可以使用亥姆霍兹线圈提供的均匀磁场来观察和测量样本的磁性行为。
3.3 磁场校准亥姆霍兹线圈还可用于磁场校准。
由于亥姆霍兹线圈能够产生均匀的磁场,因此可以将其用于校准其他磁场传感器或测量设备。
通过将传感器或设备放置在亥姆霍兹线圈的中心区域,可以轻松地进行磁场测量和校准。
3.4 粒子束操控亥姆霍兹线圈在物理实验和粒子物理研究中也发挥着重要作用。
霍尔效应及其应用置于磁场中的载流体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场,这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年发现的,后被称为霍尔效应。
如今霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段,而且利用该效应制成的霍尔器件已广泛用于非电量的电测量、自动控制和信息处理等方面。
在工业生产要求自动检测和控制的今天,作为敏感元件之一的霍尔器件,将有更广泛的应用前景。
掌握这一富有实用性的实验,对日后的工作将有益处。
【实验目的】1.了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。
2.学习用“对称测量法”消除副效应的影响,测量试样的S H I ~V 和M H I ~V 曲线。
3.确定试样的导电类型。
【实验原理】1.霍尔效应:霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场,即霍尔电场H E 。
如图1所示的半导体试样,若在X 方向通以电流S I ,在Z 方向加磁场B ,则在Y 方向即试样A A '- 电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。
电场的指向取决于试样的导电类型。
对图1(a )所示的N 型试样,霍尔电场逆Y 方向,(b )的P 型试样则沿Y 方向。
即有)(P 0)Y (E )(N 0)Y (E H H 型型⇒>⇒<显然,霍尔电场H E 是阻止载流子继续向侧面偏移,当载流子所受的横向电场力H E e ∙与洛仑兹力B v e ∙∙相等,样品两侧电荷的积累就达到动态平衡,故有:B v e E e H ∙∙=∙ (1) 其中H E 为霍尔电场,v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。
设试样的宽为b ,厚度为d ,载流子浓度为n ,则d b ve n I S ∙∙∙∙= (2)由(1)、(2)两式可得:dB I R d B I e n 1b E V S H S H H ∙∙=∙∙∙=∙= (3)即霍尔电压H V (A ,A '/电极之间的电压)与B I S ∙乘积成正比与试样厚度d 成反比。
亥姆霍兹线圈均匀磁场哎呀,今天咱们来聊聊亥姆霍兹线圈,听起来是不是很高大上,其实这玩意儿就像是个科学界的小魔术师,能把咱们周围的空间变得神奇又有趣。
你知道吗,这俩线圈一放,瞬间就能制造出均匀的磁场,简直就像是给空气中撒上一层神秘的魔法。
想象一下,电流流过的时候,就像是给线圈注入了生命,唤醒了那股神奇的力量。
真是个妙招,既可以用于实验室,也可以用于各种应用,真是一物多用的宝贝。
先来个简单的概念。
亥姆霍兹线圈其实就是两根平行放置的圆形线圈,间距适中。
只要在这俩圈里流点电,嘿,磁场就出现了。
真是神奇。
你要是站在中间,能感受到那种磁场的存在,仿佛置身于一个看不见的力量之中。
是不是有点像超能力的感觉?想想看,平时咱们在家里追剧,突然发现自己家有个隐形的超能力,不得了!不得不提一下这个磁场的均匀性,嘿嘿,这个可是个绝对的加分项。
一般来说,磁场可能不均匀,搞得人心里乱糟糟的,但亥姆霍兹线圈就能确保这个磁场的均匀,简直是完美主义者的代言。
就像咱们平时在做饭,如果盐放多了,菜就咸得没法吃,可要是调得刚刚好,那就成了美味。
亥姆霍兹线圈就是那种调料恰到好处的高手,让你的实验效果直接拉满。
这玩意儿在科研上可有着不小的贡献,很多实验都离不开它的帮助。
比如,在物理实验中,咱们可以利用它来研究一些粒子,探测那些看不见的微小东西。
哦,对了,听说过磁共振成像(MRI)吗?这也是离不开亥姆霍兹线圈的支持,能帮助医生更好地看清楚你身体里发生了什么,真的是非常有用。
想象一下,如果没有这些线圈,咱们的医疗水平可就跟不上了。
你还记得小时候玩过的那些小玩意儿吗?比如那个可以把纸卷成卷的机械装置。
亥姆霍兹线圈就像是那个机械装置,把电流的力量转化成了磁场的能量,嘿,这种转化可真是让人眼前一亮。
就像把一块石头变成了金子,谁不想在实验室里发掘点宝藏呢?再说说这玩意儿的构造。
线圈的材质、大小和电流的强度,这些都是决定最终效果的关键因素。
就像咱们喝茶,茶叶的种类、水温、浸泡时间都得恰到好处,才能泡出一杯香浓的茶。
亥姆霍兹线圈磁场的测量实验误差亥姆霍兹线圈磁场的测量实验误差1. 引言在物理实验中,测量是至关重要的一步。
然而,任何实验都不可避免地带有误差。
在本文中,我们将探讨亥姆霍兹线圈磁场的测量实验误差。
亥姆霍兹线圈是一种常用的电磁设备,用于产生均匀的磁场。
我们将深入研究该实验中可能出现的误差来源,以及如何减小这些误差,以得到更准确的测量结果。
2. 亥姆霍兹线圈磁场的测量原理亥姆霍兹线圈是由两个同心环形线圈组成,它们之间有一定的距离。
当通过这两个线圈的电流相等且方向相它们产生的磁场在两个线圈中心重合,形成一个近似均匀的磁场区域。
这种设计使得亥姆霍兹线圈在许多实验中成为理想的磁场产生器。
我们可以使用霍尔效应传感器等仪器来测量该磁场。
3. 实验误差来源在亥姆霍兹线圈磁场的测量过程中,可能存在多种误差来源。
以下是一些常见的误差来源:3.1 固有误差亥姆霍兹线圈本身的设计和制造过程中可能存在固有误差。
线圈的尺寸参数、线圈转角的精度和线圈材料的磁化特性等都会对磁场产生影响。
这些固有误差是无法完全避免的,因此我们需要在实验过程中进行合适的修正和校准。
3.2 刘易斯塔回路误差在实验中,我们通常使用一个刘易斯塔回路来测量磁场强度。
然而,这种回路本身也会引入误差。
回路的感应电压可能受到温度影响而产生漂移,或者回路的电阻会引入额外的电压降。
我们需要对这些误差进行有效的补偿,以提高测量的准确度。
3.3 仪器误差实验中使用的测量仪器也可能存在误差。
霍尔效应传感器的灵敏度可能存在偏差,或者测量仪器的零点偏移等。
我们可以通过与标准器进行比较、校准和修正仪器来减小这些误差。
4. 减小误差的方法为了减小亥姆霍兹线圈磁场测量实验中的误差,我们可以采取以下方法:4.1 选择合适的线圈参数在设计和选择线圈时,需要考虑到固有误差的影响。
选择适当的线圈尺寸参数,并确保制造过程的精度,以减小固有误差对于测量的影响。
4.2 温度控制和补偿对于刘易斯塔回路的温度漂移问题,可以采取温度控制和补偿的措施。
简述亥姆霍兹线圈特点
亥姆霍兹线圈是一种广泛应用于电子装置、航空航天、船舶及其它行业的电磁传感器,能够检测电磁辐射以及其它非电磁磁场。
它以其轻质、易安装、外形紧凑和使用简单的特点,受到了许多客户的青睐。
亥姆霍兹线圈由两个外壳组成,可分为内线圈和外线圈,它们的结构和大小可以根据用户的要求进行调整。
典型的亥姆霍兹线圈由一根金属线制成,内线圈连接到一个芯片,而外线圈没有芯片连接,由一根可以调节大小的金属片构成,金属片非常薄,可以形成一个磁场保护外线圈。
亥姆霍兹线圈具有高灵敏度、高精确度、低功耗等优点,能够测量范围从千分之一至十万分之一,响应时间快,瞬间反应时间在一至三毫秒,在十分之一毫秒时间内可测量几百赫兹的范围。
此外,它还具有较强的抗干扰性,可以有效抵抗外部电磁干扰,抗干扰能力达到一百九十度。
亥姆霍兹线圈的质量和可靠性也非常好,能够适应极端的温度和湿度,在温度范围-55至85摄氏度的环境下均可正常工作,湿度也可达到98%。
它的重量很轻,只有几克到几十克不等,安装起来也很方便,开发人员可以根据要求自行调节亥姆霍兹线圈的参数以满足不同的使用要求。
总而言之,亥姆霍兹线圈具有高灵敏度、高精确度、低功耗、强抗干扰性、轻质、易安装、外形紧凑、使用简单的特点,使其在航空
航天、船舶安全和其他许多行业中被广泛使用。
实验名称: 亥姆霍兹线圈一、引言:有一对相同的载流圆线圈彼此平行且共轴,通以同方向电流,当线圈间距等于线圈半径时,两个载流线圈的总磁场在轴的中点附近的较大范围内是均匀的。
故在生产和科研中有较大的实用价值。
二、实验目的:1. 掌握霍尔效应原理测量磁场。
2. 测量单匝载流圆线圈和亥姆霍兹线圈轴线上的磁场分布。
三、实验原理:1. 载流圆线圈与亥姆霍兹线圈的磁场:(1)载流圆线圈:其中,R 为线圈半径,I 为电流,N 0为线圈匝数,X 为轴上某一点到圆心的距离, 为真空磁导率。
(2)亥姆霍兹线圈:X2. 电磁感应法测量磁场:;;;。
线圈等效面积为 。
3. 霍尔效应法:其中,材料宽b ,厚d ,载流子浓度n ,载流子速度v ,通过材料电流I 。
霍尔电压: ;其中,霍尔系数R H ,霍尔灵敏度K H 。
四、实验仪器:亥姆霍兹线圈实验仪五、实验内容:1. 测量圆电流线圈轴线上的磁场分布:调节仪器,使I=200mA ,以线圈中心为原点,每隔10.0mm 测量B max ,记录数据并作出磁场分布曲线图。
2. 测量亥姆霍兹线圈轴线上的磁场分布:调节仪器,使I=200mA ,以两线圈轴线上的中心为原点,每隔10.0mm 测量B max ,记录数据并作出磁场分布曲线图。
六、实验记录:1.圆线圈:2. 亥姆霍兹线圈:七、数据处理:八、实验结果:九、误差分析:1. 其他磁场对线圈磁场强度测量的干扰;2. 亥姆霍兹线圈的两个线圈的圆心不在同一水平线上,导致实验误差;3. 实验仪器本身具有一定的误差。
电磁感应法测量亥姆霍兹线圈磁场实验步骤好嘞,今天咱们就聊聊怎么用电磁感应法测量亥姆霍兹线圈的磁场。
听起来高大上,其实没那么复杂,咱们一步一步来,绝对能搞定!亥姆霍兹线圈,这玩意儿可神奇了。
它由两根平行的圆形线圈组成,给人一种像两个小圆盘对称地“握手”的感觉。
想象一下,如果你把电流通到这两个圈里,哇哦,磁场就冒出来了!它的好处是,能产生均匀的磁场,简直就像给科学实验提供了一个完美的舞台,哇塞,真是个理想的环境啊!咱们准备实验设备。
首先得有亥姆霍兹线圈,还有电源,最好是可调节的那种,方便咱们来回调试。
同时,还需要一个灵敏的电压表,别小看它哦,正是这个家伙能帮咱们测量电磁感应的强度。
为了确保实验顺利进行,还得用到一些连接线和夹子,把这些东西连接起来,简直就像搭积木一样简单。
好了,准备工作完成,咱们就可以开始实验了。
把亥姆霍兹线圈放在一个合适的位置,保证它俩是平行的,尽量保持一模一样的距离,别让它们“打架”。
然后,把电源接上线圈,调节电流,让它们开始“发光发热”。
哇哦,电流一通,磁场就来了,感觉像是打开了某种魔法门一样,令人兴奋不已!就该使用电压表了。
把电压表的两个引线接在一个线圈的端口上,保证连接稳固。
然后,慢慢地移动电压表,找找那个最灵敏的点。
你会发现,电压表上的数值开始跳动,像是在和你打招呼。
嘿,朋友,这就是电磁感应的效果啊!每次你移动电压表,都会感受到磁场的强度变化,就像在摸索一条神秘的道路。
实验中要注意安全哦。
电流虽小,但也是电流,别把自己搞得“鸡飞狗跳”。
有些朋友总是觉得自己能“战胜一切”,其实小心为上。
保持实验区域干燥,穿上绝缘手套,确保自己安全,这可不是开玩笑的。
一旦你把电压表的读数记录下来,开始分析数据。
你会发现,电流越大,磁场强度也随之增加,简直就像是物理学的“江湖规矩”,真是有趣极了!可以用公式来计算,找到亥姆霍兹线圈的磁场强度,哇,这时候你就会感到自己成了一个“小科学家”,心里那个美滋滋的劲儿,简直无法形容。
实用文档
【实验题目】【实验题目】 霍尔效应与亥姆霍兹线圈磁场测量
【实验记录】
1.实验仪器
2霍尔片工作电流I S = , 零位霍尔电势 V 01= , V 02=
不等位电阻R 01=
S 01I V = , R 02=S
02I V
= 3. 测量霍尔电压V H 与工作电流Is 的关系
计算霍尔元件的霍尔灵敏度(要求去除零位霍尔电势对实验结果的影响)
参考公式:'
010H H V V V I I -= 或 '
020
H H V V V I I -=
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4.亥姆霍兹线圈轴线上的磁感应强度测量
I S = I M =
5.亥姆霍兹线圈其中一个线圈的正负极交换成反接,测量轴线上的磁感应强度
I S = I M =
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【数据处理】
在同一坐标系中作出轴线上的磁感应强度曲线;定性分析零位霍尔电势对磁场测量结果的影响。
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【总结与讨论】
【复习思考题】
1.使用霍尔效应实验仪器要注意什么?
2.简述霍尔效应的应用,并针对某一应用简述其工作原理。
报告成绩(满分30分):⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽指导教师签名:⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽日期:⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽。
霍尔效应和霍尔法测量磁场DH4501B型亥姆霍兹线圈磁场实验仪实验讲义杭州大华科教仪器研究所杭州大华仪器制造有限公司实验一霍尔效应实验霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应。
1879年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究金属导电机理时发现了这种电磁现象,故称霍尔效应。
后来曾有人利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器,但因金属的霍尔效应太弱而未能得到实际应用。
随着半导体材料和制造工艺的发展,人们又利用半导体材料制成霍尔元件,由于它的霍尔效应显著而得到实用和发展,现在广泛用于非电量的测量、电动控制、电磁测量和计算装置方面。
在电流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。
近年来,霍尔效应实验不断有新发现。
1980年原西德物理学家冯·克利青研究二维电子气系统的输运特性,在低温和强磁场下发现了量子霍尔效应,这是凝聚态物理领域最重要的发现之一。
目前对量子霍尔效应正在进行深入研究,并取得了重要应用,例如用于确定电阻的自然基准,可以极为精确地测量光谱精细结构常数等。
在磁场、磁路等磁现象的研究和应用中,霍尔效应及其元件是不可缺少的,利用它观测磁场直观、干扰小、灵敏度高、效果明显。
[实验目的]1、霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用2、测绘霍尔元件的V H—Is,V H—I M曲线,了解霍尔电势差V H与霍尔元件工作电流Is,磁场应强度B及励磁电流和I M之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。
4、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
[实验仪器]DH4501B型亥姆霍兹线圈磁场实验仪一套[实验原理]霍尔效应从本质上讲,是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积,从而形成附加的横向电场。
如右图(1)所示,磁场B位于Z的正向,与之垂直的半导体薄片上图(1)沿X正向通以电流Is(称为工作电流),假设载流子为电子(N 型半导体材料),它沿着与电流Is 相反的X 负向运动。
霍尔效应实验仪原理及其应用.doc霍尔效应是在某些半导体材料中发现的现象,它通过外加磁场和流过材料中的电流,产生电势差,在半导体上形成电场,从而形成一个电阻和磁场强度之间的关系。
这个效应被称为霍尔效应,半导体材料受到的磁场可以为正、反或零,这取决于电子流的方向。
如果电流与磁场平行,则无霍尔效应产生,因为电子无法遇到磁场线。
如果电流与磁场垂直,则产生霍尔电性,电子会因洛伦兹力而受到偏转,从而产生电势差。
霍尔效应实验仪是用于测量材料电导率、密度、运动迁移率和电荷的电子用材料的工具,它可以发现在材料上的磁场与电流交匣时产生的电势差。
应用霍尔效应可以用于测量磁场强度、电导率和电子浓度,以及半导体的导电性质和载流子的类型。
对于半导体中的载流子,本征霍尔效应与掺杂相关的霍尔效应可以区分电子和空穴。
霍尔效应可以应用于许多领域,例如材料研究、电子工程、半导体物理和环境研究等。
在材料研究中,霍尔效应可以用于研究磁性材料和半导体材料的导电性质。
在电子工程中,霍尔效应可以用于设计磁传感器、磁电阻器和霍尔元件。
在半导体器件研究中,霍尔效应可以用于研究半导体器件的电学性质和模拟器件行为。
在环境研究中,霍尔效应可以用于研究对地球磁场的微弱干扰,以及对空气污染和土壤污染的控制。
在电子工程中,霍尔效应广泛应用于磁传感器和磁电阻器等应用中。
例如在汽车工业中,霍尔效应被应用于物质检测、汽车刹车感应器和电子头等高密度应用;在医疗方面,霍尔效应被用于生物医学检测、磁共振显像、医用设备等领域;在家电中,霍尔效应被广泛用于磁控器的控制和智能家居系统的实现。
这些应用都涉及到霍尔效应基础原理的应用,这是解决这些现实问题的重要工具。
在霍尔效应实验仪中,磁场产生器通常是大功率磁铁或永磁体,电流通常通过样品或样品与测试电极连接,为了保持实验的恒定性和精确定位测量微小信号,实验仪通常使用微小电流,如pA级的电流。
同时使用电路来测量影响电势差的热噪音以提高数据分辨率。
霍尔法测量圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场资料1. 实验目的1)了解霍尔效应的基本原理和测量方法;3)掌握常用电子仪器的使用方法。
2. 实验原理霍尔效应是指由于导体中存在外加磁场而引起的横向电场现象。
当一个导体在直流磁场中移动时,电子在导体中受到洛伦兹力的作用,使得电子在导体中运动方向的垂直方向上出现了电场,这个现象就称为霍尔效应。
在磁场中,电子的运动方向与磁场方向垂直,因此在运动方向和磁场方向之间存在着洛伦兹力,即F=q(v×B)=qVBsinθ。
因此,在导电材料中,磁场垂直于电流方向时,就会在导体两侧产生电势差。
这即是霍尔效应。
如果把一个霍尔元件放在磁场中,则输出电压U与外加磁场B、霍尔元件的材料与尺寸有关,可以用下面这个公式描述:U=KIB其中,K是霍尔系数,其表征了所用霍尔元件特征;I是电流强度;B是磁场强度。
圆线圈是一种通电后产生磁场的器件,由于线圈的导线排列方式和电流方向都对电磁场的分布产生决定性的影响,因此需要通过实验来测量和确定磁场的分布。
亥姆霍兹线圈是由两个半径相同、电流方向相同的同心环形线圈组成,这两个线圈之间的距离等于它们的半径,对于它们产生的磁场,中心区域的磁感应强度基本稳定,因此常用作磁场源。
3. 实验仪器与器材磁场强度测量仪(霍尔元件、磁场探头、电流源)4. 实验步骤4.1 测量圆线圈的磁场(1)在圆线圈的中心点放置霍尔元件和磁场探头;(2)将电流源连接到圆线圈上,调整电流大小,记录不同位置的磁场强度和霍尔元件输出电压值,并画出磁场分布图;(3)比较实验得到的磁场分布图和理论分布图,分析其误差原因。
(1)将亥姆霍兹线圈放置在磁场强度测量仪的测量平台上,并将磁场探头放在亥姆霍兹线圈的中心点处;(2)测量电流为$I=1A$时,在不同距离($d_1=10cm,d_2=12cm,d_3=14cm$)处的磁场强度和霍尔元件输出电压值,并画出磁场分布图;(3)将电流调整为$I=2A$,重复(2)中的步骤;5. 实验注意事项1)测量时尽量选择较低的电流,以防止线圈烧毁;2)在测量线圈磁场分布时,探头须与线圈距离尽量近,以提高精度;3)实验中要注意读表误差及外界干扰等因素的影响。
亥姆霍兹线圈磁场测定实验一、实验目的:1. 掌握霍尔效应原理测量磁场;2. 测量单个载流圆线圈和亥姆霍兹线圈轴线上的磁场分布;3. 验证磁场叠加原理。
二、实验仪器与器件亥姆霍兹线圈磁场测定仪一套,导线若干,霍尔元件传感器。
三、实验原理:根据毕奥—萨伐尔定律,单个载流线圈在轴线(通过圆心并与线圈平面垂直的直线)上某点的磁感应强度为:20223/22()R B N I R x μ⋅=⋅+式中0μ为真空磁导率,R 为线圈的平均半径,x 为轴线上圆心到该点的距离,N 为线圈匝数,I 为通过线圈的电流强度。
因此,圆心处的磁感应强度0B 为:亥姆霍兹线圈因德国物理学者赫尔曼·冯·亥姆霍兹而命名,是一对彼此平行且连通的共轴圆形线圈,两线圈内的电流方向一致,大小相同,线圈之间的距离d 正好等于圆形线圈的半径R 。
这种线圈的特点是能在 附近产生小范围区域均匀磁场,由于亥姆霍兹线圈具有开敞性质,很容易地可以将其它仪器置入或移出,也可以直接做视觉观察,所以,是物理实验常使用的器件。
设z 为亥姆霍兹线圈中轴线上某点离中心点O (如图1)处的距离,则亥姆霍兹线圈轴线上任意一点的磁感应强度为:⎪⎭⎪⎬⎫⎪⎩⎪⎨⎧⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡⎪⎭⎫ ⎝⎛-++⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡⎪⎭⎫ ⎝⎛++⋅⋅⋅='--2/3222/322202221z R R z R R R I N B μ图1 亥姆霍兹线圈示意图由上式可知,在亥姆霍兹线圈上中心O 处(0z =)的磁感应强度'0B 为:R I N B ⋅⋅='02/3058μ四、实验内容:1. 测量单个载流圆线圈轴线上各点磁感应强度(实验装置如图2):图2 实验装置如图2,选定其中一个线圈为载流线圈a ,测其轴线上不同位置磁感应强度B (a )的测量结果填写至表1,并与相应的理论值作比较。
要求电流I =100mA ,已知线圈平均半径10.00R cm =,线圈匝数N =500,真空磁导率70410/T m A μπ-=⨯⋅。
亥姆霍兹线圈磁场一.实验目的1. 掌握霍尔效应原理测量磁场;2. 测量单匝载流原线圈和亥姆霍兹线圈轴线上的磁场分布。
二.实验原理1. 本试验使用霍尔效应法测磁场,并且本试验使用的仪器有集成霍尔元件,已经与显示模块联调,直接显示磁场强度。
1.1.霍尔效应法测量原理 如图(1),有电流沿X 轴方向加以强度为B 的磁场后,运动着的电子受洛伦兹力F B 的作用而偏移,聚集在S 平面,同时随着电子向S 平面偏移和聚集在平面P 平面出现等量的正电荷,结果在上下平面形成一个电场E H 当电子受到洛伦兹力和霍尔电场的反作用这两种力达到平衡时就不能向下偏移,此时在S ,P 平面间形成一个稳定的电压U H设材料的长度为l,宽为b ,厚为d ,载流子速度v ,则与通过材料的电流I 有如下关系:I=nevbd霍尔电压 U H =IB/ned=K H IB由此可见,使I为常数时,有U H = K H IB=KoB,通过测量霍尔电压UH,就可以算出未知磁场强度B。
2.载流圆线圈磁场一半径为R,通以电流I的圆线圈,轴线上磁场的公式为根据毕奥-赛伐尔定律:[]2322201X2+=R INR B μ (1)式中,No为圆线圈的匝数。
X为轴上一点到圆心O的距离,μo=4π×10-7H/m,称为真空磁导率,因此它的轴线上磁场分布图如图(2)。
3.亥姆霍兹线圈亥姆霍兹线圈为两个相同彼此平行且共轴,使线圈上同方向电流I,理论计算证明:线圈间距a等于线圈半径时,两线圈合磁场在轴上附近较大范围内是均匀的如图3三.实验内容1.测量载流圆线圈轴线上磁场的分布 (1).仪器使用前,请先开机预热10min接好电路,调零; (2).调节磁场实验仪的输出功率,使励磁电流有效值为I=200mA和300mA,以圆电流线圈中心为坐标原点,每隔10.0mm测一个B值,测量过程中注意保持励磁电流值不变,记录数据并作出磁场分布曲线图。
2.测量亥姆霍兹线圈轴上磁场分布 (1).关掉电源,把磁场实验仪的两组线圈串联起来(注意极性不要接反),接到磁场测试仪的输出端钮,调零。
霍尔效应及其应用置于磁场中的载流体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场,这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年发现的,后被称为霍尔效应。
如今霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段,而且利用该效应制成的霍尔器件已广泛用于非电量的电测量、自动控制和信息处理等方面。
在工业生产要求自动检测和控制的今天,作为敏感元件之一的霍尔器件,将有更广泛的应用前景。
掌握这一富有实用性的实验,对日后的工作将有益处。
【实验目的】1.了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。
2.学习用“对称测量法”消除副效应的影响,测量试样的S H I ~V 和M H I ~V 曲线。
3.确定试样的导电类型。
【实验原理】1.霍尔效应:霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场,即霍尔电场H E 。
如图1所示的半导体试样,若在X 方向通以电流S I ,在Z 方向加磁场B ,则在Y 方向即试样A A '- 电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。
电场的指向取决于试样的导电类型。
对图1(a )所示的N 型试样,霍尔电场逆Y 方向,(b )的P 型试样则沿Y 方向。
即有)(P 0)Y (E )(N 0)Y (E H H 型型⇒>⇒<显然,霍尔电场H E 是阻止载流子继续向侧面偏移,当载流子所受的横向电场力H E e ∙与洛仑兹力B v e ∙∙相等,样品两侧电荷的积累就达到动态平衡,故有:B v e E e H ∙∙=∙ (1) 其中H E 为霍尔电场,v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。
设试样的宽为b ,厚度为d ,载流子浓度为n ,则d b ve n I S ∙∙∙∙= (2)由(1)、(2)两式可得:dB I R d B I e n 1b E V S H S H H ∙∙=∙∙∙=∙= (3)即霍尔电压H V (A ,A '/电极之间的电压)与B I S ∙乘积成正比与试样厚度d 成反比。
比例系数en 1R H ∙=称为霍尔系数,它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。
只要测出)V (V H 以及知道)A (I S 、)mT (B 和)cm (d 可按下式计算)C /cm (R 3H :7S H H 10BI dV R ⨯∙∙=(4)上式中的710是由于磁感应强度B 用电磁单位(mT )而其它各量均采用CGS 实用单位而引入。
2.霍尔系数H R 与其它参数间的关系: 根据H R 可进一步确定以下参数:(1)由H R 的符号(或霍尔电压的正负)判断样品的导电类型。
判别的方法是按图1所示的S I 和B 的方向,若测得的,0V V A 'A H <=即点A 点电位高于点'A 的电位,则H R 为负,样品属N 型;反之则为P 型。
(2)由H R 求载流子浓度n 。
即eR 1n H ∙=。
应该指出,这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的,严格一点,如果考虑载流子的速度统计分布,需引入83π的修正因子(可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》)。
3.霍尔效应与材料性能的关系:根据上述可知,要得到大的霍尔电压,关键是要选择霍尔系数大(即迁移率高、电阻率ρ亦较高)的材料。
因ρ∙μ=|R |H ,就金属导体而言,μ和ρ均很低,而不良导体ρ虽高,但μ极小,因而上述两种材料的霍尔系数都很小,不能用来制造霍尔器件。
半导体μ高,ρ适中,是制造霍尔元件较理想的材料,由于电子的迁移率比空穴迁移率大,所于霍尔元件多采用N 型材料,其次霍尔电压的大小与材料的厚度成反比,因此薄膜型的霍尔元件的输出电压较片状要高得多。
就霍尔器件而言,其厚度是一定的,所以实用上采用de n 1K H ∙∙=来表示器件的灵敏度,H K 称为霍尔灵敏度,单位为T )mV/(mA ∙。
4.实验方法:霍尔电压H V 的测量方法值得注意的是,在产生霍尔效应的同时,因伴随着各种副效应,以致实验测得的A 、A '两极间的电压并不等于真实的霍尔电压H V 值,而是包含着各种副效应所引起的附加电压,因此必须设法消除。
根据副效应产生的机理可知,采用电流和磁场换向的对称测量法,基本上能把副效应的影响从测量结果中消除。
即在规定了电流和磁场正、反方向后,分别测量由下列四组不同方向的S I 和B 组合的A 'A V (A ,'A 两点的电位差)即:S I ,B ++ 1A A V V ='S I ,B +- 2A 'A V V = S I ,B -- 3A 'A V V = S I ,B -+ 4A 'A V V =然后求1V 、2V 、3V 和4V 的代数平均值。
4V V V V V 4321H -+-=(6)上述的测量方法,虽然还不能消除所有的副效应,但其引入的误差不大,可以忽略不计。
【实验仪器】霍尔效应实验仪 1套 。
【实验内容】1.掌握仪器性能,连接测试仪与实验仪:(1)开机或关机前,应该将测试仪的“S I 调节”和“M I 调节”旋钮逆时针旋到底。
(2)连接测试仪与实验仪之间各组对应连接线。
注意:①霍尔传感器各电极引线与对应的电流换向开关(本实验仪器采用按钮开关控制的继电器)的连线已由制造厂家连接好,实验时不必自己连接;②严禁将测试仪的励磁电源“M I 输出”误接到实验仪的 “S I 输入”或“H V 输出”端,否则,一旦通电,霍尔元件即损坏!为此,JK-50型霍尔效应实验仪在设计时,充分考虑到这一因素,把励磁电流M I ,霍尔传感器工作电流S I 和霍尔电压H V 接口采用不同规格的插座和专用连接线,接线互换是插不到插座中的,这样一来,完全消除了接线错误的可能性。
霍尔片性脆易碎,电极甚细易断,严防撞击,或用手去摸,否则容易损坏! 霍尔片放置在亥姆霍兹线圈中间,在需要调节霍尔片位置时,亦需要小心谨慎。
(3)接通电源,预热数分钟,这时候,电流表显示“000.”,电压表显示为“00.0”。
按钮开关释放时,继电器常闭触点接通,相当于双刀双掷开关向上合,发光二极管指示出导通线路。
(4)先调节S I :从0逐步增大到mA 00.4,电流表所示的值即随“S I 调节”旋钮顺时针转动而增大,此时电压表所示读数为“不等势”电压值,它随S I 增大而增大,S I 换向,0H V 极性改号(此乃“不等势”电压值,可通过“对称测量法”予以消除)。
510FB 型霍尔效应实验仪H V 测试毫伏表设计有调零旋钮,通过它可把0H V 值消除。
2.测绘S H I V -曲线:顺时针转动“M I 调节” 旋钮,使A 500.0I M =固定不变,再调节S I ,从mA 50.0到mA 00.4,每次改变mA 50.0,将对应的实验数据H V 值记录到表格1中。
(注意,测量每一组数据时,都要将M I 和S I 改变极性,从而每组都有4个H V 值)。
3.测绘M H I V -曲线:调节mA 00.3I S =固定不变,然后调节M I , A 500.0~A 100.0I M =每次增加A 100.0,将对应的实验数据H V 值记录到表格2中。
极性改变同上。
4.确定样品导电类型:将实验仪二组双刀开关均掷向上方,即S I 沿X 方向,B 沿Z 方向,毫伏表测量电压为A A V '。
取A 500.0I ,mA 00.3I M S ==,测量A A V '大小及极性,由此判断样品导电类型。
5.求样品的H R 值:6.测单边水平方向磁场分布(mA 00.3I S =,A 500.0I M =):【数据与结果】1.数据记录参考表。
表1 测绘I ~V 实验曲线数据记录表 A 500.0I =表2 测绘I ~V 实验曲线数据记录表 mA 00.3I = 2.用毫米方格纸画绘S H 曲线和M H 曲线。
3.确定样品的导电类型(P 型还是N 型)。
4.自拟表格,测单边水平方向磁场分布(测试条件mA 00.3I S =,A 500.0I M =),测量点不得少于八点(不等步长),以磁心中间为相对零点位置,作X ~V H 图,另半边在作图时按对称原理补足。
【思考题】1.霍尔电压是怎样形成的?它的极性与磁场和电流方向(或载子浓度)有什么关系? 2.如何观察不等位效应?如何消除它? 3.测量过程中哪些量要保持不变?为什么?4.换向开关的作用原理是什么?测量霍尔电压时为什么要接换向开关? 5.S I 可否用交流电源(不考虑表头情怳)?为什么?【附录】霍尔器件中的副效应及其消除方法 1.不等势电压0V :这是由于测量霍尔电压的电极A ,A '位置难以做到在一个理想的等势面上,因此当有电流S I 通过时,即使不加磁场也会产生附加的电压r I V S 0∙=,其中r 为A ,A '所在的两个等势面之间的电阻(如图 3 所示)。
0V 的符号只与电流S I 的方向有关,与磁场B 的方向无关,因此,0V 可以通过改变S I 的方向予以消除。
2.温差电效应引起的附加电压E V :如图4所示,由于构成电流的载流子速度不同,若速度为v 的载流子所受的洛仑兹力与霍尔电场力的作用刚好抵消,则速度大于或小于v 的载流子在电场和磁场作用下,将各自朝对立面偏转,从而在Y 方向引起温差'A A T T -,由此产生的温差电效应。
在A ,A '电极上引入加电压E V ,且B I V S E ∙∝,其符号与S I 和B 的方向关系跟H V 是相同的,因此不能用改变S I 和B 方向的方法予以消除,但其引入的误差很小,可以忽略。
3.热磁效应直接引起的附加电压N V :因器件两端电流引线的接触电阻不等,通电后在接触点两处将产生不同的焦尔热,导致在X 方向有温度梯度,引起载流子沿梯度方向扩散而产生热扩散电流。
热流Q 在Z 方向磁场作用下,类似于霍尔效应在Y 方向上产生一附加电场N ε,相应的电压QB V N ∝,而N V 的符号只与B 的方向有关,与S I 的方向无关。
因此可通过改变B 的方向予以消除。
4.热磁效应产生的温差引起的附加电压RL V :如上所述的X 方向热扩散电流,因载流子的速度统计分布,在Z 方向的B 作用下,和2中所述同理将在Y 方向产生温度梯度'A A T T -,由此引入的附加电压QB V RL ∝,RL V 的符号只与B 的方向有关,亦能消除之。
综上所述, 实验中测得的A ,A '之间的电压除H V 外还包含,V ,V ,V RL N 0和E V 各个电压的代数和,其中,V ,V ,V RL N 0均可以通过S I 和B 换向对称测量法予以消除。