采用微结构单元替代磁性材料中的原子和分子 可实现高频磁响应。 Yen等采用光刻蚀技术(photoproliferated process)加工制备了结构单元为30μm左右的 铜SRRs阵列,制备的不同系列的SRRs样品的几 何参数为:线宽4μm或6μm,内外环间距2μm 或3μm,外环边长分别为26μm,32μm,36μm, 晶格常数分别为36μm,44μm,50μm。 SRRs的材质为铜,厚度为3μm,其基板为 400μm微米厚的石英。
从图二可以看到:左手材料的透射功率沿 [10],[11],[01]三个方向并不完全重合,这意味着上述 LHM并不是各向同性的(isotropic)。原因在于上述 左手材料在组装时存在一些误差,而SRR的共振频 率对材料参数的微小变化极端敏感。 比较图一和图二,可以发现在频率10.3-11.1GHz之间 出现了透射功率, 且数值仿真结果和透射实验数据 吻合较好。用转移矩阵法计算得到的LHM和SRRs 透射功率如图四所示. 比较图三和图四, 可以看到:理论计算结果与实验数 据吻合较好.这4个图说明在频率10.3-11.1GHz之间, 按上述方法所制备的材料的确为左手材料(LHM).
3、左手材料纳米天线
纳米天线是由纳米金属线和圆环组成,具有等 离子体效应,能对光子进行直接操纵,引导光 无损耗的绕过拐角,由光子取代电子来完成电 子线路的基本功能。 因为纳米天线可用于制造新颖光子器件,如带 通滤波器、调制器、固态天线和体积小、速度 快的芯片和电子计算机。 红外波段磁响应的实现可应用于生物安全成像、 生物分子指纹识别、遥感、可视度极底的天气 下的导航、微型谐振腔、可调透镜、隔离器等。
所谓的Goos-Hänchen位移是指当光波在两种介质的分界面 处发生全反射时,反射光束在界面上相对于几何光学预言 的位臵有一个很小的侧向位移,且该位移沿光波传播的方 向。 光波s分量和p分量的Goos-Hänchen位移大小为