模拟电子电路基础2.1

模拟电子技术基础答案第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。

当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。

3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。

二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。

（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。

（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。

（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。

（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。

（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I的单位一致；V为外加电压； VT=kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。

《模拟电子技术基础》教学教案第一章：绪论1.1 教学目标了解模拟电子技术的基本概念和应用领域。

掌握模拟电子技术的基本原理和电路组成。

理解模拟电子技术的发展历程和趋势。

1.2 教学内容模拟电子技术的定义和特点。

模拟电子技术的应用领域。

模拟电子技术的基本原理。

模拟电子电路的组成。

模拟电子技术的发展历程和趋势。

1.3 教学方法采用讲授法，讲解模拟电子技术的基本概念和原理。

利用示例电路图，展示模拟电子电路的组成和功能。

引导学生进行思考和讨论，理解模拟电子技术的发展趋势。

1.4 教学资源教材：《模拟电子技术基础》课件：模拟电子技术的基本概念和原理。

示例电路图：展示模拟电子电路的组成和功能。

1.5 教学评估课堂提问：了解学生对模拟电子技术的基本概念和原理的理解程度。

作业布置：让学生绘制和分析示例电路图，巩固对模拟电子电路组成和功能的理解。

第二章：放大电路2.1 教学目标掌握放大电路的基本原理和分类。

理解放大电路的性能指标和参数。

学会分析放大电路的工作状态和特点。

2.2 教学内容放大电路的定义和作用。

放大电路的分类和基本原理。

放大电路的性能指标和参数。

放大电路的工作状态和特点。

2.3 教学方法采用讲授法，讲解放大电路的基本原理和分类。

通过示例电路图，展示放大电路的性能指标和参数。

引导学生进行实验观察和数据分析，理解放大电路的工作状态和特点。

2.4 教学资源教材：《模拟电子技术基础》课件：放大电路的基本原理和分类。

示例电路图：展示放大电路的性能指标和参数。

实验设备：进行放大电路的实验观察和数据分析。

2.5 教学评估实验报告：评估学生对放大电路性能指标和参数的理解和应用能力。

第三章：滤波电路3.1 教学目标掌握滤波电路的基本原理和分类。

理解滤波电路的功能和应用。

学会分析滤波电路的特性和解算。

3.2 教学内容滤波电路的定义和作用。

滤波电路的分类和基本原理。

滤波电路的功能和应用。

滤波电路的特性和解算。

3.3 教学方法采用讲授法，讲解滤波电路的基本原理和分类。

习题二2.1 选择正确答案填入空内。

（1）电压增益是输出电压变化量与输入电压变化量之比。

在某个放大电路中，当输入电压为15mV时，输出电压为6.5V；输入电压为20mV时，输出电压为7V（以上为瞬时电压），该放大电路的电压增益为（）。

A. 700B. 100C. -100（2）有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B，对同一具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的情况下，测得电路A的输出电压小。

这说明电路A的（）。

A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小（3）在电压放大电路的上限截止频率点或下限截止频率点，电压增益比中频区增益下降3dB，这时在相同输入电压条件下，与中频区比较，输出电压下降为（）倍。

A．1 B．10 C．1.414 D．0.707（4）当负载电阻RL = 1kΩ时，电压放大电路输出电压比负载开路时输出电压减少20%，该放大电路的输出电阻Ro为（）。

A．0．25 kΩ B．0．5 kΩ C．1 kΩ D．1．5kΩ（5）电路如题图2.1所示，放大电路的输出端直接与输入端相连，则输出电阻Ro（）。

A．R1 B．（1+β）R1 C．R1/ 1+β D．R1/ β E．0（6）差模输入信号是两个输入端信号的（），共模信号是两个输入端信号的（）。

A.差B.和C.平均值答案（1）B（2）B（3）D（4）A（5）E（6）AC2.2 将正确答案填入空内。

（1）在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰－峰值分别为5μA和5 mV，输出端接2kΩ电阻负载，测量到正弦电压信号峰－峰值为1V，则该放大电路的电压增益Av等于( )，电流增益Ai等于( )，功率增益Ap等于( )；（2）一电压放大电路输出端接1kΩ负载电阻时，输出电压为1V；负载电阻断开时，输出电压上升到1.1V，则该放大电路的输出电阻Ro为（）；（3）某放大电路输入信号为10pA时，输出为500 mV，它的互阻增益是（）。

模拟电子技术基础选择题2.1.1·在绝对零度（0K）时，本征半导体中_________ 载流子。

A. 有B. 没有C. 少数D. 多数2.1.2·在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。

A. 负离子B. 空穴C. 正离子D. 电子-空穴对2.1.3半导体中的载流子为_________。

A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 电子和空穴2.1.4.N型半导体中的多子是_________。

A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子2.1.5.P型半导体中的多子是_________。

A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子2.2.1·当PN结外加正向电压时，扩散电流_________漂移电流。

A. 大于B. 小于C. 等与2.2.2·当PN结外加反向电压时，扩散电流_________漂移电流。

A. 大于B. 小于C. 等于3.2.11在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位_________。

A. 同相B. 反相C. 相差90度D. 不确定3.2.12·在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位_________。

A. 同相B. 反相C. 相差90度D. 不确定3.2.13·既能放大电压，也能放大电流的是_________组态放大电路。

A. 共射B. 共集C. 共基D. 不确定3.6.10·在单级共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则v o和v i的相位_________。

A. 同相B. 反相C. 相差90度D. 不确定3.6.12·可以放大电压，但不能放大电流的是_________组态放大电路。

A. 共射B. 共集C. 共基D. 不确定3.6.13·可以放大电流，但不能放大电压的是_________ 组态放大电路。

A. 共射B. 共集C. 共基D. 不确定3.6.14·在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是_________组态。

《模拟电子技术》电子教案授课教案课程：模拟电子技术任课教师：教研室主任：课号：５课题：第二章基本放大电路 2.1 简单交流放大电路教学目的：（1）熟练掌握基本放大电路的组成，工作原理及作用。

（2）重点掌握静态工作点的建立条件、作用教学内容：放大的概念，共射电压放大器及偏置电路，放大电路的技术指标和基本分析方法教学重点：基本放大电路的组成、工作原理教学难点：放大过程中交直流的叠加教学时数：2学时课前提问及复习：结型场效应管、绝缘栅型场效应管的构造原理和特性参数新课导入：放大的概念，应用场合以及放大电路。

新课介绍：第二章基本放大电路2．1 概述2.1.1 放大的概念放大对象：主要放大微弱、变化的信号（交流小信号），使V或I、P得到放大！OOO放大实质：能量的控制和转换，三极管——换能器。

基本特征：功率放大。

有源元件：能够控制能量的元件。

放大的前提是不失真，即只有在不失真的情况下放大才有意义。

2.1.2 放大电路的性能指标为了反映放大电路的各方面的性能，引出如下主要性能指标。

、放大倍数1输出量与输入量之比，根据输入量为电流、电压和输出量为电流、电压的不同，可以得到四种放大倍数。

2、输入电阻为从放大电路输入端看进去的等效电阻，输入电阻Ri Ri=Ui/Ii。

和输入电流有效值Ii之比，即定义为输入电压有效值Ui 、输出电阻3任何的放大电路的输出都可以等效成一个有内阻的电压源，从放大电路输出端看进去的等效。

内阻称为输出电阻Ro 、通频带4 通频带用于衡量放大电路对不同频率信号的放大能力。

-f=f 上限截止频率 f 中频放大倍数下限截止频率LbwH页15共页1第章2第《模拟电子技术》电子教案5、非线性失真系数6、最大不失真输出电压定义：当输入电压再增大就会使输出波形产生非线性失真时的输出电压，用U表示。

om7、最大输出功率与效率最大输出功率P：在输出信号不失真的情况下，负载上能够获得的最大功率。

om效率η：直流电源能量的利用率。

〖题1.1〗 （1）杂质浓度，温度（2）呈电中性，呈电中性（3）等于，大于，变窄，小于，变宽（4）反向击穿（5）增大，增大，减小（6）左移，上移，加宽（7）、发射结，集电结（8）一种载流子参与导电，两种载流子参与导电，压控，流控。

〖题1.2〗 二极管电路如图T1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压O U 。

设二极管的导通压降为V 7.0=D U 。

图 T1.2(a )(b )(d )(c)解：（a ）U O =U A －U D =－5V －0.7V=－5.7V （b ）U O =U B =U C =－5V （c ）U O =U A =－0.7V （d ）U O =U A =－9.3V〖题1.3〗 二极管电路如图T1.3 (a) 所示，已知(m V )sin 10i t u ω= ，V 2.1=E ，+-Du Di D 8图 T1.3(a)(b)Ω=100R ，电容C 和直流电源E 对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图T1.3(b)所示，求二极管两端的电压和流过二极管的电流。

解： m A )sin 92.15(d D D t i I i ω+=+=V)sin 01.07.0(d D D t u U u ω+=+=〖题1.4〗 设图T1.4中的二极管D 为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。

(a)(b)图 T1.4解：(a) A 4110(20)9V 4614U =-⨯+-⨯=-++ B A B 52010V,55U U U =-⨯=->+, 二极管导通；(b) A 2510(15)4V 218520U =-⨯+-⨯=-++B A B 1151V,114U U U =-⨯=-<+, 二极管截止。

〖题1.5〗 在图T1.5所示电路中，已 知ωt(V)sin 10=i u ,二极管的正向压降和反向电流均可忽略。

分别画出它们的输出波形和传输特性曲线)(=i O u f u 。

模拟电子技术基础第 1 章常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价B. 四价C. 三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大；B.不变；C.减小1.2电路如图P1.2 所示，已知u i = 10sinωt (V)，试画出u i 与u o 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解：u i 与u o 的波形如解图Pl.2 所示。

1.3电路如图P1.3 所示，已知u i =5sinωt(V)，二极管导通电压U D=0.7V。

试画出u i 与u o 的波形图，并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4 所示, 二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T≈ 26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流I D = (V −U D ) / R = 2.6mA其动态电阻:r D ≈U T / I D =10Ω图 P1.4故动态电流的有效值： I d = U i / r D ≈1mA1.5 现有两只稳压管，稳压值分别是 6V 和 8V ，正向导通电压为 0.7V 。

试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得 4 种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。

(2)并联相接可得 2 种：0.7V ；6V 。

第二章基本放大电路2.1 在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.2在基本共射放大电路中，负载电阻RL 减小时，输出电阻RO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定2.3 在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.4在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。

A 共射电路B 共基电路C 共集电路D 共射-共基电路2.5 在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.6 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真2.7以下电路中，可用作电压跟随器的是[ ]A．差分放大电路 B．共基电路C．共射电路 D．共集电路2.8 晶体三极管的关系式iE =f(uEB)|uCB代表三极管的A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性2.9 对于图2.9所示的复合管，穿透电流为（设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流）A.ICEO = ICEO2↓ICEOB.ICEO =ICEO1+ICEO2C.ICEO =（1+β2）ICEO1+ICEO2D.ICEO =ICEO1图2.9 [ ]2.10 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是[ ]B.饱和失真 B.截止失真C.交越失真D.频率失真2.11对于基本共射放大电路， Rb 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定2.12在基本共射放大电路中，信号源内阻RS 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定2.13 在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.14 在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.15 某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为。

模拟电子技术基础(第五版)第二章模电课件2.1 集成电路运算放大器2.2 理想运算放大器2.3 基本线性运放电路2.4 同相输入和反相输入放大电路的其他应用模电课件2.1 集成电路运算放大器1. 集成电路运算放大器的内部组成单元图2.1.1 集成运算放大器的内部结构框图特点：电路对称性，提高整个电路的性能若干级电压放大带负载能力强，电流放大模电课件2.1 集成电路运算放大器1. 集成电路运算放大器的内部组成单元图2.1.2 运算放大器的代表符号(a)国家标准规定的符号(b)国内外常用符号特点：两个输入端(同相+、反相― ),一个输出端，单向模电课件2. 运算放大器的电路模型通常(实际): 开环电压增益Avo的≥105 (很高) 输入电阻ri ≥ 106Ω (很大) 输出电阻ro ≤100Ω (很小)图2.1.3 运算放大器的电路模型vO=Avo(vP-vN) ,当(V- vO V+) 注意输入输出的相位关系模电课件2. 运算放大器的电路模型当Avo(vP-vN) ≥V+ 时vO= V+ 当Avo(vP-vN) ≤ V-时vO= V-电压传输特性vO= f (vP-vN)线性范围内vO=Avo(vP-vN) Avo――斜率非线性(饱和)范围内？end模电课件2. 运算放大器的电路模型例：一运放Avo= 2×105 ,ri = 0.6 MΩ , 电源电压V+ = +12 V, V- = -12 V. (1)当vO=±Vom = ± 12 V时，输入电压的最小幅值vP-vN = ? 输入电流ii = ? (2)画出传输特性曲线vO=f(vP-vN) (1)线性范围内: vP-vN = vO / Avo = ± 12 V/( 2×105) = ± 60 v (2)传输特性曲线vO=f(vP-vN)ii =( vP-vN )/ ri = ± 60 0.6 MΩ v/ = ± 100 pA模电课件2.2 理想运算放大器1. vO的饱和极限值等于运放的电源电压V+和V- 2. 运放的开环电压增益很高ri≈∞ 若(vP-vN)0 则vO= +Vom=V+ (饱和) 若(vP-vN)0 则vO= CVom=V- (饱和)3. 若V- vO V+ (线性) 则(vP-vN) 0 ,虚短4. 输入电阻ri的阻值很高使iP≈ 0、iN≈ 0 ,虚断5. 输出电阻很小，ro ≈ 0图2.2.1 运放的简化电路模型理想：ri≈∞ ro≈0 Avo→∞ vO=Avo(vN-vP)模电课件2.3 基本线性运放电路线性运放电路：运放一定工作在线性范围(状态), 电路通过接入负反馈来保证。

第2章 半导体三极管及其基本放大电路一、填空题2．1 BJT 用来放大时，应使发射结处于 偏置，集电结处于 偏置；而工作在饱和区时，发射结处于 偏置，集电结处于 偏置。

2．2 温度升高时，BJT 的电流放大系数β ，反向饱和电流CBO I ，发射结电压BE U 。

2．3用两个放大电路A 和B 分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时，OB OA U U =；都接人负载L R 电阻时，测得OB OA U U 〈，由此说明，电路A 的输出电阻比电路B 的输出电阻 。

2．4对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大倍数大，可选用 组态；若希望带负载能力强，应选用 组态；若希望从信号源索取电流小，应选用 组态；若希望高频性能好，应选用 组态。

2．5 FET 是通过改变 来改变漏极电流(输出电流)的，所以它是一个 器件。

2．6 FET 工作在可变电阻区时，D i 与DS u 基本上是 关系，所以在这个区域中，FET 的d 、s 极间可以看成一个由GS u 控制的 。

2．7 FET 的自偏压电路只适用于 构成的放大电路；分压式自偏压电路中的栅极电阻S R 一般阻值很大，这是为了 。

二、选择正确答案填写(只需选填英文字母) 2．8 BJT 能起放大作用的内部条件通常是：(1)发射区掺杂浓度 (a 1．高，b 1．低，c 1．一般)；(2)基区杂质浓度比发射区杂质浓度 (a 2．高，b 2．低，c 2．相同)，基区宽度(a 3．高，b 3．窄，c 3．一般)；集电结面积比发射结面积 (a 4．大，b 4．小，c 4．相等)。

2．9 测得BJT I B =30μA 时，I C = mA ；I B =40μA 时，I C =3 mA ，则该管的交流电流放大系数β为 (a ．80，b ．60，c ．75)。

2．10用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个BJT 的类型(指NPN 型还是PNP 型)与三个电极时，以测出 最为方便(a ．各极间电阻，b ．各极对地电位，c ．各极电流)。