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模电习题二-2(答案)

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习题二

2.16 已知一N沟道JFET的夹断电压UGS(off) = —4 V，饱和漏极电流IDSS = 4mA，试估算：

(1) 若UGS = 0，漏极电流为多少？

(2)若UGS = —1 V，ID和gm各是多少?

解：(1) 若UGS = 0，漏极电流为饱和漏极电流IDSS = 4mA

(2) UGS = —1 V，

)(5.12)(25.2)411(4)1)22)msIIUgmAUUIIDDSSoffGSmoffGSGSDSSD（（（

2.17 场效应管放大电路如图题2.17所示，电路参数如图所示。FET在工作点上的互导

g m = 1ms , (1)画出微变等效电路; (2) 试 计算 uA、Ri 、Ro;。

－＋＋＋＋CS－18VK30M10K2GRSRDR1C2CDDUouiu －＋＋＋CS－24VM1K3GRSRDR1C2CDDUouLRK5.1K50

图题2.17 图题2.18

解：（1）微变等效电路如图所示。

RDU0..gmUgsIiUiG.RGUgs.

微变等效电路

（2）uA.=－gmRD=－1ms×30K=－30

Ri≈RG=10MΩ Ro≈RD=30KΩ

2.18 由JFET组成的放大电路如图题2.18所示，夹断电压VUoffGS5)(，mAIDSS4，

试求：（1）静态工作点DI，GSU和DSU；

（2）电压增益uA； （3）输入电阻iR和输出电阻OR。

解 （1） 该自给偏压放大电路

DSGSIRU （1）

)(SdDDDDSRRIUU （2）

2)()1(offGSGSDSSDUUII （3）

由（1）（2）（3）公式代入数据计算得到

mAID9.0

VUDS7.16

VUGS7.2

（2） LDLRRR//

4.3LmURgA

（3） MRRgi1

KRRd1.50

2.19 图题2.19示所示电路中FET的IDSS = 5 mA，UGS(off) = -4 V，kRG911，kRG102,kRG5103,kRD3,kRS2，VUDD10,MRL1。

试问：（1）电压放大倍数uA；

（2）输入电阻Ri和输出电阻Ro；

（3）如果不接旁路电容CS，则uA为多少？ C1C2ouiuDDU10VDR1GR2GR3GRSRSCLRVFRDiuDDUouVF2R3CC21C1RLRSRSu

图题2.19 图题2.20

解：（1）

22)(212)41(5)1(210)1091(10GSoffGSGSDSSDDSDDDGGGGSUUUIIKIKKRIURRRU

解得IDQ = 1.43 mA，UGSQ = -1.86 V，

gm = 1.34 mS

uA.=－gm( Rd//R1)=－4

(2)

Ri=RG3+(RG1//RG2) = 519KΩ

Ro≈RD=3KΩ

（3）uA.=－gm( Rd//R1)/（1+ gmRS）=－1.1

2.20 已知图题2.20所示电路中FET的gm = 5mS，MRR1021，kRL10，kRD20。当ui=20mV时，试求输出电压u。的大小。

解：输出电压u。为-667mv。

2.21 由FFET组成的电路如图题2.15所示，夹断电压UGS(off)＝一4V，饱和漏电流IDSS=4mA，静态UGSQ＝一2 V，MRG1，kRD10，VUDD20。试求：

(1)电阻R1和静态电流IDQ；

(2)保证静态UDS=4V时R2的值；

(3)计算电压增益uA。

解：(1)mAIkRD1,21 (2) kR42 (3)计算电压增益uA= -1.43

DDUiuouVFDR1R2RGR RSC1iuC2ouRLDDURG2RG1 图题2.21 图题2.22

2.22 极跟随电路如图题2.22所示，设场效应管参数:

VUoffGS2)(，mAIDSS1,MRG21,kRG5002,kRRLS12，VUDD15。

(1)用估算法确定工作DQI，GSQU，DSQU及工作点跨导。

(2)计算电压增益uA、Ri 、Ro;。

解：（1）管子的方程得又由电路可得

DSDSSDSDDGGGSGGSIIRIURRRuuu12312155.025.0212

将上述第一式代入第二式得

)25.01(123)21(12322GSGSGSGSuuuU

091332GSGSuu

则68.713693416913GSu

得VuGS87.01

VuGS47.32（小于PU，不合理，舍去）

将GSu代入管子方程得

mAuIIGSDSSDS32.0)287.01()21(22

VRIUuSDQDDDSQ2.111232.015

VmAUuUIgPGSPDSSm/57.0)287.01()1(2

77.0657.01657.01LmLmuRgRgA

KMRRRGGi4004.05.0//2//21

KRRmgSo53.157.01//12//1

2.23 阻容耦合放大电路的电压增益与频率有关，在低频区增益下降的原因是 耦合电容和旁路电容的存在 ，在高频区增益下降的原因是 半导体极间电容和分布电容的存在 。

2.24单级阻容耦合共射极放大电路的中频电压增益为－100，当信号频率为上限频率fH时，这时电路的实际增益为 -70.7 ，其输出与输入信号的相位相差 -225 度。

2.25 某放大电路的对数幅频特性如图题2.25所示，由图可知，该电路的中频电压放大倍数

为 100 倍，上限频率fH为 2×106 Hz，下限频率fL为 20 Hz，当信号频率恰好为fH或fL时，实际电压增益为 37 dB。

图题2.25 图题2.26

2.26放大电路的波特图如图题2.26所示，（1）电路的中频电压增益

20lg|umA|＝ 60 dB，umA＝ 1000 。

（2）电路的下限频率fL≈ 10 Hz，上限频率fH≈ 10 kHz.

（3）电路的电压放大倍数的表达式uA＝

)10j1)(10j1)(10j1(j100)10j1)(10j1)(j101(1054543fffffff或 。

2.27已知某电路的波特图如图题2.27所示，试写出uA的表达式。

图题2.27 图题2.28

2.28已知某电路的幅频特性如图题2.28所示，试问：

（1） 写出uA的表达式；（2）该电路由几级放大电路组成；（3）当f＝104Hz时，附加相移为多少？ (1)

)10j1(10343fAu（2）3级 （3）-135O

2.29 已知某电路电压放大倍数

)j10)(j100(10j66fffAu

试画出放大电路的波特图。

解：图略

2.30 已知两级共射放大电路的电压放大倍数：

 j104j10104006612ffAu

试问：（1）uA＝？ （2）画出波特图。

解：（1）uA＝100（2）图略

2.31在图题2.31所示的电路中，若＝50，rbe＝1.6kΩ，cbC＝4pF，fT = 100MHz，bbr＝300Ω, kRB560,kRC1.5，C1＝10Μf， C2＝20μF，试求下限频率fL和上限频率fH。

解：fL=10Hz, fH=768KHz

RCuouiC1RBC2VUCC12VT CCUVT2C1C1BRCR2BRERiuouRLECk5.2k27k91k1V12F1F50F1k1.5SR100Su

图题2.31 图题2.32

2.32 在图题2.32所示的电路中，若＝40，ebr＝1kΩ，cbC＝3pF，ebC＝100pF，bbr＝100，试（1）画出高频小信号等效电路，计算上限频率fH；（2）若RL提高10倍，则中频电压增益、上限频率和增益带宽积各变化多少？

解：（1）高频小信号等效电路图略，计算上限频率fH =3.1MHz

（2）若RL提高10倍，则中频电压增益变化1.4倍，上限频率变化约0.78倍，增益带宽积变化约1.1倍。

2.33 两个放大电路的上限频率均为10MHZ，下限频率均为100HZ，当它们组成两极放大电路时，总的上限频率fH和下限频率fL为多少？

解：fL=156Hz, fH=6.43MHz 2.34 在一个两级放大电路中，已知第一级的中频电压增益为-100，下限频率fL1=10

Hz，上限频率fH1=20KHz；第二级的中频电压增益为-20，下限频率fL1=100

Hz，上限频率fH1=150KHz；试问该两级放大电路总的对数电压增益等于多少分贝？总的上限频率fH和下限频率fL为多少？

解：该两级放大电路总的对数电压增益等于66分贝；fL=110.5Hz, fH=18KHz

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模电(第四版)习题解答

模电(第四版)习题解答

模拟电子技术基础

第四版

清华大学电子学教研组 编

童诗白 华成英 主编

自测题与习题解答

2 目录

第1章 常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3

第2章 基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14

第3章 多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31

第4章 集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41

第5章 放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50

第6章 放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60

第7章 信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74

第8章 波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90

第9章 功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114

第10章 直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126 3 第1章 常用半导体器件

自测题

一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ )

(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × )

(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ )

(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × )

(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GSR大的特点。( √ )

(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GSU 大于零，则其输入电阻会明显变小。( × )

二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将

A

。

A.变窄 B.基本不变 C.变宽

(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿

(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏

(4) UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

模电考试题及答案

模电考试题及答案

第一章 自测题

五、电路如图T1.5所示，VCC=15V，=100，UBE=0.7V。

试问：

(1)Rb=50k时，Uo=?

(2)若T临界饱和，则Rb=?

解：(1)26BBBEBbVUIAR，

2.6CBIImA,

2OCCCcUVIRV。 图T1.5

(2)∵2.86CCBECScVUImAR， /28.6BSCSIIA

∵45.5BBBEbBSVURkI

习题

1.3电路如图P1.3所示，已知tuisin5(V)，二极管导通电压UD=0.7V。试画出iu与ou的波形图，并标出幅值。

图P1.3 解图P1.3

解：波形如解图Pl.3所示。

1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。

图P1.9

解:如解图1.9。

解图1.9

1.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时0.7BEUV，β=50。试分析BBV为0V、1V、3V三种情况下T 的工作状态及输出电压Ou的值。

解： (1)当0BBV时，T 截止，12OuV。

(2)当1BBVV时，因为

60BBBEQBQbVUIAR

3CQBQIImA

9OCCCQcuVIRV 图P1.10

所以T处于放大状态。

(3)当3BBVV时，因为460BBBEQBQbVUIAR，

2311.3CCCESCQBQCScVUIImAImAR， 所以T处于饱和状态

模拟电子技术(模电)习题整理及参考答案

模拟电子技术(模电)习题整理及参考答案

《模拟电子技术》习题整理

第一章

1.1

（1）信号是反映

消息

的物理量，电信号是指随 时间 而变化的电压或电流。

（2）模拟信号在时间和数值上均具有 连续 性，数字信号在时间和数值上均具有 离散 性。

（3）模拟电路是处理 模拟 信号的电路。

（4）构成具有各种功能模拟电路的基本电路是 放大电路 。

1.2 （1）在设计电子系统时，应尽量可能做到哪几点？

答：必须满足功能和性能的指标要求；

在满足功能和性能指标要求的前提下，电路要尽量简单，所用元器件尽可能少；

考虑电磁兼容性；

系统的调试应简单方便，而且生产工艺应简单。

第二章

2.9 求解电路输出电压与输入电压的运算关系式。

解：

2.13 求解电路的运算关系。

第三章

3.2

（1）N型半导体是在本征半导体中掺入

五价元素，如磷等

；P型半导体是在本征半导体中掺入 三价元素，如硼等 。

（2）PN结加正向电压时，由 扩散运动 形成电流，其耗尽层 变窄 ；加反向电压时，由 漂移运动 形成电流，其耗尽层 变宽 。

第四章

第五章

第六章

第七章

7.3

（1）为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入 电流串联负反馈 。

（3）为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载的能力，应引入 电压串联负反馈 。

第十章

模电杨素行课后习题答案

模电杨素行课后习题答案

模电杨素行课后习题答案

模电杨素行课后习题答案

电子技术作为现代科学技术的重要组成部分，对于我们的生活和工作起着至关重要的作用。而模拟电子技术（简称模电）作为电子技术的一个重要分支，更是涉及到了电子设备的基本原理和电路设计。模电课程的学习对于电子工程专业的学生来说是非常重要的一门课程，因此模电杨素行课后习题的答案也备受大家关注。

模电杨素行课后习题的答案涉及到了模电课程的各个方面，包括基本电路、放大电路、滤波电路、振荡电路等等。下面我将就一些常见的模电杨素行课后习题进行解答，希望对大家的学习有所帮助。

1. 题目：请计算一个放大电路的电压增益。

答案：放大电路的电压增益可以通过输入电压和输出电压的比值来计算。一般来说，放大电路的电压增益可以通过以下公式计算：

电压增益 = 输出电压 / 输入电压

2. 题目：请设计一个低通滤波器。

答案：低通滤波器是一种能够通过的频率低于截止频率的滤波器。设计低通滤波器的关键是确定截止频率和滤波器的阶数。可以使用RC电路或者LC电路来实现低通滤波器。

3. 题目：请设计一个正弦波振荡电路。

答案：正弦波振荡电路是一种能够产生稳定的正弦波信号的电路。常见的正弦波振荡电路包括LC振荡器、RC振荡器和晶体振荡器等。设计正弦波振荡电路需要确定电路的参数和元件的数值。 4. 题目：请解释反馈在放大电路中的作用。

答案：反馈在放大电路中起到了稳定放大电路工作状态的作用。通过反馈，可以减小电路的非线性失真、提高电路的频率响应和增益稳定性。常见的反馈方式包括电压反馈和电流反馈。

5. 题目：请解释共射放大电路的工作原理。

答案：共射放大电路是一种常用的放大电路结构。在共射放大电路中，输入信号通过输入电容耦合到晶体管的基极，然后经过晶体管的放大作用，输出信号从晶体管的集电极输出。共射放大电路具有较高的电压增益和较低的输出阻抗。

以上只是一些常见的模电杨素行课后习题的答案，模电课程的学习还涉及到更多的知识点和技巧。希望同学们能够通过课后习题的答案来加深对模电知识的理解和掌握，为今后的学习和工作打下坚实的基础。