用material studio 画晶胞及参数设置
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第一种情况: 从程序自带的各种晶体及有机模型中导入体系的晶胞
1.打开MS,由file>import>structures>metals\>pure-metals>Fe导入Fe的晶胞。
2.由build>Surfaces>cleave Surfaces打开对话框.
在对话框中输入要建立的晶面(hkl),选择position,其中depth控制晶面层数。
3.进入build>Supercell,输入A 、B 、C的值,得到想要的超晶胞。
4.到该步骤,我们已经建立了一个周期性的超晶胞。
如果要做周期性计算,则应选择build>Crystals>buil d vaccum slab,其中真空层通常选择10埃以上。
如果建立团簇模型则选择build>Symmetry>Non-periodic Structure,去掉模型的周期性,并跟据自己的实际需要删除部分原子,得到想要的团簇模型。
5.在表面插入分子时通过菜单栏上的几个小图标添加即可。
第二种情况: 手动建模,优点是可控制晶格常数。
6.首先从文献中查到晶体的晶格常数的实验值。
7.打开build>Crystals>build crystals,可见到对话框。
在对话框中选择空间群与点群,然后在Lattice Parameter中设置晶胞基矢的长度及夹角。
8.然后打开build>Add atom,从对话框中输入坐标。
这里只需输入几个有代表性的原子的坐标,不必全部输入。
在坐标输入前首先在option页面中选择coordinate system,或者分数坐标或者卡迪尔坐标。
9.以下步骤重复2-5步。
10.需要注意的是,采取什么样的团簇并不是任意的。
原因是很多模型构造出来后在优化过程中往往不收敛。
要避免这个问题的办法是查阅文献,参考文献上模型进行选取,因为它们的模型通常是经过试验证实收敛的。
几点说明
1.与高斯相比,dmol3能够计算的体系更大。
如果要研究表面的吸附,而模拟表面的团簇模型又比较大,建议采用dmol3。
如果计算的是局部化学反应,而体系也不是很大,则可以使用高斯。
2.关于是否考虑周期性条件的问题
研究金属表面时,团簇计算方法在前些年由于计算量小曾经被广泛的应用过,直到现在也被很多人在使用着,主要被用来计算吸附和多个分子的共吸附等,即不考虑化学键的断裂。
近年来由于国际上计算能力的提升,人们开始考虑周期性条件,这点从JPCA,JPCB,PRL,PRB,JACS等杂志上刊出的文章里也可以看出,但是计算量要大很多。
需要注意的是,由于团簇计算方法没有考虑周期性,即在k空间里只计算了Γ点,采用该方法计算表面的化学键的断裂(即表面扩散问题等)时有可能受到质疑。
3.在研究表面时,通常把团簇固定,只优化吸附在表面的分子,这一点可以通过菜单栏上的Modify>Cons traint实现。
首先选定团簇中需要固定的原子,然后在下面的对话框中打勾。
同时也可以在Measurement里固定部分键长和键角。
4. 关于计算参数设置
主要有几个参数需要注意
1 对于Electronic页面,需要注意的是Core treatment,对于过渡金属原子通常需要考虑相对论效应,因此一般不使用All Electron方法。
其他几种方法任选。
Basis set应为DNP,Setup下的Quality一般选fine。
为了提高计算速度,一个较好的办法是先用粗糙的Basis set和Quality进行优化,然后再提高精度。
2 还有一个非常重要的选项是Electronic>More>SCF里的Use smearing。
这个关键字有助于加快收敛,但是设的多大往往会产生错误的结果,它也相当于允许的误差范围。
具体设置办法可参考help。
其他的关键字可酌情设置。