第3章 智能非金属材料2
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(4)压电复合材料
压电陶瓷: 高介电性、较强的压电性和大的机电耦合系数; 制备温度较高、制备工艺较复杂; 不易制得薄膜材料、质脆,应用受限; 压电聚合物: 高的介电性、较强的压电性; 高的机械强度、柔韧性; 使用温度较低,应用同样受限。
压电复合材料:克服了压电陶瓷材料的脆性和压电聚 合物材料的温度限制 ——智能材料系统与结构中最有前途的压电材料。
根据制备方法不同可分为: *胶粘接式 *多层共烧式
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双压电晶片式弯曲型驱动器
设计思路 二个压电陶瓷片粘在一起,其极化电压 极性相反;加上电压使其中一片伸长,另一 片收缩,形成弯曲位移。
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应 用
(1)抑制振动和噪声 压电智能材料应用研究主要集中在: 结构的声和振动主动控制; 结构形状的自适应控制。 ★ 1991年 弗吉尼亚工学院 压电陶瓷结构声主动 控制系统ASAC 可将110dB声源的声强降低29dB。
(5)日常生活 压电点火器;电子打火机、煤气灶、热水器 压电谐振器和蜂鸣器:电子钟表、声控门、报警器、 儿童玩具、电话; 验证笔迹和声音特征的压电传感器:银行、商店、 超净厂房和安全保密场所的管理以及侦察、破案; 压电引信:精确引燃引爆破甲弹等杀伤性武器。
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煤气灶电子点火器 利用压电传感器工作原理进行点火。 结构:一般由两个压电陶瓷元件并联组成。
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b.二元系压电陶瓷 BaTiO3-CaTiO3系 大大降低第二相变温度,但不能提高居里点
BaTiO3-PbTiO3系 能提高居里点,同时降低第二相变点
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★锆钛酸铅 PbZrO3 和PbTiO3以任何比例形成的连续固溶体, 化学式为Pb(ZrxTi1-xO)3,简称PZT。 高压电活性和高介电常数(压电常数是BaTiO3的两 倍),其它性能比BaTiO3好得多。 开辟了压电陶瓷应用(变压器、滤波器、换能器、 通讯、计测、引燃引爆装置、超声延迟线等)的新 局面,具有划时代意义。 改性方法: 改变Zr/Ti比; 等价离子及不等价离子置换或掺加杂质、氧化物, 如Ba2+、Sr2+、Sn4+、La3+、Bi3+、Sn5+等。
=
输入的总机械能 由电能转换的机械能 输入的总电能
=
*k和k2总小于1; * 不同形状和振动方式所对应的机电耦合系数也不 相同。
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3.5.2 压电、铁电材料
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(1)压电单晶 石英(天然、人工)晶体——俗称水晶 。 俗称 居里点为573℃的六角晶系α-石英。 性能特点: ●压电常数小,压电系数和介电系数的温度稳定性 压电常数小,压电系数和介电系数的 好,在20-200℃压电系数变化率仅为-0.016%; ●机械强度和品质因素高,允许应力高达 6.8×107Pa~9.8×107Pa,且刚度大,固有频率 高,动态特性好; ●无热释电性,且绝缘性、重复性均好。
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(4)生物医学测量 聚偏二氟乙烯PVDF 优点:低的声阻抗和介电常数,柔软,灵敏度高、 耐击穿、声阻抗与人体组织的声阻抗接近。 应用:脉搏计、血压计、超声仪和胎心探测器等; 大面积的传感器阵列器件,如人造皮肤等, 对环境温度和压力敏感。 其它: 勘探和目标识别:识别盲文书信和不同级别的砂 纸,准确性近100%; 探测水下物体的传感器; 扬声器、耳机、微音器 38
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压电效应的表征
(1)压电应变常数d: ——介质电位移D(单位面积电荷)和应力T以及 应变S和电场强度E之间的关系。 对于正压电效应: D=dT 对于逆压电效应: S=dE 两式中的d在数值上相等
它描述作为驱动材料 运动或振动的能力。 它描述作为 高功率声纳希望材料的d值要高。
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压电效应的表征
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3.5.3 压电驱动器
工作原理——逆压电效应 施加电压 与其极化电压极性相反 :压电陶瓷缩短 ; 施加 与其极化电压极性 压电陶瓷 施加电压 与其极化电压极性相同 :压电陶瓷伸长 ; 施加 与其极化电压极性 压电陶瓷 施加交流电压 :交替地伸长和缩短; 施加 控制施加电压的大小 :控制位移输出大小 控制施加 :控制
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工作过程
压电薄膜传感器
压电陶瓷超声传感器
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数码聚焦驱动器
超声清洗换能器
燃油喷射器用压电驱动器
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多层压电扬声器
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3.5.4 压电传感器
原理——正压电效应
压电感知元件仅对应力的变化作出反应。压电 传感器是交流器件,而不是直流器件,只能够测量 动态的应力,不能用于静态测量。
结构
压电片通常是两片(或两片以上)粘结在一起, 一般常用并联接法。其总面积是单片的两倍,极板 上的总电荷Q并为单片电荷Q的两倍。加上电极即构 成最简单的压电传感器。
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压电材料与其它材料复合制成自适应ຫໍສະໝຸດ 构:传感器和驱动器自成孤立系统
传感器直接装在驱动器顶部的 机械耦合系统
★降低圆柱型卫星天线桅杆的振动; ★具有自行调整外形功能的直升机推进叶片; ★ 智能蒙皮 —— 相当于柔顺材料,对于压力的波 动,可获得高于橡胶6倍的柔顺性。
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(2)减少应力集中,延长疲劳寿命 压电陶瓷诱发应变驱动器能够主动减少应变 集中,延长疲劳寿命。 其它 军事上:压电陶瓷水声换能器 ——核潜艇的“眼睛”
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应用
(1)加速度和力的测量 ——制成力传感器、加速度传感器、压力传感器 常用的压电材料:石英晶体 和压电陶瓷。 常用的压电材料: 压电加速度传感器:常用的加速度计。 特点:结构简单、体积小、重量轻、使用寿命长。 应用:飞机、汽车、船舶、桥梁和建筑的振动和 应用:飞机、汽车、船舶、桥梁和建筑的 冲击测量,在航空和宇航领域中具有特殊 地位。
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(2)压电陶瓷 特点 ●压电常数大,灵敏度高; ●制造工艺成熟,可通过合理配方和掺杂等人工 控制来达到所要求的性能; ●成形工艺性好,成本低廉,利于广泛应用。 ●具有热释电性,会给压电传感器造成热干扰, 降低稳定性,对高稳定性的传感器应用有限。
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a.一元系压电陶瓷 BaTiO3: 机电耦合系数大,最早的有实用价值的压电陶瓷; 制备容易,且可制成任意形状和极化方向的产品。 PbTiO3: 居里温度高(Tc=490 ℃),能在高温下使用; 自发极化强度在钙钛矿型晶体结构的铁电体中最高; 镧系元素(La,Ce,Nd,Sm,Eu和Gd)的掺入对 其晶格参数及介电、压电性能的影响较大。
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(2)压电式周界报警系统(用于重要位置出入口、 周界安全防护等) 将长的压电电缆埋在泥土的浅表层 ——分布式地下麦克风或听音器 在几十米范围内探测人的步行,分辨车辆类型 (3)交通监测 将高分子压电电缆埋在公路上 用于:获取车型分类信息(包括轴数、轴距、轮距、 单双轮胎、汽车类型)、车速监测、收费站 地磅、闯红灯拍照、停车区域监控、交通 数据信息采集(道路监控)及机场滑行道等。
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压电陶瓷驱动器的结构类型
应用最多: 线性多层式驱动器 双片式弯曲型驱动元件
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线性多层式驱动器
设计思路 压电陶瓷的变形量与厚度无关 多层压电陶瓷薄片在电学上并 联、在位移和驱动力方面串联 叠加,层叠烧结在一起制成多 层结构。
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线性多层式驱动器
性能特点 位移随层数增加而增加; 工作电压大幅度降低。
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锂盐类压电和铁电单晶 铌酸锂(LiNbO3)、钽酸锂(LiTaO3)、锗酸锂(LiGeO3)、 镓酸锂(LiGaO3)、锗酸铋(Bi2GeO20)等。 铌酸锂:一种多畴单晶 ,须通过极化处理后才能成 铌酸锂:一种 为单畴单晶,呈现类似单晶体的特点,即 机械性能各向异性。 性能特点: 时间稳定性好,居里点高 达1200℃,在高温、强辐射 时间稳定性好, 条件下仍具有良好的压电性,机电耦合系数高。 不足:质地脆、抗机械和热冲击性差。
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C.三元系及多元系压电陶瓷 PZT-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 PZT-各种驰豫铁电体固溶物
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无铅压电陶瓷 BaTiO3 钛酸铋钠(Na1/2,Bi1/2) TiO3 (BNT) 系统 含铋层状结构 铌酸盐 中国科学院上海硅酸盐研究所 钛酸铋钠基无铅压电陶瓷系列 (1-x)Nal/2Bi1/2TiO3—xBaTiO3 (x=0.06时压电性能最好)
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压电陶瓷/聚合物复合材料 将压电陶瓷和压电聚合物按一定的连通方式、 一定的体积或质量比例和一定的空间几何分布复 合而成。 性能影响因素: 组成成分—各组份的比例 两相材料的连通方式
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压电陶瓷/聚合物复合材料的十种基本类型
第一个数字代表陶瓷相的连通维数; 第二个数字代表聚合物相的连通维数 空白区:压电陶瓷;阴影区:聚合物
(2)压电电压常数g: 应力与所产生的电场强度,或应变与所引起的电 位移的关系。
g=d/E
由机械应力而产生电压 的材料如留声机、扩音器 由机械 希望有高的 g值。 希望有
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(3)机电耦合系数k: 综合反映压电材料性能的参数,表示电能转变为 机械能或者机械能转变为电能的分数。 K2 K2 由机械能转换的电能
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压电聚合物种类 通常为非导电性高分子材料。 晶态聚合物: 目前唯一能够商业化生产的压电聚合物材料。 种类:滚延聚偏氟乙烯(PVDF) 和三氟乙烯(TrFE)的共聚物P(VDF-TrFE) 和四氟乙烯(TFE)的共聚物P(VDF-TFE) 奇数的尼龙等。
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非晶态聚合物: 尚无足够高的具有商业应用价值的压电性能。 腈基取代高聚物:聚丙烯腈(PAN) 聚(亚乙烯基氰/醋酸乙烯)(PVDCN/VAc) 聚苯基氰基醚(PPEN) 聚(1-环二丁腈) 最具前途:亚乙烯基氰共聚物(强的介电弛豫强度和 大的压电效应)。
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压电驱动器性能和特点
压电驱动器特点 (1)不需传动机构,位移控制精度高,可达0.01μm; (2)响应速度快,约为10μs,无机械吻合间隙,可实 现电压随动式位移控制。 (3)较大的力输出,约为 3.9kN/cm2。 (4)功耗低,比电磁马达式微位移器低1个数量级,且 当物体保持一定位置(高度)时,器件几乎无功耗。 (5)易与电源、测位传感器、微机等实现闭环控制 。 与电源、测位传感器、微机等 相对其它微位移器件体积小 得多。 相对其它微位移器件