![PECVD工序作业操作控制重点4[1]10_2.](https://imgs-1438308264.cos.ap-hongkong.myqcloud.com/27dbdd337375a417876f8f09.webp)
PECVD操作规程
1 目的：为规范PECVD操作流程，正确的操作设备、高效的进行
生产，特制定本规程。
2 适用范围：PECVD淀积车间。
3 职责：
3.1 操作不规范可能引起原材料硅片的损耗，在进行操作之前，
务必仔细阅读本规程。
3.2 熟练掌握每道操作步骤。
4 定义：PECVD操作人员只负责按规程操作，更改数据需技术部授
权。
5 运行程序：
5.1 检查设备外围的水、电、气是否满足设备的运行条件。
5.1.1 水：压力、流入量（大于设定值5）、温度（20 20C）应
同时满足。
(6－8bar左右)、压缩空气（6bar左右）的压力同
5.1.2 气：N
2
时满足。
5.2 打开电源的主开关，开启机器。
5.3 抽真空：顺序为工艺腔→进料腔→出料腔。
5.4 真空小于设定压力2.0×10-2时，点击“加载工艺”→再点击“启
动”→再点“开启传输系统”，待满足设备运行条件时，即可
将装有电池片的载板送入腔体内，系统会自动运行。
5.5在运行过程中，要时刻观察操作界面系统运行是否正常，出腔
后，稍作冷却，然后将电池片在载板上取下。
6 附件：
6.1 插片及取片
6.1.1 用吸笔轻轻的将硅片小心的放入载板内，此时要注意硅
片的正反面，插片时要将硅片扩散面（即正面）冲下。
6.1.2 硅片出腔后，取片时应小心，防止氮化硅薄膜受损。
技术部第一版
2008.7.11。
PECVD 工艺操作规程(暂行)车间:电池车间编制:审核:审定:批准:时间:2010年7月5日为更好地保证PECVD镀膜的生产正常进行,稳定生产工艺,提高PECVD工序产品质量,进一步保证电池产品性能,特制定本作业指导书,以使操作人员的工艺操作有章可循,规范统一,同时,为新员工的上岗培训提供教材参考。
一、工艺目的二、使用范围三、责任四、设备及工具五、材料与工艺气体六、工艺描述1、工艺原理2、工艺条件3、工艺方案七、工艺准备1、工艺洁净准备2、设备准备3、原材料准备4、工装工具准备八、工艺操作1、工艺循环2、装载3、卸载九、测试膜厚及折射率十、安全、规范操作十一、记录及转交附1 椭偏仪操作规程PECVD工艺操作规程一、工艺目的：在硅片表面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜二、适用范围电池车间PECVD工序OTB设备三、责任本工艺操作规程由工艺工程师负责四、设备及工具OTB设备、石墨舟、高温隔热手套、PVC手套、口罩、镊子、不锈钢桌架、椭偏仪、机械手五、材料与工艺气体湿法刻蚀后合格的多晶硅片、硅烷、氨气\氩气、氮气、压缩空气。
六、工艺描述1、工艺原理6.1工艺原理本工艺过程是利用稳定持续的氩气氛围的直流电弧放电，氩轰击硅烷（SiH4)和氨气（NH3）将其激发为等离子体状态，Si原子与N原子以一定的比例沉积到硅片表面形成一层氮化硅（Si3N4）薄膜，起到减反射和钝化的作用。
反应如下：3SiH4+ 4NH3====Si3N4+12H2↑实际上生成物并不是完全的氮化硅（Si3N4），其中还有一定比例的氢原子（H），所以严格的分子式应为SixNyHz2、工艺条件冷却水压强为0.4-0.6MPa，氮气压强为5-7 bar,压缩空气压强4-6 bar，硅烷压强为40psi，氨气压强为40psi，温度400℃。
PSI表示磅每平方英寸。
七、工艺准备1、工艺洁净管理操作时戴洁净的手套、口罩，并且保证每班清理现场及设备卫生，以保证车间的洁净度。
