教你如何调整DDR内存参数

DDR2 controller的参数设置Memory setting:Output clock pairs: 差分时钟CK、CK#的对数，这里为1对，被两片当ddr2公用Total Memory chip selects: 片选信号CS的个数，这里为1个，被两片ddr2公用Total Memory interface DQ width: DQ信号的总数，这里为32Memory burst length: 突发读取长度，ddr2 HPC支持4、8两种，这里选择4。

需要注意的是，如果选择为半速接口，本地的突发长度是接口处得四分之一，如果是全速接口，本地的突发长度是接口处的二分之一。

Memory burst ordering:支持sequential和interleaved（交叉）两种，这里选择sequential。

Enable the DLL in the memory devices：Memory drive strength setting:Memory on-die termination(ODT) setting: handbook的glossory中的解释是A memory vendor device feature equivalent to Altera’s OCT.它是为了信号完整性在ddr2 SDRAM内建的终端匹配电阻，典型值有75、150、50om，查阅ddr2 SDRAM手册，这个值是由EMR（Extended Mode Register）命令确定的，并且该值要与FPGA的OCT相等。

这里选择50om，详细内容参考我找到的资料ODT function on DDR2 SDRAM。

Memory CAS latency setting: handbook中的定义是Sets the delay in clock cycles from the read command to the first output data from the memory.它也是与DDR2 SDRAM器件有关的参数，简称CL，它是由DDR2 SDRAM的模式寄存器中的被编程的值决定的，这里设为4。

内存BIOS优化设置现在内存容量虽然增加了，但我们有时还是觉得系统可用资源很紧张，这是因为Windows对内存的管理采取了默认方式，如果你想进一步发挥大容量内存的性能和增加系统稳定性，就要采取一些必要的优化措施。

下面，笔者就根据自己的使用心得谈谈如何在BIOS中进行优化设置。

1.SDRAM Timing:内存存取时间设置通常情况下，在开机启动过程中，支持SPD的BIOS会自动读取内存SPD芯片中的信息，并按照SPD内的预设值来设置内存的存取时间。

不过，现在大多数主板都提供了自定义内存参数功能，为了让内存最大限度地发挥性能，你可以在BIOS 中对内存参数进行手工设置，方法是:进入BIOS设置程序的“Advanced Chipest Features”设置菜单，找到关于SPD的选项，选择“User Define(用户自定义)”项，即不选“By SPD”。

2.SDRAM CAS Latency:内存信号延迟对SDRAM内存而言，CAS信号延迟时间的长短对内存性能的影响很大。

普通的兼容内存一般只能在CL=3的模式下工作。

不过，如果你的内存品质比较好，则可以在CL=2下能正常工作。

这时如果BIOS没有正确读取SPD芯片中的信息，且在BIOS中的“SDRAM CAS Latency”项的设置为“3”，那内存中的数据就会以大于出厂设定值的延迟周期被读取，此种情况下会导致CL=2内存模块以CL=3的模式工作，当然系统性能也会相应下降。

3.DRAM Clock:内存异步设置采用VIA芯片组的主板可以支持内存异步工作模式，这样就可以使系统工作在100MHz外频下，而内存却工作在133MHz下，这样性能自然提高不少。

关于内存异步设置的方法很简单，在BIOS中找到“DRAM Clock”选项，该项有三种设置:“HOST CLK”代表内存的工作频率等于系统外频。

如果系统外频是100MHz，那么会看到“HOST CLK+33MHz”选项，选中即可设置内存的工作频率为133MHz。

DDR2内存时序调节方法DDR2内存已经成为目前绝大部分用户的标配产品，而如何合理设置DDR2的参数就成为了不少用户（尤其是菜鸟用户）的最想了解的地方。

当你超频的时候，如何平衡内存频率和参数之间的关系；究竟如何合理选取内存频率，什么参数才是带来最高性能呢？相信这些问题是目前最多用户最想了解。

其实要了解这些东西，首先要明白DDR2内存在BIOS中的参数设置情况。

因为要提高系统整体性能，并不只是简单超频CPU外频，调高内存频率这么简单，将一大堆数字合理地分配和组合才是最为重要的。

目前市场上销售的DDR2内存主要按频率来划分，譬如DDR2 533、DDR2 667、DDR2 800就是消费者最常见的产品（注：部分厂商推出DDR2 1000高频DDR2内存，但这些DDR2内存在市场上并不多见，而价格昂贵，所以我们就暂时不讨论一些超频型DDR2内存）。

在这三款内存产品当中，就数DDR2 667内存最为多人购买，因为它同时具备了性能、价格、兼容性这些特点，而DDR2 533已经逐步被DDR2 667所取代。

如果您的内存为镁光D9颗粒，请直接参考本站《镁光小D9内存超频调教全攻略》，如果您是DDR内存，请参考本站《教你如何调整DDR内存参数》 至于目前频率较高DDR2 800也逐渐成为玩家购买的对象，因为Intel双核心平台对高频DDR2内存有着极大需求，要发挥酷睿2最大威力，一条高频率、可运行高参数的DDR2内存是非常重要的。

鉴于AMD AM2处理器内置了DDR2内存控制器，所以AM2平台的DDR2设置方法与Intel平台有着不同。

最稳当的DDR2内存设置方法，就是在主板BIOS当中将DDR2的设置参数设为By SPD，而这个选项也是最安全的DDR2内存设置方法。

不过这个设置最大缺点是，没有将内存的潜力发挥出来，只是用安全换来相对较低的性能。

如果你想超频手中的DDR2，那么By SPD选项将不是你的设置的地方，手动调整才是你的手段。

bios里怎么调整内存频以下是店铺为你整理的如何在bios里调整内存频率的方法，供大家学习和使用。

找到“Advanced Chipset Features” 选项然后会看到一个“DRAM Clock”选项，将鼠标光标定位到这里并回车，然后会出现内存频率设置选项200是 DDR400的实际频率同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。

这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。

换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。

也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。

这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。

举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。

实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

其他bios里调整内存频率的问题。

1.内存同步超频对于内存超频而言，根据不同主板，可以采用不同的超频方案，同时内存超频又与CPU有着直接或间接的关系，一般来说，内存超频的实现方法有两种：一是内存同步，即调整CPU外频并使内存与之同频工作;二是内存异步，即内存工作频率高出CPU外频。

2.内存异步超频在内存同步工作模式下，内存的运行速度与CPU外频相同。

而内存异步则是指两者的工作频率可存在一定差异。

该技术可令内存工作在高出或低于系统总线速度33MHz或3:4、4:5(内存:外频)的频率上，这样可以缓解超频时经常受限于内存的“瓶颈”。

3.增加电压帮助超频内存频率提升了，所以内存功耗也随之增加，但在默认情况下，主板BIOS中内存电压参数是被设置为内存标准频率的数值，通常来说，为了确保内存超频的稳定性，我们需要增加内存电压，很多主板BIOS 设置中都提供了内存电压调节功能，同时内存电压调节级别一般以0.05V或0.1V为档次逐渐调节，内存电压参数调节越细微，对超频越有帮助。

内存超频tref等小参设置
对于超频和调整内存方面的设置，涉及到硬件和操作系统级别的调整，建议在进行这些设置之前谨慎操作，并确保您具有相应的硬件知识和经验。

以下是一些常见的设置和注意事项：
1. 超频设置：
- 在BIOS或UEFI设置中启用超频功能。

- 设置CPU主频、倍频、电压等参数进行超频。

- 注意超频可能会增加组件的温度和功耗，需要合理降低风险。

2. 内存频率和时序设置：
- 进入BIOS或UEFI设置，找到内存设置选项。

- 设置内存频率为所需的数值（以MHz为单位）。

- 调整内存时序参数，如CAS延迟等，以优化性能。

3. 系统稳定性测试：
- 在进行超频和内存设置后，进行系统稳定性测试，例如使用Prime95、MemTest86+等工具。

- 检查系统是否运行稳定，没有过热或崩溃问题。

- 如果出现问题，可能需要降低设置或增加散热措施。

4. 温度和散热管理：
- 进行超频和提升内存频率后，组件的温度可能会升高。

- 确保计算机有良好的散热系统，如风扇、散热器等。

- 检查CPU和GPU的温度，确保在安全温度范围内运行。

请注意，超频和调整内存设置可能会导致硬件损坏、数据丢失等风险。

建议
事先备份重要数据，并谨慎操作。

此外，超频和修改内存设置可能会违反某些硬件保修条款，请查阅相关硬件制造商的指南和支持文档。

ddr4时序参数（原创版）目录1.DDR4 时序参数简介2.DDR4 时序参数的组成3.DDR4 时序参数的作用4.DDR4 时序参数的调整5.总结正文一、DDR4 时序参数简介DDR4（Double Data Rate 4）是第四代内存模块的标准，具有更高的数据传输速率和更低的功耗。

在 DDR4 内存模块中，时序参数是一个重要的概念，它直接影响到内存模块的性能。

二、DDR4 时序参数的组成DDR4 时序参数主要包括以下几个部分：1.延迟（Delay）：延迟是指内存模块在接收到读写请求后，需要等待的时间。

它包括 tDQ（数据传输延迟）、tRCD（行到列延迟）、tRP（预充电延迟）等。

2.插槽（Row）和列（Column）：插槽和列是指内存模块中的存储单元。

插槽是指内存模块的物理排列方式，列是指存储单元的物理位置。

在 DDR4 中，每个插槽可以包含多个列。

3.读写操作（Read and Write Operations）：DDR4 时序参数还包括读写操作的相关参数，如 tRD（读取延迟）、tWR（写入延迟）等。

三、DDR4 时序参数的作用DDR4 时序参数对于内存模块的性能至关重要。

它们决定了内存模块在执行读写操作时所需的时间，直接影响到系统的运行速度和效率。

正确的时序参数设置可以提高内存模块的稳定性和性能，而错误的设置可能导致系统崩溃或性能下降。

四、DDR4 时序参数的调整为了获得最佳的性能，需要根据实际硬件和应用需求，合理调整 DDR4 时序参数。

通常，可以通过主板的 BIOS 或内存控制器的软件工具进行调整。

调整时序参数需要一定的专业知识和技巧，不当的调整可能导致系统不稳定或性能下降。

五、总结DDR4 时序参数是内存模块性能的关键因素，它包括延迟、插槽和列、读写操作等参数。

合理的时序参数设置可以提高内存模块的稳定性和性能，而不当的设置可能导致系统崩溃或性能下降。

内存条频率怎么调
调整内存条频率可以使用BIOS设置或者专业的超频工具。

具体步骤如下：
1. 进入电脑的BIOS界面，通常可以通过按下电脑开机时显示的按键（如DEL、F2等）来进入BIOS。

2. 在BIOS界面中，找到相关的频率或超频选项，可能被称为"DRAM Frequency"、“Memory Clock”、“Memory Frequency”等。

3. 选择合适的频率值，通常以MHz为单位，可以根据内存条的规格来选取。

注意，内存条频率不能超过其规格所支持的最大频率，否则可能会导致系统不稳定。

4. 保存设置并退出BIOS界面，电脑将会重新启动并应用新的内存条频率设置。

需要注意的是，频率调整可能会导致电脑运行不稳定甚至崩溃，所以在进行频率调整前，请确保了解自己的设备和内存条的规格，并谨慎操作。

教你如何调整DDR内存参数日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：同样的CPU，同样的频率设置，为什么别人的运行效率就比我的高呢？为什么高手能以较低CPU频率跑出更好的测试成绩呢？问题的关键就是内存参数的调校。

在一般的超频中，只会调整一些基本参数，比如某超频报告中会说到内存运行状态为“520MHz、3-4-4-8 1T”，那么除频率外后5个数字就是基本参数。

还有一系列参数被称之为“小参”，能起到辅助调节作用，当调节基参后仍无法提高频率，或者性能提升不明显后，调整“小参”往往会得到令人意外的惊喜。

以下我们根据基本参数与小参分别介绍调校方法。

基本参数介绍目前的内存还是使用类电容原理来存储数据，需要有充放电的过程，这个过程所带来的延迟是不可避免的。

在BIOS中，所有关于内存调节的参数其实都是在调整这个充放电的时序。

受颗粒品质影响，每种内存的参数几乎都不完全一样。

面对这些参数，我们必须先了解其原理才能在以后的调节中做到信手拈来。

以下我们讲解一些重点参数的含义。

CLCL全称CAS Latency，是数据从存储设备中输出内存颗粒的接口之间所使用的时间。

一般而言是越短越好，但受于制造技术和内存控制器所限，目前的最佳值是2。

从图中，我们能够直观的看到CL值变化，对数据处理的影响。

虽说在单周期内的等待的时间并不长；但在实际使用时，内存每秒要400M次以上的周期循环，此时的性能影响就相当明显了。

RAS与CAS内存内部的存储单元是按照行（RAS）和列（CAS）排成矩阵模式，一个地址访问指令会被解码成行和列两个信号，先是行地址信号，然后是列地址信号，只有行和列地址都准备好之后才可以确定要访问的内存单元。

因此内存读写第一个延迟是RAS到CAS的延迟，从行地址访问允许到读、写数据还有一个准备时间，被称为RAS转换准备时间。

这也就是为什么RAS to CAS参数对性能影响要大于RAS Precharge的原因。

Tras内存预充电和有效指令之间的时间差。

内存超频时序设置参数
内存超频时序设置是一项比较高级的操作，需要了解一定的电脑硬件知识和技能，因此在进行内存超频时序设置之前，需要先备份重要的数据和系统文件。

以下是内存超频时序设置参数的中文说明：
1. 内存频率：即DDR3、DDR4等内存频率设置，一般情况下选择最高频率即可。

2. CAS时序：CAS时序是指列寻址延迟时间，一般情况下，越小越好，但是太小会影响内存稳定性。

4. 时序1、时序2、时序3：这三个参数是内存超频时序设置中比较重要的参数，需要根据硬件配置和软件环境进行调整。

5. Command Rate：即指写入时序，一般情况下选择较低值即可，但也要考虑内存稳定性。

6. DRAM Voltage：即内存电压，一般情况下，可以适当增加电压提升内存频率和运行稳定性。

但是过高的电压也会损坏内存条和主板等硬件。

7. Termination Voltage：即终端电压，也是一个比较重要的参数，对内存超频和运行稳定性都有较大的影响。

总之，在进行内存超频时序设置之前，需要充分了解自己的硬件配置和软件环境，同时也要不断地进行实验和测试，以确保内存超频设置的稳定性和安全性。