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电力电子技术第五版课后习题答案第二章 电力电子器件2. 使晶闸管导通的条件是什么?答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流（脉冲）。
或:u ＡK >0且ｕGK >0。
3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
４． 图2-２７中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值Ｉd1、Ｉd2、Ｉd3与电流有效值I １、I 2、I ３。
π4π4π25π4a)b)c)图1-43图2-27 晶闸管导电波形解：a) I d1＝π21⎰ππωω4)(sin t td I m＝π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1=⎰ππωωπ42)()sin (21t d t I m =2m I π2143+≈0.47６7 I m ｂ) I ｄ２ =π1⎰ππωω4)(sin t td I m =πm I (122+)≈0.5434 Ｉm I 2 ＝⎰ππωωπ42)()sin (1t d t I m =22m I π2143+≈0.6741I m c ） I d3＝π21⎰20)(πωt d I m=41I ｍ Ｉ3 =⎰202)(21πωπt d I m =21Ｉm5. 上题中如果不考虑安全裕量,问10０A 的晶闸管能送出的平均电流I ｄ1、I d ２、I d3各为多少?这时,相应的电流最大值Ｉｍ1、I ｍ2、I ｍ3各为多少?解：额定电流Ｉ Ｔ(ＡＶ） =100A 的晶闸管，允许的电流有效值Ｉ =15７A ，由上题计算结果知a) I m1≈4767.0I≈３29.35，ﻩﻩI d １≈０.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈6741.0I≈232.90, I ｄ2≈0.５4３4 Ｉm2≈12６.56 c) I ｍ3=2 I ＝ 314,ﻩﻩﻩ I d3=41Ｉｍ3=78.5第三章 整流电路1. 单相半波可控整流电路对电感负载供电，L ＝２０ｍH,U 2＝100V ，求当α＝0︒和6０︒时的负载电流I d ，并画出u ｄ与i ｄ波形。
电力电子技术2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受 高压和大电流的能力？答：1 •电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提 高了二极管的通流能力。
2•电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区，也称漂移区。
低掺杂N 区由于掺杂 浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，山于掺杂浓度低，低掺杂N 区就可以承 受很高的电压而不被击穿。
2-2.使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉 冲）。
或：uAK>0 且 uGK>0。
2-3.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持 电流。
要使晶闸山导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到 接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为 Im,试计算各波形的电流平均值IdK Id2. Id3与电流有效值Il> I2> I3o—f 2 Im d(cot) = — Im Id 尸 2/r Jo42-5上题中如果不考虑安全裕量，问100A 的晶阐管能送出的平均电流Idi. Id2> Id3各为多 少?这时，相应的电流最大值51、Ini2> Im3各为多少？解：额定电流I T （AV ）=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157AJ||±题计算结果知I n / 0.4767'329 35 A,Id?^0.5434I m2 心 126.56A2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能？答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管VI 、 V2,分别具有共基极电流增益力和Q2,由普通晶阐管的分析可得，al + a2 = 1是器件临界导 通的条件。
复习题一、填空：1.为使BJT发射区发射电子，集电区收集电子，具备的条件是（发射极正偏，集电极反偏）。
2.N型半导体是在纯硅或锗中加入（+5）元素物质后形成的杂质半导体。
3.差分放大电路对（差模）信号有放大作用，对（共模）信号起到抑制作用。
4.在电容滤波和电感滤波中，（电感）滤波适用于大电流负载，（电容）滤波的直流输出电压高。
5．集成运放主要包括输入级、(中间放大极)、(输出极)和?(偏置)电路。
其中输入级一般采用(差模)电路。
6.为稳定放大器的静态工作点，应在放大电路中引入（直流负）反馈，为稳定放大器的输出电压应引入（电压负）反馈。
7．与甲类功放电路相比，乙类互补对称功率放大电路的优点是（管耗小，效率高），其最高效率可达到（78.5%），但容易产生（交越）失真。
8．集成运算放大器是一种采用（直接）耦合方式的多级放大电路，它的输入级常采用差分电路形式，其作用主要是为了克服（共模干扰）。
9．若放大器输入信号电压为1mV,输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为（10）。
10．产生1Hz～1MHz范围内的低频信号一般采用（RC）振荡器，而产生1MHz以上的高频信号一般采用（LC）振荡器。
11．半导体二极管具有（体积小，重量轻，使用寿命长，输入功率小，功率转换效率高等）作用，稳压二极管用作稳压元件时工作在（反向击穿）状态。
12．晶体三极管是一种（电流）控制型器件，当工作在饱和区时应使其发射结（反偏）集电结（正偏），而场效应管是一种(电压) 控制型器件。
13．集成电路运算放大器是一种高电压增益、高输入电阻、（低）输出电阻的（直接）耦合方式的多级放大电路。
14．差分放大电路有四种输入－输出方式，其差模电压增益大小与输（出）有关而与输（入）方式无关。
15．在放大电路中引入（直流负）反馈可以稳定放大电路的静态工作点，。
16．三种组态的放大电路中（共发射极组态、共基极组态、共集电极组态）输入电阻最小的是（共集电极放大）电路。
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为____电压型____和_____电流型___两类。
2、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在____开关_____状态。
当器件的工作频率较高时，__开关_______损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。
4、面积等效原理指的是，_____冲量____相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是___MOSFET______，单管输出功率最大的是____GTO_________，应用最为广泛的是___IGBT________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
1、图3中所示的电流I为（C ）。
A. —2AB. —1AC. 1AD. 2A图3 图42、图3中10V电压表的功率是（A）。
A. W30- B.10W C. W30 D. W403、图4所示，已知I=2A，u ab=6V, R=（A）。
A. 3ΩB. 6ΩC. 2ΩD. 4Ω4、如图5所示，理想变压器匝数比为10：1，2U =（D ）A. 100VB. —100VC. -10VD. 10V图5 图65、如图6所示，已知R=XL=XC，A1=10A，A2 ，A3电流表的读数分别为（B）A. 10A，10AB. 14.1A，10AC. 10A，14.1AD.10A，14A6、图7所示电压波形可用阶跃函数表示为（C ）。
A. 2()(1)t tεε-+- B. 2()3(1)(3)t t tεεε-++-+C. 2()3(1)(3)t t tεεε-+--- D. 2()3(1)t tεε-+-图7 图87、图8所示电路中，开关S断开时，电路呈电阻性，则当开关S闭合时，电路呈（C）。
A．电阻性B．电感性C．电容性D．谐振状态8、图9示电路的时间常数为（B ）。
A．2s B．0.5s C．4s D．0.25sSu+-R SC1L2L/s t/Vu2-11034V+-4ΩS4Ωt=1H图99、对于电感元件，下列表达式中正确的是( D )。
A ．d d LL u i Lt = B ．j L L I LU ω= C ．j L L I LU ω= D ．j L L U LI ω=10、正弦量的三要素下面说法不对的是（ A ）。
A ．振幅、频率、周期；B 。
最大值、频率、相位；C ．有效值、角频率、初相位；D 。
振幅、角频率、初相位。
1．图1所示电路中，若102u i =-，则ab 端外接2Ω电阻后的电流和电压分别为（ B ）。
A. 2.5A ，10VB. 2.5A ，5V C . 5A ，5VD. 10A ，10VS u +-Rabi u +-15V+-3A4Ω5Ω15Ωu +-图1 图2 2．图2所示电路中电压u 为( A )。
电力电子技术第五版试题及答案4套电力电子技术第五版试题及答案4套《电力电子技术》试题(1)一、填空（30分）1、双向晶闸管的图形符号是，三个电极分别是，和；双向晶闸管的的触发方式有、、、.。
2、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为。
三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为。
（电源相电压为U2）3、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用触发；二是用触发。
4、在同步电压为锯齿波的触发电路中，锯齿波底宽可达度；实际移相才能达度。
5、异步电动机变频调速时，对定子频率的控制方式有、、、。
6、软开关电路种类很多，大致可分成电路、电路两大类。
7、变流电路常用的换流方式有、、、四种。
8、逆变器环流指的是只流经、而不流经的电流，环流可在电路中加来限制。
9、提高变流置的功率因数的常用方法有、、。
10、绝缘栅双极型晶体管是以作为栅极，以作为发射极与集电极复合而成。
三、选择题（每题2分10分）1、α为度时，三相桥式全控整流电路，带电阻性负载，输出电压波形处于连续和断续的临界状态。
A、0度。
B、60度。
C、30度。
D、120度。
2、晶闸管触发电路中，若使控制电压U C=0，改变的大小，使触发角α=90º，可使直流电机负载电压U d=0。
达到调整移相控制范围，实现整流、逆变的控制要求。
A、同步电压，B、控制电压，C、偏移调正电压。
3、能够实现有源逆变的电路为。
A、三相半波可控整流电路，B、三相半控整流桥电路，C、单相全控桥接续流二极管电路，D、单相桥式全控整流电路。
4、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）A、700VB、750VC、800VD、850V5、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )A、90°B、120°C、150°D、180°四、问答题（20分）1、实现有源逆变必须满足哪些必不可少的条件？（6分）2、根据对输出电压平均值进行控制的方法不同，直流斩波电路可有哪三种控制方式？并简述其控制原理。
一、 填空题(25分).同一晶闸管，维持电流I H 与擎住电流I L 的数值大小上有I L > I H 。
1． 功率集成电路PIC 分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是智能功率集成电路。
2． 晶闸管断态不重复电压U DSN 与转折电压U BO 数值大小上应为，U DSM < U BO 。
3． 电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm 等于2U 2，设U 2为相电压有效值。
4． 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差180°。
5． 对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使输出电压平均值降低。
6． 晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R 是均压措施。
7． 三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有Y 、Δ二种方式。
8． 抑制过电压的方法之一是用RC 吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10．180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在同一桥臂的上、下二个开关元件之间进行。
11．改变SPWM 逆变器中的调制比，可以改变输出电压基波的幅值。
12．为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是平台。
13．恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是减小存储时间。
14．功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用快速恢复型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
15.晶闸管是三端器件，三个引出电极分别为：阳极、阴极和门极。
22.处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极承受正向电压，且门级有触发电流时，才能使其开通。
23.晶闸管额定通态平均电流I VEAR 是在规定条件下定义的，条件要求环境温度为40℃。
24.在晶闸管单相半波可控整流电路中，从晶闸管开始承受正向电压算起，到触发脉冲到来时刻为止，这段时间的电角度称为触发角。
25.在电感性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为2.452U 。
电力电子技术2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显着提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。
低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。
2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：uAK>0且uGK>0。
2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
2-4 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。
解：a) I d1=Im2717.0)122(2Im)(sinIm214≈+=⎰πωπππtI1=Im4767.021432Im)()sin(Im2142≈+=⎰πϖπππwtdtb) I d2=Im5434.0)122(2Im)(sinIm14=+=⎰wtd tππϖπI2=Im6741.021432Im2)()sin(Im142≈+=⎰πϖπππwtdtc) I d3=⎰=2Im41)(Im21πωπtdI3=Im21)(Im2122=⎰tdωππ2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少?解：额定电流I T(AV)=100A的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知a) I m135.3294767.0≈≈IA, I d1≈0.2717I m1≈89.48Ab) I m2,90.2326741.0AI≈≈I d2AIm56.1265434.02≈≈c) I m3=2I=314 I d3=5.78 413=mI2-6 GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能?答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益1α和2α，由普通晶阐管的分析可得，121=+αα是器件临界导通的条件。
电力电子技术答案第五版全Document number：PBGCG-0857-BTDO-0089-PTT1998电子电力课后习题答案第一章电力电子器件使晶闸管导通的条件是什么答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或者U AK >0且U GK>0维持晶闸管导通的条件是什么怎样才能使晶闸管由导通变为关断答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
图1－43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im ，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。
解：a) I d1=Im2717.0)122(2Im)(sinIm214≈+=⎰πωπππtI1=Im4767.021432Im)()sin(Im2142≈+=⎰πϖπππwtdtb) Id2=Im5434.0)122(2Im)(sinIm14=+=⎰wtd tππϖπI 2=Im6741.021432Im2)()sin(Im142≈+=⎰πϖπππwtdtc) Id3=⎰=2Im41)(Im21πωπtdI3=Im21)(Im2122=⎰tdωππ.上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少解：额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知a) I m135.3294767.0≈≈I A, ≈≈ I m2,90.2326741.0A I≈≈I d2A I m 56.1265434.02≈≈c) I m3=2I=314 I d3=5.78413=m I和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益1α和2α，由普通晶阐管的分析可得，121=+αα是器件临界导通的条件。
…电力电子技术2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区，也称漂移区。
低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。
2-2. 使晶闸管导通的条件是什么答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：uAK>0且uGK>0。
2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么怎样才能使晶闸管由导通变为关断 >答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸由导通变为关断， 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
2-4 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 1、I 2、I 3。
解：a) I d1=Im 2717.0)122(2Im )(sin Im 214≈+=⎰πωπππtI 1=Im 4767.021432Im )()sin (Im 2142≈+=⎰πϖπππwt d tb) I d2=Im 5434.0)122(2Im )(sin Im 14=+=⎰wt d t ππϖπI 2=Im6741.021432Im 2)()sin (Im 142≈+=⎰πϖπππwt d tc) I d3=⎰=20Im 41)(Im 21πωπt d]I 3=Im 21)(Im 21202=⎰t d ωππ2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少解：额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知a) I m135.3294767.0≈≈I A, ≈≈ I m2,90.2326741.0A I≈≈I d2A I m 56.1265434.02≈≈c) I m3=2I=314 I d3=5.78413=m I2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益1α和2α，由普通晶阐管的分析可得，121=+αα是器件临界导通的条件。
电力电子复习题 Last updated on the afternoon of January 3, 2021电力电子复习题一、选择题1、晶闸管稳定导通的条件A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流2、晶闸管通态平均电流I T(AV)与其对应有效值I的比值为A、、1/1.57 C、D、1/3、对于升降压直流斩波器，当其输出电压小于其电源电压时，有A、α无法确定B、<α<1C、0<α<、以上说法均是错误的4、有源逆变发生的条件为A、要有直流电动势B、要求晶闸管的控制角大于900C、直流电动势极性须和晶闸管导通方向一致D、以上说法均是错误的5、对于电阻负载单相交流调压电路，下列说法错误的是A、输出负载电压与输出负载电流同相B、α的移项范围为00<α<1800C、输出负载电压U O的最大值为U1D、以上说法均是错误的6、晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为A.维持电流B.擎住电流C.浪涌电流D.额定电流7、三相半波可控整流电路的自然换相点是A.交流相电压的过零点B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后608、有源逆变电路晶闸管的换流方式为A.器件换流B.电网换流C.负载换流D.脉冲换流9、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关A.α、负载电流Id以及变压器漏抗XCB.α以及负载电流IdC.α和U2D.α、U2以及变压器漏抗XC10、下列电路中，输入整流变压器不存在直流磁化的有A.单相桥式可控整流电路B.单相半波可控整流电路C.单相全波可控整流电路D.三相半波可控整流电路11、三相全控桥式整流电路在宽脉冲触发方式下一个周期内所需要的触发脉冲共有六个，它们在相位上依次相差°°°°12、可在第一和第四象限工作的变流电路是A.三相半波可控变流电路B.单相半控桥C.接有续流二极管的三相半控桥D.接有续流二极管的单相半波可控变流电路13、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为A.157AB.100AC.80AD.246.5A14、带反电动势负载的电路，当晶闸管关断时负载上的电压U d为===E/=–E15、升压斩波电路中，已知电源电压Ud=12V，导通比Kt=1/3，则负载电压U0=16、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是A.有源逆变器D变换器A 变换器 D.无源逆变器17、串联谐振式逆变电路晶闸管的换流方式为 A.器件换流 B.电网换流 C.负载换流D.脉冲换流18、单相全控桥式整流电路带纯电阻性负载时，晶闸管承受正向电压的最大值为 A.2U 221B.2U 2C.2U 22D.2U 619、取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的 A.转折电压 B.反向击穿电压 C.阈值电压D.额定电压20、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在 A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.不定21、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是 °°°°22、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为22222、三相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为2222224、电流型逆变器中间直流环节贮能元件是A.电容B.电感C.蓄电池D.电动机25、在型号为KP10-12G中，数字10表示A.额定电压10VB.额定电流10AC.额定电压1000VD.额定电流1000A26、下列电路中，不可以实现有源逆变的有A.三相半波可控整流电路B.三相桥式半控整流电路C.单相桥式可控整流电路D.单相全波可控整流电路外接续流二极管27、下列电路中，输入整流变压器不存在直流磁化的有A.单相桥式可控整流电路B.单相半波可控整流电路C.单相全波可控整流电路D.三相半波可控整流电路28、电压型逆变电路特点没有A.直流侧接大电感B.交流侧电流为正弦波C.直流侧电压无脉动D.直流侧电流有脉动29、对于升降压直流斩波器，当其输出电压大于其电源电压时，有A、α无法确定B、<α<1C、0<α<、以上说法均是错误的30、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在36、电压型逆变电路特点没有 A.直流侧接大电感B.交流侧电流为正弦波C.直流侧电压无脉动D.直流侧电流有脉动37、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为40、对于电阻负载单相交流调压电路，下列说法错误的是A 、输出负载电压与输出负载电流同相B 、α的移项范围为00<α<18022222、三相半波可控整流电路，带电阻负载，控制角α的最大移相范围为（）。
电力电子技术2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显着提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。
低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。
2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：uAK>0且uGK>0。
2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
2-4 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。
解：a) I d1=Im2717.0)122(2Im)(sinIm214≈+=⎰πωπππtI1=Im4767.021432Im)()sin(Im2142≈+=⎰πϖπππwtdtb) I d2=Im5434.0)122(2Im)(sinIm14=+=⎰wtd tππϖπI2=Im6741.021432Im2)()sin(Im142≈+=⎰πϖπππwtdtc) I d3=⎰=2Im41)(Im21πωπtdI3=Im21)(Im2122=⎰tdωππ2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少?解：额定电流I T(AV)=100A的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知a) I m135.3294767.0≈≈IA, I d1≈0.2717I m1≈89.48Ab) I m2,90.2326741.0AI≈≈I d2AIm56.1265434.02≈≈c) I m3=2I=314 I d3=5.78 413=mI2-6 GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能?答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益1α和2α，由普通晶阐管的分析可得，121=+αα是器件临界导通的条件。
电力电子技术第五版课后习题答案第二章 电力电子器件2.使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：u AK >0且u GK >0。
3.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
4.图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 1、I 2、I 3。
2π2π2ππππ4π4π25π4a)b)c)图1-43图2-27 晶闸管导电波形解：a) I d1=π21⎰ππωω4)(sin t td I m =π2mI (122+)≈0.2717 I m I 1=⎰ππωωπ42)()sin (21t d t I m =2m I π2143+≈0.4767 I m b) I d2=π1⎰ππωω4)(sin t td I m =πm I(122+)≈0.5434 I m I 2=⎰ππωωπ42)()sin (1t d t I m =22m I π2143+≈0.6741I m c) I d3=π21⎰20)(πωt d I m =41I m I 3=⎰22)(21πωπt d I m =21 I m5.上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶闸管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少？这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少?解：额定电流I T(AV) =100A 的晶闸管，允许的电流有效值I =157A ，由上题计算结果知a) I m1≈4767.0I≈329.35 I d1≈0.2717I m1≈89.48 b) I m2≈6741.0I≈232.90 I d2≈0.5434I m2≈126.56c) I m3=2I =314 I d3=41I m3=78.5第三章 整流电路1.单相半波可控整流电路对电感负载供电，L ＝20mH ，U 2＝100V ，求当α＝0°和60°时的负载电流I d ，并画出u d 与i d 波形。
电力电子技术2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显着提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。
低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。
2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：uAK>0且uGK>0。
2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
2-4 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。
解：a) I d1=Im2717.0)122(2Im)(sinIm214≈+=⎰πωπππtI1=Im4767.021432Im)()sin(Im2142≈+=⎰πϖπππwtdtb) I d2=Im5434.0)122(2Im)(sinIm14=+=⎰wtd tππϖπI2=Im6741.021432Im2)()sin(Im142≈+=⎰πϖπππwtdtc) I d3=⎰=2Im41)(Im21πωπtdI3=Im21)(Im2122=⎰tdωππ2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少?解：额定电流I T(AV)=100A的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知a) I m135.3294767.0≈≈IA, I d1≈0.2717I m1≈89.48Ab) I m2,90.2326741.0AI≈≈I d2AIm56.1265434.02≈≈c) I m3=2I=314 I d3=5.78 413=mI2-6 GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能?答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益1α和2α，由普通晶阐管的分析可得，121=+αα是器件临界导通的条件。
简答题：1、 晶闸管导通条件？关断条件？维持晶闸管导通条件？怎么样才能由导通变为关断？稳定导通条件？导通条件：阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。
门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流——擎住电流1L 以上。
关断条件：晶闸管的电流小于维持电流。
维持导通条件：阳极电流大于维持电流I H 。
由导通变为关断：加反向阳极电压或者去掉阳极正向电压或者增加负载回路中的电阻。
稳定导通条件：晶闸管的阳极电流大于擎住电流I L 。
2、 电压型逆变电路的主要特点？1） 直流侧为电压源或并联大电容，直流侧电压基本无脉动。
2） 交流侧输出电压波形为矩形波，输出电流的波形和相位因负载阻抗不同而不同。
3） 交流侧为阻感负载时需要提供无功功率。
为了交流侧给直流侧反馈的无功能量提供通道，逆变桥各臂并联反馈二极管。
3、 有源逆变的基本条件？什么是逆变失败？有源逆变失败原因？逆变失败的后果？哪些电路可以实现有源逆变？哪些不可以？逆变条件:①有直流电动势，极性和晶闸管导通方向一致，且d E U >。
②晶闸管控制角大于90度，使U d 为负值。
逆变失败：逆变运行时，一旦不能正常换相，外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路，或者使变流器输出的平均电压和直流电动势变成顺势串联，形成很大的短路电流。
逆变失败原因：触发脉冲丢失，晶闸管损坏或快速熔断器烧断，电源缺相，逆变角太小。
逆变失败后果：会在逆变桥与逆变电源之间产生强大的环流，损坏开关器件。
可以实现有源逆变的电路有：不可以实现有源逆变的电路有：半控桥电路，有续流二极管电路 4、 变压器漏感对整流电路的影响？1）出现换相重叠角，整流输出电压平均值U d降低，整流电路的工作状态增多。
2）换相使电网电压出现缺口，成为干扰源。
3）晶闸管的di/dt减小，有利于晶闸管的安全开通。
4）换相时晶闸管电压出现缺口，使晶闸管误导通。
一、 填空题(25分).同一晶闸管，维持电流I H 与擎住电流I L 的数值大小上有I L > I H 。
1． 功率集成电路PIC 分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是智能功率集成电路。
2． 晶闸管断态不重复电压U DSN 与转折电压U BO 数值大小上应为，U DSM < U BO 。
3． 电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm 等于2U 2，设U 2为相电压有效值。
4． 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差180°。
5． 对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使输出电压平均值降低。
6． 晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R 是均压措施。
7． 三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有Y 、Δ二种方式。
8． 抑制过电压的方法之一是用RC 吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10．180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在同一桥臂的上、下二个开关元件之间进行。
11．改变SPWM 逆变器中的调制比，可以改变输出电压基波的幅值。
12．为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是平台。
13．恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是减小存储时间。
14．功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用快速恢复型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
15.晶闸管是三端器件，三个引出电极分别为：阳极、阴极和门极。
22.处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极承受正向电压，且门级有触发电流时，才能使其开通。
23.晶闸管额定通态平均电流I VEAR 是在规定条件下定义的，条件要求环境温度为40℃。
24.在晶闸管单相半波可控整流电路中，从晶闸管开始承受正向电压算起，到触发脉冲到来时刻为止，这段时间的电角度称为触发角。
25.在电感性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为2.452U 。
26.三相全控桥的共阴极组要求触发脉冲以120°为间隔，依次在电源电压的正半周触发共阴极组的各晶闸管。
27.在输入相同幅度的交流电压和相同控制角的条件下，三相可控整流电路比单相可控整流电路可获得较高的输出电压。
28.有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回电网的逆变电路。
29.逆变器可分为无源逆变器和有源逆变器两大类。
30.有源逆变产生的条件之一是：变流电路输出的直流平均电压U d 的极性必须保证与直流电源电势E d 的极性成反极性相连，且满足|U d |<|E d |。
31.三相桥式全控变流电路的同步相控触发电路，分为垂直控制和横向控制二种方式。
32.SPWM 有两种调制方式：单极性和双极性调制。
33.斩波器的时间比控制方式分为定宽调频、定频调宽、混合调宽三种方式。
34.载波比(又称频率比)K 是PWM 主要参数。
设正弦调制波的频率为f r ，三角波的频率为f c ，则载波比表达式为K=r c f /f 。
35.DC/DC 变换的两种主要形式为逆变整流型和斩波电路控制型。
1. 处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极加正向电压，且在门极加正向触发电压时，才能使其开通。
2. 造成在不加门极触发控制信号，即能使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素。
一是阳极的电压上升率du/dt 太快，二是阳极电压过高。
3. 功率集成电路PIC 分为二大类，一类是智能功率集成电路，另一类是高压集成电路。
4. 单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角a 大于不导电角δ时，晶闸管的导通角Ø=π-α-δ。
5.将直流电能转换为交流电能又馈送回交流电网的逆变电路称为有源逆变器。
6.确定最小逆变角βmin 要考虑的三个因素是晶闸管关断时间t af 所对应的电角度δ，安全裕量角Ø0和换向重叠角γ。
7. 三相全控桥式有源逆变电路，每个晶闸管导通角1200，每隔60°产生一次换相。
8. RC 电路可用作直流侧的过电压保护元件。
9. 金属氧化物非线性压敏电阻可作为过电压保护元件。
10. 晶闸管变流器主电路要求角发电路的触发脉冲应具有一定的宽度，且前沿尽可能陡。
11. 电流型逆变器中间直流环节以电感贮能。
12. 电流源型逆变器的输出电流波形为矩形波。
13. 在PWM 斩波器中，电压比较器两个输入端信号分别是三角波信号和直流信号。
14. 在升压斩波电路中，已知电源电压U d =16V,导通比31 Kv ,则负载电压U 0=24V 。
15. 功率晶体管的驱动电路，一般有恒流驱动电路和比例驱动电种型。
二、 单项选择题（10分）在每小题烈出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。
16.已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ ① ）①减小至维持电流I H 以下 ②减小至擎住电流I L 以下③减小至门极触发电流I G 以下 ④减小至5A 以下17.功率晶体管的安全工作区由以下四条曲线限定:集电极-发射级允许最高击穿电压线,集电极最大允许直流功率线,集电极最大允许电流线和( ④ )①基极最大允许直流功率线 ②基极最大允许电压线③临界饱和线 ④二次击穿触发功率线18.对于同一晶闸管,维持电流I H 与擎住电流I L 的关系是( ② )①I H ≈(2~4)I L ②I L ≈(2~4) I H ③I H =I L ④I H ≥I L19.可关断晶闸管，（GTO ）的电流关断增益βaff 的定义式为（ ① ） ① min G A I I - ②AG I I min - ③A G I I -m i n ④min G A I I - 20. 单相半波可控整流电路中，晶闸管可能承受的反向峰值电压为（ ② ）①U 2 ②22U ③222U ④26U21. 单相半控桥式整流电阻性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是（ ④ ）①90° ②120° ③ 150° ④180°22. 单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是（ ④ ）①增加晶闸管的导电能力 ②抑制温漂③增加输出电压稳定性 ④防止失控现象的产生23. 电阻性负载二相半波可控整流电路，控制角a 的范围是（ ④ ）①30°~150° ②0°~120° ③15°~125° ④0°~150°24. 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，处于关断状态的晶闸管承受的的反向电压的期间角为（ ④ ）①120° ②120°—β ③180°—β ④β25. 在三相全控式变流电路直流电动机托动系统中，当a> 时，网侧功率因数为（ ① ）①0cos <ϕ ②0cos >ϕ ③0cos =ϕ ④ϕcos 正负不定26. 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，输出电压平均值U d 的表达式是（ ① ） ①U d =- 2.34U 2cos β ②U d =1.17U 2cos β③U d = 2.34U 2cos β ④U d =-0.9U 2cos β27.可在第二象限工作交流电路是（ ③ ）①单相全控桥 ②单相半控桥③单相反并联(双重)全控桥④三相半波可控变流电路28. 在高压直流输电系统中,变流器1和变流器2中间的直流环节起着功率传输作用,控制率流向的方法是( ④)①调节变流1侧变压器②调节变流器2侧变压器③同时调节两侧变压器④调节变流器1和变流器2的U d1、U d2的极性和大小29. 若减小SPWM逆变器输出电压基波幅值，可采用的控制方法是（③）①减小三角波频率②减小三角波幅度③减小输入正弦控制电压幅值④减小输入正弦控制电压频率30. SPWM逆变器有两种调制方式：双极性和（①）①单极性②多极性③三极性④四极性31. 以下各种过流保护方法，动作速度排在第二位的是（③）①快速熔断器过流保护②过流继电器保护③快速开关过流保护④反馈控制过流保护32. 三相桥式全控变流电路的同步相控触发电路，分为垂直控制和（②）①时间比控制②横向控制③定频调宽④瞬时值控制33. 对于移相控制电路，为了限制最小移相控制角和设置移相范围，可在输入控制信号的输入控制信号的输入端再叠加一个（②）①交流电压②偏移电压③同步信号④触发信号34. KC04型集成触发电路的引脚1和15输出的触发脉冲是两个相位互差180°（②）①负脉冲②正脉冲③双脉冲④尖峰脉冲35. 电流源型逆变器，在每一个周期的0~600期间，晶闸管T6，T1导通，输出电流为i a=+I d ,i b=-I-d, i c=0,则在2400~3000期间（③）①i a=-I d , i b=I d, i c=0, ②i a=I d , i b=0, i c=- I d,③i a=-I d , i b=0, i c=+I d, ④i a= 0 i b=-L d , i c=+I d,36.定宽调频控制方式中，导通比K t的改变会导致改变斩波器的（①）①输出电压频率②输出电压最大值③电源电压④输出电流幅值37. 降压斩波电路中，已知电源电压U d=16V,负载电压U0=12V,斩波周期T=4ms，则开通时间T ab=（③）①1ms ②2ms ③3ms ④4ms38. 恒流驱动电路中，加速电容C 的作用是（ ① ）①加快功率晶体管开通 ②延缓功率晶体管关断③加深功率晶体管的饱和深度 ④保护器件39. 恒流驱动电路中截上反偏驱动电路的主要作用是（ ① ）①加速功率管关断 ②加速功率晶体管开通③过电流保护 ④减小延迟时间40. 为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（ ② ） ① dt du 抑制电路 ②抗饱和电路 ③dtdi 抑制电路 ④吸收电路15．功率晶体管GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（ ② ）①一次击穿 ②二次击穿 ③临界饱和 ④反向截止16．逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( ① )①大功率三极管 ②逆阻型晶闸管 ③双向晶闸管 ④可关断晶闸管17．在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是（ ①）①干扰信号 ②触发电压信号 ③触发电流信号 ④干扰信号和触发信号18．当晶闸管随反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（② ）①导通状态 ②关断状态 ③饱和状态 ④不定19．单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（ ④）①90° ②120° ③150° ④180°20．单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为（ ② ） ①2U 22 ②2U 2 ③2U 22 ④2U 6 21．单相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为（ ③） ①2U 2 ②2U 22 ③2U 22 ④2U 6 22．单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（① ）①0°~90° ②0°~180° ③90°~180° ④180°~360°23．单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ＝（ ③）① π-α ②π+α ③π-δ-α ④π+δ-α24.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角与哪几个参数有关（① ）① α、负载电流I d 以及变压器漏抗X c ②α以及负载电流I d③α和U 2 ④α、U 2以及变压器漏抗X c25．三相半波可控整流电路的自然换相点是（② ）① 交流相电压的过零点② 本相相电压与相邻电压正半周的交点处② 比三相不控整流电路的自然换相点超前30°③ 比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°26．可在第一和第四象限工作的变流电路是（① ）① 三相半波可控变流电路②单相半控桥③接有续流二极管的三相半控桥④ 接有续流二极管的单相半波可控变流电路27．快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是（ ④）① 功率晶体管 ②IGBT ③功率MOSFET ④晶闸管28．若增大SPWM 逆变器的输出电压基波频率，可采用控制方法是（ ③）① 增大三角波幅度 ②增大三角波频率③增大正弦调制波频率 ④增大正弦调制波幅度29．采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为（③ ）① 减小输出幅值 ②增大输出幅值③减小输出谐波 ④减小输出功率30．电流源型逆器中间直流环节贮能元件是（ ②）。
