辉芒微FMD电源管理芯片方案

FM33G0xx低功耗MCU芯片技术手册2019.06本资料是为了让用户根据用途选择合适的上海复旦微电子集团股份有限公司（以下简称复旦微电子）的产品而提供的参考资料，不转让属于复旦微电子或者第三者所有的知识产权以及其他权利的许可。

在使用本资料所记载的信息最终做出有关信息和产品是否适用的判断前，请您务必将所有信息作为一个整体系统来进行评价。

采购方对于选择与使用本文描述的复旦微电子的产品和服务全权负责，复旦微电子不承担采购方选择与使用本文描述的产品和服务的责任。

除非以书面形式明确地认可，复旦微电子的产品不推荐、不授权、不担保用于包括军事、航空、航天、救生及生命维持系统在内的，由于失效或故障可能导致人身伤亡、严重的财产或环境损失的产品或系统中。

未经复旦微电子的许可，不得翻印或者复制全部或部分本资料的内容。

今后日常的产品更新会在适当的时候发布，恕不另行通知。

在购买本资料所记载的产品时，请预先向复旦微电子在当地的销售办事处确认最新信息，并请您通过各种方式关注复旦微电子公布的信息，包括复旦微电子的网站(/)。

如果您需要了解有关本资料所记载的信息或产品的详情，请与上海复旦微电子集团股份有限公司在当地的销售办事处联系。

商标上海复旦微电子集团股份有限公司的公司名称、徽标以及“复旦”徽标均为上海复旦微电子集团股份有限公司及其分公司在中国的商标或注册商标。

上海复旦微电子集团股份有限公司在中国发布，版权所有。

章节列表章节列表 (3)表目录 (14)图目录 (15)1产品综述 (17)1.1概述 (17)1.2产品型号列表 (19)1.3性能指标 (19)1.3.1极限参数 (19)1.3.2电参数 (19)1.4引脚和封装定义 (25)1.4.1LQFP80封装图 (25)1.4.2LQFP64封装图 (26)1.4.3LQFP48封装图 (27)1.4.4QFN32封装图 (28)1.4.5TSSOP16封装图 (29)1.4.6引脚功能定义 (30)1.4.7功能引脚分布 (35)1.4.8封装尺寸图 (37)1.5焊接安装说明 (45)1.6MSL等级 (46)2寄存器 (47)3电源管理 (57)3.1概述 (57)3.2功耗模式 (57)3.2.1功耗模式与外设功能 (58)3.2.2LP Run模式 (58)3.2.3SLEEP模式 (59)3.2.4DEEPSLEEP模式 (59)3.2.5RTCBKP模式 (59)3.2.6唤醒源 (60)3.2.7休眠唤醒后的时钟控制 (60)3.3寄存器 (61)3.3.1低功耗控制寄存器LPMCFG (61)3.3.2唤醒时间控制寄存器WKDLYCON (62)3.3.3引脚唤醒标志寄存器WKPFLAG (62)3.3.4PMU中断使能寄存器LPREIE (63)3.3.5PMU中断标志寄存器LPREIF (63)4CPU (65)4.1概述 (65)4.1.1处理器配置 (65)4.2编程模型 (65)4.2.1内核工作模式 (65)4.2.2内核寄存器 (66)4.2.3系统控制寄存器 (66)4.3异常和中断 (66)4.3.2中断优先级 (68)4.3.3错误处理 (68)4.3.4锁定（Lockup） (69)4.3.5VTOR (69)4.4调试特性 (69)4.4.1调试功能引脚 (70)4.4.2调试状态下的看门狗控制 (70)4.4.3DEBUG的复位 (70)4.5扩展寄存器 (70)4.5.1MCU DEBUG配置寄存器 (70)4.5.2HardFault标志寄存器 (71)5总线与存储 (73)5.1系统总线 (73)5.2存储空间分配 (73)5.3F LASH读取 (74)5.4F LASH编程 (74)5.4.1概述 (74)5.4.2Flash擦写方法 (75)5.5F LASH的内容保护 (77)5.5.1Debug接口保护（DBRDP） (77)5.5.2应用代码保护（ACLOCK） (77)5.5.3Flash访问权限说明 (77)5.6NVR5说明 (78)5.7寄存器 (78)Flash读取控制寄存器 (78)用户配置寄存器 (78)代码锁定寄存器1 (78)Flash擦写控制寄存器 (79)Flash Key输入寄存器 (79)Flash中断使能寄存器 (79)Flash中断标志寄存器 (79)5.7.1Flash读取控制寄存器FLSRDCON (79)5.7.2用户配置字寄存器OPTBR (79)5.7.3ACLOCK寄存器1ACLOCK1 (80)5.7.4Flash擦写控制寄存器EPCON (80)5.7.5Flash Key输入寄存器FLSKEY (81)5.7.6Flash中断使能寄存器FLSIE (81)5.7.7Flash中断标志寄存器FLSIF (82)6复位 (84)6.1概述 (84)6.2模块框图 (84)6.3上下电复位（BOR+PDR） (85)6.4独立看门狗（IWDT） (86)6.4.1概述 (86)6.4.2IWDT操作 (86)6.5窗口看门狗（WWDT）复位 (86)6.5.1功能描述 (86)6.5.2WWDT工作方式 (87)6.6软件复位 (88)6.7引脚复位（NRST） (88)6.8其他复位源 (89)6.9.1PDR配置寄存器PDRCON (89)6.9.2BOR配置寄存器BORCON (90)6.9.3复位配置寄存器RSTCFG (90)6.9.4软件复位寄存器SOFTRST (91)6.9.5复位标志寄存器RSTFLAG (91)6.9.6IWDT清除寄存器IWDTSERV (92)6.9.7IWDT配置寄存器IWDTCFG (93)6.9.8IWDT计数值寄存器IWDTCNT (93)6.9.9WWDT控制寄存器WWDTCON (94)6.9.10WWDT配置寄存器WWDTCFG (94)6.9.11WWDT计数寄存器WWDTCNT (95)6.9.12WWDT中断使能寄存器WWDTIE (95)6.9.13WWDT中断标志寄存器WWDTIF (96)6.9.14WWDT预分频寄存器WWDTDIV (96)7时钟与振荡器 (97)7.1概述 (97)7.2时钟树 (98)7.3高频RC振荡器(RCHF) (99)7.4低功耗RC振荡器(RCLP) (99)7.5低频RC振荡器(RCLF) (99)7.6低频晶体振荡电路(XTLF) (100)7.6.1概述 (100)7.6.2工作方式 (100)7.6.3停振检测 (100)7.7锁相环(PLL) (100)7.8寄存器 (102)7.8.1停振检测中断使能寄存器FDETIE (102)7.8.2停振检测中断标志寄存器FDETIF (103)7.8.3系统时钟配置寄存器SYSCLKSEL (103)7.8.4RCHF时钟控制寄存器RCHFCON (104)7.8.5RCHF调校寄存器RCHFTRIM (105)7.8.6PLL时钟控制寄存器PLLCON (105)7.8.7RCLP时钟控制寄存器RCLPCON (106)7.8.8RCLP调校寄存器RCLPTRIM (107)7.8.9XTLF振荡强度配置寄存器XTLFIPW (107)7.8.10外设时钟控制寄存器1PERCLKCON1 (108)7.8.11外设时钟控制寄存器2PERCLKCON2 (109)7.8.12外设时钟控制寄存器3PERCLKCON3 (110)7.8.13外设时钟控制寄存器4PERCLKCON4 (111)7.8.14AHB Master控制寄存器MPRIL (112)7.8.15RCLF时钟控制寄存器RCLFCON (113)7.8.16RCLF调校寄存器RCLFTRIM (113)8电源电压监测（SVD） (115)8.1概述 (115)8.2工作原理 (115)8.3应用说明 (116)8.4寄存器 (118)8.4.1SVD配置寄存器SVDCFG (118)8.4.2SVD控制寄存器SVDCON (119)8.4.3SVD状态和标志寄存器SVDSIF (119)8.4.4SVD参考电压选择寄存器SVDVOL (120)9AES硬件运算单元 (122)9.1功能描述 (122)9.2工作模式 (122)9.3AES数据流处理模式 (123)9.3.1ECB模式 (123)9.3.2CBC模式 (124)9.3.3暂停模式 (126)9.3.4CTR模式 (127)9.3.5CTR模式下的暂停模式 (128)9.3.6GCM模式 (128)9.3.7MultH模块 (131)9.3.8推荐的GCM流程 (133)9.4数据类型 (133)9.5工作流程 (135)9.5.1模式1：加密 (135)9.5.2模式2：密钥扩展 (135)9.5.3模式3：解密 (136)9.5.4模式4：密钥扩展+解密 (137)9.5.5使用MultH模块 (137)9.6DMA接口 (138)9.6.1MultH模块与DMA间接口 (139)9.7错误标志 (139)9.8寄存器 (140)9.8.1AES控制寄存器AESCR (140)9.8.2AES中断标志寄存器AESIF (141)9.8.3AES数据输入寄存器AESDIN (142)9.8.4AES数据输出寄存器AESDOUT (143)9.8.5AES秘钥寄存器AESKEYx (143)9.8.6AES初始向量寄存器AESIVRx (144)10随机数发生器（TRNG） (145)10.1概述 (145)10.2设计方案 (145)10.2.1随机数产生 (145)10.2.2CRC运算 (146)10.3寄存器 (147)10.3.1TRNG控制寄存器TRNGCON (147)10.3.2随机数/CRC结果输出寄存器RNGOUT (147)10.3.3RNG中断标志寄存器RNGIF (148)10.3.4CRC控制寄存器CRCCON (148)10.3.5CRC输入数据寄存器CRCIN (149)10.3.6CRC完成标志寄存器CRCFLAG (149)11模拟比较器（COMPARATOR） (151)11.1概述 (151)11.2结构框图 (151)11.3输出连接 (151)11.4寄存器 (152)11.4.1COMP1控制寄存器COMP1CR (152)11.4.2COMP2控制寄存器COMP2CR (152)11.4.3COMP中断配置寄存器COMPICR (153)11.4.4COMP中断标志寄存器COMPIF (154)12I2C (155)12.1概述 (155)12.2接口时序 (155)12.2.1接口时序图 (155)12.2.2接口时序描述 (156)12.3I2C工作流程 (157)12.3.1数据发送流程 (157)12.3.2数据接收流程 (158)12.3.3数据双向数据读写流程 (159)12.3.4DMA支持 (159)12.3.5复位I2C模块 (162)12.4I2C配置 (162)12.4.1IO配置 (162)12.4.2波特率配置 (162)12.5寄存器 (162)12.5.1I2C控制寄存器I2CCTRL (163)12.5.2I2C状态寄存器I2CSTA (164)12.5.3波特率设置寄存器I2CBRG (165)12.5.4收发缓冲寄存器I2CBUF (165)12.5.5中断寄存器I2CIR (166)12.5.6错误标志寄存器I2CERR (166)13UART (168)13.1概述 (168)13.2接口时序 (168)13.3工作流程 (169)13.3.1数据发送流程 (169)13.3.2数据接收流程 (170)13.4波特率发生 (170)13.4.1波特率发生 (170)13.4.2波特率自适应 (171)13.5红外调制 (171)13.6寄存器 (172)13.6.1中断允许寄存器UARTIE (173)13.6.2中断标志寄存器UARTIF (174)13.6.3红外调制配置寄存器IRCON (176)13.6.4接收状态控制寄存器RXSTAx (177)13.6.5发送状态控制寄存器TXSTAx (177)13.6.6接收缓存寄存器RXREGx (178)13.6.7发送缓存寄存器TXREGx (179)13.6.8波特率产生寄存器SPBRGx (179)13.6.9发送Buffer状态控制寄存器TXBUFSTAx (180)13.6.10接收Buffer状态控制寄存器RXBUFSTAx (180)13.6.11接收发送取反控制寄存器RTXCONx (181)14LPUART (181)14.1概述 (182)14.2结构框图 (182)14.3接口时序 (183)14.4软件应用指南 (183)14.4.1接收流程 (183)14.4.2发送流程 (183)14.4.3休眠模式下的数据接收唤醒 (183)14.4.5使用说明 (184)14.5寄存器 (185)14.5.1接收数据寄存器LPURXD (185)14.5.2发送数据寄存器LPUTXD (186)14.5.3状态标志寄存器LPUSTA (186)14.5.4控制寄存器LPUCON (187)14.5.5中断标志寄存器LPUIF (188)14.5.6波特率寄存器LPUBAUD (189)14.5.7发送接收使能寄存器LPUEN (189)14.5.8数据匹配寄存器COMPARE (190)14.5.9调制控制寄存器MCTL (190)15HSPI (192)15.1概述 (192)15.2应用场景 (192)15.2.1单主单从应用 (192)15.3工作流程 (193)15.3.1Master模式 (193)15.3.2Slave模式 (194)15.3.3TXONLY模式 (194)15.4接口时序 (194)15.5SPI配置 (195)15.5.1I/O配置 (195)15.5.2数据传输配置 (196)15.5.3数据冲突 (196)15.6寄存器 (196)15.6.1HSPI控制寄存器1HSPICR1 (197)15.6.2HSPI控制寄存器2HSPICR2 (198)15.6.3HSPI控制寄存器3HSPICR3 (199)15.6.4HSPI中断控制寄存器HSPIIE (199)15.6.5HSPI中断标志寄存器HSPIIF (200)15.6.6HSPI发送缓存寄存器HSPITXBUF (201)15.6.7HSPI接收缓存寄存器HSPIRXBUF (201)16SPI1/2 (202)16.1概述 (202)16.2结构框图 (202)16.3应用场景 (203)16.3.1单主单从应用 (203)16.4工作流程 (204)16.4.1Master模式 (204)16.4.2Slave模式 (204)16.4.3TXONLY模式 (205)16.5接口时序 (205)16.5.1CPHA=0 (205)16.5.2CPHA=1 (206)16.5.3从器件SSN (206)16.6SPI配置 (207)16.6.1I/O配置 (207)16.6.2数据传输配置 (208)16.6.3数据冲突 (208)16.7寄存器 (208)16.7.1SPI控制寄存器1SPIxCR1 (209)16.7.3SPI控制寄存器3SPIxCR3 (211)16.7.4SPI中断控制寄存器SPIxIE (211)16.7.5SPI中断标志寄存器SPIxIF (212)16.7.6SPI发送缓存寄存器SPIxTXBUF (213)16.7.7SPI接收缓存寄存器SPIxRXBUF (213)17智能卡接口（U7816） (214)17.1概述 (214)17.2接口时序 (214)17.3通信流程 (215)17.3.1数据接收 (215)17.3.2数据发送 (215)17.4寄存器 (216)17.4.17816通道控制寄存器U7816CTRLx (217)17.4.2U7816帧格式控制寄存器U7816FRCx (218)17.4.3U7816EGT配置寄存器U7816EGTx (219)17.4.4U7816工作时钟分频寄存器U7816CLKDIVx (219)17.4.5U7816预分频控制寄存器U7816PDIVx (220)17.4.6U7816接收缓冲寄存器U7816RXBUFx (220)17.4.7U7816发送缓冲寄存器U7816TXBUFx (221)17.4.8U7816中断使能寄存器U7816IEx (221)17.4.9U7816中断标志寄存器U7816IFx (222)17.4.10U7816错误标志寄存器U7816ERRx (223)17.4.11U7816状态标志寄存器U7816STAx (223)18DMA (225)18.1概述 (225)18.2工作原理 (225)18.3工作流程 (226)18.4访问带宽 (226)18.5通道控制 (227)18.5.1通道控制器 (227)18.5.2通道优先级 (227)18.6寄存器 (228)18.6.1DMA全局控制寄存器GLOBALCTRL (228)18.6.2通道0控制寄存器CH0CTRL (229)18.6.3通道0RAM指针寄存器CH0RAMAD (230)18.6.4通道1控制寄存器CH1CTRL (230)18.6.5通道1RAM指针寄存器CH1RAMAD (231)18.6.6通道2控制寄存器CH2CTRL (232)18.6.7通道2RAM指针寄存器CH2RAMAD (233)18.6.8通道3控制寄存器CH3CTRL (233)18.6.9通道3RAM指针寄存器CH3RAMAD (234)18.6.10通道4控制寄存器CH4CTRL (235)18.6.11通道4RAM指针寄存器CH4RAMAD (236)18.6.12通道5控制寄存器CH5CTRL (236)18.6.13通道5RAM指针寄存器CH5RAMAD (237)18.6.14通道6控制寄存器CH6CTRL (238)18.6.15通道6RAM指针寄存器CH6RAMAD (239)18.6.16通道7控制寄存器CH7CTRL (239)18.6.17通道7Flash指针寄存器CH7FLSAD (240)18.6.18通道7RAM指针寄存器CH7RAMAD (241)18.6.19DMA状态标志寄存器CHSTATUS (241)19CRC (243)19.1概述 (243)19.2CRC算法说明 (243)19.3软件配置过程 (243)19.4DMA接口 (243)19.5F LASH数据完整性校验 (244)19.6寄存器 (244)19.6.1CRC数据寄存器CRCDR (244)19.6.2CRC控制状态寄存器CRCCR (245)19.6.3CRC LFSR寄存器CRCLFSR (246)19.6.4CRC输出异或寄存器CRCXOR (246)19.6.5CRC Flash校验控制寄存器CRCFLSEN (247)19.6.6CRC Flash校验起始地址CRCFLSAD (247)19.6.7CRC Flash校验数据长度CRCFLSSIZE (248)20基本定时器（BT） (249)20.1概述 (249)20.2结构框图 (249)20.3工作模式 (250)20.3.1计数和定时 (250)20.3.2输入捕捉 (252)20.3.38bit PWM (254)20.3.4脉冲输出 (255)20.3.5Toggle输出 (256)20.3.6其他功能说明 (256)20.4寄存器 (257)20.4.1BT1/BT2控制寄存器1BT1CR1/BT2CR1 (258)20.4.2BT1/BT2控制寄存器2BT1CR2/BT2CR2 (259)20.4.3BT1/BT2配置寄存器1BT1CFG1/BT2CFG1 (260)20.4.4BT1/BT2配置寄存器2BT1CFG2/BT2CFG2 (261)20.4.5BT1/BT2预分频寄存器BT1PRES/BT2PRES (262)20.4.6BT1/BT2加载控制寄存器BT1LOADCR/BT2LOADCR (262)20.4.7BT1/BT2低位计数器寄存器BT1CNTL/BT2CNTL (263)20.4.8BT1/BT2高位计数器寄存器BT1CNTH/BT2CNTH (264)20.4.9BT1/BT2预置数寄存器BT1PRESET/BT2PRESET (264)20.4.10BT1/BT2加载寄存器低位BT1LOADL/BT2LOADL (265)20.4.11BT1/BT2加载寄存器高位BT1LOADH/BT2LOADH (265)20.4.12BT1/BT2比较寄存器低位BT1CMPL/BT2CMPL (266)20.4.13BT1/BT2比较寄存器高位BT1CMPH/BT2CMPH (266)20.4.14BT1/BT2输出脉冲宽度寄存器BT1OUTCNT/BT2OUTCNT (267)20.4.15BT1/BT2输出控制寄存器BT1OCR/BT2OCR (267)20.4.16BT1/BT2中断使能寄存器BT1IE/BT2IE (268)20.4.17BT1/BT2中断标志寄存器BT1IF/BT2IF (269)21扩展定时器（ET） (271)21.1概述 (271)21.2结构框图 (271)21.3输入信号 (272)21.4外部引脚输入数字滤波 (272)21.5功能说明 (273)21.5.1计数和定时 (273)21.5.2输入捕捉 (273)21.5.3PWM (274)21.6寄存器 (274)22低功耗定时器（LPTIMER） (283)22.1概述 (283)22.2结构框图 (283)22.3工作模式 (283)22.3.1普通定时器 (283)22.3.2Trigger脉冲触发计数 (284)22.3.3外部异步脉冲计数 (284)22.3.4Timeout模式 (284)22.3.5计数模式 (284)22.3.6外部触发的超时唤醒 (284)22.3.716bit PWM (284)22.4软件工作流程 (284)22.5寄存器 (285)22.5.1配置寄存器LPTCFG (285)22.5.2计数值寄存器LPTCNT (286)22.5.3比较值寄存器LPTCMP (287)22.5.4目标值寄存器LPTTARGET (287)22.5.5中断使能寄存器LPTIE (288)22.5.6中断标志寄存器LPTIF (288)22.5.7控制寄存器LPTCTRL (289)23实时时钟（RTC） (290)23.1概述 (290)23.2实时时钟工作原理 (290)23.2.1低功耗时基计数器 (290)23.2.2RTC数字调校 (290)23.2.3BCD时间 (291)23.2.4RTC使能与停止 (292)23.2.5RTC时间设置 (292)23.2.6RTC时间读取 (293)23.2.7RTC时间戳 (293)23.3自动温度补偿 (294)23.4寄存器 (295)23.4.1RTC写使能寄存器RTCWE (296)23.4.2RTC中断使能寄存器RTCIE (296)23.4.3RTC中断标志寄存器RTCIF (298)23.4.4BCD时间秒寄存器BCDSEC (299)23.4.5BCD时间分钟寄存器BCDMIN (300)23.4.6BCD时间小时寄存器BCDHOUR (300)23.4.7BCD时间天寄存器BCDDATE (301)23.4.8BCD时间星期寄存器BCDWEEK (301)23.4.9BCD时间月寄存器BCDMONTH (302)23.4.10BCD时间年寄存器BCDYEAR (302)23.4.11闹钟设置寄存器ALARM (303)23.4.12时钟信号输出控制寄存器FSEL (303)23.4.13LTBC数值调整寄存器ADJUST (304)23.4.14LTBC数值调整方向寄存器ADSIGN (305)23.4.15LTBC虚拟调校使能寄存器PR1SEN (305)23.4.16毫秒计数寄存器MSECCNT (306)23.4.17RTC时间戳使能寄存器STAMPEN (306)23.4.18RTC上升沿时间戳0CLKSTAMP0R (307)23.4.19RTC上升沿日历戳0CALSTAMP0R (307)23.4.20RTC下降沿时间戳0CLKSTAMP0F (308)23.4.21RTC下降沿日历戳0CALSTAMP0F (308)23.4.22RTC上升沿时间戳1CLKSTAMP1R (309)23.4.23RTC上升沿日历戳1CALSTAMP1R (309)23.4.24RTC下降沿时间戳1CLKSTAMP1F (310)23.4.25RTC下降沿日历戳1CALSTAMP1F (310)23.4.26RTC自动温补控制寄存器AUTOCAL (311)23.4.27自动温补零点修正值寄存器ADOFFSET (312)23.4.28RTC调校步长选择寄存器CALSTEP (312)23.4.29RTC自动温补状态寄存器CALBUSY (313)23.4.30RTC补偿周期计数器ADJCNT (313)23.4.31RTC自动温度补偿调校值寄存器ACALADJ (314)23.4.32RTC备份寄存器RTCBKREG (314)24LCD显示 (315)24.1概述 (315)24.2工作原理 (316)24.2.1LCD Type A扫描波形 (316)24.2.2LCD Type B扫描波形 (317)24.2.3片内buffer驱动模式 (317)24.2.4显示闪烁功能 (318)24.3推荐工作流程 (318)24.4寄存器 (318)24.4.1显示控制寄存器DISPCTRL (319)24.4.2显示测试控制寄存器LCDTEST (320)24.4.3测试模式下引脚输出数据寄存器TDISPDATA (320)24.4.4显示频率控制寄存器DF (321)24.4.5显示点亮时间寄存器TON (322)24.4.6显示熄灭时间寄存器TOFF (322)24.4.7显示中断使能寄存器DISPIE (323)24.4.8显示中断标志寄存器DISPIF (323)24.4.9LCD显示设置寄存器LCDSET (324)24.4.10LCD驱动模式控制寄存器LCDDRV (325)24.4.11显示数据寄存器DISPDATAx (325)24.4.12LCD显示灰度设置寄存器LCDBIAS (331)24.4.13LCD COM使能控制寄存器COM_EN (332)24.4.14LCD SEG使能控制寄存器0SEG_EN0 (333)24.4.15LCD SEG使能控制寄存器1SEG_EN1 (333)25ADC与温度传感器 (335)25.1概述 (335)25.1.1ADC时钟 (335)25.2电压测量 (335)25.2.1测量电源电压 (335)25.2.2测量外部通道输入 (335)25.2.3参考电压和电压调校 (336)25.3温度传感器 (336)25.3.1温度调校 (336)25.3.2使用方式 (336)25.4ADC时序 (337)25.5ADC注意事项 (337)25.6寄存器 (338)25.6.1ADC输入通道选择寄存器ADCINSEL (338)25.6.2ADC控制寄存器ADCCTL (339)25.6.3ADC调校寄存器ADCTRIM (339)25.6.4ADC输出数据寄存器ADCDATA (340)25.6.5ADC中断标志寄存器ADCIF (340)26GPIO端口 (341)26.1概述 (341)26.2GPIO功能描述 (341)26.2.1GPIO功能配置 (341)26.2.2GPIO推挽输出 (342)26.2.3GPIO开漏输出 (342)26.2.4GPIO复用模式 (343)26.2.5GPIO浮空输入 (343)26.2.6GPIO上拉输入 (344)26.2.7GPIO模拟输入 (344)26.3引脚开漏 (345)26.4NRST引脚 (345)26.5特殊测试功能引脚 (345)26.6WKUP X引脚 (345)26.7GPIO输入数字滤波 (346)26.8外部引脚中断 (346)26.8.1应用指南 (348)26.9快速GPIO输出 (348)26.10RTCBKP模式下GPIO状态控制 (349)26.11寄存器 (349)26.11.1PortX输入使能寄存器PxINEN (351)26.11.2PortX上拉使能寄存器PxPUEN (351)26.11.3PortX开漏使能寄存器PxODEN (352)26.11.4PortX功能选择寄存器PxFCR (353)26.11.5PortX输出数据寄存器PxDO (355)26.11.6PortX输出数据置位寄存器PxDSET (356)26.11.7PortX输出数据复位寄存器PxDRESET (356)26.11.8PortX输入数据寄存器PxDIN (357)26.11.9GPIO EXTI Select0EXTI0_SEL (357)26.11.10GPIO EXTI Select1EXTI1_SEL (359)26.11.11GPIO EXTI Select2EXTI2_SEL (361)26.11.12GPIO外部中断标志0EXTI0IF (363)26.11.13GPIO外部中断标志1EXTI1IF (364)26.11.14GPIO外部中断标志2EXTI2IF (365)26.11.15FOUT配置寄存器FOUTSEL (366)26.11.16强驱动引脚配置寄存器HDSEL (367)26.11.17模拟功能选择寄存器ANASEL (367)26.11.18GPIO输入数字滤波寄存器IODF (368)26.11.19WKUP使能寄存器PINWKEN (370)26.11.20PF4功能选择寄存器PF4AFSEL (371)版本列表 (372)上海复旦微电子集团股份有限公司销售及服务网点 (373)表目录表1-1FM33G0XX型号列表 (19)表1-2FM33G0XX极限参数 (19)表1-3FM33G0XX电源参数 (19)表1-4FM33G0XX电流参数 (20)表1-5FM33G0XX复位参数 (21)表1-6FM33G0XX I/O参数 (22)表1-7FM33G0XX F LASH参数 (22)表1-8FM33G0XX内部RC振荡器参数 (22)表1-9FM33G0XX外部晶体振荡器参数 (23)表1-10引脚列表 (35)表12-1I2C接口时序要求 (157)表12-2常用时钟频率下波特率计算 (162)表13-1UART工作方式 (168)表13-2常用时钟频率下波特率计算 (171)图目录图1-1FM33G0X8LQFP80封装图 (25)图1-2FM33G0X6LQFP64封装图 (26)图1-3FM33G0X5LQFP48封装图 (27)图1-4FM33G0X3QFN32封装图 (28)图1-4FM33G0X2TSSOP16封装图 (29)图1-5LQFP80封装尺寸图 (38)图1-6LQFP64封装尺寸图 (39)图1-7LQFP48封装尺寸图 (41)图1-8QFN32封装尺寸图 (42)图1-8TSSOP16封装尺寸图 (43)图6-1芯片复位源框图 (85)图6-2上下电复位示意图 (85)图7-1芯片时钟树结构图 (98)图9-1ECB模式加密流程 (123)图9-2ECB模式解密流程 (124)图9-3CBC加密过程 (125)图9-4CBC解密过程 (126)图9-5暂停模式流程 (126)图9-6CTR加密流程 (127)图9-7CTR解密流程 (128)图9-832位计数器和随机数的存储方式 (128)图9-9GCM加密流程 (130)图9-10GCM解密流程 (131)图9-11MULT H模块框图 (132)图9-12根据数据类型存储数据的示意图 (134)图9-13模式1：加密流程 (135)图9-14模式2示意图 (136)图9-15模式3示意图 (137)图9-16模式4示意图 (137)图9-17MULT H模块使用流程示意图 (138)图9-18输入时DMA请求和数据传输示意图 (139)图9-19输出时DMA请求和数据传输示意图 (139)图12-1I2C总线时序 (155)图12-2数据有效时序 (155)图12-3起始（S TART）与停止(S TOP)命令定义 (156)图12-4输出应答(ACK) (156)图12-5主机向从机发送数据流图 (157)图12-6I2C软件发送数据流图 (158)图12-7典型的主机从从机读取数据流图 (158)图12-8I2C软件从从机读取数据流图 (159)图12-9典型的双向数据读写流图 (159)图12-10DMA发送数据流图 (160)图12-11DMA接收数据流图（7-BIT从机地址） (160)图12-12DMA接收数据流图（10-BIT从机地址） (161)图13-1UART接口时序 (168)图13-2UART异步发送工作模式 (169)图15-1SPI M ASTER/SPI S LAV E互连 (196)图16-1SPI结构框图 (202)图16-2SPI数据/时钟时序图（CPHA=0） (206)图16-3SPI数据/时钟时序图（CPHA=1） (206)图16-4SPI SSN时序图（CPHA=0） (207)图16-5SPI SSN时序图（CPHA=1） (207)图16-6SPI M ASTER/SPI S LAV E互连 (208)图18-1DMA寄存器配置 (226)图18-2DMA工作流程 (226)图24-1LCD驱动波形(1/4DUTY,1/3BIAS,TYPE A) (316)图24-2LCD驱动波形(1/4DUTY,1/3BIAS,TYPE B) (317)图24-3LCD片内电阻BUFFER型驱动电路 (318)1产品综述1.1概述FM33G0xx的主要特性如下：●宽电压范围：1.8~5.5V●工作温度范围：-40℃~+85℃●处理器内核⏹ARM Cortex-M0+⏹支持用户/特权模式⏹支持中断向量表重定向（VTOR）⏹最高40MHz主频⏹SWD调试接口●低功耗技术平台⏹典型运行功耗180uA/MHz⏹32KHz下LPRUN功耗：9uA（VDD=5V）⏹Sleep模式下带LCD显示：9.2uA（VDD=5V）⏹DeepSleep模式，RTC走时+24KB RAM保持+CPU内核保持：1.3uA（VDD=5V）⏹RTC Backup模式，RTC走时+512字节备份寄存器，0.9uA（VDD=5V）●存储器⏹128/256KB Flash空间⏹Flash擦写寿命：>100,000次⏹Flash数据保存时间：10年@85℃⏹用户代码保护⏹24KB RAM空间●最大支持73个GPIO，最多24个外部引脚中断，最多8个异步唤醒引脚●丰富的模拟外设⏹高可靠、可配置BOR电路（支持4级可编程下电复位阈值）⏹超低功耗PDR电路（支持4级可编程下电复位阈值）⏹可编程电源监测模块（SVD）⏹2x低功耗模拟比较器⏹11-bit低功耗∑-△ADC，最大支持9个外部通道⏹高精度温度传感器，精度优于+/-2℃●通信接口⏹UART*6⏹7816智能卡接口*2⏹SPI*3，主从模式⏹I2C*1，主机400K⏹7通道外设DMA⏹可编程CRC校验模块●定时资源⏹8-bit基本定时器*4⏹16-bit扩展定时器*4⏹24-bit Systick*1⏹16-bit低功耗定时器*1，可在休眠模式下工作⏹带窗口的CPU看门狗定时器*1⏹系统看门狗定时器*1⏹低功耗实时时钟日历（RTCC），带有数字调校功能，最高调校精度+/-0.06ppm●LCD显示控制电路⏹最大支持4COM×44SEG/6COM×42SEG/8COM×40SEG⏹1/3bias、1/4bias⏹支持片内电阻⏹支持休眠显示●安全算法⏹AES硬件运算单元，128/192/256-bit⏹AES支持ECB/CBC/CTR/GCM/GMAC模式⏹真随机数发生器●时钟发生电路⏹片上可配置高速RC振荡器，可配置频率输出8/16/24/36MHz。

FM3783(文件编号：S&CIC1593)低功耗原边反馈开关电源芯片概述FM3783是一款低功耗原边反馈（PSR）开关电源芯片，其内部集成了大功率BJT管，适用于隔离型的高效低功耗便携式设备充电器应用。

FM3783采用独特具有恒流恒压功能的原边反馈控制技术，以及独特的轻载调频技术降低轻载下芯片自身功耗实现高效应用。

FM3783具有输出线损补偿技术，在大电流下保证足够的输出功率。

另外FM3783还集成了过温保护，VCC欠压保护，输出过压保护，C极开路保护等技术。

FM3783采用紧凑的SOP-7封装，便于系统设计布线。

特点集成大功率BJT管高精度恒压恒流控制待机功耗小于75mw输出短路保护输出过压保护输入欠压保护过温保护原边反馈外围元器件少SOP-7封装应用手机等便携式设备的充电器和适配器LED驱动电源其他辅助电源FM3783A适用5V2.1A方案满足六级能效标准FM3783B适用5V2.4A方案满足六级能效标准引脚示意图及说明SOP-7FM3783(文件编号：S&CIC1593)低功耗原边反馈开关电源芯片典型应用电路图典型应用电路图1典型应用电路图2FM3783(文件编号：S&CIC1593)低功耗原边反馈开关电源芯片典型应用电路图3典型应用电路图4FM3783(文件编号：S&CIC1593)低功耗原边反馈开关电源芯片典型应用电路图5注：部分PCB Layout不是很规范的客户原理图建议使用图3、4、5。

极限参数(注1)注1：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。

注2：最大允许功耗为P DMAX=(T JMAX-T A)/θJA或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。

注3：人体模型(HBM)，100pF电容通过1.5KΩ电阻放电。

FM3783(文件编号：S&CIC1593)低功耗原边反馈开关电源芯片电气参数(注4,5,6)（无特别说明情况下，V CC=16V,T A=25℃）注4：电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。

触控MCU“芯”选择，辉芒微电子推出FT62F08X
辉芒微电子作为MCU领域迅速崛起的新势力，屡屡带给业界惊喜。

继超高性价比的Flash/EEPROM-base IO型MCU和ADC型MCU系列产品在消费类应用市场广受好评之后，近日正式推出其全新研发的Touch + LED MCU FT62F08X，正式吹响进军触摸控制面板小家电应用市场的号角。

涉足触摸按键MCU这个热门领域，辉芒微电子的FT62F08X不仅完美传承了FMD MCU闻名遐迩的高可靠性、低成本的属性，并针对行业同类产品应用痛点，精准定位、高度集成和优化创新性，力求带给客户在触摸控制和LED驱动协同应用上的良好新体验。

Feature List
·清晰、友好的图形化调试工具，帮助用户快速熟悉产品特性、配置应用场景。

·环环相扣的设置选项和半自动化的测试流程，帮助用户最快在5分钟之内完成多达15个按键方案的阈值测试和应用配置。

辉芒微电子凭借其在EEPROM，Nor flash等非易失性存储器的技术优势和长期积累的数模混合设计能力，加上其领先的工艺、器件和定制化嵌入式存储器等能力，已经在通用8位MCU领域逐步完善了产品线，形成了高低搭配，在IO, ADC, touch, LED和通讯接口等系列化产品上都有极具竞争力的代表产品。

辉芒微电子此次推出的高性能Touch + LED MCU必将受到相关产品应用领域的广泛关注，其市场表现值得期待。

辉芒微烧录协议
FMD Link 适用于辉芒微电子的全系列 8bit MCU 的在线仿真、在线/脱机烧录、触摸 IC的 TouchKey 调试及 32bit MCU 在线/脱机烧录。

是工程师朋友经常用到的一款工具。

目前FMD LINK已从当初的A版到USB B版已更新到TYPE C C版了。

各版本的上位机最低版本要求大家可以看上看的说明，值得注意的是最新版C版是TYPE C接口的工具，IDE版本不能低于V3.0.7 此时可使用如下强制方法升级：
1. 按下烧录按键，连接电脑
2. 5s 后红灯闪烁，松开按键
3. 打开 FMD IDE，读取到固件版本 0.0.1
4. 点击更新，待固件升级完成，右下角显示最新版本号。

芯片烧录时，如果周围环境存在干扰时，如电磁等，可能会影响FMD Link 正常通信。

为提升量产烧录可靠性，建议工程师朋友做如下两点设计：
1.烧录时钟数据线长度尽量控制在 50cm 以内
2.烧录时尽量靠近目标芯片的时钟和数据引脚各并联一个100pF 的电容对地，增加抗干扰能力。

WM8320：高集成度的电源管理解决方案
佚名
【期刊名称】《世界电子元器件》
【年(卷),期】2009(000)011
【摘要】@@ 欧胜微电子宣布推出一款高集成度的电源管理解决方案WM8320,它可为便携式多媒体设备提供最大化的处理器性能和更长的电池寿命.WM8320是欧胜WM83xx电源管理产品系列的最新成员,该器件旨在为基于ARM处理器的多种应用提供体积更小、效率更高和成本更低的解决方案,尤其适用于上网本、移动互联网设备、智能手机和数码相框等应用.
【总页数】1页(P30)
【正文语种】中文
【相关文献】
1.高集成度的电源管理解决方案 [J], 王颖
2.用于汽车电子的高集成度电源管理芯片 [J],
3.凌力尔特推出高集成度通用电源管理解决方案 [J],
4.凌力尔特推出一款高集成度的通用电源管理解决方案LTC3675 [J],
5.欧胜最新超低功耗电源管理解决方案—WM8320 [J], 卢玮
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

uwb芯片厂商UWB芯片厂商导言：Ultra-Wideband (UWB)技术是一种高速无线通信技术，用于传输数据或测量距离和位置。

它通过在非常宽的频率范围内发送短脉冲信号来实现高速数据传输和精准定位。

UWB技术在许多应用领域，如室内定位、物联网、智能家居和汽车领域等，具有广泛的潜力。

作为UWB技术的核心组件，UWB芯片的供应商发挥着至关重要的作用。

本文将介绍一些主要的UWB芯片厂商，包括他们的产品和技术优势。

1. Decawave (Qorvo)Decawave是一家领先的UWB技术公司，其产品包括DWM1000和DWM1001系列芯片。

DWM1000是一款高性能的UWB收发器，可用于室内定位和测距应用。

DWM1001是一种集成了UWB 收发器、微控制器和低功耗蓝牙（BLE）的系统级芯片，适用于室内定位和物联网应用。

Decawave的UWB芯片具有低功耗、高精度和良好的可靠性等特点。

2. NXP SemiconductorsNXP Semiconductors是一家知名的半导体解决方案供应商，也提供UWB芯片产品。

NXP的UWB芯片系列包括SR100T和SR150T。

SR100T是一款具有精确距离测量和位置定位功能的UWB传感器。

SR150T是一种多协议UWB SoC，集成了UWB和蓝牙技术，可用于智能家居和物联网应用。

NXP的UWB芯片具有高度集成、低功耗和可靠性等优势。

3. Samsung Electronics作为全球知名的电子产品制造商，三星电子也涉足UWB芯片领域。

三星的UWB芯片产品被广泛应用于其智能手机和智能设备中，包括Galaxy Note20 Ultra和Galaxy Z Fold2等产品。

三星的UWB 芯片实现了可靠的室内定位和跟踪功能，并为用户带来更多的智能体验。

4. Apple Inc.苹果公司是另一家知名的电子产品制造商，也积极探索和应用UWB 技术。

苹果在其最新款iPhone 11系列中引入了UWB芯片，名为U1芯片。

MMIC Selection GuideDC–65 GHz Broadband Amplifiers and ModulesLow-Noise AmplifiersPower Amplifiers Prescalers and Frequency DetectorsSwitchesAttenuatorsMicrosemi’s portfolio of MMIC products targets a broad range of applications including electronic warfare, radars, instrumentation (test and measurement), and microwave communications. The portfolio is comprised of broadband amplifiers (both power and low-noise), amplifier modules, prescalers, attenuators, and switches spanning DC to 65 GHz based on high-performance process technologies. Microsemi offers a large number of distributed amplifier products, including industry-leading MMICs. Microsemi’s prescalers combine higher frequency operation, the flexibility to divide by a large number of ratios, and very good residual phase noise.Broadband AmplifiersPrescalers and Frequency DetectorsSwitchesVoltage Variable AttenuatorsUXN40M7K/1 to /127 40 GHzProgrammable Integer DividerUA0L65VMDC–65 GHz Wideband Amplifier ModulePFD1K8 GHz Phase Frequency Detector with Dual 40 GHz PrescalersMMA040AADC–28 GHz Distributed LNAMMA053PP5DC–8 GHz Distributed Power AmplifierMMA044PP36 GHz–18 GHz Wideband LNAUA2V50HM2 GHz–50 GHz High-Gain Power Amplifier ModuleMMA043PP40.5 GHz–12 GHz Wideband LNA©2017 Microsemi Corporation. All rights reserved. Microsemi and the Microsemi logo are registered trademarks of Microsemi Corporation. All other trademarks and service marks are the property of their respective owners.Microsemi makes no warranty, representation, or guarantee regarding the information contained herein or the suitability of its products and services for any particular purpose, nor does Microsemi assume any liability whatsoever arising out of the application or use of any product or circuit. The products sold hereunder and any other products sold by Microsemi have been subject to limited testing and should not be used in conjunction with mission-critical equipment or applications. Any performance specifications are believed to be reliable but are not verified, and Buyer must conduct and complete all performance and other testing of the products, alone and together with, or installed in, any end-products. Buyer shall not rely on any data and performance specifications or parameters provided by Microsemi. It is the Buyer’s responsibility to independently determine suitability of any products and to test and verify the same. The information provided by Microsemi hereunder is provided “as is, where is” and with all faults, and the entire risk associated with such information is entirely with the Buyer. Microsemi does not grant, explicitly or implicitly, to any party any patent rights, licenses, or any other IP rights, whether with regard to such information itself or anything described by such information. Information provided in this document is proprietary to Microsemi, and Microsemi reserves the right to make any changes to the information in this document or to any products and services at any time without notice.Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC) offers a comprehensive portfolio of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets. Products include high-performance and radiation-hardened analog mixed-signal integrated circuits, FPGAs, SoCs and ASICs; power management products; timing and synchronization devices and precise time solutions, setting the world’s standard for time; voice processing devices; R F solutions; discrete components; enterprise storage and communication solutions, security technologies and scalable anti-tamper products; Ethernet solutions; Power-over-Ethernet ICs and midspans; as well as custom design capabilities and services. Microsemi is headquartered in Aliso Viejo, California and has approximately 4,800 employees globally. Learn more at .Microsemi Corporate Headquarters One Enterprise, Aliso Viejo, CA 92656 USA Within the USA: +1 (800) 713-4113 Outside the USA: +1 (949) 380-6100 Fax: +1 (949) 215-4996Email:***************************MMIC 05/17UA0L30VM UA0L65VMUA2V50HM UA0U50HM UA2V50LMNote: Contact sales for additional connector options and bias board information.。

AC-DC反激式副边反馈电源控制芯片设计研究AC/DC反激式副边反馈电源控制芯片设计研究摘要：本研究旨在设计一种AC/DC反激式副边反馈电源控制芯片，以实现高效能、高可靠性和低成本的电源系统。

首先，对AC/DC反激式电源的工作原理进行分析，确定了反激式电源在高性能电源系统中的重要性。

随后，详细研究了副边反馈技术的原理和应用，分析了其优点和不足之处。

在此基础上，提出了一种AC/DC反激式副边反馈电源控制芯片的设计方案。

通过实验模拟和仿真验证，证明了该设计方案的有效性和可行性。

最后，对研究结果进行总结，并展望了该领域未来的发展方向。

关键词：AC/DC反激式电源、副边反馈、电源控制芯片、高性能电源系统1. 引言电源系统是现代电子设备中不可或缺的一部分，并且在各个领域发挥着重要作用。

AC/DC反激式电源是一种常见的电源系统结构，其通过副边反馈技术能够实现高效率、高可靠性和低成本的能量转换和稳压控制。

因此，了解AC/DC反激式电源的工作原理和提高其控制效果具有重要的研究价值和实际应用意义。

2. AC/DC反激式电源的工作原理分析AC/DC反激式电源是一种将交流输入电压转换为直流输出电压的电源系统。

该电源系统主要由开关管、变压器、滤波电容和输出稳压电路等组成。

在开关管的控制下，通过变压器将输入电压进行变换，然后通过滤波电容进行滤波，最后通过输出稳压电路将直流输出电压稳定在设定值。

3. 副边反馈技术的原理和应用分析副边反馈技术是一种在AC/DC反激式电源控制中广泛应用的技术。

它通过实时监测输出电压并将其与参考电压进行比较，然后通过控制开关管的导通和截止，调整变压器的输入电压，从而实现对输出电压的稳定控制。

副边反馈技术具有响应速度快、控制精度高、成本低等优点，但也存在着输出电压抖动和过渡过程中的失稳问题。

4. AC/DC反激式副边反馈电源控制芯片的设计方案本研究设计了一种AC/DC反激式副边反馈电源控制芯片，以解决副边反馈技术中存在的问题。

用于照明的cv模式的电源芯片用于照明的CV模式的电源芯片随着科技的发展，照明产品的种类和需求也越来越多样化。

为了满足人们对照明产品的不同需求，电源芯片作为照明产品的核心部件之一，扮演着至关重要的角色。

CV模式的电源芯片是一种常见的电源管理芯片，其在照明领域中具有广泛的应用。

CV模式的电源芯片，全称为Constant Voltage模式的电源芯片，是一种能够提供稳定输出电压的电源管理芯片。

在照明产品中，CV 模式的电源芯片主要用于驱动LED灯珠，以保证其工作在稳定的电压下。

CV模式的电源芯片通过调整电流来保持输出电压的稳定性，从而确保LED灯珠的亮度和寿命。

CV模式的电源芯片具有以下几个特点。

首先，它具有高效率和稳定性。

通过采用先进的功率调整技术，CV模式的电源芯片能够提供高效率的电能转换，从而减少能源的浪费。

同时，CV模式的电源芯片还能够保持输出电压的稳定性，避免因电压波动而导致的LED灯珠亮度不稳定的问题。

CV模式的电源芯片具有多功能性。

它能够适应不同规格和功率的LED灯珠，通过调整输出电流来满足不同需求。

此外，CV模式的电源芯片还具有过载保护、短路保护和过温保护等功能，确保LED 灯珠在异常情况下能够安全可靠地工作。

CV模式的电源芯片还具有体积小、成本低的特点。

由于采用了先进的集成电路设计和制造工艺，CV模式的电源芯片在保持高性能的同时，体积相对较小，可以方便地嵌入到照明产品中。

此外，CV模式的电源芯片的成本也相对较低，能够满足大规模生产的需求。

CV模式的电源芯片在照明产品中有着广泛的应用。

无论是家庭照明还是商业照明，CV模式的电源芯片都扮演着重要的角色。

在家庭照明中，CV模式的电源芯片可以应用于各种类型的LED灯具，如台灯、吊灯和筒灯等，以提供高亮度、高效能的照明效果。

在商业照明中，CV模式的电源芯片可以应用于商场、办公楼和酒店等场所的照明系统，以满足不同环境和要求下的照明需求。

CV模式的电源芯片作为一种常见的电源管理芯片，为照明产品的稳定工作提供了重要支持。

FT5552© 2008 Fremont Micro Devices Inc. DS3301FA-page 1Chip Card & Security ICsFT5552256-Byte 逻辑加密存储卡芯片特点低电压、低功耗• FT5552: V CC = 2.5V 到 5.5V •FT5552A:V CC = 1.8V 到 5.5V兼容 FT4442256×8 bit 的EEPROM 数据存储区结构 256×1 bit 的保护存储区结构 字节寻址数据存储区的前32个地址不可逆字节写保护 数据存储区的后224个地址不可逆字节读保护数据存储区仅在输入正确的3字节可编程密码（PSC ）后才可擦写已被读保护的数据存储区只有在输入正确的3字节可编程密码（PSC ）后才可读 PSC 验证重试次数由错误计数器（EC ）限制 单字节擦写编程时间2.5ms 4,000 的ESD 保护 至少10万次的擦写周期至少10年的数据保存期1. 概述FT5552是辉芒微电子自行开发的2Kbit 的接触式IC 卡芯片。

采用特殊的CMOS 工艺制造实现的低功耗、低电压(1.8V to 5.5V)性能使其具有广泛的应用领域。

1.1 管脚描述图1 M3.2触点模式FT5552DS3301FA-page 2 © 2008 Fremont Micro Devices Inc.1.2 触点定义及功能描述触点 符号功能C1 VCC 工作电压 C2 RST 复位 C3 CLK 时钟 C5 GND 接地 C6 N.C. 无效C7I/O输入/输出(开漏)2. 功能描述原理框图FT5552 2.1 电路功能描述擦除/写入操作FT4432内部具有一个256字节的EEPROM主存储区和一个32位的PROM保护存储区。

主存储区按字节擦写。

擦除时，数据字节的8位都置为逻辑“1”，写入时，被操作的字节根据输入数据按位改写成逻辑“0”。