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4-1_三级管

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第3章
半导体三极管及放大电路基础
P
箭头方向：由P区→N区
N
箭头方向：由P区→N区
掺杂浓度要比
【参见教材P103图4.1.3】
几种常见三极管实物图
大功率三极管功率三极管
普通塑封三极管
P
P
b区
复合BE
CN BE
CN BE
CN BE
可简化为
三.BJT的特性曲线
ØBJT的特性曲线是指各电极电压与电流之间的关系曲线，它是BJT内部载流子运动的外部表现。

Ø由于BJT也是非线性元件，它有三个电极，故要通过它的伏安特性曲线来对它进行描述，但它的伏安特性并不向二极管那样简单。

Ø工程上最常用的是BJT的输入特性和输出特性曲线。

R L +-Δv O
b
c e Δv I
i B =I B +Δi B i C =I C +Δi C
i E =I E +Δi E
v BE
+-+
-v CE
输入回路
输出回路
毫安表微安表
简单地看，输入特性曲线类似于发射结的
伏安特性曲线，现讨论i B 与v BE 之间的函数关系。

因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN 结的伏安特性曲线不同。

为了排除v CE 的影响，在讨论输入特性曲线时，应使v CE =常数。

v CE 的影响，可以用三极管的内部反馈作用解释，即v CE 对i B 的影响。

1.输入特性曲线
μA
v BE /V
①
③
②
v CE=1V
v CE>1V
v CE=0V
25℃
BJT共射接法的输入特性曲线
v CE /V
/mA
℃
BJT共射接法的输出特性曲线
=20μ=40μA =60μA =80μA
/mA
℃
=20 =40μ=60μ=80μ
v CE/V
/mA
℃
=20 =40μ=60μ=80μ
v CE/V
/mA
℃
=20 =40μ=60μ=80μ
v/V
/mA
℃
=20 =40μ=60μ=80μ
v/V
/mA
℃
=20
=40μ
=60μ
=80μ论的就是该
放大区！
v/V
v CE /V
/mA
=20μ=40μA =60μA =80μA C B 关系，该区域称为线性区（即放大区）。

1、在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。

试判断各晶体管的类型(是PNP 管还是NPN 管,是硅管还是锗管),并区分e 、b 、c
三个电极。

2、用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，试判断这些晶体管分别处于那种工作状态（饱和、截止、放大、倒置或已损坏）
举例：
v CE /V
/mA
=20=40μ=60μ=80μA CEO
【参见P80图3.1.11】
CM
过流区【参见P80图3.1.11】
过
压
区
（3）反向击穿电压
V(BR)CBO>V(BR)CES>V(BR)CER>V(BR)CEO
第三次作业（9.17.）：
P185 4.1.1
P186 4.1.2
P186 4.2.3。

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第4章 三极管及放大电路基础1

第4章 三极管及放大电路基础1


与 的关系
IC IC ICBO I E ICBO IC I B ICBO
(1 ) IC I B ICBO
I CBO IC IB 1 1
IE
N
P
N
I'C ICBO IC
IC I B (1 ) ICBO
共射直流电流放大倍数： IC I B 1.7 42.5 0.04 共射交流电流放大倍数： IC I B 2.5 1.7 40 0.06 0.04 说明： 例：UCE=6V时： 曲线的疏密反映了 的大小； IC(mA ) 160mA 电流放大倍数与工作点的位置有关； I 5 140mA CM 120mA 交、直流的电流放大倍数差别不大， 4 100mA 今后不再区别；
3 80mA
___
4. 集电极最大电流ICM 当值下降到正常值的三分之二时的 集电极电流即为ICM。
IC
2.5 2 1.7
1 0 2 4 6 8
IB 40mA
IB=60mA 20mA IB=0 10 UCE(V)
六、主要参数
5. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳热为： PC =ICUCE 导致结温 上升，PC 有限制， PCPCM 7. 频率参数

扩散 I C 复合 I B
IC
C
N
IB
P N
EC
或者 IC≈IB
I E IC I B (1 ) I B
EB
E
IE
二、电流放大原理
三极管替换表

三极管替换表


BC558 BC559 BC560 BC635 BC636 BC638 BC640 BC879 BF系列 BF198 BF199 BF240 BF241 BF324 BF420 BF421 BF422 BF423 BF458 BF459 BF483 BF485 BF494 BF495 BF869 BF871
800V 12A 120W 1500V 7.5A 75W 1500V 8A 45W 1500V 8A 45W 1000V 10A 100W 400V 8A 60W 33V 8A 60W 500V 15A 150W 450V 15A 125W 500V 15A 175W 1500V 10A 125W 1500V 5A 45W 1500V 5A 45W 1500V 6A 125W 1500V 8A 45W 1500V 8A 125W 1500V 8A 45W 1500V 8A 45W 800V 8A 125W 1500V 10A 45W 1500V 10A 125W 1500V 10A 45W 800V 10A 45W 1500V 10A 45W 800V 10A 125W 1500V 10A 80W 1500V 10A 80W 1500V 10A 45W 1500V 10A 45W 1500V 10A 80W 1500V 10A 80W 1500V 10A 45W 1500V 12A 80W 1500V 12A 125W 1500V 12A 45W 1500V 12A 45W 800V 10A 125W 1500V 12A 125W 1500V 12A 125W 1500V 12A 125W 1500V 12A 125W 参数 1500V 5A 50W
NPN NPN D NPN NPN D
TOP-3A TOP-3F TOP-3F
贴片4系列三极管参数

贴片4系列三极管参数


Zet Zet Zet Zet Phi Phi Phi Zet Zet Zet Zet Zet Mot Zet Zet ITT Phi Sie Sie Phi Phi Phi Mot ITT Sie Sie Phi Phi Phi Phi Phi ITT Sie Sie Phi Phi Phi Phi Mot Phi Phi Phi Phi C N N N N N C C C N N N N A A R B N N N N N N N R N N N N N N N C N R N N N C C N
SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT346 SOT346 SOT346 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT323 SOT23 SOT346 SOT346 SOT23R SOT23 SOT23 SOT323 SOT23 SOT23 SOT323 SOT323 SOT23R SOT23 SOT23 SOT323 SOT23 SOT23 SOT323 SOT323 SOT23 SOT23 SOT23R SOT23 SOT323 SOT323 SOT23 SOT23 SOT23
449 451 455 458 471 472 473 491 493 494 495 497 4A 4A 4A 4A 4Ap 4As 4As 4A3 4A7 4AR 4B 4B 4Bs 4Bs 4Bp 4Bt 4Bt 4B4BR 4C 4Cs 4Cs 4Cp 4Ct 4Ct 4C4C 4C 4CR 4D 4Dt 4D4D 4D 4E
Code
Device
4 (white) BAS140W 4 (yellow) BB644 4 (red) 4 41 41 41A 41D 42 42 42D 43 43 43 43 43 43V 43Y 44 44 44 45 45 45 45 45 45 45 45D 46 46 46 47 47 47V 47Y 49 49 49D 413 415 417 431 432 433 BB57-03W BB664 BAT14-115S BAT14-115R FMMT491A BAT14-115D BAT14-025S BAT14-025R BAT14-025D BAS40 DTA143EE DTC143XE DTC143XUA DTC143XKA PZM43NB BZV49-C43 BAS40-04 BAS40-04W 2SC5009 BAS40-05 BAS40-05W BAT14-055S BAT14-055R DTC124XE DTC124XUA DTC124XKA BAT14-055D BAS40-06 BAS40-06W MBT3946DW BAS40-07 BAS40-07W PZM47NB BZV49-C47 BAT14-095S BAT14-095R BAT14-095D FMMT413 FMMT415 FMMT417 PZM4.3NB1 PZM4.3NB2 PZM4.3NB3
电工电子技术基础知识点详解4-1-3-半导体三极管结构与应作用

电工电子技术基础知识点详解4-1-3-半导体三极管结构与应作用

1半导体三极管及其作用
1、基本概念
（1）半导体三极管是由两个PN 结组合而成，按不同的组合方式分为NPN 型和PNP 两种类型。

（2）三极管放大的内部条件是基区做得很薄，基区的掺杂浓度应远小于发射区的掺杂浓度。

（3）
三极管放大的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。

其正反偏可从电位角度理解。

1）对于NPN 型三极管有：
发射结正向偏置，即V B >V E ；
集电结反向偏置，即V C >V B 。

2）对于PNP 型三极管有：
发射结正向偏置，即V B <V E ；
集电结反向偏置，即V C <V B 。

（4）
三极管电流放大作用是指基极电流少量变化可以引起集电极电流较大的变化。

三极管电流关系为
C
B E I I I +=B
C I I β≈。