电子技术基础(于宝明)第三章 习题答案

电子技术基础(三)真题试题及答案解析一、单选题（共20题，共40分）1.有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是：()。

A.8VB.7.5VC.15.5V2.为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：()。

A.在开启时提供很大的正向基极电流，并在关闭时提供很大的反向基极电流B.在开启时提供很大的反向基极电流C.隔开直流电压3.逻辑函数式EF+EF+EF，化简后答案是：()。

A.EFB.FE+EFC.E+F4.基本RS触发器电路中，触发脉冲消失后，其输出状态：()。

A.恢复原状态B.保持现状态C.出现新状态5.八位二进制数能表示十进制数的最大值是：()。

A.225B.248C.192A.109B.61C.105D.2057.利用分配律写出C+DE的等式为()A.(C+D)(C+E)B.CD+CEC.C+D+ED.CDE8.放大器功率放大倍数为100，问功率增益是多少分贝()A.10dBB.20dBC.30dBD.40dB9.工作在放大状态的晶体管，当IB从30uA增大到40uA时，IC从2.4mA变成3mA，则该管的β为()A.80B.60C.75D.10010.采用差动放大电路是为了()A.稳定电压放大倍数B.增加带负载的能力C.提高输入阻抗D.克服零点漂移A.直接耦合的放大器B.阻容耦合的放大器C.变压器耦合的放大器D.任一放大器12.电流串联负反馈具有()的性质A.电压控制电压源B.电压控制电流源C.电流控制电压源D.电流控制电流源13.要同时提高放大器的输入电阻和输出电阻，应引入的反馈组态是()A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈A.A.该管为NPN管，材料为硅，1极为集电极B.该管为NPN管，材料为锗，2极为集电极C.该管为PNP管，材料为硅，1极为集电极D.该管为PNP管，材料为锗，2极为集电极15.某放大器空载时，输出电压为2V，接上负载电阻RL=1K时，测得输出电压为0.5V，则该放大器的输出电阻为()A.1KΩB.2KΩC.3KΩD.4KΩ16.晶体管二极管的正极的电位是-10V，负极电位是-5V，则该晶体二极管处于：()。

第三章习题参考答案3-1 电路如图3-40所示，设40=β，试确定各电路的静态工作点，指出晶体管工作于什么状态？b) d)图3-40 题3-1图解 a）AIBQμ5.71102007.0153=⨯-=mAICQ86.20715.040=⨯=VUCEQ14.12186.215=⨯-=晶体管工作于放大状态。

b）AIBQμ8010]1)401(200[7.0203=⨯⨯++-=mAICQ2.308.040=⨯=VUCEQ39.10)12(2.320=+⨯-=晶体管工作于放大状态。

c）设晶体管工作在放大状态。

mAIBQ257.010757.0203=⨯-=mAICQ3.10257.040=⨯=VUCEQ9.1533.1015-=⨯-=+15Vk200+15V+15V+20Vk200说明晶体管已经深度饱和。

d) 由于发射结反偏，晶体管工作于截止状态。

3-2 试判断图3-41中各电路能否放大交流信号，为什么？a ） b) c)d) e) f) 图3-41 题3-2图解 a) 晶体管的发射结正偏，集电结反偏，故可以放大交流信号。

b) 缺少直流负载电阻C R ，故不能放大交流信号。

c) 晶体管为PNP 型，偏置电压极性应为负，故不能放大交流信号。

d) 电容C1、C2的极性接反，故不能放大交流信号。

e) 缺少基极偏置电阻B R ，故不能放大交流信号。

f) 缺少直流电源CC V ，故不能放大交流信号。

3-3 在图3-42中晶体管是PNP 锗管，（1）在图上标出CC V 和21,C C 的极性；（2）设V 12-=CC V ，k Ω3=C R ，75=β，如果静态值mA 5.1=C I ，B R 应调到多大？（3）在图3-42 题3-3图调整静态工作点时，如果不慎将B R 调到零，对晶体管有无影响？为什么？通常采取何种措施来防止这种情况发生？（4）如果静态工作点调整合适后，保持B R 固定不变， 当温度变化时，静态工作点将如何变化？这种电路能否稳定静态工作点？ 解 1)CC V 和21,C C 的极性如题3-3解图所示。

第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。

P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。

2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。

三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。

扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。

空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。

5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。

检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。

6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。

其导电沟道分有N沟道和P沟道。

7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。

8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。

二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。

第三章习题3.1 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？答：结型场效应管输入极的PN结GS结始终是处于反偏状态，PN结反偏时耗尽层加宽、结电阻增大。

BJT管输入极的PN结BE结始终是处于正偏状态，PN结正偏时耗尽层变窄，结电阻减小。

3.2 JEFT的栅极与沟道间的PN结在一般作为放大器件工作时，能用正向偏置吗？BJT的发射结呢？答：JEFT的栅极与沟道间的PN结在一般作为放大器件工作时，不可以用正向偏置。

因为当JFET正偏时，其PN结都处于正偏状态，沟道两侧的耗尽层消失，对DS沟道失去了控制作用。

所以失去放大作用。

3.3 图所示符号各表示哪种沟道的JEFT？其箭头方向代表什么？答：图(a)为N沟道，(b)为P沟道场效应管。

其箭头方向代表正偏方向3.4 试由图所示输出特性曲线判断它们各代表何种器件，如是JFET管，请说明它属于何种沟道。

答：（a）BJT晶体管。

（b）N沟道场效应管（c）P沟道场效应管3.5 试分别画出N沟道和P沟道JEFT的输出特性和转移特性曲线示意图，并在特性曲线中标出i D、u DS、u GS、I DSS和U p等参数，说明u DS、u GS和U p在两种沟道JETF中的极性。

答：（a）N沟道场效应管U DS>0V 、U GS<0V 。

（b）P沟道场效应管U DS <0V 、U GS>0V 。

3.6 为什么MOSFET的输入电阻比JEFT高？答：MOSFET的输入部分是绝缘的，所以栅极没有电流。

而JEFT的输入部分是反偏的。

在一定温度下由于本征激发的作用，在半导体内还会产生电子、空穴对，反向漏电流虽然很小，但是还是存在的。

所以MOSFET的输入电阻比JEFT高。

3.7判断工作区域a）恒流，b）恒流c）恒流d）可变电阻3.8 FET有许多类型，它们的输出特性及转移特性各不相同，试总结出判断类型及电压极性的规律。

答：N沟道：结型U GS<0V，U P<0V。

中等职业教育电类专业规划教材电子技术基础练习册习题答案丛书主编程周主编范国伟副主编袁洪刚关越主审任小平Publishing House of Electronics Industry北京 BEIJING《电子技术基础练习册》习题答案范国伟袁洪刚关越编写第一篇模拟电子技术基础第1章半导体二极管和三极管1.1 半导体的基本知识一、填空题1、（自由电子、空穴、N型半导体、P型半导体）；（掺杂半导体导电粒子）2、（电子、空穴）3、（电子型半导体、五价元素、电子、空穴）4、（三价元素、空穴、自由电子）5、（单向导电性、正极、负极、反向电压、反向偏置）6、（较大、导通、很小、截止）二、判断题1、×2、√3、×4、×5、×三、选择题1、C、2、B、3、C四、问答题1、答：PN结的主要特性是单向导电性，即PN结在加上正向电压时，通过PN结的正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态；PN结在加上反向电压时，通过PN结的反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。

1.2 半导体二极管一、填空题1、（单向导电性、正极或阳极、负极或阴极、V、）2、（硅管、锗管、点接触型、面接触型、检波二极管、开关二极管）3、（单向导电性、0.5、0.2、0.7、0.3）4、（最大正向电流I FM、最大反向工作电压U RM、最大反向电流I RM、一半或三分之一）5、（硅、稳压、锗、开关、硅、整流、锗、普通；）6、（过热烧毁、反向击穿）二、判断题1、×2、√3、×4、×5、×6、×三、选择题1、C2、B3、C4、B5、C6、A7、C四、问答题1、 答：（1）N 型锗材料普通二极管；（2）N 型锗材料开关二极管；（3）N 型硅材料整流二极管； （4）N 型硅材料稳压二极管；2、 答：不能，因为1.5伏的的干电池会使流过二极管的电流很大，可能烧坏二极管。

第一章数字逻辑习题1．1数字电路与数字信号1。

1.2 图形代表的二进制数0101101001．1．4一周期性数字波形如图题所示，试计算：(1）周期；(2)频率；（3）占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 （ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,T=10ms频率为周期的倒数，f=1/T=1/0。

01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms＊100%=10％1。

2数制21.2。

2将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于4（2）127 （4）2.718解：（2）（127）D=72-1=(10000000）B-1=(1111111）B=（177）O=（7F）H（4)（2。

718）D=(10。

1011)B=（2。

54)O=(2.B)H1。

4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码：（1）43 （3）254.25解:（43）D=(01000011）BCD1。

4。

3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示:P28（1）+ （2）＠（3）you （4）43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。

(1）“+"的ASCⅡ码为0101011,则（00101011）B=(2B）H（2）@的ASCⅡ码为1000000,（01000000)B=（40)H（3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F，75(4）43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34，331。

6逻辑函数及其表示方法1。

6.1在图题1。

6。

1中，已知输入信号A,B`的波形，画出各门电路输出L的波形.解: (a）为与非, （b）为同或非，即异或第二章 逻辑代数 习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式 （3）A B AB AB ⊕=+(A ⊕B ）=AB+AB A B A B ⊕AB AB A B ⊕ AB +AB 0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 11111由最右边2栏可知，A B ⊕与AB +AB 的真值表完全相同。

第一章1.1 能否将1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V 时，管子会因电流过大而烧坏。

1.2已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA 。

求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

解：U O1＝6V ，U O2＝5V 。

1.3写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。

（该题与书上略有不同）解：U O1≈1.3V ，U O2＝0，U O3≈－1.3V ，U O4≈2V ，U O5≈1.3V ，U O6≈－2V 。

1.5 电路如图P1.5（a ）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b ）所示，二极管导通电压U D ＝0.7V 。

试画出输出电压u O 的波形，并标出幅值（该题与书上数据不同）解：u O 的波形如解图P1.5所示。

解图P1.51.9电路如图T1.9所示，V CC ＝15V ，β＝100，U BE ＝0.7V 。

试问： （1）R b ＝50k Ω时，u O ＝？ （2）若T 临界饱和，则R b ≈？ 解：（1）R b ＝50k Ω时，基极电流、集电极电流和管压降分别为26bBEBB B =-=R U V I μAV2mA 6.2 C C CC CE B C =-===R I V U I I β所以输出电压U O ＝U CE ＝2V 。

1.11电路如图P1.11所示，试问β大于多少时晶体管饱和？ 解：取U CES ＝U BE ，若管子饱和，则Cb C BECC b BE CC R R R U V R U V ββ=-=-⋅所以，100Cb=≥R R β时，管子饱和。

图1.11 1.12 分别判断图P1.12所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态第二章2.1试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。

第3章电路的暂态过程一、思考题解答3.1 思考题【思3.1.1】电路在换路前储能元件没有储能，则在t＝0－和t＝0＋的电路中，可将电容元件视为短路，电感元件视为开路。

如果换路前储能元件已有储能，且电路已处于稳态，则在t＝0－电路中，电容元件视为开路，电感元件视为短路。

在t＝0＋电路中，电容元件可用一理想电压源代替，其电压为u C(0－)；电感元件可用一理想电流源代替，其电流为i L(0－)。

【思3.1.2】根据换路定律可知，开关S断开瞬间电容器的电压值不能突变，则在t＝0＋时的等效电路可简化为如图3-2所示的电路。

u C(0＋)＝u C(0－)＝112+×6＝2V，i2(0＋)＝0，i1(0＋)＝i C(0＋)＝622-＝2A【思3.1.3】根据换路定律可知，开关S断开瞬间电感的电流值不能突变，则在t＝0＋时的等效电路可简化为如图3-3所示的电路。

i L(0＋)＝i L(0－)＝42＝2A，U V＝R V×i L(0＋)＝－2500×2＝－5kV图3-2 思考题3.1.2的0＋电路图图3-3 思考题3.1.3的0＋电路图【思3.1.4】根据换路定律可知，开关S闭合瞬间电容器的电压值不能突变，则在t＝0＋时的等效电路可简化为如图3-4(a)所示的电路。

(1) i1(0＋)＝0，i(0＋)＝i2(0＋)＝100Au R1(0＋)＝100×1＝100V，u R2(0＋)＝u C(0＋)＝0第3章 电路的暂态过程• 1 •1(2) i (∞)＝i 1(∞)＝100199＋＝1A ，i 2(∞)＝0 u R1(∞)＝1×1＝1V ，u R2(∞)＝u C (∞)＝99×1＝99 V(3) 根据换路定律可知，当S 闭合瞬间电感的电流值不能突变，则在t ＝0＋时的等效电路可简化为如图3-4(b)所示的电路。

i 2(0＋)＝0，i (0＋)＝i 1(0＋)＝100199＋＝1A u R1(0＋)＝1×1＝1V ，u R2(∞)＝u L (0＋)＝99×1＝99 V S 闭合后电路达到稳态时，i 1(∞)＝0，i (∞)＝i 2(∞)＝1001＝100A u R1(∞)＝100×1＝100V ，u R2(∞)＝u C (∞)＝(a) (b) 图3-4 思考题3.1.4的0＋电路图【思3.1.5】i L (0＋)＝i L (0－)＝013E R R R ++＝12222++＝2Au C (0＋)＝u C (0－)＝2×2＝4Vt ＝0＋时的等效电路如图3-5所示，可得12＝2×［2＋i C (0＋)］＋2×i C (0＋)＋4 所以，i C (0＋)＝124422--+＝1A ，u L (0＋)＝12－2×(2＋1)－2×2＝2V【思3.1.6】(1) 根据换路定律可知，开关S 闭合瞬间电容器可视为短路，各电感可视为开路。

•120 • 第3章晶体三极管及其放大电路第3章晶体三极管及其放大电路3.1测得放大电路中的晶体三极管 3个电极①、②、③的电流大小和方向如图 3.1所示, 试判断晶体管的类型（NPN 或PNP ），说明①、②、③中哪个是基极 b 、发射极e 、集电极 c ,求出电流放大系数 。

解：在①时，发射极相当于一个二级管导通，此时 I B 就等于此导通电流。

在②时，三极管相当于两个并联的二极管，此时I B 等于两个二级管导通电流之和，所以此时的电流最大。

在③时，发射极导通，集电结反偏，集电结收集电子，所以 I B 电流下降，此时电流最小。

3.3.测得某放大电路中晶体三极管各极直流电位如图3.3所示，判断晶体管三极管的类型(NPN 或 PNP ) 及三个电极， 并分别说明它们是硅管还是锗管。

解：（a ）①-e ②-c③-b 硅 NPN (b)①-b ②-c ③-e 锗 PNP(c)①-b ②-e ③-c 锗 PNP解：（b ）①-b②-e ③-c 3.2所示电路中开关 置时的I B 最小，为什么？3=1.5/0.01=150S 放在1、2、3哪个位置时的I B 最大；放在哪个位NPNCC第3章晶体三极管及其放大电路 -121 •3.5 某晶体管的极限参数为 I CM = 20mA 、P CM = 200mW 、U （BR ）CEO = 15V ，若它的工作电流I C = 10mA ，那么它的工作电压 U CE 不能超过多少？若它的工作电压 的工作电流I C 不能超过多少？P200解：U CE min U （BR ）CEO ,P C M min 15,而 15（V ）I C min l CM ,皿 min 20,空 16.67（mA ）U CE123.6图3.5所示电路对正弦信号是否有放大作用？如果没有放大作用， 则说明理由并将错误加以改正（设电容的容抗可以忽略） 。

解：（a ）无放大作用。

电容C 使得集电结反偏不成立。

第一章习题1。

1 如需将PN结二极管处于正向偏置，应如何确定外接电压的极性?答:如需将PN结二极管处于正向偏置，外接电压的极性应该是P区端接高电位,N区端接低电位。

1。

2 PN结二极管的单向导电性是在什么外部条件下才能显示出来？答：在外部施加了正、反相电压且出现正相导通、反相截止时才能显示出来。

1。

3 PN结两端存在内建电位差，若将PN结短路，问有无电流流过？答:二极管短路时没有电流。

原因是ＰＮ结两端虽有电位差,但是在半导体和金属电极接触处，也有”接触电位差”,后者抵消了ＰＮ结两端的电位差。

金属一半导体结和ＰＮ结不同：(１）没有单向导电性,(２）接触电位差和外加电压的极性及幅值无关。

这种接触叫做"欧姆接触"。

从另一种角度分析，如果有电流，金属导线就会发热，二极管就要冷却。

作为一个热平衡的整体,要产生这种现象是不可能的.所以,二极管短路时Ｉ＝０。

1。

4 比较硅、锗两种二极管的性能。

在工程实践中，为什么硅二极管应用得较普遍？答：锗有32 、硅有14 个电子，最外围都有四个价电子。

电子数量、层数越多，受热激发的后价电子脱离共价健束缚的可能性就越大，所以,硅半导体更稳定。

1.5 当输入直流电压波动或外接负载电阻变动时，稳压管稳压电路的输出电压能否保持稳定?若能稳定,这种稳定是否是绝对的?答：当输入直流电压波动或外接负载电阻变动时,稳压管稳压电路的输出电压能保持基本稳定，但是由于其反相击穿特性曲线并非完全垂直下降，所以这种稳定不是绝对的。

1.6 光电子器件为什么在电子技术中得到越来越广泛的应用？试列举一二例。

答：因为可以利用可见或不可见光进行信号指示、遥控、遥测。

减少了导线的连接和一些干扰，带来了方便，比如电视机等家电的遥控器、指示灯等都是应用实例.1。

7 如何用万用表的“Ω”挡来辨别一只二极管的阳、阴两极？（提示：模拟型万用表的黑笔接表内直流电源的正端，而红笔接负端）答：如果二极管的内阻较小，模拟型万用表的黑笔接的是P端，而红笔接的是N端。

第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。

P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。

2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。

三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。

扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。

空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN 结形成。

5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。

检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。

6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。

其导电沟道分有N沟道和P沟道。

7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。

8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。

二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。