Track工艺设备培训资料
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导轨工艺简介涂胶基本流程• HP :HOT PLATE IND :INDEXER AH :ADHESION CHAMBER WITH HP• AC :ADHESION CHAMBER WITH CP SC :SPIN COATER• TR :TRANSFER UNIT涂胶前处理(PRIMING )• 目的:增加圆片衬底与光刻胶的粘附性• 化学试剂:HMDS ( 六甲基二硅胺 )• 气相涂布方法:1。
常温下的HMDS 批处理箱 2。
高温低真空下的HMDS 批处理箱 3。
高温低真空下(高温下)的HMDS 单片处理模块• 确认HMDS 的效果用接触角计测量,一般要求大于65度 • 前处理注意事项• 来片衬底必须是干净和干燥的• HMDS 处理后应及时涂胶• HMDS 处理不能过度• 安全使用HMDS涂胶(COATING )• 影响光刻胶厚度和均匀性的主要参数:• 环境温度• 环境湿度• 排风净压力• 光刻胶温度• 光刻胶量• 旋转马达的精度和重复性• 回吸量• 预旋转速度,预旋转时间,最终旋转速度,最终旋转时间,最终旋转加速度软烘 ( SOFTBAKE )3 1 N2 INHMDSV APOR软烘目的:•去除光刻胶中的溶剂•增加粘附性•提高E0的稳定性•减少表面张力软烘方法:•热对流烘箱•红外线辐射•接触式(接近式)热版•软烘的关键控制点是温度和时间显影前烘焙(PEB)•目的:降低或消除驻波效应•PEB温度一般要求比软烘高15-20度•PEB一般采用接触式或接近式热板烘焙•PEB的关键控制点是温度与时间显影(DEVELOPER)目的:简单的说就是去除已曝光部分的光刻胶显影方法:•浸润显影(IMMESRSION)•喷雾显影(SPRAY)•静态显影(PUDDLE)影响显影的因素:•显影液成份•显影液温度•环境温度•环境湿度•显影液量•显影方式•程序坚膜(HARDBAKE)•目的:•去除残余的显影液,水及有机溶剂•提高粘附性•预防刻蚀时胶形貌变形•方法:•接触式或接近式热板•DUV•控制关键点是温度和时间光刻胶工艺•确定光刻胶厚需考虑的几个因素:•圆片表面的形貌•显影损失的胶厚•刻蚀损失的胶厚•屏蔽注入所需胶厚•无针孔所需胶厚光刻胶工艺控制•光刻胶厚度及极差•颗粒•光刻胶缺陷•胶量•排风•热板温度•显影液量•显影均匀性•E0驻波效应(STANDING WA VE)驻波效应原理:由于入射光与反射光产生干涉使沿胶厚的方向的光强形成波峰和波谷产生的降低或消除驻波效应的两种方法:•PEB•加抗反射层:用有机(TARC/BARC)&无机材料(TIN)NO PEB PEBTRACK工艺简介摘要本文简要介绍关于涂胶、显影工艺的一些相关内容。
SMT员工机器操作培训资料第一篇:SMT员工机器操作培训资料SMT员工机器操作培训资料一、上板操作注意事项1、上板时板要与轨道平行放在轨道上,并轻轻推进。
2、上板时要确保板是放在轨道的皮带上。
不要歪放,造成把轨道撬开。
导致板卡住,长期如此还会导致轨道成喇叭口。
二、机器报报警的处理1若现场操作员熟悉报警信息,知道明确的处理措施及执行结果,可以自行对报警故障信息进行确认处理。
可以参考表1《关键设备报警信息处理权限(操作员)》执行。
若现场操作员熟悉报警信息,不知道明确的处理措施及执行结果,则不可自行对报警信息进行确认处理,应保护好报警信息,立即通知当线工程师或技术员处理。
若现场操作员不熟悉报警信息,则不可自行对报警信息进行确认处理,应保护好报警信息,立即通知当线工程师或技术员处理。
三、故障现场的保护和处理:分为三种情况处理设备在运行中有异常表现。
如:声音异常、异味、电机过热等,可采取停机办法并通知当线工程师或技术员处理;(特别注意:停机时要首先确保正在生产的产品已离开停机后会产生损害的区域,如:回流炉内,波峰焊高温区)设备在运行中发生故障后,对产品或人员不会有进一步危害的。
如电机卡死、正常的执行动作无法执行、运动部件损害或发生撞击、压接异常、控制计算机死机等,现场操作人员应停止设备有关的一切操作,保护现场后立即通知当线工程师或技术员处理。
设备在运行中发生故障后,可能对产品或人身有进一步危害的故障。
如:清洗机卡板、进出板机卡板、ICT线体卡板、自动货柜运转不停止、线体出现漏电等,现场操作人员应按紧急停止开关(关闭电源),保护现场后立即通知当线工程师或技术员处理。
四、贴片机安全操作注意事项贴片机作为高科技产品,安全、正确地操作对机器和对人都是很重要的。
安全地操作贴片机最基本的就是操作者应有最准确的判断,应遵循以下的基本安全规则:1.机器操作者应接受正确方法下的操作培训。
2.检查机器,更换零件或修理及内部调整时应关电源(对机器的检修都必须要在按下紧急按钮或断电源情况下进行。
导轨工艺简介涂胶基本流程• HP :HOT PLATE IND :INDEXER AH :ADHESION CHAMBER WITH HP• AC :ADHESION CHAMBER WITH CP SC :SPIN COATER• TR :TRANSFER UNIT 涂胶前处理(PRIMING )• 目的:增加圆片衬底与光刻胶的粘附性 • 化学试剂:HMDS ( 六甲基二硅胺 )• 气相涂布方法:1。
常温下的HMDS 批处理箱 2。
高温低真空下的HMDS 批处理箱 3。
高温低真空下(高温下)的HMDS 单片处理模块• 确认HMDS 的效果用接触角计测量,一般要求大于65度 • 前处理注意事项DNS 涂胶系统图:• 来片衬底必须是干净和干燥的 • HMDS 处理后应及时涂胶 • HMDS 处理不能过度 • 安全使用HMDS涂胶(COATING )• 影响光刻胶厚度和均匀性的主要参数: • 环境温度 • 环境湿度 • 排风净压力 • 光刻胶温度 • 光刻胶量• 旋转马达的精度和重复性 • 回吸量• 预旋转速度,预旋转时间,最终旋转速度,最终旋转时间,最终旋转加速度软烘 ( SOFTBAKE )31 N2 IN HMDS V APOR软烘目的:•去除光刻胶中的溶剂•增加粘附性•提高E0的稳定性•减少表面张力软烘方法:•热对流烘箱•红外线辐射•接触式(接近式)热版•软烘的关键控制点是温度和时间显影前烘焙(PEB)•目的:降低或消除驻波效应•PEB温度一般要求比软烘高15-20度•PEB一般采用接触式或接近式热板烘焙•PEB的关键控制点是温度与时间显影(DEVELOPER)目的:简单的说就是去除已曝光部分的光刻胶显影方法:•浸润显影(IMMESRSION)•喷雾显影(SPRAY)•静态显影(PUDDLE)影响显影的因素:•显影液成份•显影液温度•环境温度•环境湿度•显影液量•显影方式•程序坚膜(HARDBAKE)•目的:•去除残余的显影液,水及有机溶剂•提高粘附性•预防刻蚀时胶形貌变形•方法:•接触式或接近式热板•DUV•控制关键点是温度和时间光刻胶工艺•确定光刻胶厚需考虑的几个因素:•圆片表面的形貌•显影损失的胶厚•刻蚀损失的胶厚•屏蔽注入所需胶厚•无针孔所需胶厚光刻胶工艺控制•光刻胶厚度及极差•颗粒•光刻胶缺陷•胶量•排风•热板温度•显影液量•显影均匀性•E0驻波效应(STANDING WA VE)驻波效应原理:由于入射光与反射光产生干涉使沿胶厚的方向的光强形成波峰和波谷产生的降低或消除驻波效应的两种方法:•PEB•加抗反射层:用有机(TARC/BARC)&无机材料(TIN)NO PEB PEBTRACK工艺简介摘要本文简要介绍关于涂胶、显影工艺的一些相关内容。