CaZrO3掺杂对耐高温陶瓷电容介电性能的影响

Ce/Y掺杂BaZrO_3陶瓷的巨大介电性能和湿敏性能Ce/Y掺杂的BaZrO3陶瓷是重要的固态氧化物燃料电池电解质材料,其介电性能及其对环境湿度的敏感性能直接影响电池的性能,为此,本论文的重点研究Ce和Y双掺杂BaZr03陶瓷的介电性能和湿敏性能,选择致密的
BaZr0.1Ce0.7Y0.2O3-δ和Ba2r0.4Ce0.4Y0.2O3-δ陶瓷作为研究对象,采用甘
氨酸硝酸盐燃烧方法制备得到样品,对其介电特性和湿敏特性进行了系统研究。

得到的结果如下:(1 BaZr0.1Ce0.7Y0.203-δ和BaZr0.4Ce0.4Y0.2O3-δ陶瓷在低于约600K的温度下表现出巨介电行为,巨介电行为由两个弛豫组成,其中低温和高温弛豫分别由氧空位(Vo-.)和羟基离子(OHo)与Y3+离子形成的偶极子对引起的;在高于600 K的温区,样品显示出两个介电常数超过106的介电常数峰。

低温介电常数峰是离子跳跃运动引起的伪弛豫铁电行为,高温介电常数峰是由负电容效应引起的。

(2)通过改变水蒸气含量研究了BaZr0.4Ce0.4Y0).2O3-δ(BZCY)的电容响应,在不同相对湿度(RH)下对样品进行了进行阻抗谱和DC偏压测量,探索了BZCY 的湿度敏感性质。

结果表明,水分子的吸附影响BZCY/电极界面和晶界处的势垒电容,进一步改变了BZCY的总电容。

此外,在高RH下观察到新的低频极化弛豫。

新的极化弛豫可能与物理吸附的水分子引起的极化现象和空间电荷极化有关。

《三价稀土离子施主掺杂-取代对CCTO陶瓷介电性能的影响及损耗机理研究》篇一三价稀土离子施主掺杂-取代对CCTO陶瓷介电性能的影响及损耗机理研究一、引言陶瓷介电材料，因其优良的电性能与热稳定性，在现代电子器件制造中扮演着重要的角色。

三价稀土离子因其特殊的电子结构和能级，常常被作为掺杂元素用于改进介电陶瓷的各项性能。

CCTO陶瓷作为新型陶瓷材料之一，在特定条件下，通过引入不同的掺杂离子进行改良是当前研究的热点。

本篇论文主要研究三价稀土离子施主掺杂/取代对CCTO陶瓷介电性能的影响及损耗机理。

二、三价稀土离子掺杂/取代的原理三价稀土离子在元素周期表中具有特殊的电子构型，使得它们在固体材料中可以形成特定的能级结构。

当这些离子被引入到CCTO陶瓷中时，它们会替代原有的部分元素或占据特定的空位，从而改变材料的电子结构和晶格结构。

通过控制掺杂的浓度和种类，可以有效地调整CCTO陶瓷的介电性能。

三、三价稀土离子掺杂对CCTO陶瓷介电性能的影响1. 介电常数的变化：三价稀土离子的引入可以有效地增加或减小CCTO陶瓷的介电常数，这一影响主要取决于离子的电子构型和浓度。

由于稀土离子独特的能级结构，其在一定程度上增加了介质的极化效应，进而影响材料的介电常数。

2. 频率依赖性：掺杂后的CCTO陶瓷在不同的频率下会显示出不同的介电响应。

频率增加会改变电荷的运动状态，从而影响介电性能。

3. 温度稳定性：三价稀土离子的引入可以改善CCTO陶瓷的温度稳定性，特别是在高温环境下，其介电性能的稳定性得到显著提升。

四、三价稀土离子掺杂的损耗机理研究在三价稀土离子掺杂的CCTO陶瓷中，损耗主要来源于电导损耗和极化损耗。

由于稀土离子的引入改变了材料的电子结构和能级结构，导致电子在运动过程中可能更容易与晶格发生相互作用，从而产生电导损耗。

此外，由于稀土离子的存在增加了极化中心的数量和活跃度，也导致了一定的极化损耗。

这两者的综合作用会影响到陶瓷材料的损耗大小和频率依赖性。

掺杂对高纯氧化铝陶瓷介电损耗的影响
司文捷;刘人淼
【期刊名称】《稀有金属材料与工程》
【年(卷),期】2007(36)A01
【摘要】综述了不同杂质及掺杂对氧化铝陶瓷介电损耗影响的研究进展。

原料中的杂质会增加氧化铝陶瓷的介电损耗,但可以通过掺杂来提高氧化铝陶瓷的介电损耗。

MgO的加入在低频下会增加氧化铝陶瓷的介电损耗;但在微波频段,当MgO 的加入量大于Mg在氧化铝中的固溶极限时,通过优化烧结工艺,可以得到1×10-5量级的介电损耗。

加入适量的TiO2可以降低氧化铝在微波频段的损耗,但其作用机理还有待进一步研究。

【总页数】4页(P445-448)
【关键词】氧化铝陶瓷;介电损耗;杂质;掺杂
【作者】司文捷;刘人淼
【作者单位】清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室【正文语种】中文
【中图分类】TG146.4
【相关文献】
1.Ca2+掺杂对SrTiO3压敏陶瓷介电损耗的影响 [J], 宁吉;王宁章;高雅;李建业
2.BMN,BZN掺杂工业用BaTiO3基陶瓷的介电损耗 [J], 连芳;牛雅芳;徐利华;李文超
3.Nb2O5掺杂对SrTiO3陶瓷显微结构和微波介电损耗的影响 [J], 韩蕊;李蔚;汪霖;严嵩
4.低介电损耗高耐压强度BST介电陶瓷的研究 [J], 董桂霞;王磊;刘伟;杜军;毛昌辉;崔建东
5.低介电损耗微晶氧化铝陶瓷研究 [J], 张巨先
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《三价稀土离子施主掺杂-取代对CCTO陶瓷介电性能的影响及损耗机理研究》篇一三价稀土离子施主掺杂-取代对CCTO陶瓷介电性能的影响及损耗机理研究一、引言近年来，钙钛矿型氧化物（CCTO）陶瓷因其独特的介电性能在电子材料领域引起了广泛的关注。

其优异的介电性能和稳定性使得它成为各种电子器件的理想候选材料。

三价稀土离子施主掺杂/取代是改善陶瓷材料性能的有效方法之一。

本研究主要探讨了三价稀土离子施主掺杂/取代对CCTO陶瓷介电性能的影响，并对其损耗机理进行了深入研究。

二、三价稀土离子施主掺杂/取代对CCTO陶瓷介电性能的影响2.1 实验材料与制备本实验采用不同浓度的三价稀土离子（如La3+、Pr3+等）对CCTO陶瓷进行施主掺杂/取代。

首先，将原料按一定比例混合，经过球磨、干燥、造粒等过程制备成陶瓷粉体。

然后，将粉体进行成型、烧结等工艺，得到掺杂/取代后的CCTO陶瓷样品。

2.2 介电性能分析通过测量不同温度和频率下的介电常数和介电损耗，分析三价稀土离子施主掺杂/取代对CCTO陶瓷介电性能的影响。

实验结果表明，适量掺杂三价稀土离子能够显著提高CCTO陶瓷的介电常数，并降低介电损耗。

2.3 影响因素分析分析表明，三价稀土离子的掺杂/取代浓度、烧结温度等因素对CCTO陶瓷的介电性能具有重要影响。

在适当的掺杂浓度和烧结温度下，可以获得优异的介电性能。

此外，不同种类的三价稀土离子对CCTO陶瓷的介电性能也有所差异。

三、损耗机理研究3.1 内部极化机制CCTO陶瓷的介电损耗主要来源于内部极化机制。

三价稀土离子的掺杂/取代会改变陶瓷内部的极化程度和极化方式，从而影响介电损耗。

通过分析极化机制，可以进一步揭示三价稀土离子对CCTO陶瓷介电损耗的影响。

3.2 晶界效应与缺陷态晶界效应和缺陷态也是影响CCTO陶瓷介电损耗的重要因素。

三价稀土离子的掺杂/取代可能改变晶界的性质和缺陷态的分布，进而影响介电损耗。

通过研究晶界效应和缺陷态的变化，可以更深入地了解三价稀土离子对CCTO陶瓷介电损耗的影响机理。

镓掺杂对错配层Ca3Co4−xGaxO9+δ高温热电材料热电性能的提高高密度的Ca3Co4−xGaxO9错配层氧化物热电材料通过固态合成法合成，通过热压方法成型。

样品的热电性能从室温测量到1200K。

结论表明部分的Ga替代导致了电导率和热功率的同时增加。

在高温范围内（大于600K）Ga掺杂比不掺杂的热导率低。

在1073K，X=0.05的样品表现出了较高的品质因数（Z=3.77×10-4K-1），不掺杂的样品为（Z=1.98×10-4K-1）。

说明了Ga部分替代Co对样品的性能有很大提高。

引言热电材料可以通过塞贝克效应来产生电流，一次可被认为是一种能源材料。

好的热电材料需要大的热功率，来产生大的热电压。

低电导率(ρ)来减小电阻热，和低的热导率K，保持结点处的温度差。

这样能得到高的品质因数。

错配层化合物由于其单晶表现出高的品质因数（ZT在973K达到0.87左右），并且他具有热稳定性和，低污染性，所以近来引起了大家的关注。

因此它在高温发电方面可以作为潜在的应用。

但是单晶太小，不能直接作为热电器件的制造。

用更多可行的方法如优化组分和改变制备过程，制造多晶材料，增强它的热电性能。

对已经做了很多的研究来提高它的热电性能。

这些研究采用了SPS和HP的方法，来提高它的微观结构。

化学替代法也是一种增加ZT值的有效方法。

通过以前的研究可以看出Na，Bi，Ag和Eu 替代Ca，和Fe替代Co对于热电性能的提高很有效。

除了用SPS和HP方法来提高微观结构外，化学替代也是一种有效地替代ZT值的方法。

从X射线吸收谱可以看出，Co元素在中有+3和+4两个价态。

同时由于重元素可以降低晶格的热导率，，所以一些重元素的替代3价和四价的钴位可以降低样品的热导率。

因此三价的Ga离子的替代Co可以用于提高样品的品质因数。

本文用热压法制备Ga离子替代的来研究样品从室温到1200K的热电性能。

可以发现X=0.05的样品在1073K有较高的品质因数值比不掺杂的样品。

《三价稀土离子施主掺杂-取代对CCTO陶瓷介电性能的影响及损耗机理研究》篇一三价稀土离子施主掺杂-取代对CCTO陶瓷介电性能的影响及损耗机理研究一、引言近年来，钙钛矿型氧化物（CCTO）陶瓷因其优异的介电性能和低损耗特性在电子器件领域得到了广泛的应用。

三价稀土离子因其独特的电子结构和物理性质，在陶瓷材料中常作为施主掺杂/取代元素，用以改善材料的电性能。

本文旨在研究三价稀土离子施主掺杂/取代对CCTO陶瓷介电性能的影响，并探讨其损耗机理。

二、三价稀土离子掺杂/取代的CCTO陶瓷制备制备CCTO陶瓷时，通过引入三价稀土离子（如La3+、Pr3+、Nd3+等）进行施主掺杂或取代。

首先将原材料按一定比例混合，进行球磨、干燥、预烧等工艺，得到预烧料。

然后进行造粒、成型、排胶、烧结等步骤，最终得到掺杂/取代后的CCTO陶瓷。

三、三价稀土离子掺杂/取代对CCTO陶瓷介电性能的影响1. 介电常数与损耗角正切的变化实验结果表明，适量掺杂/取代三价稀土离子可以显著提高CCTO陶瓷的介电常数。

这主要是由于稀土离子的引入增大了晶格的极化能力，提高了介电性能。

然而，过量的掺杂/取代会导致晶格结构发生紊乱，降低介电性能。

同时，掺杂/取代后，样品的损耗角正切也发生了一定的变化，适量掺杂可降低损耗，但过量掺杂则会导致损耗增加。

2. 频率与温度的依赖性随着频率的增加，CCTO陶瓷的介电常数和损耗角正切均有所降低。

在温度变化过程中，三价稀土离子掺杂/取代的CCTO陶瓷表现出较好的温度稳定性。

这表明稀土离子的引入有助于提高CCTO陶瓷的频率和温度稳定性。

四、三价稀土离子掺杂/取代的CCTO陶瓷损耗机理研究1. 晶界效应晶界是影响陶瓷材料介电性能的重要因素之一。

三价稀土离子的引入会影响晶界的形成和性质，从而影响样品的介电性能和损耗。

通过分析晶界处的元素分布、晶界相结构等，可以揭示晶界效应对介电性能和损耗的影响机制。

2. 电子跃迁与极化机制三价稀土离子的电子结构和能级分布对陶瓷的介电性能和损耗具有重要影响。

第48卷第9期 2020年9月硅 酸 盐 学 报Vol. 48，No. 9 September ，2020JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY DOI ：10.14062/j.issn.0454-5648.20190806Ce 3+掺杂对0.65CaTiO 3–0.35LaAlO 3陶瓷微波介电性能的影响罗捷宇，李月明，李志科，王竹梅，洪 燕，沈宗洋(景德镇陶瓷大学材料科学与工程学院；中国轻工业功能陶瓷材料重点实验室；江西省能量存储与转换陶瓷材料工程实验室，江西 景德镇 333403)摘 要：以EDTA 为络合剂，采用聚合物前驱体法合成了0.65CaTiO 3–0.35(La 1–x Ce x )AlO 3(CTLCA–x )微波介质陶瓷。

研究了Ce 3+取代La 3+对陶瓷微波介电性能、显微结构以及晶体结构的影响。

结果表明：采用聚合物前驱体法合成的CTLCA–x 陶瓷，相比于传统固相法，烧结温度降低了125 ℃左右，在所研究的组成范围内均能形成正交相固溶体，随着Ce 3+掺杂量x 的逐渐增加，单位晶胞体积减小，陶瓷的品质因数Q×f 和介电常数εr 均增加，但频率温度系数τf 下降。

当x =0.2时，CTLCA –0.2陶瓷在1 325 ℃保温3 h 烧结后具有最佳的微波介电性能：εr =42.7，Q×f=39 159 GHz ，τf = –7×10–6/℃。

关键词：微波介质陶瓷；聚合物前驱体法；高品质因数；铈离子取代中图分类号：TU528 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2020)09–1383–07 网络出版时间：2020–07–13Effect of Ce 3+Doping on 0.65CaTiO 3–0.35LaAlO 3 Microwave Dielectric CeramicsLUO Jieyu , LI Yueming , LI Zhike , WANG Zhumei , HONG Yan , SHEN Zongyang(School of Materials Science and Engineering, Jingdezhen Ceramic Institute; China National Light Industry Key Laboratory of Functional Ceramic Materials; Energy Storage and Conversion Ceramic Materials Engineering Laboratory of Jiangxi Province;Jingdezhen 333403, Jiangxi, China)Abstract: 0.65CaTiO 3–0.35(La 1–x Ce x )AlO 3 (CTLCA–x ) microwave dielectric ceramic was successfully synthesized by the polymeric precursor method using EDTA as a chelating agent. The effects of Ce 3+ ion doping on the microwave dielectric properties, microscopic structure and crystal structure were studied. The result indicated that the sintering temperature of CTLCA–x ceramic prepared by polymer precursor method was decreased by about 125 ℃compared with conventional mixed solid method, a single orthorhombic phase for all the compositions can form and the unit cell volume increases linearly with the doping content x . Ce 3+ ion dopant can increased the quality factor and dielectric constant, but the temperature coefficient of resonant frequency decreased. When x = 0.2, the optimal microwave dielectric properties of εr =42.7, Q×f =39 159 GHz, and τf = –7×10–6/℃ for the CTLCA–0.2 ceramics could be obtained, which sintered at 1 325 ℃ for 3 h.Keywords: microwave dielectric ceramic; polymeric precursor method; high quality factor; cerium ion-doped移动通讯技术在近10年来取得了重大突破，通讯器件越发微型化和高性能化。

掺杂对PZT压电陶瓷的影响及研究进展作者：张静江平王安玖张元松官瑶褚涛来源：《佛山陶瓷》2021年第01期摘要：在介绍掺杂PZT压电陶瓷材料制备的基础上，总结出生产掺杂PZT材料的最佳掺杂条件，以及配方对压电陶瓷性能的影响，只要工艺合适，性能完全能再提高，对压电陶瓷材料的发展趋势进行了展望。

关键词：PZT压电陶瓷;掺杂改性;取代1 引言压电陶瓷作为功能陶瓷的重要组成部分，在19世纪80年代，居里兄弟发现压电效应后，得到了踊跃的研究及迅速的发展。

目前具有压电效应的研究主要在三个方面：压电陶瓷、压电高分子、压电晶体，压电性能最好的是压电陶瓷。

压电陶瓷作为一种重要的力-电敏感性强的功能材料，已经在传感器、超声换能器、微位移器和其它电子元器件等方面得到了广泛的应用。

并且因其低成本、高压电转换的优点，随着加工工艺的进步及优化，它在航空航天、电子、信息等高科技方面有着很高的研究及应用价值[1]。

空位浓度对压电陶瓷的制备工艺及性能均有较大的影响。

上个世纪50年代，PZT压电陶瓷的诞生伊始，研究人员通过各种改性方法对其性能进行提高，其中离子掺杂是最直接和最有效的提高手段。

本文针对掺杂PZT及PZT基多元系陶瓷的研究现状及进展进行详细的概述，并对其研究及发展趋势进行大胆的预测。

2 二元系PZT压电陶瓷掺杂改性研究PZT 压电陶瓷是典型的多晶体，换句话说，当陶瓷未被极化时，陶瓷内部存在许多方向各异的电畴。

在极化过程中，外加电场作用下，晶体内各个电畴均要发生转向，但电畴的转向会使陶瓷内部产生内应力，所以从热力学角度考虑，陶瓷内部电畴转向相当困难。

图1为钙钛矿型晶体的结构。

许多研究都是通过取代改性、加入多组元使晶格发生畸变，从而晶粒容易转向。

通常掺杂根据位置的不同可分为A位、B位掺杂[2]。

Pb在加热的过程中在900℃会挥发。

众所周知，重金属铅及其化合物可由蒸气或粉尘进入呼吸道，对人体及其各个组织带来不良的影响。

同时A位掺杂通常可以使陶瓷具有较大程度的晶格畸变，从而使得压电性能得以提升。

收稿日期:2007203230 作者简介:杨林波(19822),男,重庆市垫江县人,硕士生,研究方向为电子陶瓷材料。

文章编号:100422474(2008)0420443203C a ZrO 3掺杂对耐高温陶瓷电容介电性能的影响杨林波,张树人,唐　斌,袁　颖(电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054) 摘　要:用钛酸铋钠(BN T )改性亚微米级钛酸钡合成居里温度较高的基料。

在Nb 2O 52Ta 2O 52ZnO 基础配方体系基础上,利用CaZrO 3对其掺杂改性,得到了介电性能优越的耐高温电容器陶瓷材料,其居里温度高(150℃),介电常数相对较高(1200以上)。

从离子取代及微观结构表征等方面研究了不同CaZrO 3掺杂量对改性钛酸钡陶瓷的介电常数、容温变化率和介电损耗的影响,为研制耐高温多层陶瓷电容器(ML CC )提供了参考。

关键词:Ba TiO 3;CaZrO 3;ML CC ;耐高温陶瓷电容器中图分类号:TM 534 文献标识码:AE ffects of C a ZrO 3Dopants on Dielectric Properties of High 2temperature Ceramic C apacitorsYANG Lin 2bo ,ZHANG Shu 2ren ,TANG Bin ,Y UAN Ying(State Key Lab.of Electronic Thin Films and Integrated Devices ,University of Electronic Science and Technology of China ,Chengdu 610054,China ) Abstract :The main component with high Curie temperature was synthesized by BN T doped sub 2micron Ba 2TiO 3.A high 2temperature dielectric ceramics with the Curie temperature of 150℃and relatively high dielectric con 2stant (>1200)were gained by adding the subcomponent Nb 2O 52Ta 2O 52ZnO and changing the amount of CaZrO 3in order to enhance the capacitance stability at high temperature.The effects of CaZrO 3doping amount on dielectric constant ,temperature coefficients and dissipation factor of ceramics were investigated by means of ions substitution and microstructure characterization.It will be helpf ul for research of high 2temperature multiplayer ceramic capaci 2tors.K ey w ords :Ba TiO 3;CaZrO 3;ML CC ;high 2temperature ceramic capacitors X7R 电容器瓷料因具有良好的温度稳定性(-55～125℃,容温变化率ΔC/C 25℃≤±15%)而得到广泛应用,其工作温度范围为-55～125℃。

CaO掺杂对BaTiO3陶瓷结构及介电性能的影响胡艳;黄焱球;杜红炎;高兰芳【期刊名称】《佛山陶瓷》【年(卷),期】2006(16)10【摘要】采用新型溶胶-凝胶制粉技术和传统陶瓷工艺相结合的方法,制备了(Ba1-xCax)TiO3(x=0～0.16)陶瓷,并对陶瓷晶相特征及其介电、压电性能进行了研究.结果表明,经1 250℃烧结的陶瓷由单一晶相组成,晶体具有钙钛矿结构.其介电、压电特征受CaO加入量的影响显著.当x≤0.1时,陶瓷的介电常数随CaO加入量的增加而增大,并表现出弛豫铁电体的特征,其居里点与纯BaTiO3陶瓷相差不大.当x＞0.1时,陶瓷的介电常数随CaO的增加而减小,其铁电性能弱化,但介电损耗较小,介电温度稳定性较好.【总页数】4页(P1-4)【作者】胡艳;黄焱球;杜红炎;高兰芳【作者单位】中国地质大学材料科学与化学工程学院,湖北,武汉,430074;中国地质大学材料科学与化学工程学院,湖北,武汉,430074;中国地质大学材料科学与化学工程学院,湖北,武汉,430074;中国地质大学材料科学与化学工程学院,湖北,武汉,430074【正文语种】中文【中图分类】TQ17【相关文献】1.Sr/Zr掺杂以及抛光对BaTiO3陶瓷结构和介电性能的影响 [J], 李雪翠;路大勇2.纳米掺杂和直接掺杂Li2O-SiO2复合助烧剂对X7R型BaTiO3基陶瓷显微结构和介电性能的影响 [J], 米超辉;崔斌;游桥明;畅柱国;史启祯3.钛酸铋掺杂对BaTiO3-Nb2O5-ZnO陶瓷微结构和介电性能的影响 [J], 王丽娜;陈国华4.ZrO2掺杂对BaTiO3陶瓷结构和介电性能的影响 [J], 郑玉;王森;赵青;张卓;陈祺5.钆掺杂对0.7BiFe0.95Ga0.05O3-0.3BaTiO3陶瓷的结构、介电性能和多铁性能的影响 [J], 杨如霞; 卢玉明; 曾丽竹; 张禄佳; 李冠男因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

江苏大学硕士学位论文目录第一章绪论……………………………………………………………………………………１１．１前言…………………………………………………………………………………………………．．１１．１．１微波介质陶瓷及其应用……………………………………………．１１．１．２微波介质陶瓷的基本性能要求……………………………………．１１．１．３微波介质陶瓷的分类………………………………………………．２１．２微波介质陶瓷的介电性能基本理论………………………………………．３１．３微波介质陶瓷的低温烧结…………………………………………………．５１．３．１低温烧结的方法……………………………………………………．５１．３．２添加烧结助剂的低温烧结研究现状………………………………．５１．４微波介质陶瓷低温烧结机理………………………………………………．６１．５研究的意义和内容…………………………………………………………．９１．５．１研究的意义…………………………………………………………．９１．５．２研究的内容…………………………………………………………１１第二章陶瓷的制备和研究方法……………………………………………………………１２２．１实验原料及材料制备的方法………………………………………………１２２．１．１实验原料……………………………………………………………１２２．１．２制备工艺……………………………………………………………１２２．１．３ＣＭＮＴ系列陶瓷的制备流程……………………………………．．１４２．１．４Ａ位离子置换改性ＣＭＮＴ陶瓷的制备流程……………………．１４２．１．５低温烧结改性陶瓷的制备流程……………………………………１４２．２研究方法……………………………………………………………………１５２．２．１密度测量……………………………………………………………１５２．２．２相组成分析…………………………………………………………１５２．２．３微观形貌分析………………………………………………………１６２．２．４微波介质陶瓷性能的测试方法……………………………………１６第三章ＣｌＶＩＮＴ系列陶瓷的研究…………………………………………………………１７３．１引言…………………………………………………………………………………………………１７３．２ＣＭＮＴ系列陶瓷的研究…………………………………………………．．１７３．２．１烧结性能分析………………………………………………………１７３．２．２ＸＲＤ分耖ｉ……………………………………………………………………………。