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PCM,最大集电极电流ICM和极间反向击穿电压UCBO、UCEO、UEBO
第2章 三极管及其放大电路基础
放大电路：放大电路放大的本质是能量的控制与转换，是在输入信号的作用下， 通过放大电路将直流电源的能量转换成负载所获得的能量。放大的前提是不失 真，即只有在不失真的情况下放大才有意义。能够控制能量的元件称为有源器 件。
1.P型半导体的多子是 ，N型半导体的少子是 ，PN结具有 特性。
2.在P型半导体中，电子浓度
空穴浓度；在N型半导体中，电子浓度
空穴浓度。
3.在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于 ，少子的浓度受 的影响很大。
4.当PN 结正向偏置时，耗尽层将_ ，反向偏置时空间电荷区将
。
5.引起PN结击穿的机理一般认为有两种，即
则电流ID约 为( )。
A、11mA
B、20mA
C、10.1mA
D、20.1mA
6.如右图所示电路中，已知电源电压 E=4V 时,I=1mA。那么当电源电压 E=8V 时,
电流I的大小将是( )。
A、I =1mA B、I >1mA C、1mA <I <2mA D、I >2mA
7.二极管整流电路是利用（
3.在三极管的基本组态电路中( )
A、共集组态的电压增益最大
B、共集组态的电压增益最小
C、共发组态的电压增益最小
D、共基组态的电压增益最小
4.由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移，因 此会引起放大电路的输出信号产生失真。这种失真称为( )失真。
A、饱和
B、截止
C、频率
D、交越
1.晶体管三极管在作正常放大运用时，必须使 处于正向偏置， 处于反向偏
置。
2.NPN型晶体三极管处于放大状态时，三个电极中 极电位最高， 极电位最低。
3.在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削
平的现象，这种失真是 失真，失真的主要原因是 。
4.在三极管的三种基本组态放大电路中， 组态电压增益趋于1， 组态输出
类型：NPN，PNP 电流放大倍数：晶体管输出电流与输入电流的比值称为电流放大倍数。 输入特性曲线：温度升高时，输入特性曲线将左移，Vbe随温度上升而下降，
换一角度说，若Vbe不变，则温度升高时，iB将增大。 输出特性曲线：温度升高时,三极管的极间反向饱和电流增大，三极管β增大，
输出特性曲线上移。 放大区：发射结正向偏置，集电结反向偏置；对于NPN型VC>VB>VE,对于
A、正离子 B、负离子 C、空穴
D、自由电子
3. PN结外加正向电压时，扩散电流（
）漂移电流
A、大于 B 、小于 C、等于
D、不一定
4.PN结加正向电压时外加电场与内建电场的方向关系是( )
A、方向相同 B、方向相反 C、依外加电场强弱而定 D、无法确定
5.一个硅二极管在正向电压UD=0.6V时，正向电流ID=10mA。若 UD增大到 0.66V ，
8.场效应管按结构可分
、
料可分为
、
。
；从工作性能可分 、
；从基片材
9.结型场效应管利用栅源极间所加的 (反偏电压、反向电流、正偏电压)来改变 导电沟道的电阻；P沟道结型场效应管的夹断电压UGS为 (正值、负值、零) 。
10.耗尽型N沟道JFET的导电载流子是 栅源电压UGS 叫做
，一般把在漏源电压作用下开始导电的
电阻最大。
5.实验中用直流电流表测量三极管的静态电流，其中流进电极的电流为3.66mA，
流出电极的电流分别为 0.06mA和3.6mA。则该管是 型三极管，其β值为 。
6.我们希望放大电路输入电阻越 越好，输出电阻越 越好，
放大电路
具备有这种条件。
7.场效应管属于____控制型器件，它们的导电过程仅仅取决于____载流子的流动。
第2章 自测题（二）
1.三极管工作在饱和状态时，其偏置应为（ ） 。
A、发射结零偏，集电结反偏。
B、发射结正偏，集电结正偏。
C 、发射结正偏，集电结反偏。 D、发射结反偏，集电结反偏。
2.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管( )。
A、处于饱和状态
B、放大状态 C、截止状态 D、已损坏
PNP型VE>VB>VC. 截止区：发射结反向偏置或零偏(基极与发射极短接)，集电结反向偏置； 饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置。流过发射结的主要是扩散电
流，流过集电结的主要是漂移电流.且 iC <β iB 主要参数:放大倍数β,极间反向电流ICBO,穿透电流ICEO,最大集电极耗散功率
端电压几乎不变,等效为一个常量(对于硅管为0.7V,锗管为0.2V); 3)折线模型:二极管开启之后,通过二极管的电流与电压之间是线性关系.
主要用于精确计算时代替模型2; 4)微变模型:二极管正常导通后,在工作点附近可以等效为一个动态电阻. 简单应用电路分析:见模拟试题.
第1章 自测题（一）
直流通路：在直流电源作用下直流电流流经的通路。也就是静态电流的流经通 路，用来研究静态工作点。画法是电容视为开路、电感视为短路、信号源视为 短路但保留内阻。
交流通路：输入信号作用下交流信号流经的通路，用于研究动态参数。画法是 容量大的电容视为短路、直流电源视为短路（如有内阻要保留）
h参数等效模型，混合π型等效电路模型都是在小信号,放大状态才能应用。
模拟电子技术期末总复习
第1章 二极管及其基本电路
本征半导体:纯净的具有晶体结构的半导体 杂质半导体:通过扩散工艺,在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素.在杂质半
导休中,多数截流子的浓度与掺杂工艺有关,少数截流子的浓度与温度有关. N型:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷,施主杂质);N型半导体的多子是
第1章 二极管及其基本电路
伏安特性:二极管两端电压与通过二极管电流之间的关系曲线称为伏 安特性曲线.二极管的伏安关系可近似表述为公式 iD IS(evD /VT 1)
主要参数:最大整流电流IF,最高反向工作电压UR,反向电流IR,最高工作 频率fM.
等效电路 1)理想模型:正向导通时压降为零,反向截止时电流为零; 2)常量模型:当外加电压比二极管正向电压大得多时,可以认为二极管两
击穿和
击穿。
6.PN结之间存在着两种电容，分别叫作
电容和
电容。
7. 二极管的伏安关系可近似表述为公式 极管的管压降越高，二极管的电阻越
；由二极管的伏安特性可知，二 。
8.当环境温度升高时，二极管的死区电压将 将。
，二极管的反向饱和电流
9.利用二极管的 容效应可制成
特性可以制成稳压管。利用二极管在反向偏置时的电 。
练一练
二极管电路如下图（a）所示，设二极管为理想的。 （1）试求电路的传输特性（vo/vi特性），画出vo/vi波形； （2）假定输入电压如图（b）所示，试画出相应的vo波形。
解：（2）画出vo的波形。
第2章 三极管及其放大电路基础
结构:具有二个PN结（发射结、集电结）,三个区（基区、发射区、集电区）, 基区很薄、杂质浓度低，发射区掺杂浓度高，集电结面积大。
11．若三级放大电路中Au1 =Au2 =30dB，Au3 为 dB，折合为___________倍。
=20dB，则其总电压增益
12. 晶体管三极管在作正常放大运用时，必须使____________处于正向偏置， ___________处于反向偏置。
13.三极管工作在放大时，b-e极间为 偏置，b-c极间为 偏置。
三种基本放大电路比较
Rb
Cb 1
+
+
u i
-
+
+VCC Rc
Cb 2
T
+
RL
u o
-
共射
Rb C1
RS +
+
u i
uS
-
-
+VCC
T C2
+
Re
RL
u o
-
共集
Rb 1 C1
RS +
+
uS
u i Re -
Rb 2
-
共基
+VCC Rc
C2
+
RL
u o
-
电压增益： 输入电阻： 输出电阻：
( Rc // RL )
电子,少子是空穴;所以N型半导体是电子导电型半导体. P型:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼,受主杂质);P型半导体的多子是空
穴,少子是电子;所以P型半导体空穴导电型半导体. PN结:通过掺杂工艺将P型半导体与N型半导体制作在同一硅片上,它们在交
界面形成一层不能移动的空间电荷区,这个电荷区就称PN结. 在PN结形成过程中,载流子扩散运动是由于浓度差作用下产生的,漂移运动是
5.对于电压放大器来说，( )越小，电路的带负载能力越强。
A、输入电阻 B、输出电阻 C、电压增益
D、电流增益
6.在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是( )放大电路。
A、共射极
B、共集电极 C、共基极
D、共射-共基
第2章 自测题（三）
7.为了提高输入电阻，对于结型场效应管，栅源极之间的PN结【 】。 A、必须正偏 B、必须反偏 C、可以任意偏置 D、与漏源电压极性一致 8.某场效应管的转移特性如下图所示，则该管是【 】场效应管 。 A、增强型NMOS B、耗尽型NMOS C、增强型PMOS D、耗尽型PMOS
rbe
(1 ) ( Re // RL ) rbe (1 )( Re // RL )
Rb // rbe Rb // rbe (1 )( Re // RL )