2类瓷介电容

贴片电容材质分类文稿归稿存档编号：[KKUY-KKIO69-OTM243-OLUI129-G00I-FDQS58-这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II 类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。

X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。

当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。

它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。

COG,X7R,X5R,Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次递减的，不同材质的频率特性也是不同的。

NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。

在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。

所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。

它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。

在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。

NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。

这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机，PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD的主要连接方式。

贴片电容COG、NPO 、X7R、Y5V、X5R介质区别在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的X5R，X7R，Y5V，COG等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，本人特意为此查阅了相关的文献，现在翻译出来奉献给大家。

这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。

这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。

具体来说，就是：X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%；Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。

对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。

例如，X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。

下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。

不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。

NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。

在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。

所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

一、NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。

它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

三、瓷介电容器（一）概述1、电容器用陶瓷的分类方法：适合做电容器的陶瓷很多，为了生产和使用上的规范，将电容器用陶瓷材料按照其性能特点进行分类，分类的主要依据是介电常数ε、损耗角正切tgδ、频率特性、温度特性、电压特性等综合考虑，我国已有完整的电容器用陶瓷材料分类标准，将电容器瓷分成三类（1、2、3类），由此也将陶瓷电容器分成1、2、3类瓷介电容器。

通常将1类瓷称做高频瓷（顺电体陶瓷），2类瓷称为低频瓷（铁电体陶瓷），3类瓷称为半导体瓷。

2、电容器瓷的介电常数并非一个恒定值，是一个与温度有关的电参数，为了描述介电常数这种温度特性，对1类瓷用温度系数TC(也用α表示，单位10-6/℃)来表达，对2、3类瓷用介电常数ε随温度的变化率△ε/ε（%）来表达。

温度特性是各类陶瓷电容器瓷分组的主要依据。

3、陶瓷电容可以有引线，也可以无引线（比如MLCC：贴片陶瓷电容）；其包封材料可以是酚醛树脂（液体涂封）、环氧树脂（粉末涂装，兰色、红色、绿色各种颜色）、釉膜涂装（烧结涂装）。

4、相关词语解释：1）结构类似元件：用相同的工艺和材料制造的电容器，即使它们的外形尺寸和数值可能不同，也可以认为是结构类似的电容器。

2）初始制造阶段：单层电容器的初始制造阶段是形成电极的介质金属化（即被银瓷片生产）。

多层电容器的初始制造阶段是介质-电极叠压后的第一次共同烧结。

3）1类瓷介固定电容器：专门设计并用在低损耗、电容量稳定性高或要求温度系数有明确规定的谐振电路中的一种电容器。

例如，在电路中做温度补偿之用。

该类陶瓷介质是以标称温度系数来确定的。

4）2类瓷介固定电容器：适用于作旁路、耦合或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器。

该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来确定的。

5）3类瓷介固定电容器：是一种具有半导体特征的瓷介电容器。

该类电容器适于作旁路、耦合之用。

该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来确定的。

贴片电容COG、NPO、R7R、R5V、R5R介质区别在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的R5R，R7R，R5V，COG等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，本人特意为此查阅了相关的文献，现在翻译出来奉献给大家。

这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为R7R；能用级（Ⅲ）的介质材料R5V。

这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。

具体来说，就是：R7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%；R5P与R5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。

对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。

例如，R5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。

下面我们仅就常用的NPO、R7R、Z5U和R5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。

不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVR公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。

NPO、R7R、Z5U和R5V的主要区别是它们的填充介质不同。

在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。

所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

一、NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。

它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

瓷介电容是一种常见的电容器类型，它由以下几个主要组成部分构成：
1.瓷质介电材料：瓷介电容的名称中的"瓷"指的就是瓷质介电材料。

瓷质介电材料通常由
陶瓷或氧化物制成，例如二氧化铝(Al2O3)、钛酸锆(ZrTiO4) 等。

这些瓷质材料具有高介电常数和良好的绝缘性能。

2.两个金属电极：瓷介电容器的内部有两个金属电极，通常是以金属箔或金属涂层的方式
存在。

这两个电极分别与瓷质介电材料接触，并用于存储和传导电荷。

3.引线和外壳：瓷介电容器通常还包括引线和外壳。

引线连接在金属电极上，用于将电容
器连接到电路中。

外壳则起到保护内部元件和提供机械支撑的作用。

总的来说，瓷介电容的组成主要包括瓷质介电材料、两个金属电极、引线和外壳。

这些组成部分共同作用，使得瓷介电容器能够存储和释放电荷，实现电容功能。

深圳市宇阳科技发展有限公司Ⅱ类陶瓷介质电容器容量衰减特性Ⅱ类陶瓷介质（包括X7R、X5R及Y5V特性类）的电容器使用的是铁电体材料。

当温度低于居里温度时，介质的立方晶体结构转为四方相，其对称性降低，晶体点阵中的离子会连续移动到势能较小的位置，引起电容量按对数规律随时间不断地减小，这一现象称为Ⅱ类陶瓷介质材料的老化现象，一般引用老化常数来表示，X7R/X5R材质的老化常数约-1％～-2％， Y5V材质的老化常数约-3％～-4％。

MLCC老化特性如下图所示：
上述现象是可逆的，在经过去老化（去老化条件：150℃、1h）后容量就可以恢复到初始值。

因此焊接时的高温对产品有去老化的作用，焊接后产品的容量会恢复到初始值。

深圳市宇阳科技发展有限公司。

在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的X5R，X7R，Y5V，COG等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，本人特意为此查阅了相关的文献，现在翻译出来奉献给大家。

这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。

具体来说，就是：X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%；Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。

对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。

例如，X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。

表4-1 电容的温度与容量误差编码下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。

不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是A VX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。

NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。

在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。

所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

一：NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。

它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。

在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。

NPO电容的漂移或滞后小于±0.05% ，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。

命名原则根据GB/T 2470-1995《电子设备用固定电阻器、固定电容器型号命名方法》总规定，电容器型号由四部分组成，每部分代表不同含义。

第一部分第二部分第三部分第四部分名称材料特性序号第一部分是产品主称，用一个字母表示，电容器的主称用字母C表示。

第二部分是产品的主要材料，用一个字母表示，如下表：代号材料A 钽电解B 非极性有机薄膜介质C 1类陶瓷介质D 铝电解J 金属化纸介质S 3类陶瓷介质T 2类陶瓷介质Y 云母介质Z 纸介质第三部分是产品的主要特征，一般用一个数字或字母表示，典型品种特性如下表：特征代号瓷介电容器有机介质电容器电解电容器1 圆形非密封（金属箔）箔式2 管形（圆柱）非密封（金属化）箔式3 叠片密封（金属箔）烧结粉非固体4 多层（独石）密封（金属化）烧结粉固体5 穿心穿心/6 支柱式交流交流7 交流片式无极性第四部分是序号，一般用数字来表示。

如GJB 192B-2011《有失效率等级的无包封多层片式瓷介电容器总规范》中规定的命名如下：CCK BC A101J S M 4101型号特性额定电压标称电容量电容量允许偏差引出端失效率等级另外，各电容生产厂家对电容器命名在符合有关标准的基础上增加了生产商标识，宏科公司各类电容器命名原则如下：多层瓷介电容器按照温度特性/系数可分为1类和2类多层瓷介电容器，包括CCK41L、CTK41L、CC41L、CC4L、CT4L、CT48L、CTK48等。

其中CC表示1类高频多层瓷介电容器，CT标识2类低频多层瓷介电容器，K标识带可靠性指标或失效率等级，4表示多层结构，1表示贴片电容器，8标识高电压电容系列，L为宏科电子标识。

多芯组瓷介电容器：按照产品温度特性/系数、材料可分为1类、2类多层瓷介电容器，包CC4M/MCC4L、CT4M/MCT4L。

其中CC表示1类高频多层瓷介电容器，CT表示2类低频多层瓷介电容器，M表示多芯组瓷介电容器。

微波瓷介芯片电容器（含单层和多层）：按照产品温度特性/系数、材料可分为1类、2类和3类瓷介电容器，包括：CC101（表示1类瓷）、CT1101（表示2类瓷）、CS1101（表示3类瓷）；按照产品结构可分为：SC型（表示垂直侧面或电极留边型）、GC型（表示双片串联型）、EC型（表示多片阵列型）、FC型（表示二进制可调容值型）。