接近开关专用集成电路TLP

TLP521-4四路光耦合一、简介TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。

二、引脚图T LP521－2提供两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供4个孤立的光耦中16引脚三、原理分析1脚：正极 2脚：负极 3脚：发射极 4脚：集电极一般系统中如上图图进行光耦设计（只标明一组，其余组均按此设计）。

光耦的输入端是一个发光二极管，加电阻是为了限制电流，不加电阻容易烧毁。

加二极管（IN4148）主要为了保护光耦。

四、输入输出介绍左图为上拉电阻，此时光敏三极管构成反相放大器，即当无输入信号时，发光二极管截止，其因无电流流过不发光，故使光敏三极管因无无光照而截止，即其集电极电流Ic=0，集电极输出TD5=VCC - Ic*R2=VCC- 0*R5=VCC，此时输出TD5为高电平（VCC）。

当有输入信号时，发光二极管因流有足够电流而发光，此时光敏三极管因有光照照而饱和导通，其R2的电压降VR5=VCC，故使其集电极对地电压=0V，此时输出TD5为低电平（≈0V）。

右图为下拉电阻，即：光敏三极管的集电极接VCC，而发射极接电阻R2，R2下端接地，即构成射极跟随器形式，由发射机输出。

此时输出相位与上1、2相反，即：当无输入信号时，发光二极管截止，其因无电流流过不发光，故使光敏三极管因无无光照而截止，即其发射极电流Ie=0，故发射极对地输出电压=0V。

当有输入信号时，发光二极管因流有足够电流而发光，此时光敏三极管因有光照照而饱和导通，其R2电压=VCC，即发射极对地电压=VCC。

tlp2355原理
tlp2355是一种光耦合器件，也被称为光电耦合器。

它通常由
发光二极管（LED）和光敏二极管（光探测器）组成。

其工作原理是
利用LED发出的光信号照射到光敏二极管上，从而实现输入和输出
之间的电气隔离和信号传输。

从LED的角度来看，当LED端施加电压时，LED会发出光信号。

这个光信号经过光耦合器中的隔离层传播到光敏二极管的光敏区域。

光敏二极管的光敏区域会吸收LED发出的光信号，产生电荷载流子，从而在光敏二极管中产生电流或电压信号。

这个电流或电压信号可
以视为光耦合器的输出信号。

从电气隔离的角度来看，光耦合器实现了输入和输出之间的电
气隔离。

这是因为LED和光敏二极管之间的信号传输是通过光信号
而不是直接的电气连接。

这种电气隔离可以带来很多优势，比如可
以防止输入端的电气噪声传播到输出端，提高系统的稳定性和安全性。

总的来说，tlp2355光耦合器的工作原理涉及LED发出光信号，光信号经过隔离层照射到光敏二极管上，光敏二极管产生对应的电
流或电压信号，实现输入和输出之间的电气隔离和信号传输。

这种器件在工业控制、通信设备和医疗器械等领域有着广泛的应用。

tlp293参数TLP293参数TLP293是一种光耦合器件，它通过光学隔离的方式将输入和输出电路隔离开来，具有高速和高电压隔离的特点。

在许多电子设备中，TLP293被广泛应用于数据传输、电源控制等领域。

TLP293的核心部件是发光二极管和光敏三极管，通过这两个元件的结合，实现了输入电路和输出电路的隔离。

发光二极管将输入电路的电信号转化为光信号，然后光信号经过光敏三极管转化为输出电信号，从而实现了输入和输出之间的隔离。

TLP293具有多种参数，包括输入电流、输出电压、传输速率等。

其中，输入电流是指在输入端流过的电流大小，通常以毫安（mA）为单位进行表示。

输出电压是指在输出端的电压大小，通常以伏特（V）为单位进行表示。

传输速率是指TLP293能够传输数据的速度，通常以兆位每秒（Mbps）为单位进行表示。

TLP293的输入电流一般在几毫安到几十毫安之间，具体取决于不同型号和应用场景的要求。

较小的输入电流可以减小功耗，而较大的输入电流可以提高传输速率。

输出电压的范围也会因为不同的应用而有所不同，一般在几伏特到几十伏特之间。

传输速率一般在几百Mbps到几千Mbps之间，具体取决于光耦合器件的性能和工作环境的要求。

TLP293还具有一些其他的参数，如响应时间、耐压能力等。

响应时间是指从输入信号到输出信号出现的时间延迟，一般以纳秒（ns）为单位进行表示。

较小的响应时间可以提高数据传输速度，而较大的响应时间则会导致传输速率降低。

耐压能力是指TLP293能够承受的最大电压，一般以千伏特（kV）为单位进行表示。

较高的耐压能力可以提高设备的安全性和可靠性。

除了上述参数外，TLP293还具有一些特殊的功能和特点。

首先，TLP293具有高速的数据传输能力，可以满足高速数据传输的需求。

其次，TLP293具有高电压隔离能力，可以有效地隔离输入和输出电路，提高系统的安全性和稳定性。

此外，TLP293还具有小尺寸、低功耗等优点，适用于各种电子设备中的小型化和低功耗化要求。

常⽤集成电路名词缩写汇总（第⼆版）重要说明整个集成电路的设计和⽣产链路很长,相关专有名称很多;本⽂对常见的集成电路相关的名词缩写进⾏了汇总,特别聚焦与集成电路设计领域,意在整理常⽤的数字电路/DC/PT/ICC/DFV/DFT/RTL/ATE相关⽅⾯的知识点,⽅便⼤家快速学习和掌握相关知识,⽅便⼤家查询;同时希望对学⽣将来的培训/⾯试等活动给予最⼤的帮助;⽂章按照字母排序的⽅式进⾏编排,⽅便⼤家查询;本次⽂章内容为第⼆次发布,我们将定期更新,逐步完善;欢迎⼤家提供相关信息⾄xgcl_wei微信号,帮助我们逐步完善内容,⽅便更多的⼈查询和使⽤,感谢您的参与,谢谢!英⽂全称中⽂说明ABV Assertion based verification基于断⾔的验证AES Advanced Encryption Standard⾼级加密标准,是美国政府采⽤的⼀种区块加密标准ADC Analog-to-Digital Converter指模/数转换器或者模数转换器AHB Advanced High Performance Bus⾼级⾼性能总线ALF Advanced Library Format先进（时序）库格式ALU Arithmetic and logic unit算数逻辑单元AMBA Advanced Microcontroller Bus Architecture⾼级微控制器总线体系ANT antenna天线效应AOP Aspect Oriented Programming⾯向⽅⾯编程APB Advanced Peripheral Bus⾼级外部设备总线API Application Programming Interface应⽤程序编程接⼝APR Auto place and route⾃动布局布线ARM Advanced RISC Machines 英国Acorn公司(ARM公司的前⾝)设计的低功耗成本的第⼀款RISC微处理器。

TL-Q5MC1-Z 翔京联合接近开关中文资料 产品图片
Photo 尺寸图
Dimension drawing 特点描述 Feature Description 型号规格 Item Code ◆采用非接触式检测方式,响应
快、频率高
◆逆极性,浪涌,短路,过载保护
◆外壳材料：PBT
◆防护等级IP67（IEC ）
DC2线NO TL-Q5MD1 DC2线NC TL-Q5MD2 NPN NO TL-Q5MC1-Z NPN NC TL-Q5MC2 NPN NO+NC
—— PNP NO
TL-Q5MF1
PNP NC TL-Q5MF2
PNP NO+NC ——
AC 2 线 NO TL-Q5MY1
AC 2 线 NC TL-Q5MY2
电气接线图 Connection diagram 规格参数 Specification
安装方式 埋入式 非埋式 检测距
离
5mm 8m m 10…30VDC 90...250VAC
压 外形规格
17*17*28
输出方式 NPN/PNP NO/NC 开关点偏移 ≤±10% 迟滞范围 1…20% 重复误差 ≤3% 负荷电流 ≤200mA 残留电压 ≤2.5V 消耗电流
≤10mA
保护回路
浪涌,过载,短路,逆极性保护
输出指示
黄色LED
环境温度
-25…70℃
环境湿度 35-95%
开关频
率
800 Hz 500 Hz
防护等级 IP67
外壳材
PBT
料
2米PVC电缆接线方
式。

传感器> 接近传感器> 方型> TL-N / -Q 以丰富的机型支持各种用途特点:信息更新: 2017年12月19日安装简单、可用于高速脉冲发生器、高速旋转控制器等可直接安装金属件（-N型）因为品种丰富、所以最适用于各种限位控制、计数控制等方面（-N型）种类:信息更新: 2017年5月17日本体直流2线式形状检测距离型号动作模式NO NC非屏蔽□175mm TL-Q5MD1 2M *1 *2TL-Q5MD2 2M *1□257mm TL-N7MD1 2M *1TL-N7MD2 2M *1□3012mm TL-N12MD1 2M *1TL-N12MD2 2M *1□4020mm TL-N20MD1 2M *1TL-N20MD2 2M *1*1. 备有防止相互干扰的各种异频型。

型号为TL-N□MD□5、TL-Q5MD□5。

（例：TL-N7MD15）*2. 备有机器人（耐弯曲）导线型。

型号为-R。

（例如：TL-Q5MD1-R 2M）直流3线式/交流2线式形状检测距离输出形式型号动作模式NO NC非屏蔽8×9 2mm直流3线式NPNTL-Q2MC1 2M――□175mmTL-Q5MC1 2M *1 *2TL-Q5MC2 2M 直流3线式PNP TL-Q5MB1 2M――□255mm直流3线式NPN TL-N5ME1 2M *1 *2TL-N5ME2 2M *1交流2线式TL-N5MY1 2M *1TL-N5M Y2 2M *1□3010mm 直流3线式NPN TL-N10ME1 2M *1 *2TL-N10ME2 2M *1直流3线式PNP TL-N10MF1 2M *1――交流2线式TL-N10MY1 2M *1TL-N10MY2 2M *1□4020mm 直流3线式NPN TL-N20ME1 2M *1 *2TL-N20ME2 2M *1交流2线式TL-N20MY1 2M *1TL-N20MY2 2M *1*1. 备有防止相互干扰的各种异频型。

用于ESD分析的传输线脉冲测试 （Transmission Line Pulse - TLP Measurement） 元件级
2015.01.23版
Wei Huang, Jerry Tichenor
Web: Email: info@ Tel: (+1) 573-202-6411 Fax: (+1) 877-641-9358 Address: 4000 Enterprise Drive, Suite 103, Rolla, MO, 65401
我们为何关注ESD？
有物理损伤, 但功能正常- ESD造成的IC损伤
Picture 6
ESD浪涌造成的过电压。IC仍然能工作，但已经接近 彻底损坏。
6
我们为何关注ESD？
硬件故障 - ESD造成的IC损伤
Picture 7
电气过应力(Electrostatic Over Stress - EOS)损坏
Semtech uClamp0541Z 数据表
ESDEMC TLP 测试结果
19
什么是TLP测试？
什么是TLP测试？
• 超快TLP测试: TVS二极管的开启特性 （脉冲开始的几个纳秒）
DUT电阻-时间-脉冲电压瀑布图
6V TLP脉冲
DUT电阻值上限取决于绘图 目的
20
什么是TLP测试？
标准TLP的典型应用
• 带电人体接触受试设备(DUT) • ANSI/ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2010 • 对地测试电压4000V, 电流< 3A (也可用8000V ) • 皮肤放电(IEC 61000-4-2标准是手持金属放电)
Picture 9
对地放电，上升时间(tr) – 2 to 10ns

几种用于IGBT驱动的集成芯片2. 1 TLP250（TOSHIBA公司生产）在一般较低性能的三相电压源逆变器中，各种与电流相关的性能控制，通过检测直流母线上流入逆变桥的直流电流即可，如变频器中的自动转矩补偿、转差率补偿等。

同时，这一检测结果也可以用来完成对逆变单元中IGBT实现过流保护等功能。

因此在这种逆变器中，对IGBT驱动电路的要求相对比较简单，成本也比较低。

这种类型的驱动芯片主要有东芝公司生产的TLP250，夏普公司生产的PC923等等。

这里主要针对TLP250做一介绍。

TLP250包含一个GaAlAs光发射二极管和一个集成光探测器，8脚双列封装结构。

适合于IGBT或电力MOSFET栅极驱动电路。

图2为TLP250的内部结构简图，表1给出了其工作时的真值表。

TLP250的典型特征如下：1）输入阈值电流（IF）：5 mA（最大）；2）电源电流（ICC）：11 mA（最大）；3）电源电压（VCC）：10～35 V；4）输出电流（IO）：± 0.5 A（最小）；5）开关时间（tPLH /tPHL）：0.5 μ s（最大）；6）隔离电压：2500 Vpms（最小）。

表2给出了TLP250的开关特性，表3给出了TLP250的推荐工作条件。

注：使用TLP250时应在管脚8和5间连接一个0.1 μ F的陶瓷电容来稳定高增益线性放大器的工作，提供的旁路作用失效会损坏开关性能，电容和光耦之间的引线长度不应超过1 cm。

图3和图4给出了TLP250的两种典型的应用电路。

在图4中，TR1和TR2的选取与用于IGBT驱动的栅极电阻有直接的关系，例如，电源电压为24V时，TR1和TR2的Icmax≥ 24/Rg。

图5给出了TLP250驱动IGBT时，1 200 V/200 A的IGBT上电流的实验波形（50 A/10 μ s）。

可以看出，由于TLP250不具备过流保护功能，当IGBT过流时，通过控制信号关断IGBT，IGBT中电流的下降很陡，且有一个反向的冲击。

/
TL-W5MC1-Z电感式接近开关
接近开关具有结构简单、灵敏度高、分辨力高，能感受0.01μm甚至更小的位移、无反作用力、动态响应好、能实现非接触测量、能在恶劣环境下工作等优点，而且随着新工艺、新材料问世，特别是电子技术的发展，使干扰和寄生电容等问题不断得以解决，因此越来越广泛地应用于各种测量中。

接近开关常开和常闭区分，类型分类
常开型：开关平常处在断开状态，当磁体作用时，则开关处于闭合状态。

常闭型：开关平常处在闭合状态，当磁体作用时，则开关处于断开状态。

开闭型：即一个开关分两组共三根线，一根为公用线。

一组为常开型，则另一组为常闭型。

当磁体作用时，常开型处于闭合状态，常闭型处于断开状态。

高温型：适合环境温度为-20℃~+180℃。

两个独立通道开闭型：触头为两个独立触点，输出两组接线（四根线）。

一组为常开触点；一组为常闭触点。

tlp521光耦参数
TLP521是一种可编程场效应晶体管（FET）光耦，其主要用途是将输入信号转换为输出信号并进行隔离。

本文将详细介绍TLP521的参数和特性。

1. 输入电流
TLP521的最大输入电流为50mA，这是光耦工作的关键参数之一。

输入电流过大可能会导致光电元件过热或损坏，因此需要在使用时仔细控制。

2. 工作温度
TLP521光耦的工作温度范围为-55℃到100℃。

正常情况下，光耦应该在其指定的工作温度范围内运行，以免影响性能或寿命。

3. 灵敏度
TLP521的最小发光电流（IFLH）为5mA，这是光耦的灵敏度的关键参数。

发光电流越低，光耦的灵敏度就越高。

因此，TLP521是相对较敏感的光耦。

4. 输出电压
TLP521的最大输出电压为80V，这是光耦输出电信号的关键参数。

如果需要更高的输出电压，可以考虑其他光耦型号。

5. 响应时间
TLP521的最大响应时间为4微秒，这也是光耦的关键参数之一。

响应时间越短，光耦的应用范围就越广。

6. 绝缘电阻
TLP521的最小绝缘电阻为10^10欧姆，这是光耦进行隔离的关键参数之一。

绝缘电阻越高，光耦进行隔离的效果就越好。

总之，TLP521是一种功能强大的光耦，适用于许多应用，包括自动化控制、通信、电力等领域。

了解TLP521的参数和特性有助于更好地选择和使用这种光耦。

TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等
电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。

该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装
集电极-发射极电压：55Ｖ（最小值）
经常转移的比例：50 ％（最小）
隔离电压：2500 Vrms （最小）
图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图
图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图
注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。

*1: Ex. rank GB: TLP521−1 (GB)
(Note): Application type name for certification test, please use standard product type name, i.e. TLP521−1 (GB): TLP521−1, TLP521−2 (GB): TLP521−2
Individual Electrical Characteristic 单独的电气特性参数 (Ta = 25℃)
图3 TLP521-1 封装图图4 TLP521-2 封装图
图5 TLP521-4 封装图
图6 开关时间测试电路特性曲线图：
应用电路：
图7 打开或关闭12V直流电动机的TTL控制信号输入电路图。

TLP3506驱动工作原理电路FOD3120，TLP350，TLP250这三款是用来进行IGBT栅级驱动和POWER MOSFET栅极驱动的8 PIN DIP封装的光电耦合器，其中FOD3120，TLP350的输出峰值电流IO = ±2.5A （max），TLP250的输出峰值电流IO =±1.5A （max。

），因此他们非常合适用来驱动1200V（20100）A的IGBT，由于IGBT在直流和交流无刷电机驱动器，逆变器，UPS，开关电源，变频器等方面的广泛应用，因此IGBT驱动光耦同样可以应用在这些产品上。

由于功率 IGBT 在电力电子设备中多用于高压场合，所以驱动电路必须与整个控制电路在电位上完全隔离，利用光电耦合器进行隔离，具有体积小、成本低、结构简单、应用方便、输出脉宽不受限制等优点。

一些基本参数输入电流 IF=5mA电源电压VCC=15 to 30V电源电流ICC=2mA （TLP250 ICC=11mA）延迟时间tpLHtpHL= 500 ns （max）动作过程当IF输入 H 时，Tr1导通，Tr2截止，因此 VO=Vcc –Vtr1=H 此时Io的电流向外，基于此点，故可以接一个栅极电阻后直接驱动IGBT，无需外接电路当IF输入 L 时，Tr1截止，Tr2导通，此时 VO=Vgnd+Vtr2=L 此时如果IGBT栅极上有残存的电荷，可通过Tr2到GND进行放电，关闭IGBT逻辑关系如下注意事项1. 为了保证电压的稳定，防止电压突变损坏IGBT，需要在8脚与5脚间需要接一个0.1uF的电容。

2. IGBT大多是工作于感性负载状态，当其处于关断状态，反并二极管正在反向恢复过程时，就会有很大的dvdt加于CE两端，由于米勒电容的存在，I=C*dudt，将会产生瞬间电流流向驱动电路，与栅极电阻作用，将产生电压，此电压若超过IGBT栅极开启电压，则会造成IGBT误触发导通，因此提供负偏压Vge能有效防止误触发，建议VE接负压。

TL-Q5MC1-Z 翔京联合接近开关中文资料 产品图片
Photo 尺寸图
Dimension drawing 特点描述 Feature Description 型号规格 Item Code ◆采用非接触式检测方式,响应
快、频率高
◆逆极性,浪涌,短路,过载保护
◆外壳材料：PBT
◆防护等级IP67（IEC ）
DC2线NO TL-Q5MD1 DC2线NC TL-Q5MD2 NPN NO TL-Q5MC1-Z NPN NC TL-Q5MC2 NPN NO+NC
—— PNP NO
TL-Q5MF1
PNP NC TL-Q5MF2
PNP NO+NC ——
AC 2 线 NO TL-Q5MY1
AC 2 线 NC TL-Q5MY2
电气接线图 Connection diagram 规格参数 Specification
安装方式 埋入式 非埋式 检测距
离
5mm 8m m 10…30VDC 90...250VAC
压 外形规格
17*17*28
输出方式 NPN/PNP NO/NC 开关点偏移 ≤±10% 迟滞范围 1…20% 重复误差 ≤3% 负荷电流 ≤200mA 残留电压 ≤2.5V 消耗电流
≤10mA
保护回路
浪涌,过载,短路,逆极性保护
输出指示
黄色LED
环境温度
-25…70℃
环境湿度 35-95%
开关频
率
800 Hz 500 Hz
防护等级 IP67
外壳材
PBT
料
2米PVC电缆接线方
式。

TLP281光耦参数1. 简介TLP281是一种常用的光耦，广泛应用于电子设备中的隔离、传输和控制等领域。

它由光发射器和光接收器组成，通过光信号的转换实现输入和输出之间的电气隔离。

2. 光发射器参数2.1 发射器类型TLP281采用红外发射二极管作为光发射器，具有较高的发射效率和稳定性。

2.2 发射器最大工作电流TLP281的发射器最大工作电流为50mA，超过该电流可能导致发射二极管损坏。

2.3 发射器波长TLP281的发射器波长为940nm，属于红外波段。

这一波长在传输距离较短时能够提供较好的信号质量。

2.4 发射器功率TLP281的发射器功率通常在10mW左右。

根据应用需求，可以调整驱动电流来控制功率输出。

3. 光接收器参数3.1 接收器类型TLP281采用高速响应、高灵敏度的光电二极管作为光接收器，能够快速转换光信号为电信号。

3.2 接收器最大工作电压TLP281的接收器最大工作电压为30V，超过该电压可能对光电二极管造成损坏。

3.3 接收器响应时间TLP281的接收器响应时间较短，通常在10微秒左右。

这使得它适用于高速数据传输和控制应用。

3.4 接收器输出电流TLP281的接收器输出电流通常在1mA左右。

这一输出电流足够驱动绝大多数逻辑门和晶体管。

4. 其他参数4.1 绝缘耐压TLP281具有较高的绝缘耐压能力，通常可达2500Vrms。

这种绝缘性能能够有效地隔离输入和输出之间的电气信号。

4.2 工作温度范围TLP281的工作温度范围为-40°C至85°C，适用于各种环境条件下的应用。

4.3 封装类型TLP281常见的封装类型有DIP-4、SOP-4和SSOP-4等。

不同封装类型适用于不同的应用场景和焊接方式。

5. 应用领域TLP281光耦广泛应用于以下领域：•隔离输入和输出信号，实现电气隔离；•数据传输：串行通信、并行总线等；•控制信号传输：触摸开关、遥控器、继电器控制等；•逻辑隔离和电平转换。

TLP112‎A东芝小型扁平‎耦合器TLP‎112A是一‎个小外型耦合‎器，适用于贴片安‎装。

TLP112‎A包含一个高‎输出功率的砷‎化镓铝发光二‎极管，该二极管光耦‎合到一个高速单‎片光电晶体管‎探测器。

TLP112‎A（P112A）特性∙隔离电压：2500Vr‎m s（最小）∙转换速率：tpHL=0.8μs,tpLH=0.8μs（最大）（R L=1.9kΩ）∙兼容TTL∙UL 认证：UL1577‎,file no.E67349‎TLP112‎A（P112A）应用∙晶体管逆变器‎∙数字逻辑隔离‎∙线路接收器∙电源控制，反馈控制∙开关式电源TLP113‎A概述：东芝小型扁平‎耦合器TLP‎113是一个‎小外型耦合器‎，适用于贴片安‎装。

TLP113‎（包含一个高输‎出功率的砷化‎镓铝发光二极‎管，该二极管光耦‎合到一个高增‎益，高速单片光探‎测器。

探测器的输出‎为肖特基钳位‎晶体管，集电极开路输‎出。

TLP113‎A特性：∙输入电流阀值‎：IF=10mA（最大）∙转换速度：10MBd（典型值）∙兼容TTL / LSTTL：Vcc=5V∙性能保证温度‎范围：0～70℃∙隔离电压：2500Vr‎m s（最小）∙UL 认证：UL1577‎file no.E67349‎TLP113‎A应用：∙隔离线路接收‎器∙单/多路数据传输‎∙计算机外设接‎口∙微处理器系统‎接口∙A/D,D/A转换数字隔‎离TLP114‎A东芝小型扁平‎耦合器TLP‎114A是一‎个小外型耦合‎器，适用于贴片安‎装。

TLP114‎A含有一个高‎输出功率的砷‎化镓铝发光二‎极管，该二极管光耦‎合到一个高速‎单片光电晶体‎管探测器。

TLP114‎A特性∙隔离电压：3750Vr‎m s（最小）∙转换速率：tpHL=0.8μs,tpLH=0.8μs（最大）（RL=1.9kΩ）∙兼容TTL UL∙认证：UL1577‎,file no.E67349‎TLP114‎A应用∙数字逻辑隔离‎∙线路接收器∙电源控制，反馈控制∙开关式电源∙晶体管逆变器‎TLP115‎A概述：东芝小型扁平‎耦合器TLP‎115A是一‎个小外型耦合‎器，适用于贴片安‎装。

集成电路英文代码及中文对照〔一〕我的文摘2021-11-21 11:32:53 阅读111 评论0 字号：大中小订阅产品名称型号规格性能说明LMLM24J 四运放(军用级)LM148J 通用四运放LM1875T 无线电控制/接收器LM224J 四运放(工业级)LM258N 别离式双电源双运放LM2901N 四电压比拟器LM2904N 四运放LM301AN 通用运算放大器LM308N 单比拟器LM311P 单比拟器LM317L 可调三端稳压器/100mALM317TLM317K 可调三端稳压器/3ALM318 高速宽带运放LM324K 通用四运放LM331N V-F/F-V转换器基准电压电路LM336 5V 基准电压电路LM337T 基准电压电路1ALM338K 可调三端稳压器5ALM339N 四比拟器LM348N 四741运放LM358N 低功耗双运放LM361N 高速差动比拟器LM386N 声频功率放大器LM3914N 十段点线显示驱动LM393N 低功耗低失调双比拟器LM399H 精细基准源(6.9)LM723CN 可调正式负稳压器LM733CN 视频放大器LM741J 单运放LM741CN 双运放NENE521 高速双差分比拟器NE5532 双运放NE5534 双运放NE555N 单运放NE555J 时基电路军品极NE556 双级型双时基电路NE564 锁相环NE565 锁相环NE567 音调译码器NE592 视频放大器OPOP07 低噪声运放OP27 超低噪声精细运放OP37 超低噪声精细运放光电耦合4N25 晶体管输出4N25MC 晶体管输出4N26 晶体管输出4N27 晶体管输出4N28 晶体管输出4N29 达林顿输出4N30 达林顿输出4N31 达林顿输出4N32 达林顿输出4N33 达林顿输出4N33MC 达林顿输出4N35 达林顿输出4N36 晶体管输出4N37 晶体管输出4N38 晶体管输出4N39 可控硅输出6N135 高速光耦晶体管输出6N136 高速光耦晶体管输出6N137 高速光耦晶体管输出6N138 达林顿输出6N139 达林顿输出MOC3020 可控硅驱动输出MOC3021 可控硅驱动输出MOC3023 可控硅驱动输出MOC3030 可控硅驱动输出MOC3040 过零触发可控硅输出MOC3041 过零触发可控硅输出MOC3061 过零触发可控硅输出MOC3081 过零触发可控硅输出TLP521-1 单光耦TLP521-2 双光耦TLP521-4 四光耦TLP621 四光耦TIL113 达林顿输出TIL117 TLL逻辑输出PC814 单光耦PC817 单光耦H11A2 晶体管输出H11D1 高压晶体管输出H11G2 电阻达林顿输出LFLF347N 宽带JFET输入四运放LF351N 宽带JFET输入运放LF353N JFET输入宽带运放LF355N JFET输入运放LF357N JFET宽带非全裣运放LF398N 采样/保持电路LF412N 低偏向飘移输入运放MCMC1377 彩色电视编码器MC1403 精细电压基准源(2.5)MC1413 周边七段驱动阵列MC1416 周边七段驱动陈列MC14409 二进制脉冲拨号器MC14433 3位半A/D转换器MC14489 多字符LED显示驱动器MC145026 编码器VD5026 编码器MC145027 译码器VD5027 译码器MC145028 译码器MC145030 编码译码器MC145106 频率合成器MC145146 4位数据总线TLTL062 低功耗JEFT输入双运放TL072 低噪声JEFTTL082TL084TL431TL494ULNULN2003 周边七段驱动陈列ULN2004 周边七段驱动陈列ULN2803 周边八段驱动陈列ULN2804 周边八段驱动陈列ICLICL7106 3位ADC/驱动LCDICL7107 3位半ADC/驱动LEDICL7109 4位半ADC/驱动LEDICL7129 4位半ADC/LCD驱动ICL7135 ADC/LCD驱动BCD输出ICL7136 3位半CMOSADC/LCD驱动ICL7218 CMOS低功耗运算放大器ICL7650 整零运放斩波ICL7652 整零运放斩波ICL7660 CMOS直流-直流转换器ICL8038 函数信号发生器ICL8049 反对数放大器CACA3140 单BIMOS运行CA3240 单BIMOS运行UCUC3842 WM电流型控制器UC3845 PWM电流型控制器DSDS12887 非易失实时时钟芯片L3845 中继接口电路SGSG3524 PWM解调调制器SG3525 PWM解调调制器20216 前置放大器MTMT8814 8x12模拟交换矩阵MT8816 8x模拟交换矩阵MT8870 综合DTMF接收器MT8870 综合DTMF接收器MT8880 综合DTMF发生接收器MIC24LC01 128x8串行EEPROM24LC02 256x8串行EEPROM24LC04 512x8串行EEPROM24LC16 2Kx8串行EEPROM93LC46 64x16串行EEPROM93LC56 256x16串行EEPROM93LC66 512x8 256x16 EEPROMPIC16C52 384x12 单片机PIC16C54 512x12 单片机PCI16C56 512x12 单片机PIC16C57 2048x12 单片机ATAT24C01 128x8串行EEPROMAT24C02 256x8串行EEPROMAT24C04 512x8串行EEPROMAT24C16 2Kx8串行EEPROMAT93C46 64x16串行EEPROMAT93C56 256x16串行EEPROMATF16V8 FLASH200门ATF20V8 FLASH300门高速ATF22V10 FLASH500门高速低电流AT28C16 2Kx8CMOS并行EEPROMAT28C17 2Kx8CMOS并行EEPROMAT28C64 8Kx8并行EEPROMAT28C256 32Kx8并行EEPROMAT28F010 128Kx8并行EEPROMA29C040 512Kx8 FLASH EEPROMHM6116 2Kx8 CMOS 静态PAMHY6264 8Kx8 CMOS 静态RAMHM6264 8Kx8 CMOS 静态RAMIS62C64 8Kx8 高速CMOS 静态RAMHY62256 32Kx8 CMOS 静态RAMHM62256 32Kx8 CMOS 静态RAMHM628128 128Kx8 CMOS 静态RAMHM628256 256Kx8 CMOS 静态RAMHM628512 512Kx8 CMOS 静态RAMHM628512 512Kx8 CMOS 静态RAM TCMTCM5087 双音调发生器MM5832 实时钟电路TCTC14433 3位半A/D转换器TC232 并行/串行接口电路TC7106 3位半ADC/LCD驱动TC7107 3位半ADC/LED驱动TC7116 3位半ADC/LCD驱动带保TC7129 4位半ADC/LCDTC7135 4位半ADC/LCD，BCD输出TC7650 整零运放斩波7575107 四差分线驱动器75174 四差分线驱动器75175 三态四差分接收器75176 差分总线接收器75188 四线驱动器75189 四线驱动器75451 双外围驱动器75452 双外围驱动器集成电路英文代码及中文对照〔二〕我的文摘2021-11-21 11:37:11 阅读191 评论0 字号：大中小订阅。