大学物理 原子结构 激光 固体习题
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习题版权属物理学院物理系
《大学物理AII 》作业No.09原子结构激光固体
班级________学号________姓名_________成绩_______
一、选择题
1.有下列四组量子数:
(1)n =3,l =2,m l =0,2
1=
s m (2)n =3,l =3,m l =1,21=
s m (3)n =3,l =1,m l =-1,2
1−=s m (4)n =3,l =0,m l =0,2
1
−
=s m 其中可以描述原子中电子状态的[
]
(A)只有(1)和(3)
(B)只有(2)和(4)
(C)只有(1)、(3)和(4)
(D)只有(2)、(3)和(4)
解:根据泡利不相容原理四个量子数n 、l 、m l 、s m 不能完全相同知:(1)、(3)和(4)组是正确的。
故选C
2.氢原子中处于2p 状态的电子,描述其量子态的四个量子数(s l m m l n ,,,)可能取的值
为[
]
(A)
(3,2,1,-2
1)
(B)
(2,1,0,
2
1)(C)(2,1,-1,-21
)(D)(1,0,0,2
1)
解:根据泡利不相容原理知:2p 状态的电子四个量子数n 、l 、m l 、s m 可取:2=n ,1=l ,
1,0±=l m ,2/1±=s m ,则知(B)、(C)组是正确的。
故选BC
3.P 型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级),在能级结构中应处于[](A)满带中(B)导带中
(C)禁带中,但接近满带顶(D)禁带中,但接近导带底解:由P 型半导体能带特征(P243)知:(C)正确。
故选C
4.与绝缘体相比较,半导体能带结构的特点是
[](A)导带也是空带
(B)满带与导带重合(C)满带中总是有空穴,导带中总是有电子(D)禁带宽度较窄
解:由绝缘体、半导体能带特征(P241)知:(D)正确。
故选D
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5.激发本征半导体中传导电子的几种方法有(1)热激发,(2)光激发,(3)用三价元素掺杂,(4)用五价元素掺杂。
对于纯锗和纯硅这类本征半导体,在上述方法中能激发其传导电子的只有[](A)(1)和(2)
(C)(1)(2)和(3)(4)解:由本征半导体能带特征(P242)知:
激发本征半导体中传导电子的方法中(1)、(2)和(4)是正确
故选D
6.硫化镉(CdS)晶体的禁带宽度为2.42eV ,要使这种晶体产生本征光电导,则入射到晶体上的(普朗克常量s J 1063.634⋅×=−h ,基本电荷C 1060.119−×=e )[
]
(A)650nm
(B)628nm
(C)550nm
(D)514nm
解:入射到晶体上的光的能量需满足ΔE ≥νh ,则光的波长满足
ΔE λ
≥hc
,即有()()nm 514m 1014.510
6.142.21031063.6719
8
34=×=×××××=∆≤−−−E hc λ故选D
7.下述说法中,正确的是[
]
(A)本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体(n 型或p 型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好
(B)n 型半导体的导电性能优于p 型半导体,因为n 型半导体是负电子导电,p 型半导体是正离子导电
(C)n 型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部,使局部能级
中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去,大大提高了半导体导电性能(D)p 型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动
解:由本征、P 型、N 型半导体能带特征(P242)知:(C)正确
故选C
8.在激光器中利用光学谐振腔[
](A)可提高激光束的方向性,而不能提高激光束的单色性(B)可提高激光束的单色性,而不能提高激光束的方向性(C)可同时提高激光束的方向性和单色性
(D)既不能提高激光束的方向性也不能提高其单色性
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解:由激光器中光学谐振腔的功能(P180)知:(C)正确故选C
9.世界上第一台激光器是
[D ](A)氦-氖激光器
(B)二氧化碳激光器(C)钕玻璃激光器(D)红宝石激光器
(E)砷化镓结型激光器解:由激光器发展历史知:(D)正确
故选D 10.按照原子的量子理论,原子可以通过自发辐射和受激辐射的方式发光,它们所产生的光的特点是:[](A)前者是相干光,后者是非相干光
(B)前者是非相干光,后者是相干光(C)都是相干光(D)都是非相干光
解:由激光的产生原理及特性(P182)知:(B)正确。
故选B 二、填空题
1.多电子原子中,电子的排列遵循原理和
原理。
解:电子的排列遵循
泡利不相容
原理和
能量最小
原理
2.锂(Z =3)原子中含有3个电子,电子的量子态可用(n ,l ,m l ,m s )四个量子数来描述,若已知基态锂原子中一个电子的量子态为(1,0,0,
2
1
),则其余两个电子的量子态分别为(_______________________)和(__________________________)。
解:根据泡利不相容原理和能量最低原理知:其余两个电子的量子态分别为
1,0,0,21−
和2,0,0,21
或2,0,0,2
1−3.根据量子力学理论,氢原子中电子的角动量在外磁场方向上的投影为ℏl z m L =,当角
量子数l =2时,z L 的可能取值为。
解:根据氢原子量子力学理论中各种量子数取值规则有:
当l =2时,2,1,0±±=l m ,故ℏ
ℏ2,,0±±=z L
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4.若在四价元素半导体中掺入三价元素原子,则可构成型半导体,参与导电的
载流子多数是。
解:由P 型半导体能带构成特征(P243)知:
可构成P 型半导体,载流子多数是空穴
5.纯硅在T =0K 时能吸收的辐射最长的波长是1.09µm ,故硅的禁带宽度为eV 。
(普朗克常量s J 1063.634⋅×=−h ,J 106.1eV 119−×=)
解:吸收辐射最长的波长,则有最小能量,即有硅的禁带宽度
()()
eV 14.1J 1082.11009.11031063.619
6
834=×=××××==∆−−−λhc E 6.下面两图(a )与(b )中,(a )图是型半导体的能带结构图,(b )图是
型半导体
的能带结构图。
解:由P 型、N 型半导体能带构成特征(P243)知:(a )图是N 型,(b )图是P 型
7.太阳能电池中,本征半导体锗的禁带宽度是0.67eV ,它能吸收的辐射的最大波长
是。
(普朗克常量s J 1063.634⋅×=−h ,J 106.1eV 119−×=)
解:根据能量和波长关系知能吸收的辐射的最大波长满足:
E hc ∆≥λ,()m 1085.16
.11067.01031063.66
19
834−−−×=×××××=∆≤E hc λ8.若锗用铟(三价元素)掺杂,则成为
型半导体。
请在所附的能带图中定性画出
施主能级或受主能级。
解:由P 型半导体能带构成特征(P243)知:P 型,
能带图见右图
满带
•。
满带
•。
a b •。
满带
•。
受主能级
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9.按照原子的量子理论,原子可以通过____________________________两种辐射方式发光,而激光是由__________________方式产生的。
解:
自发辐射和受激辐射;
受激辐射
10.激光器的基本结构包括三部分,即、
和。
解:激光器的基本结构包括三部分,即
工作物质
、激励能源
和
光学谐振腔。
11.光和物质相互作用产生受激辐射时,辐射光和照射光具有完全相同的特性,这些特性是指。
解:这些特性指
相位、频率、偏振态、传播方向(P182)。
12.产生激光的必要条件是,激光的三个主要特性是。
解:产生激光的必要条件是粒子数反转分布(P178),激光的三个主要特性是方向性好,单色性好因而相干性好,光强大
(P182)。