一种全桥直流变压器抑制偏磁方法研究

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研制开发
20μs/格i L
u gs1轻微偏磁u gs2图4 轻微偏磁实验波形i L
u
gs1u gs220µs/格较重偏磁图5 较重偏磁实验波形 从图4和图5中变压器原边电流i L 以及实验条件
可以看出:随着输出负载的增加,变压器原边电流正负两个方向波形不对称程度加大,高频变压器偏磁问题越来越严重。

如果不引入偏磁抑制,随着负载的进一步增加,高频变压器必将出现饱和问题。

3.2 加偏磁抑制采用图3的方法进行抑制偏磁实验。

这时占空比将由偏置电压U ref 和PI 调节器A 2输出共同控制。

图6
给出U in =298.9 V 、U o =24.0 V 和I o =40 A 的实验波形。

对比图4、图5和图6及实验条件,从变压器原边电流i 可以看出:引入偏磁校正技术后,虽然负载
i L
u gs1
u gs2
20µs/格。