光敏二极管PD438C

光敏二极管――摘自《传感器及其应用电路》P66 光敏二极管的优点是线性好，响应速度快，对宽范围波长的光具有较高的灵敏度，噪声低，小型轻量以及耐振动与冲击等；缺点是输出电流小。

光敏二极管的简单检测方法如下：首先根据外壳上的标记判定其极性，外壳表有色点的管脚或取近管键的管脚为正极．另一管脚为负极。

若无标记可用一块黑布遮住其接收光线(光信号)的窗口，将万用表置R×1k档测出正极和负极，同时测得其正向电阻应在IokΩ-200k Ω间，其反向电阻应为∞．表针不动。

然后．去掉遮光黑布，光敏二极管接收窗口对着光源．此时万用表表针应向右偏转，偏转角大小说明其灵敏度高低，偏转角越大，灵敏度越高。

参数及特性：开路电压和短路电流：PN结两端开路时，其电压称为开路电压；短路时电流称为短路电流。

若光敏二极管短路，则流过二极管的电流Isc(短路电流)与照度成比例。

设照度为E，比例常数为K，则Isc＝KE。

若光敏二极管输出开路，则开路输出电压V∞与光通量对数成比例，即V∞＝(kT／g)1n(KE／Io) 式中k为波尔兹曼常数(1．4×10－22J／K)，T为绝对温度(K)，g为电子电荷量(1．6×10－19C)，Io为反向饱和电流(A)。

暗电流：光敏二极管的输出电流理想时等于光电流，但实际上，即使光通量为o时，还有很小的输出电流，此电流称为暗电流。

暗电流决定了低照度时的测量界限，井随温度与反偏压而变化，变化幅度很大。

一般地说，GaAsP光敏二极管的能量间隙Eg较大，暗电流小于硅光敏二极管，但因有管壳与结晶表面的漏电流，实际暗电流比理想值大得多，但漏电流也只是硅二极管的1／10。

光谱灵敏度特性：(1)硅光敏二极管的光谱灵敏度特性如果光敏二极管的入射光波长为λ，吸收一个光子就要产生光电流的一对载流子，为此光子能量(hc/λ)必须大于传感器材料的能量间隙Eg。

对于硅光敏二极管，波长大于1100nm的光几乎不产生电流，也就是说，硅光敏二极管不吸收波长大于1100nm的光。

d438场效应管参数摘要：1.场效应管的基本原理2.场效应管的主要参数3.场效应管的分类与应用4.场效应管的优缺点5.场效应管在我国的研究与发展正文：场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，以其高精度、低噪声、低功耗等优点在电子领域得到广泛应用。

本文将对场效应管的基本原理、主要参数、分类与应用进行详细介绍，并探讨其在我国的研究与发展。

一、场效应管的基本原理场效应管是依据电子在半导体材料中的移动规律而工作的。

它由半导体基片、源极、漏极和栅极四个区域组成。

在栅极与漏极之间存在一个绝缘层，称为栅氧化层（Gate Oxide Layer），起到隔离电子的作用。

当栅极施加电压时，栅氧化层上的电荷会影响到半导体基片内部的电子，从而控制漏极的电流。

二、场效应管的主要参数1.电流放大系数（β）：在场效应管工作过程中，电流放大系数β表示源极电流与栅极电流之间的比例关系。

β越大，场效应管的放大能力越强。

2.阈值电压（Vth）：阈值电压是指场效应管从关断状态转为导通状态所需的栅极电压。

不同类型的场效应管阈值电压有所不同。

3.输入阻抗（Zin）：输入阻抗是指场效应管输入端的等效阻抗。

它与栅极电阻和栅氧化层电容共同决定场效应管的输入电流。

4.输出阻抗（Zout）：输出阻抗是指场效应管输出端的等效阻抗。

它与漏极电阻和输出电容共同决定场效应管的输出电流。

三、场效应管的分类与应用1.金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：MOSFET是一种常见的场效应管，根据其结构可分为增强型、耗尽型两种。

它广泛应用于电源、放大器、开关等电路。

2.绝缘栅双极型晶体管（IGBT）：IGBT是一种兼具场效应管和双极型晶体管优点的器件。

它适用于高电压、大电流场合，如电动汽车、工业控制等领域。

3.沟道场效应管（JFET）：JFET是一种基于半导体沟道工作的场效应管。

它具有电流放大系数高、输入阻抗高等优点，适用于线性放大器和开关电路。

产品说明书3mm光敏二极管:PD204_6B ⏹特点․快速响应․高感光灵敏度․较小的结电容․无铅环保，符合RoHS标准⏹描述PD204_6B是一款高速高灵敏度的插脚式光敏二极管，采用3mm圆头感光结构，用环氧材料封装，黑色封装材料可对可见光进行有效滤除，对红外光均保持很高的感光灵敏度。

⏹应用․高速光学传感器․安防设备․照相、摄影设备․光电开关⏹封装尺寸1.正极2.负极注: 1. 所有尺寸单位为毫米(英寸)2. 未说明误差的尺寸为±0.25mm(0.01英寸)⏹极限参数(Ta=25℃)参数符号参数值单位反向电压VR30V耗散功率Pd150mW焊接温度Tsol260℃工作温度Topr-25~+85℃存储温度Tstg-40~+85℃Ambient Temperature Ta(°C)P o w e r D i s s i p a t i o n (m W )5020020406080100-20-401001501008060200600Wavelength(nm)R e l a t i v e S p e c t r a l S e n s i t i v i t y (%)Ta=25°40700800900100011001200⏹光电参数(Ta=25℃)参数符号条件最小典型最大单位光谱带宽λ0.5---840---1100nm 感光峰值波长λp ------940---nm 开路电压V OC Ee=5m W/cm 2λp=940nm ---0.32---V短路电流I SC Ee=5m W/cm 2λp=940nm ---60---μA反向亮电流I LEe=5m W/cm 2λp=940nm V R =5V5560---μA暗电流Id Ee=0m W/cm 2V R =10V------10nA反向击穿电压BV R Ee=0m W/cm 2I R =100μA 30------V 总计电容CtEe=0m W/cm 2V R =3V f=1MHZ ---12---pF 上升/下降时间t r /t fV R =10V R L =1K Ω25/25nS⏹光电特性曲线图.1耗散功率与环境温度图.2相对频谱灵敏度400Ambient Temperature Ta(°C)R e v e r s e D a r k C u r r e n t (n A )608010020101001000V =10V R1Reverse Voltage (V)T e r m i n a l C a p a c i t a n c e C t (p F )101000.1204060f=1MHzV =3V Ee=0mW cmR2/10Load Resistance R L ( )R e s p o n s e T i m e t r ,t f (u s )10310101010101010101-316012080402.55.07.5Ee(mW/cm )10.02V =5V Rλ=940nm图.3暗电流与环境温度图.4反向感光电流与辐射强度图.5结电容与反向电压图.6响应时间与负载电阻注意事项:1.我公司保留更改产品材料和以上说明书的权利，更改以上产品说明书恕不另行通知。

广州市东裕光电科技有限公司GUANGZHOU TONYU TECHNOLOGY CO., LTD产品规格书SPECIFICATION客户名称CUSTOMER产品名称PRODUCTION 光敏二极管Photo Diode 产品型号MODEL DY-FPD204-6B/L3版本号VERSION NO A1.0地址(Add)：广东省广州市番禺区石基镇海涌路3号10号厂房2楼电话(Tel)：************传真(Fax)：************邮箱(E-mail)：************网址(Net)：客户确认CUSTOMER CONFIRMATION审核CHECKED BY编制PREPARED BY 汪建新陈少龙DY-FPD204-6B/L3产品描述Descriptions⚫DY-FPD204-6B/L3是一种NPN型高速度和高敏感的光敏二极管.（DY-FPD204-6B/L3 is an NPN type photosensitive transistor with high speed and high sensitivity.）产品特性Features⚫响应时间快(Fast response time)⚫高灵敏度(High photo sensitivity)⚫引脚间距2.54mm (2.54mm Lead spacing)⚫无铅(Pb free)⚫符合RoHS要求(This product itself will remain within RoHS compliant version)产品应用Applications⚫自动门传感器(Automatic door sensor.)⚫游戏机(Game machine)⚫高速光电探测器(High speed photo detector)包装方式Packing Quantity Specification⚫袋装：1000PCS/袋，4袋/小盒，10小盒/箱(1000PCS/1Bag，4Bags/1Box，10Boxes/1Carton)一、外形图Outline dimensions ：单位 Unit公差 Tolerance芯片材料 Die material发光颜色 Emission color胶体颜色 Lens colormm±0.25mmSilicon－ BlackNotes: 1. All dimensions are in mm, tolerance is ±0.25 unless otherwise noted.2. An epoxy meniscus way extend about 1.5mm down the leads.3. Burr around bottom of epoxy may be 0.5mm Max. ※备注：承认书之编号和型号可用于查询，客户如有需要，请提供相应的编号和型号。

光敏二极管是利用硅ＰＮ结受光照后产生光电流的一种光电器件。

光敏二极管的电路符号、外形见图１所示。

其封装有金封和塑封两种（即圆柱形和扁方形）。

有的光敏二极管为了提高其稳定性，还外加了一个屏蔽接地脚，外形似光敏三极管。

光敏二极管工作于反向偏压，其光谱响应特性主要由半导体材料中所掺的杂质浓度所决定。

同一型号的光敏二极管在一定的反偏电压、相同强度和不同波长的入射光照射下，产生的光电流并不相同，但有一最大值。

不同型号的光敏二极管在同一反偏电压、同一强度的入射光照射下，所产生的光电流最大值也不相同，且光电流最大值所对应的入射光的波长也不相同。

图２的曲线①、②分别是光敏二极管ＮＤＬ３２００、ＮＤＬ５８００Ｃ的光谱响应特性曲线。

由图可看出，它们的光电流的最大值分别在可见光区和红外线区，其中二极管ＮＤＬ３２００的光谱响应值最大。

由于光敏二极管的基本结构也是一个ＰＮ结，故其检测方法也与普通二极管相同，其测得的正、反向电阻也类似于普通二极管，但在测反向电阻遇光照时，阻值会明显减小，否则说明管子已损坏。

附表给出部分光敏二极管的主要参数，供参考。

图３是用光敏二极管构成的路灯自动控制电路。

其原理是：白天受光照时光敏二极管反向电阻减小，足以使复合管（Ｑ１、Ｑ２）饱和导通的电流注入复合管基极，于是Ｑ１、Ｑ２饱和导通→继电器Ｊ得电→常闭触头被吸下→路灯供电回路被切断→灯泡熄灭。

天黑时因光照很小→光敏二极管ＶＤ反向电阻大增→Ｑ１、Ｑ２退出饱和而截止→Ｊ失电→常闭触头复位→电灯供电回路接通→路灯点亮。

上标P照4感明焊峰脚4插上上P照4感明焊峰脚4插 上上上上上耗o电脚 上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上标上标上上上上 上 上上 上 上 上 上 上上 上 上 上 上 上V耗上感技上V上 上 上 上 上P采上式技带上高W上上 上 上 上Tsol上性插带上 上上 上 上 上Topr上-性带~大明技上 上上 上 上 上Tst铅上-4带~大明技上 上 型式小上 上技上 上上上标上 Ta=性技 上上上上上 上 上 上 上 上 上 上上λ带小技上4带带上--上式式带带上n高上上上λp上--上有4带上--上n高上上上VO焊上--上带小感技上--上V上特e=技高W峰c高性,λp=有4带n高上上相sc上--上77上--上μA上特e=技高W峰c高性,λp=有4带n高上上相科上--上77上--上μA上上V耗=技小带V,上上上上上上上上特e=技高W峰c高性上λp=有4带n高上上相采上-上--上感带上nA上V耗=式带小带V上特e=带高W峰c高性上上BV耗上感技上--上--上V上相耗=式带带uA上特e=带高W峰c高性上上焊t上--上44上--上p环上V耗=感小带V上特e=带高W峰c高性上f=式符电z上 峰 上t r峰t f上上--上技带峰技带上上n脚上V耗=式带小带V上耗科=技带Ω上上上上上上上上上上上上标上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上上标上,上式带带带 峰 小上。

光敏二极管工作原理一、引言光敏二极管是一种能够将光能转化为电能的器件，它具有快速响应、高灵敏度、低噪声等优点，在光电传感器、通信设备、医疗仪器等领域得到广泛应用。

本文将介绍光敏二极管的工作原理，包括结构、特性和应用等方面。

二、结构光敏二极管的结构与普通的二极管相似，由P型和N型半导体材料组成。

其中，P型半导体中掺入少量杂质元素使其具有正电荷，而N型半导体中则掺入少量杂质元素使其具有负电荷。

两者交界处形成PN 结，是光敏二极管的重要部分。

三、工作原理当PN结处受到光照射时，会激发出电子-空穴对，并且在PN结处形成内建电场。

此时，如果在PN结两端加上一个外加电压，则会使内建电场受到扩大或缩小，从而影响PN结周围的载流子运动。

当外加电压逆向偏置时，内建电场会增强，并阻碍电子和空穴的流动，使光敏二极管的电阻变大，此时称为截止状态。

当外加电压正向偏置时，内建电场会减弱，并促进载流子的运动，使光敏二极管的电阻变小，此时称为导通状态。

四、特性1. 光敏二极管具有高灵敏度，在微弱光线下也能够产生较大的电信号。

2. 光敏二极管响应速度快，能够在纳秒级别内完成响应。

3. 光敏二极管具有较宽的波长响应范围，在可见光和红外线范围内均有良好的响应。

4. 光敏二极管具有低噪声、低漂移等优点，适用于精密测量和仪器控制等领域。

五、应用1. 光电传感器：利用光敏二极管对光信号进行转换，实现对环境中光照强度、颜色等信息的检测和测量。

2. 通信设备：利用光敏二极管作为接收器件接收来自光纤传输的信息信号，并将其转化为电信号进行处理。

3. 医疗仪器：利用光敏二极管进行生物信号的检测和测量，如心电图、血氧饱和度等。

六、结论光敏二极管是一种重要的光电器件，具有高灵敏度、快速响应、低噪声等优点，在各个领域都有广泛应用。

其工作原理基于PN结内建电场的变化，通过外加电压的正反向偏置来控制载流子的运动，从而实现对光信号的转换。

抑制二极管vc测试原理
抑制二极管VC测试原理是指对抑制二极管进行电性能测试的原理。

抑制二极管是一种具有特殊功能的二极管，它能够在电路中起到抑制反向电压和电流的作用。

在进行抑制二极管VC测试时，需要通过特定的测试仪器，例如万用表或示波器等，对抑制二极管的电压和电流进行测量。

测试过程中，需要将抑制二极管加入到电路中，并对其正向电压和反向电压进行测试。

正常情况下，抑制二极管的正向电压应该比标准值高，而反向电压应该能够有效地抑制反向电流。

通过对抑制二极管VC测试原理的了解，可以更好地掌握抑制二极管的电性能，并为电路设计和维修工作提供指导。

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光敏二极管和光敏三极管简介及应用光敏二极管和光敏三极管是光电转换半导体器件，与光敏电阻器相比具有灵敏度高、高频性能好，可靠性好、体积小、使用方便等优。

一、光敏二极管1．结构特点与符号光敏二极管和普通二极管相比虽然都属于单向导电的非线性半导体器件，但在结构上有其特殊的地方。

光敏二极管使用时要反向接入电路中，即正极接电源负极，负极接电源正极。

2. 光电转换原理根据PN结反向特性可知，在一定反向电压范围内，反向电流很小且处于饱和状态。

此时，如果无光照射PN结，则因本征激发产生的电子-空穴对数量有限，反向饱和电流保持不变，在光敏二极管中称为暗电流。

当有光照射PN结时，结内将产生附加的大量电子空穴对（称之为光生载流子），使流过PN结的电流随着光照强度的增加而剧增，此时的反向电流称为光电流。

不同波长的光（兰光、红光、红外光）在光敏二极管的不同区域被吸收形成光电流。

被表面P型扩散层所吸收的主要是波长较短的兰光，在这一区域，因光照产生的光生载流子（电子），一旦漂移到耗尽层界面，就会在结电场作用下，被拉向N区，形成部分光电流；彼长较长的红光，将透过P型层在耗尽层激发出电子一空穴对，这些新生的电子和空穴载流子也会在结电场作用下，分别到达N区和P区，形成光电流。

波长更长的红外光，将透过P型层和耗尽层，直接被N区吸收。

在N区内因光照产生的光生载流子（空穴）一旦漂移到耗尽区界面，就会在结电场作用下被拉向P区，形成光电流。

因此，光照射时，流过PN结的光电流应是三部分光电流之和。

二、光敏三极管光敏三极管和普通三极管的结构相类似。

不同之处是光敏三极管必须有一个对光敏感的PN 结作为感光面，一般用集电结作为受光结，因此，光敏二极管实质上是一种相当于在基极和集电极之间接有光敏二极管的普通二极管。

其结构及符号如图Z0130所示。

三、光敏二极管的两种工作状态光敏二极管又称光电二极管，它是一种光电转换器件，其基本原理是光照到P-N结上时，吸收光能并转变为电能。

深圳市数冠电子科技有限公司 光敏二极管选型指导 版本:2018.04
说明1: 注意区分光敏二极管和光敏三极管, 两者都统称光敏管,一般都是两只引脚,但两者是不同类型产品,
光敏二极管灵敏度高,内部没有放大,需要外部放大电路,反应速度快,一般用于高灵敏度感应或数据传输. 光敏三极管内部有放大电路(三极管),反应速度慢,一般用于开关类光电检测.
说明2: 光敏二极管感光波长是一个范围,中心波长是最高灵敏度的波长,其它波长灵敏度参考规格书图表.
说明3: 感光电流可以体现感光灵敏度,外形和颜色等其它条件相同的情况下,感光电流越大的产品灵敏度越高.说明4: 上升/下降时间可以用于估算反应速度,计算最大传输频率等.
说明5: 颜色选用: 透明的感光波长是400nm--1100nm,也就是既可以感应可见光,也可以感应红外光; 黑色主要 用于红外光感应,感应波长大约是800--1100nm (850nm发射源最好选用透明或专用于850nm的黑色),
红色一般用于红光感应.
说明6: 产品不断更新,请下载最新版本, 也可以按客户要求开发新产品.
深圳市数冠电子科技有限公司 光敏二极管选型指导 版本:2018.04
深圳市数冠电子科技有限公司 光敏二极管选型指导 版本:2018.04。

光敏三级管工作原理光敏三级管是一种常见的光电转换器件，它能够将光信号转换为电信号，并将其放大，以便于后续处理和分析。

在计算机、通信、医疗、工业等领域中，光敏三级管都有着重要的应用，因此了解其工作原理具有重要的意义。

一、光敏三级管的结构光敏三级管的结构较为简单，它由三个主要部分组成：光敏元件、放大器和输出级。

其中，光敏元件通常是一种半导体材料，如硒化铟、碲化铟等，其特点是在受到光照射时会产生电荷载流子，从而产生电流信号。

放大器部分则通过放大这个信号，使其达到足够的强度，以便于后续处理。

输出级则将放大后的信号输出到外部电路中。

二、光敏三级管的工作原理光敏三级管的工作原理可以分为两个方面，一是光敏元件的工作原理，二是放大器和输出级的工作原理。

1.光敏元件的工作原理光敏元件是光敏三级管的核心部件，它的工作原理是基于光电效应。

当光线照射在光敏元件上时，它会激发出一些电荷载流子，这些电荷载流子会在光敏元件内部产生电流。

这个电流信号的大小和光线的强度有关，光线越强，产生的电流就越大。

2.放大器和输出级的工作原理放大器和输出级是为了放大和输出光敏元件产生的电流信号，以便于后续处理。

放大器通常是一个运算放大器，它的作用是将光敏元件产生的微弱电流信号放大到足够的强度。

输出级则将放大后的信号输出到外部电路中，以便于后续处理。

三、光敏三级管的应用光敏三级管具有灵敏度高、响应速度快、体积小、功耗低等优点，因此在许多领域中都有着广泛的应用。

1.计算机领域在计算机领域中，光敏三级管常用于光电鼠标、光纤通信等应用中。

例如，光敏三级管可以用于检测光电鼠标的运动轨迹，从而实现鼠标的移动和点击功能。

在光纤通信中，光敏三级管则用于接收光纤传输的光信号，将其转换为电信号并放大输出到外部电路中。

2.通信领域在通信领域中，光敏三级管常用于光电转换、光电检测等应用中。

例如，光敏三级管可以用于接收光纤传输的光信号，将其转换为电信号并放大输出到外部电路中。

光敏二极管和光敏三极管简介及应用光敏二极管和光敏三极管是光电转换半导体器件，与光敏电阻器相比具有灵敏度高、高频性能好，可靠性好、体积小、使用方便等优。

一、光敏二极管1．结构特点与符号光敏二极管和普通二极管相比虽然都属于单向导电的非线性半导体器件，但在结构上有其特殊的地方。

光敏二极管使用时要反向接入电路中，即正极接电源负极，负极接电源正极。

2. 光电转换原理根据PN结反向特性可知，在一定反向电压范围内，反向电流很小且处于饱和状态。

此时，如果无光照射PN结，则因本征激发产生的电子-空穴对数量有限，反向饱和电流保持不变，在光敏二极管中称为暗电流。

当有光照射PN结时，结内将产生附加的大量电子空穴对（称之为光生载流子），使流过PN结的电流随着光照强度的增加而剧增，此时的反向电流称为光电流。

不同波长的光（兰光、红光、红外光）在光敏二极管的不同区域被吸收形成光电流。

被表面P型扩散层所吸收的主要是波长较短的兰光，在这一区域，因光照产生的光生载流子（电子），一旦漂移到耗尽层界面，就会在结电场作用下，被拉向N区，形成部分光电流；彼长较长的红光，将透过P型层在耗尽层激发出电子一空穴对，这些新生的电子和空穴载流子也会在结电场作用下，分别到达N区和P区，形成光电流。

波长更长的红外光，将透过P型层和耗尽层，直接被N区吸收。

在N区内因光照产生的光生载流子（空穴）一旦漂移到耗尽区界面，就会在结电场作用下被拉向P区，形成光电流。

因此，光照射时，流过PN结的光电流应是三部分光电流之和。

二、光敏三极管光敏三极管和普通三极管的结构相类似。

不同之处是光敏三极管必须有一个对光敏感的PN 结作为感光面，一般用集电结作为受光结，因此，光敏二极管实质上是一种相当于在基极和集电极之间接有光敏二极管的普通二极管。

其结构及符号如图Z0130所示。

三、光敏二极管的两种工作状态光敏二极管又称光电二极管，它是一种光电转换器件，其基本原理是光照到P-N结上时，吸收光能并转变为电能。

光敏二极管的参数一、光敏二极管简介光敏二极管（Photodiode）是一种半导体器件，它能够将光信号转化为电信号。

在光照射下，光子会激发半导体中的电子和空穴，从而形成电流。

它具有快速响应、高灵敏度、低噪声等优点，在通信、测量、遥感等领域得到广泛应用。

二、光敏二极管参数1. 光谱响应：指光敏二极管对不同波长的光的响应程度。

不同类型的光敏二极管有不同的谱响应范围，常见的有可见光谱范围和红外谱范围。

2. 光电流：指在特定照射条件下，通过光敏二极管产生的电流。

其大小与照射强度成正比，可以用来测量强度。

3. 暗电流：指在无照射情况下，通过光敏二极管产生的微弱电流。

暗电流越小，灵敏度越高。

4. 峰值波长：指在某一特定条件下，达到最大响应灵敏度时的波长。

5. 饱和输出电压：指在照射强度达到一定程度后，光敏二极管输出电压不再随照射强度增加而增加的最大输出电压。

6. 响应时间：指光敏二极管从接受光信号到产生响应所需的时间。

响应时间越短，光敏二极管的速度越快。

7. 量子效率：指单位能量的光子被吸收后，能够产生多少个电子空穴对。

量子效率越高，灵敏度越高。

三、不同类型光敏二极管参数比较1. 硅PIN型光敏二极管硅PIN型光敏二极管具有较高的灵敏度和响应速度，其谱响应范围为400-1100nm，适用于可见光和近红外区域。

它的峰值波长为800nm 左右，量子效率为70%以上。

但其暗电流较大，响应时间较长。

2. 硒化铟（InSe）光敏二极管硒化铟（InSe）光敏二极管具有高灵敏度、低暗电流、快速响应等优点，其谱响应范围为1-5μm，适用于中红外区域。

它的峰值波长为3.5μm左右，量子效率高达90%以上。

但其价格较高。

3. 硫化铅（PbS）光敏二极管硫化铅（PbS）光敏二极管具有较高的灵敏度和响应速度，其谱响应范围为1-3μm，适用于近红外和中红外区域。

它的峰值波长为2.4μm 左右，量子效率高达80%以上。

但其暗电流较大。

四、光敏二极管的应用1. 光通信：在光通信中，光敏二极管作为接收器件使用，将光信号转化为电信号。

元器件交易网Technical Data Sheet 4.8mm Semi-Lens Silicon PIN PhotodiodePD438CFeatures․Fast response times ․High photo sensitivity ․Small junction capacitance ․Pb free ․The product itself will remain within RoHS compliant version.DescriptionsPD438C is a high speed and sensitive PIN photodiode in a cylindrical side view plastic package. Due to its water clear epoxy the device is sensitive to visible and infrared radiation.Applications․High speed photo detector ․Camera ․Optoelectronic switch ․VCRs , Video cameraDevice Selection GuideLED Part No. PD Chip Material Silicon Lens Color Water clearEverlight Electronics Co., Ltd. Device No：DPD-043-021http:\\ Prepared date：07-20-2005Rev 2Page: 1 of 7Prepared by：Jaine Tsai元器件交易网PD438CPackage DimensionsNotes: 1.All dimensions are in millimeters 2.Tolerances unless dimensions ±0.25mmAbsolute Maximum Ratings (Ta=25℃)Parameter Reverse Voltage Power Dissipation Lead Soldering Temperature Operating Temperature Symbol VR Pd Tsol Topr Rating 32 150 260 -25 ~ +85 -40 ~ +85 Units V mW ℃ ℃ ℃Storage Temperature Tstg Notes: *1:Soldering time≦5 seconds.Everlight Electronics Co., Ltd. Device No：DPD-043-021http:\\ Prepared date：07-20-2005Rev 2Page: 2 of 7Prepared by：Jaine Tsai元器件交易网PD438CElectro-Optical Characteristics (Ta=25℃)Parameter Rang of Spectral Bandwidth Wavelength of Peak Sensitivity Open-Circuit Voltage Short- Circuit Current Reverse Light Current Dark Current Reverse Breakdown Total Capacitance Rise/Fall Time Symbol λ0.5 λp VOC ISC IL Id BVR Ct tr/tf Condition --------Ee=5m W/cm2 λp=940nm Ee=1m W/cm2 λp=940nm Ee=1m W/cm2 λp=940nm VR=5V Ee=0m W/cm2 VR=10V Ee=0m W/cm2 IR=100μA Ee=0m W/cm2 VR=3V f=1MHZ VR=10V RL=1KΩ Min. 400 ------10.2 --32 ----Typ. --940 0.35 18 18 5 170 25 50/50 Max. 1100 ------μA --30 --nA V Units nm nm V-----pF nSEverlight Electronics Co., Ltd. Device No：DPD-043-021http:\\ Prepared date：07-20-2005Rev 2Page: 3 of 7Prepared by：Jaine Tsai元器件交易网PD438CTypical Electro-Optical Characteristics CurvesFig.1 Power Dissipation vs. Ambient Temperature200Fig.2 Spectral Sensitivity1.0 Ta=25 C 0.8 0.61501000.4500.20 -25 0 25 50 75 85 1000 100 300 500 700 900 1100 1300Fig.3 Dark Current vs. Ambient Temperature1000Fig. 4 Reverse Light Current vs. Ee40 30100201010 VR=5VVR=10V 1 20 40 60 80 1000 0.5 1 1.523Everlight Electronics Co., Ltd. Device No：DPD-043-021http:\\ Prepared date：07-20-2005Rev 2Page: 4 of 7Prepared by：Jaine Tsai元器件交易网PD438CTypical Electro-Optical Characteristics CurvesFig.5 Terminal Capacitance vs. Reverse Voltage Fig.6 Response Time vs. Load Resistance102180 60f=1MHZ VR=3VVR=10V O Ta=25 C100t4010-12010 10-2-30 0.1 1 10 100101102103104105Everlight Electronics Co., Ltd. Device No：DPD-043-021http:\\ Prepared date：07-20-2005Rev 2Page: 5 of 7Prepared by：Jaine Tsai元器件交易网PD438CReliability Test Item And Condition The reliability of products shall be satisfied with items listed below. Confidence level：90% LTPD：10% NO. Item Test Conditions Test Hours/ Cycles 10secs 300Cycles Sample Sizes 22pcs 22pcs IL≦L×0.8 L：Lower 300Cycles 22pcs Specification Limit 0/1 Failure Judgement Criteria Ac/R e 0/1 0/11 2Solder heatTEMP.：260℃±5℃ 15mins 5mins 15mins 5mins 10secs 5minsTemperature Cycle H : +100℃ L : -40℃3Thermal ShockH :+100℃ L :-10℃4 5 6 7High Temperature TEMP.：+100℃ Storage Low Temperature TEMP.：-40℃ Storage DC Operating Life High Temperature/ High Humidity VR=5V 85℃ / 85% R.H1000hrs 1000hrs 1000hrs 1000hrs22pcs 22pcs 22pcs 22pcs0/1 0/1 0/1 0/1Everlight Electronics Co., Ltd. Device No：DPD-043-021http:\\ Prepared date：07-20-2005Rev 2Page: 6 of 7Prepared by：Jaine Tsai元器件交易网PD438CPacking Quantity Specification1.500PCS/1Bag，6Bags/1Box 2.10Boxes/1CartonLabel Form SpecificationCPN: Customer’s Production Number P/N : Production Number QTY: Packing Quantity CAT: Ranks HUE: Peak Wavelength REF: Reference LOT No: Lot Number MADE IN TAIWAN: Production PlaceRoHSPD438CNotes1. Above specification may be changed without notice. EVERLIGHT will reserve authority on material change for above specification. 2. When using this product, please observe the absolute maximum ratings and the instructions for using outlined in these specification sheets. EVERLIGHT assumes no responsibility for any damage resulting from use of the product which does not comply with the absolute maximum ratings and the instructions included in these specification sheets. 3. These specification sheets include materials protected under copyright of EVERLIGHT corporation. Please don’t reproduce or cause anyone to reproduce them without EVERLIGHT’s consent.EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD. Office: No 25, Lane 76, Sec 3, Chung Yang Rd, Tucheng, Taipei 236, Taiwan, R.O.C Tel: 886-2-2267-2000, 2267-9936 Fax: 886-2267-6244, 2267-6189, 2267-6306 http:\\Everlight Electronics Co., Ltd. Device No：DPD-043-021http:\\ Prepared date：07-20-2005Rev 2Page: 7 of 7Prepared by：Jaine Tsai。

常见光敏二极管
常见的光敏二极管（photodiode）主要包括以下几种：
1. PIN光敏二极管（PIN Photodiode）：PIN光敏二极管是一种高性能的光敏器件，具有高灵敏度、低噪声、低失真等优点。

它的主要特点是在反向偏置时具有高反向电流，在正向偏置时具有低电流和高响应度。

2. APD光敏二极管（Avalanche Photodiode）：APD光敏二极管是一种特殊的光敏二极管，具有高灵敏度和高速响应的特点。

它的工作原理是在光的作用下，电子和空穴会发生复合，从而形成一个电子和空穴对，使得电流大大增加，形成所谓的雪崩效应。

3. Si光敏二极管（Silicon Photodiode）：Si光敏二极管是一种常用的光敏二极管，主要用于光谱分析、光电探测和光电转换等领域。

它的主要特点是稳定性好、响应速度快、价格便宜等。

4. GaAs光敏二极管（Gallium Arsenide Photodiode）：GaAs 光敏二极管是一种高性能的光敏器件，具有高灵敏度、低噪声、低失真等优点。

它的主要特点是响应速度快，适用于高速光通信和光存储等领域。

5. InGaAs光敏二极管（Indium Gallium Arsenide Photodiode）：InGaAs光敏二极管是一种高灵敏度的光敏器件，
具有高响应度和低噪声等优点。

它的主要特点是适用于长波长光信号的检测，如光纤通信中的信号传输等。

这些光敏二极管在不同的应用领域中具有不同的优缺点，需要根据具体的应用需求选择合适的光敏二极管。