硅片加工技术1. 硅的主要性质：原子序数：14、现对原子质量：08.28、晶体结构：金刚石结构、熔点：℃1420、颜色：银白色。
2.硅片按生产工艺分为：切割片、研磨片、化腐片和抛光片。
3.硅片加工第一道工序：定向、滚磨开方。
4.滚磨开方的设备：单晶切方滚磨机、带锯、线锯。
5.硅单晶主参考面方位的确定方法：光图定向法和晶棱连线法。
6.硅单晶定向切割可分为：多线切割和内圆切割。
7.硅片的研磨方式有：单面研磨和双面研磨。
8.硅片抛光的方法分为：机械抛光、化学抛光、化学机械抛光、最常用的方法是化学机械抛光。
9.吸附分为：化学吸附和物理吸附。
10.环境洁净度等级标准：美国联邦标准。
11.硅片表面污染类型：有机杂质玷污、颗粒类杂质玷污和金属杂质玷污。
12.化学试剂按纯度分为：优级纯、分析纯、化学纯。
13.超声波清洗系统的组成：超声波电源、清洗槽和换能器。
14.纯水制备系统的组成：预处理系统、初级处理系统和精处理系统。
15.硅片电学参数：导电类型、电阻率、电阻率变化及电阻率条纹。
16. 硅晶体两种切割工艺比较：内圆切割：内圆刀片、一片一片切割、刀缝m 350280μ→、品种变换简单方便、灵活，风险低、效率低、原料损耗高、硅片体型变大、加工参数一致性差。
线切割：钢丝切割线、整锭同时切割、线缝m 220180μ→、效率高、原料损耗小、硅片体型变小、加工参数一致性好、风险高。
17. 硅单晶内圆切割与多线切割的工艺过程：内圆切割：送清洗冲洗与去胶上机切割定向与校对粘结准备工作→→→→→。
多线切割：送清洗冲洗去胶上机切割系统调整粘结定向准备工作→→→→→→。
18. 磨削液的作用：冷却、排渣、润滑、防锈。
19. 研磨工艺过程：送清洗研磨设置修盘配置研磨液硅片厚度分选→→→→→。
20. 研磨前为什么要进行厚度分选？答：经切割的硅片厚度较分散，为使研磨后的硅片厚度较一致，并且总厚度变化TTV 小，需要对切割后的硅片进行厚度分选，将厚度一致的硅片放在同盘进行研磨。
