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第1章常用半导体器件三极管精品PPT课件

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03第1章 常用半导体器件--三极管及应用PPT资料34页

03第1章 常用半导体器件--三极管及应用PPT资料34页
IEP IEN IE
发射结正偏，基区空 穴向发射区的扩散很 04小.01.,2可020 忽略。
集电结反
偏，从基
区扩散来
IC
的电子作 为集电结
的非平衡
RC
少子，漂
移进入集
VC 电结而被
C 收集，形
成ICN。
发射结正偏，发 射区电子不断向 基区扩散，形成 发射极电流IEN。
二、各极电流分配关系(P25) IC=ICN+ICBO ICN
(3) 截止区：UBE< UON（或反偏），集电结反偏）。
IB=0，IC≤ICEO 0，UCE≥UBE
04.01.2020三种状态的判断：(根据UBE,UCE，IB,IC同时判断)
例： =50， USC =12V，
RB =70k， RC =6k 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？
整理: ICIB (1 )ICB O IB ICEO
交流放大 倍数
iC
ICEO集电结反向 饱和电流(可忽略)
iB
意义：(IB+ICBO) 对ICN的控制能力（内部）。
04.01.2020
IB对IC的控制能力（外部）。
三、共基电流放大系数
ICN与IE之比称为共基电流放大倍数
表示直流 放大倍数
I CN IE
1
交流放大 倍数
iC
iE
1
意义：ICN对IE的控制/放大能力（内部）。
04.01.2020
IC对IE的控制/放大能力（外部）。
三、近似公式（外部特性）
三极管电流分配：
IC IB
IE(1)IB
IE ICIB

电工学下册电子技术教学课件艾永乐等第1章常用半导体器件

电工学下册电子技术教学课件艾永乐等第1章常用半导体器件

IR
为反向饱和电流。但IR与温内电场 E
度有关。
EW
R
1.1 半导体的导电特性
PN结加正向电压时，呈现低电阻，具 有较大的正向扩散电流；
PN结加反向电压时，呈现高电阻，具 有很小的反向漂移电流。
由此可以得出结论：PN结具有单向导 电性。
1.2 半导体二极管 1. 二极管的结构
在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极 管按结构分有点接触型、面接触型和P平N结面面型积三小大，类结。电
RL
-
1.3 特殊二极管
稳压二极管主要参数
(1) 稳定电压VZ
在规定的稳压管反向工作
电流IZ 下，所对应的反向工作
电压。
(2) 动态电阻rZ
rZ =VZ /IZ
(3)额定功率 PZ (4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin
(5)稳定电压温度系数——VZ
1.3 特殊二极管
VT 称为开启电压
1.5 场效应晶体管
vDS对沟道的控制作用
当vGS一定（vGS >VT ）时，
vDS iD 沟道电位梯度 靠近漏极d处的电位升高 电场强度减小 沟道变薄
整个沟道呈楔形分布
1.5 场效应晶体管
vDS对沟道的控制作用
当vGS一定（vGS >VT ）时，
vDS iD 沟道电位梯度
0.04 0.06 0.08 0.10 1.50 2.30 3.10 3.95 1.54 2.36 3.18 4.05
结论:
• 1）三电极电流关系
• 2） IC IB ， IC IE • 3） IC IB
IE = IB + IC
把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大

1-半导体基础知识-v5.ppt [兼容模式]

1-半导体基础知识-v5.ppt [兼容模式]
hchya@
问题
• 为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是 影响温度稳定性的主要因素？
• 导致半导体性能温度稳定性差的主要原因有二： （1）少数载流子浓度与温度有关（随着温度的升高而指数式增加） （2）耗尽层宽度与温度有关（一般随着温度的升高而变窄） 注：多数载流子浓度基本上等于掺杂浓度，在室温、全电离情况下， 多数载流子浓度与温度也基本上无关；只有在低温下才有较大的 关系。因此，半导体性能在低温下的不稳定性还与多数载流子浓 度的变化有关。
导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电 子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原 子核的束缚力很强，只有在外电场强到相当程度时才可能导 电。 半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原 子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 无杂质 稳定的结构
u
i = I S (e U T − 1)
(常温下U T = 26mV)
材料 硅Si 锗Ge 开启电压 0.5V 0.1V
击穿 电压
导通电压 0.5~0.8V 0.1~0.3V
反向饱 和电流
开启 电压
温度的 电压当量
反向饱和电流 1µA以下 几十µA
二、二极管的伏安特性及电流方程
二极管的反向测试电路图
面接触型：结面积大， 结电容大，故结允许 的电流大，最高工作 频率低。
平面型：结面积可小、 可大，小的工作频率 高，大的结允许的电 流大。
3
2016/9/7
二、二极管的伏安特性及电流方程
二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。

优秀实用的三极管精品PPT课件

优秀实用的三极管精品PPT课件
好。
• 2.三极管实现电流分配的原理
•
上述实验结论可以用载流子在
三极管内部的运动规律来解释。图1.29
为三极管内部载流子的传输与电流分配
示意图。
图1.29 三极管内部载流子的传输与电流分配示意图
•
（1）发射区向基区发射自由电
子，形成发射极电流IE。
•
（2）自由电子在基区与空穴复
合，形成基极电流IB。
极最大电流、最大反向电压等，这些参
数可以通过查半导体手册来得到。三极
管的参数是正确选定三极管的重要依据，
下面介绍三极管的几个主要参数。
• （1）共发射极电流放大系数β和β
•
它是指从基极输入信号，从集
电极输出信号，此种接法（共发射极）
下的电流放大系数。
–（2）极间反向电流
• ① 集电极基极间的反向饱和电流ICBO • ② 集电极发射极间的穿透电流ICEO
（d）三极管的集电极和发射极
近似短接，三极管类似于一个开关导通。
•
三极管作为开关使用时，通常
工作在截止和饱和导通状态；作为放大
元件使用时，一般要工作在放大状态。
SUCCESS
THANK YOU
2020/12/13
可编辑
26
• 2.三极管的主要参数
•
三极管的参数有很多，如电流
放大系数、反向电流、耗散功率、集电
这是三极管实现电流放大的内部条件。
•
三极管可以是由半导体硅材
料制成，称为硅三极管；也可以由锗
材料制成，称为锗三极管。
•
三极管从应用的角度讲，种
类很多。根据工作频率分为高频管、
低频管和开关管；根据工作功率分为
大功率管、中功率管和小功率管。常

1章 常用半导体器件图

1章 常用半导体器件图

ΔI 0
0
ui
U
ΔU
例4.Dio －
E
5.稳压管的参数及应用
• ⑴.稳压管的(应用电路)工作原理：
IR ＋
R
Ui
Z
IZ
IL RL
•
┗┓ D
－
IR=IZ + IL IR =(Ui –UZ)/R
稳压管的伏安特性和等效电路
返回
⑴.稳压管稳压电路
返回
⑵.稳压管的参数
• • • • • ①.稳定电压UZ ②.稳定电流IZ ③.额定功耗PZ ④.稳压管的温度系数 ⑤.动态电阻rZ
(1).PN结内部载流子 的运动：
①.多子的扩散运动： ②.自建电㘯和 耗尽层的形成： 载流子复合
③.少数载流子的 漂移运动：
返回
2. PN结的单向导电性：
(1). PN结加正向电压时导通
返回
(2).PN结加反向电压时截止
返回
3.PN结的伏安特性
• ⑴. PN结的电流方程：
i Is(
qu kT
返回
图1.5.1 单结晶体管的结构示意图和等效电路
返回
图1.5.2 单结晶体管特性曲线的测试
返回
图1.5.3 单结晶体管组成的振荡电路
返回
图1.5.4 晶闸管的外形
返回
图1.5.5 晶闸管的结构、等效电路和符号
返回
图1.5.6 晶闸管的工作原理
返回
图1.5.7 晶闸管的伏安特性曲线
返回
返回
图1.6.1 基片与管芯图
返回
图1.6.2 集成电路的剖面图及外形
返回
图1.6.3 PN结隔离的制造工艺
Pi=Ni
P = Pa ＋ Pi N = Ni （多子）P＞n（少子）

半导体器件半导体三极管幻灯片PPT

半导体器件半导体三极管幻灯片PPT

和
iC随uCE变化很大？
区
为什么进入放大
放大区
状态，iC曲线几乎 是横轴的平行线？
截止区
3、晶体管的三个工作区域
状态 截止 放大
发射结
＜UBE(th) ≥ UBE(th)
集电结 反偏 反偏
饱和
≥ UBE(th)
正偏
IC 0(ICEO)
βiB
＜βiB
硅:UCES ≈0.3V 锗: UCES ≈0.1V
例：测得工作在放大电路中几个晶体管三 个电极的电位U1、U2、U3分别为： 1〕U1=3.5V、U2=2.8V、 U3=12V 2〕U1=6V、 U2=11.8V、 U3=12V 判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还 是锗管？并确定e、b、c。
NP 放 N大 V CV ： BV E PN 放 P:大 V CV BV E
穿透电流
ICIB(1） ICBO ICEO (1） ICBO
3、极限参数：ICM、PCM、U
〔BR〕CEO
最大集电极耗散
功率PCM=iCuCE
最大集电 极电流
平安工作区
c-e间击穿电 压
五、温度对三极管的影响
T(℃ ) ICE O
uB不 E 变 iB， 时iB 即 不 变 uB E 时
六、电路模型 1、大信号模型
半导体器件半导体三极管 幻灯片PPT
本课件PPT仅供大家学习使用 学习完请自行删除，谢谢！ 本课件PPT仅供大家学习使用 学习完请自行删除，谢谢！ 本课件PPT仅供大家学习使用 学习完请自行删除，谢谢！ 本课件PPT仅供大家学习使用 学习完请自行删除，谢谢！
一、三极管的构造和符号 c
b
集电极c
NPN e 基极b c

《三极管基本知识》PPT课件

《三极管基本知识》PPT课件
背景
三极管是电子电路中的重要元件，广泛应用于放大、开关、振荡等电路中。随 着电子技术的发展，三极管的应用领域不断扩大，对电子工程师的要求也越来 越高。
课程内容和结构
课程内容
本课程将介绍三极管的基本原理、结构、特性、参数以及应用等方面的知识。
课程结构
本课程将按照“由浅入深、循序渐进”的原则，先介绍三极管的基本概念和原理，然后逐步深入讲解三极管的特 性和应用。具体内容包括：三极管的基本原理、结构和分类；三极管的放大原理和特性；三极管的参数和选型； 三极管的应用电路和实例等。
输入特性曲线
输入特性曲线表示三极管在放 大状态下，基极电流（Ib）与 基极-发射极电压（Vbe）之
间的关系。
输入特性曲线与二极管的伏 安特性曲线类似，呈指数关
系。
当Vbe较小时，Ib几乎为零， 当Vbe超过一定值后，Ib随 Vbe的增大而迅速增大。
输出特性曲线
输出特性曲线表示三极管在放大状态下，集电极电流 （Ic）与集电极-发射极电压（Vce）之间的关系。
工业控制领域
三极管在工业控制电路中也有 着广泛的应用，如电机控制、
温度控制等。
消费电子领域
音响、电视、冰箱等消费电子 产品中也需要使用三极管进行
信号放大或电路控制。
03
三极管结构与工作原理
三极管内部结构
掺杂浓度
发射区掺杂浓度最高，基区很薄且 掺杂浓度最低，集电区掺杂浓度较 高。
PN结
三极管内部包含两个PN结，分别 是发射结和集电结。
三极管主要参数
01
02
03
电流放大系数
表示三极管对电流的放大 能力，是判断三极管放大 性能的重要参数。
极间反向电流
包括集电极-基极反向饱和 电流和集电极-发射极反向 饱和电流，反映了三极管 的截止性能。

第1章常用半导体器件313三极管-PPT课件

第1章常用半导体器件313三极管-PPT课件

IC
A
+ RB
V UBE VBB
1 – 3 - 21
RC + VCC
V UCE -
实验线路
1. 输入特性（晶体管IB 与UBE 的关系曲线） iB(A) i f( u ) | u 常数 b be ce 80 60 死区电压： 40 硅管0~0.5V， 锗管0~0.2V。20
uCE≥1V时对应的特性曲线
IE
3、晶体管的三个极电流分配原则及关系
IC
1）根据电路的节点定律：
I E I C I B
IB
IE
1 – 3 - 16
3、晶体管的三个极电流分配原则及关系
2）根据晶体管内部结构 形成的电流分配原则：
IC
IC IB
IC IB
IB
共射直流电流放大系数， 取值范围在20~200之间。
控制大的集电极电流。
1 – 3 - 14
共射放大电路
2、晶体管内部载流子的运动(三个极电流的形成）
1）发射结加正向电压， 扩散运动形成发射极 电流IE
IC
2）扩散到基区的自由 电子与空穴的复合形 成基极电流IB 3）集电结加反向电压， 漂移运动形成集电极电 流 IC
1 – 3 - 15
N IB P N
模拟电子技术基础
信息科学与工程学院· 基础电子教研室
内容回顾 半导体二极管：
1、二极管的符号：
D D
1–3 - 2
2、伏安特性
死区电压：
二极管截止 反向击穿 电压UBR 二 极 管 非 工 作 区
1–3 - 3
I
导通压降:
二极管导通 反向电压 反 向 截 止 正 向 截 止 正 向 导 通

三极管教学课件ppt

三极管教学课件ppt

由引脚电压判断三极管管脚和工作状态
工作状态 发射结电压 集电结电压
放大 截止 饱和
正向 反向 正向
反向 反向 正向
1、无正向导通电压的处在截止状态 2、根据三个电位的集中程度判断是否饱和 3、如果饱和则先判断基极，再判断集电极和发射极 例1-5 NPN:(2) 0.3V,0.3V,1V PNP: (1) -0.2V,0V,0V
三极管状态电流判断条件说明
1、当IB、IC均已知时： （1）当IB=IC/β时，三极管处于放大状态 （2）当IB>IC/β时，三极管处于 饱和状态 （3）当IB=IC=0时，三极管处于放大状态 2、当只有IB已知时： 硅0.7V锗0.2V （1）当0<IB<IBS=(UCC-UCES)/(βRC) ≈UCC/(β RC)时，三极管 处于放大状态 （2）当IB>IBS时，三极管处于饱和状态 3、当只有IC已知时： （1）当UCE=UCC-ICRC>UCES时，三极管处于放大状态 （2）当0<UCE≤UCES时，三极管处于饱和状态
三极管状态电流判断条件说明
思考：射极加上电阻后的IBS变化吗？如变化如何变化？ 射极无电阻时： UCE=UCC-ICRC 射极有电阻时： UCE=UCC-ICRC-IERE ≈UCC-IC(RC+RE) 则此时的IBS=(UCCUCES)/β(RC+RE)≈UCC/β(RC+ RE)
c
Rc UCE
放大 截止 饱和
正向 反向 正向
反向 反向 正向
1、无正向导通电压的处在截止状态 例1-5 NPN: (1) 1V,0.3V,3V (2) 0.3V,0.3V,1V (3)2V,5V,1V PNP: (1) -0.2V,0V,0V (2) -3V,-0.2V,0V (3)1V,1.2V,-2V

三极管PPT课件

三极管PPT课件

集电结
正偏 反偏 反偏
15
例1：测量三极管三个电极对地电位如图 试判断三极管的工作状态。
放大
截止
饱和
2020/3/23
16
3.4 参数
分为三大类:
直流参数 交流参数 极限参数
(1)直流参数 ①电流放大系数
1.共射 ~
≈IC / IB vCE=const 2.共基 ~
2020/3/23
≈IC/IE VCB=const
2020/3/23
图02.04 共射接法的电压-电流关系
13
(1) 输入特性曲线
方程： iB=f(vBE) vCE=const
曲线：如图
2020/3/23
14
(2) 输出特性曲线
方程： iC=f(vCE) iB=const
曲线：
三区偏置 特点：
2020/3/23
饱和区 放大区 截止区发射结正偏 正偏 反偏1.1概述
半导体器件是现代电子技术的重要组成部分，由于它具有体积小，重量轻，使用寿命长，输入功率小 和功率转换效率高等优点而得到广泛的应用。集成电路特别是大规模集成电路不断的更新换代，致使电 子设备在轻型化，可靠性和电子系统设计的灵活性等方面有了重大的进步，因而电子技术成为当代高新 技术的龙头。
半导体：是指其导电性具有介于导体（金属）和非导体（绝缘体）之间的物质，用表征电流流过的难 易程序的电阻率p来衡量。
6
二、内部载流子的传输过程
• 根据下图将BE端加正向偏压，将CB两端加较高的反向偏压，图（a） 图（b）为能带图和电流分量图：由于E区的杂质浓度较B区高得多， 在BE间的正向电场作用下，E区电子向B区运动，由于B区的浓度低， 只有少数的电子与B区的空穴复合，大多数电子在CB间的电场作用下 向C区流动，形成集电极电流。由于B极的电流较小，就实现了以小电 流控制大电流的作用。

第1章_三极管

第1章_三极管

Ch1. 常用半导体器件
12
IE
N
P
N
e
c

UBE b

UCB

发射区向基区扩散电子
RE VEE
VCC
RC
基区向发射区扩散空穴
b. 基区向发射区扩散空穴
形成空穴电流
2020年3月1日1时39分
Ch1. 常用半导体器件
13
IE
N
P
N
e
c

UBE b

UCB

发射区向基区扩散电子
RE VEE
Ch1. 常用半导体器件
非平衡少子向 集电结扩散
15
IE
N
P
N
IC
e
c

UBE b

UCB

IB
RE VEE
VCC
RC
d. 集电区收集从发射区扩散过来的电子
形成发射极电流IC
2020年3月1日1时39分
Ch1. 常用半导体器件
非平衡少子 到达集电区
16
集电区少子空
IE
穴向基区漂移
e
基区少子电子向
2. PNP型晶体管结构示意图和符号
发射区 E(e)
P
JE
结构示意图
2020年3月1日1时39分
基区
N
JC B(b)
集电区
P
B (b)
符号
Ch1. 常用半导体器件
C(c)
C(c) T E(e)
7
晶体管的结构
3. 晶体管的内部结构特点（具有放大作用的内部条件）
B
E
平面型晶 体管的结 构示意图
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(2) 饱和区：发射结正偏、集电结正偏（二极管并联导通）
即：UCEUBE ， IB>IC，UCE0.3V
(3) 截止区：UBE< UON（或反偏），集电结反偏（或 正偏）。
24.10.2020三种状IB态=0的，判IC=断IC：EO(根0据，UUBCEE,UVCCEC，IB,IC同时判断)
例： =50， USC =12V，
24.10.2020 频率：高频管和低频管。
1.3.1 晶体管结构与类型
结构与类型
C 集电极
C 集电极
结构 B
基极
N P N
E 发射极 c
P
B
N
基极 P
E 发射极 c
符号 b
b
24.10.2020
e
NPN型
e
PNP型
结构特点:(三极两结)
C
集电极
集电结
B
基极 发射结
N P N
E
发射极
集电区： 结面积较大
I < I 24.C10.2020Cmax (=2mA) ， Q位于放大区。
1.3.3 晶体管共射特性曲线
各极间电压电流关系（实验）
IB
IC mA
A
RB
V UBE
EC V UCE
EB
24.10.2020
测试实验电路线路
一、输入特性曲线
iB f(uBE)UCEConst
UCE=0V
80
UCE =0.5V
IB(A)
UCE 1V
60
工作压降：
死区电压： 40
硅管UBE0.6~0.7V
IC
IE
1
意义：IBE对ICE的控制/放大能力（内部）。
24.10.2020
IB对IC的控制/放大能力（外部）。
三、近似公式（外部特性）
三极管电流分配：
IC IB
IE(1)IB
IE ICIB
C IC B
C IC B
IB E
IE
IB E
IE
NPN
PNP
记住！！
24.10.2020
注意：要使三极管能放大电流， 必须使发射结正偏，集电结反偏。
IBN ，多数扩散到 Rb
集电结。
VB
B
ICB
ICN
O
IBN
IEP IEN IE
发射结正偏，基区空 穴向发射区的扩散可 24忽.10.略2020。
集电结反
偏，从基
区扩散来
IC
的电子作 为集电结
的非平衡
RC
少子，漂
移进入集
VC 电结而被
C 收集，形
成ICE。
发射结正偏，发 射区电子不断向 基区扩散，形成 发射极电流IE。
例： =50， USC =12V，
RB =70k， RC =6k 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？
USB =2V时： （发射结正偏，集电结反偏）
IB B RB UBE
USB
IC
C
RC
UCE E
USC
IIB C U ISBB R B U 5B 0 E0 .0 2 7 9 1 0.0 7 m 0 0 A .0.9 1 9m 5m A A
1.3.6 光电晶体管 重点难点
重点：晶体管放大原理、特性曲线。
难点：1.晶体管电流分配及控制
2.晶体管主要参数及意义
3.PN结单向导电性
24.10.2020
常见三极管封装
3AX81
3AX1
3DG4
3AD10(a)(Fra bibliotek)(c)
(d)
结构：有PNP型和NPN型；
材料：硅管和锗管；
功率：大功率管和小功率管；
模拟电子技术基础
第一章 常用半导体器件(2)
24.10.2020
第1章 常用半导体器件
1.1 半导体基础知识
1.2 半导体二极管
1.3 双极型晶体管
本节课内容
1.4 场效应管
1.5 单结晶体管和晶闸管
1.6 集成电路中的元件
24.10.2020
1.3 双极型晶体管(三极管)
1.3.1 晶体管结构及类型 1.3.2 晶体管电流放大作用 1.3.3 晶体管共射特性曲线 1.3.4 晶体管主要参数 1.3.5 温度对晶体管特性几参数的影响
80A集电结反
偏,IB=0
60AIC=ICEO
40A
放大区：
1
发射结正偏
集电结反偏
IC=IB
U 变化 24.10.2020
CE
20A IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
输出特性三个区域的特点:
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 （线性放大）
(2)
即： UCEUBE ， IC=IB , 且 IC = IB
24.10.2020
（注意：为何不是6种！）
公射放大电路：（条件：发射结正偏，集电结反偏）
IC
IB B
C
RC
UCE RB UBE E
uo
VBB
VCC
放大：输入电压微小变化，反映在输出中。
24.10.2020
载流子运动（发射、复合、收集）
集电结反偏，有少子形 成的反向电流ICBO。
IB
进入P区的电子少 部分与基区的空穴 复合，形成电流
硅管0.5V，
20
锗管BE0.2~0.3V。
锗管0.2V。
0.4 0.8 UBE(V)
24.10.2020 注意：输入曲线是一簇曲线！
二、输出特性曲线
iC f(uCE)iBConst
饱和区：
集电结正偏
UCE UBE,
4
IB>IC，
UCE0.3V
3
IC(mA )
iC 2
iB
100截A止区:
UBE< UON
基区：较薄， 掺杂浓度低
发射区： 掺杂浓度较高
24.10.2目020的:有利于电流的控制(放大)作用
1.3.2 电流分配（放大）作用
三种接法：（三极双端口网络）
IE=(1+β)IB
BJT的三种组态
共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;
二、各极电流分配关系(P25) IC=ICN+ICBO ICN
IB=IBN+IEP-ICBO
IB
ICB
ICN
O
IBN
IC
RC VC
C
Rb IEP
VB
IEN
B
IE IE=IEP+IENIEN
24.10.2020外部关系：IE=IC+IB
三、共基电流放大系数 ICN与IE之比称为电流放大倍数
ICEO集电结 反向饱和电
流(忽略)
表示直流 放大倍数
ICEICICBO IC
IBE IBICBO IB
交流放大 倍数
IC
IB
意义：IE对ICN的控制能力（内部）。
24.10.2020
IE对IC的控制能力（外部）。
三、共基电流放大系数
ICE与IBE之比称为电流放大倍数
表示直流 放大倍数
I CN IE
1
交流放大 倍数
RB =70k， RC =6k 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？
当USB = -2 V，
IC
IB B C
RC
UCE
RB UBE E
USC USB
（发射结反偏，集电结正偏）
IB=0 ， IC=0
IC最大饱和电流：
Q位于截止区
24.10.2020
ICmaxURSCC1622mA