STD4NK50
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康迈微波导器件产品手册康迈微开放了一系列波导类器件,频率覆盖1000-50000MHz。
已开发了:波同转接器、波导耦合器、波导功分器、径向合成器、波导衰减器、波导魔T、波导大功率负载等,部分产品现货供应,比如波同转换、波导负载等,明码标价,性价比高,具体的数量及价格登陆电子宝商城查询和订购,线上下单有折扣,支持微信支付和对公转账,含税13%,当天发货,非现货3-6周发货。
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可以按用户要求定制波同转接器。
产品型号颊率范围(GHz)驻波比插损(dB)接头类型平均功率(W)法兰涂覆D8-AWC40NK-1284 3.22-4.90 ≤1.20 ≤0.2 N-K 500 FDP 喷漆D8-AWC48SK-1287 3.94-5.99 ≤1.20 ≤0.2 SMA-K 200 FDP 喷漆D8-AWC58SK-1290 4.64-7.05 ≤1.20 ≤0.2 SMA-K 200 FDP 喷漆D8-AWC70SK-1293 5.38-8.17 ≤1.20 ≤0.2 SMA-K 200 FDP 喷漆D8-AWC84SK-1296 6.57-9.99 ≤1.20 ≤0.2 SMA-K 150 FBP 喷漆D8-AWC100SK-1239 8.20-12.40 ≤1.20 ≤0.2 SMA-K 150 FBP 喷漆D8-AWC120SK-1235 9.84-15.0 ≤1.20 ≤0.2 SMA-K 100 FBP 喷漆产品型号 频率范围 (GHz) 驻波比插损 (dB) 接头 类型 平均功 率(W ) 法兰 涂覆D8-AWC140SK-1231 11.9-18.0 ≤1.20 ≤0.2 SMA-K 100 FBP 喷漆 D8-AWC180SK-1227 14.5-22.0 ≤1.20 ≤0.2 SMA-K 100 FBP 喷漆 D8-AWC220SK-1215 17.6-26.7 ≤1.20 ≤0.2 SMA-K 100 FBP 喷漆 D8-AWC2602.92K-1219 21.7-33.0 ≤1.20 ≤0.2 2.92-K 20 FBP 喷漆 D8-AWC3202.92K-1223 26.5-40.0 ≤1.20 ≤0.2 2.92-K 20 FBP 喷漆 D8-AWC4002.4K-129932.9-50.1≤1.20≤0.22.4-K5FUGP喷漆2、矩形波导1/4波长线以下是货架商品,现货供应,明码标价,请登陆电子宝商城 订购产品型号 颊率范围 (GHz) 涂覆 D8-QW40-1285 3.22-4.90 本导 D8-QW48-1288 3.94-5.99 本导 D8-QW58-1291 4.64-7.05 本导 D8-QW70-1294 5.38-8.17 本导 D8-QW84-1297 6.57-9.99 本导 D8-QW100-1240 8.20-12.40 本导 D8-QW120-1236 9.84-15.0 本导 D8-QW140-1232 11.9-18.0 本导 D8-QW180-1228 14.5-22.0 本导 D8-QW220-1216 17.6-26.7 本导 D8-QW260-1220 21.7-33.0 本导 D8-QW320-1224 26.5-40.0 本导 D8-QW400-130032.9-50.1本导3、波导短路器以下是货架商品,现货供应,明码标价,请登陆电子宝商城 订购产品型号频率范围 (GHz)涂覆D8-S40-1286 3.22-4.90 本导 D8-S48-1289 3.94-5.99 本导 D8-S58-1292 4.64-7.05 本导 D8-S70-1295 5.38-8.17 本导 D8-S84-1298 6.57-9.99 本导 D8-S100-1241 8.20-12.40 本导 D8-S120-1237 9.84-15.0 本导 D8-S140-1233 11.9-18.0 本导 D8-S180-1229 14.5-22.0 本导 D8-S220-1217 17.6-26.7 本导 D8-S260-1221 21.7-33.0 本导 D8-S320-1225 26.5-40.0 本导 D8-S400-130132.9-50.1本导4、双脊波导同轴转换正交结构,同轴接口可以按用户要求定制。
1/13June 2003STD1NK60-STD1NK60-1STQ1HNK60RN-CHANNEL 600V -8Ω -1A DPAK /IPAK /TO-92SuperMESH™Power MOSFETs TYPICAL R DS (on)=8Ωs EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY s 100%AVALANCHE TESTED s GATE CHARGE MINIMIZEDsNEW HIGH VOLTAGE BENCHMARKDESCRIPTIONThe SuperMESH™series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™layout.In addition to pushing on-resistance significantly down,special care is tak-en to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications.Such series comple-ments ST full range of high voltage MOSFET s in-cluding revolutionary MDmesh™products.APPLICATIONSs SWITCH MODE LOW POWER SUPPLIES (SMPS)s LOW POWER,LOW COST CFL (COMPACT FLUORESCENT LAMPS)s LOW POWER BATTERY CHARGERSORDERING INFORMATIONTYPE V DSS R DS(on)I D Pw STD1NK60STD1NK60-1STQ1HNK60R600V 600V 600V<8.5Ω<8.5Ω<8.5Ω1A 1A 0.4A30W 30W 3WSALES TYPE MARKING PACKAGE PACKAGING STD1NK60T4D1NK60DPAK TAPE &REELSTD1NK60-1D1NK60IPAK TUBE STQ1HNK60R 1HNK60R TO-92BULK STQ1HNK60R-AP1HNK60RTO-92AMMOPAKTO-92(Ammopack)INTERNAL SCHEMATICSTD1NK60-STD1NK60-1-STQ1HNK60R2/13ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS( )Pulse width limited by safe operating area(1)I SD ≤1.0A,di/dt ≤100A/µs,V DD ≤V (BR)DSS ,T j ≤T JMAX.THERMAL DATAAVALANCHE CHARACTERISTICSSymbolParameterValueUnitSTD1NK60STD1NK60-1STQ1HNK60RV DS Drain-source Voltage (V GS =0)600V V DGR Drain-gate Voltage (R GS =20k Ω)600V V GS Gate-source Voltage±30V I D Drain Current (continuous)at T C =25°C 1.00.4A I D Drain Current (continuous)at T C =100°C 0.630.25A I DM ( )Drain Current (pulsed)4 1.6A P TOT Total Dissipation at T C =25°C 303W Derating Factor0.240.025W/°C dv/dt (1)Peak Diode Recovery voltage slope 3V/ns T j T stgOperating Junction Temperature Storage Temperature-55to 150°CDPAK /IPAKTO-92Rthj-case Thermal Resistance Junction-case Max 4.16°C/W Rthj-amb Thermal Resistance Junction-ambient Max 100120°C/W Rthj-leadThermal Resistance Junction-lead Max 40°C/W T lMaximum Lead Temperature For Soldering Purpose275260°CSymbol ParameterMax ValueUnitDPAK /IPAKTO-92I AR Avalanche Current,Repetitive or Not-Repetitive (pulse width limited by T j max)1A E ASSingle Pulse Avalanche Energy(starting T j =25°C,I D =I AR ,V DD =50V)25mJ3/13STD1NK60-STD1NK60-1-STQ1HNK60RELECTRICAL CHARACTERISTICS (T CASE =25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)ON/OFFDYNAMICSWITCHING ONSWITCHING OFFSOURCE DRAIN DIODENote: 1.Pulsed:Pulse duration =300µs,duty cycle 1.5%.2.Pulse width limited by safe operating area.Symbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit V (BR)DSS Drain-sourceBreakdown Voltage I D =1mA,V GS =0600V I DSS Zero Gate VoltageDrain Current (V GS =0)V DS =Max RatingV DS =Max Rating,T C =125°C 150µA µA I GSS Gate-body Leakage Current (V DS =0)V GS =±30V±100nA V GS(th)Gate Threshold Voltage V DS =V GS ,I D =250µA 2.253 3.7V R DS(on)Static Drain-source On ResistanceV GS =10V,I D =0.5A88.5ΩSymbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit g fs (1)Forward Transconductance V DS >I D(on)x R DS(on)max,I D =0.5A1S C iss C oss C rssInput Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer CapacitanceV DS =25V,f =1MHz,V GS =015623.53.8pF pF pFSymbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit t d(on)t r Turn-on Delay Time Rise TimeV DD =300V,I D =0.5A R G =4.7ΩV GS =10V(Resistive Load see,Figure 3) 6.55ns ns Q g Q gs Q gdTotal Gate Charge Gate-Source Charge Gate-Drain ChargeV DD =480V,I D =1.0A,V GS =10V,R G =4.7Ω71.13.410nC nC nCSymbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit t d(off)t f Turn-off Delay Time Fall TimeV DD =300V,I D =0.5A R G =4.7ΩV GS =10V(Resistive Load see,Figure 3)1925ns ns t r(Voff)t f t cOff-voltage Rise Time Fall TimeCross-over TimeV DD =480V,I D =1.0A,R G =4.7Ω,V GS =10V(Inductive Load see,Figure 5)242544ns ns nsSymbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit I SD I SDM (2)Source-drain CurrentSource-drain Current (pulsed)14A A V SD (1)Forward On Voltage I SD =1.0A,V GS =0 1.6V t rr Q rr I RRMReverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Reverse Recovery CurrentI SD =1.0A,di/dt =100A/µs V DD =25V,T j =150°C (see test circuit,Figure 5)2293773.3ns µC ASTD1NK60-STD1NK60-1-STQ1HNK60R4/13Output Characteristics5/13STD1NK60-STD1NK60-1-STQ1HNK60RNormalized Gate Threshold Voltage vs Temp.Static Drain-source OnResistanceTransconductanceGate Charge vs Gate-source VoltageSTD1NK60-STD1NK60-1-STQ1HNK60R6/13Normalized BVDSS vsTemperatureSource-drain Diode ForwardCharacteristics Max Id Current vs Tc7/13STD1NK60-STD1NK60-1-STQ1HNK60RFig.5:Test Circuit For Inductive Load Switching And Diode Recovery TimesFig.4:Gate Charge test CircuitFig.2:Unclamped Inductive WaveformFig.1:Unclamped Inductive Load TestCircuitFig.3:Switching Times Test Circuit For ResistiveLoadSTD1NK60-STD1NK60-1-STQ1HNK60R8/13STD1NK60-STD1NK60-1-STQ1HNK60R9/13STD1NK60-STD1NK60-1-STQ1HNK60R10/1311/13STD1NK60-STD1NK60-1-STQ1HNK60RTAPE ANDREEL SHIPMENT (suffix ”T4”)*TUBE SHIPMENT (no suffix)*DPAK FOOTPRINT *on sales typeDIM.mm inch MIN.MAX.MIN.MAX.A 33012.992B 1.50.059C 12.813.20.5040.520D 20.20.795G 16.418.40.6450.724N 501.968T22.40.881BASE QTY BULK QTY 25002500REEL MECHANICAL DATADIM.mm inch MIN.MAX.MIN.MAX.A0 6.870.2670.275B010.410.60.4090.417B112.10.476D 1.5 1.60.0590.063D1 1.50.059E 1.65 1.850.0650.073F 7.47.60.2910.299K0 2.55 2.750.1000.108P0 3.9 4.10.1530.161P17.98.10.3110.319P2 1.9 2.10.0750.082R 40 1.574W15.716.30.6180.641TAPE MECHANICAL DATAAll dimensions are in millimetersAll dimensions are in millimetersSTD1NK60-STD1NK60-1-STQ1HNK60R12/13DIM.mm.inch MIN.TYPMAX.MIN.TYP.MAX.A1 4.80.19T 3.80.15T1 1.60.06T2 2.30.09d 0.4580.5050.0180.02P012.512.712.90.490.50.51P2 5.65 6.357.050.220.250.27F1,F2 2.44 2.542.940.090.10.11delta H -22-0.080.08W 17.518190.690.710.74W0 5.76 6.30.220.230.24W18.599.250.330.350.36W20.50.02H 18.520.50.720.80H015.51616.50.610.630.65H1250.98D0 3.84 4.20.150.1570.16t 0.90.035L 110.43l130.11delta P-11-0.040.04TO-92AMMOPACKSTD1NK60-STD1NK60-1-STQ1HNK60R Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result fromits use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specifications mentioned in this publication are subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information previously supplied. STMicroelectronics products are not authorized for use as critical components in life support devices orsystems without express written approval of STMicroelectronics.© The ST logo is a registered trademark of STMicroelectronics© 2003 STMicroelectronics - Printed in Italy - All Rights ReservedSTMicroelectronics GROUP OF COMPANIESAustralia - Brazil - Canada - China - Finland - France - Germany - Hong Kong - India - Israel - Italy - Japan - Malaysia - Malta - MoroccoSingapore - Spain - Sweden - Switzerland - United Kingdom - United States.© 13/13。
俄罗斯主要军工企业网址和主要业务介绍据了解,俄罗斯目前共有各类军工企业1265家,其中最著名的企业与院校如下:1.俄罗斯国防出口公司: R> (Rosoboronexport,РОСОБОРОНЭКСПОРТ)Федеральное государственноеунитарное предприятие Рособоронэкспорт ФГУПРособоронэкспорт @:lM|2:http://www.roe.ru/roe_ru/predpr/roe_ru_pred_1.html5/meH[R\M俄罗斯国防出口公司于 2000 年 11 月由俄罗斯总统签署命令成立,是目前俄罗斯唯一的国家军品进出口商和专门对军品及技术出口进行宏观调控和指导的机构。
该公司代表了俄罗斯著名的武器品牌和先进的军事科学与技术基础。
它与 60 多个国家开展军事技术合作,主要客户为包括印度在内的第三世界国家。
公司主要业务包括:出口各种常规武器、军用和两用硬件以及战略性原材料和炸药;后勤和维护支援,包括提供零配件、工具、附件和辅助设备;建造永久性防务设施,包括武器制造厂、机场、军械库、射击场、训练设施及其他设施。
提供许可证武器生产所需的各种材料部件和零配件。
对以前提供的武器系统进行改造和维护在俄罗斯或客户所在国进行人员培训。
此外,该公司还提供维和、执法和特种作战所需的军用和两用设备以及反恐和反走私装备。
}F`|_8L*v)2.巴拉诺夫中央航空发动机研究所:(又名俄罗斯中央航空发动机研究院(CIAM,ЦИАМ))http://www.ciam.ru/ $TQhr#C]Центральный Институт Авиационного Моторостроения им. П.И. Баранова. vOQ% f?%G\巴拉诺夫中央航空发动机研究所主要从事航空发动机研究,是俄罗斯最大的航空研究机构之一,也是欧洲最大的航空发动机试验中心,能在接近真实飞行条件下对航空发动机及其部件、系统和构件进行试验研究。
1/14September 2005STD1LNK60Z-1STQ1NK60ZR - STN1NK60ZN-CHANNEL 600V 13Ω 0.8A TO-92/IPAK/SOT-223Zener-Protected SuperMESH™MOSFETTable 1: General Features■TYPICAL R DS (on) = 13Ω■EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY ■ESD IMPROVED CAPABILITY ■100% AVALANCHE TESTED■NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK ■GATE CHARGE MINIMIZEDDESCRIPTIONThe SuperMESH™ series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Such series complements ST full range of high voltage MOS-FETs including revolutionary MDmesh™ products.APPLICATIONS■AC ADAPTORS AND BATTERY CHARGERS ■SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)Table 2: Order CodesFigure 2: Internal Schematic DiagramTYPE V DSS R DS(on)I D Pw STQ1NK60ZR STD1LNK60Z-1STN1NK60Z600 V 600 V 600 V< 15 Ω< 15 Ω< 15 Ω0.3 A 0.8 A 0.3 A3 W 25 W 3.3 W21IPAK TO-92 (Ammopack)SALES TYPE MARKING PACKAGE PACKAGINGSTQ1NK60ZR Q1NK60ZR TO-92BULK STQ1NK60ZR-AP Q1NK60ZR TO-92AMMOPAK STD1LNK60Z-1D1LNK60Z IPAK TUBE STN1NK60ZN1NK60ZSOT-223TAPE & REELRev. 6STD1LNK60Z-1 - STQ1NK60ZR - STN1NK60Z2/14Table 3: Absolute Maximum ratings( ) Pulse width limited by safe operating area(1) I SD ≤0.3A, di/dt ≤200A/µs, V DD ≤ V (BR)DSS , T j ≤ T JMAX.Table 4: Thermal Data(#) When mounted on 1 inch² Fr-4 board, 2 Oz CuTable 5: Avalanche CharacteristicsTable 6: Gate-Source Zener DiodePROTECTION FEATURES OF GATE-TO-SOURCE ZENER DIODESThe built-in back-to-back Zener diodes have specifically been designed to enhance not only the device’s ESD capability, but also to make them safely absorb possible voltage transients that may occasionally be applied from gate to source. In this respect the Zener voltage is appropriate to achieve an efficient and cost-effective intervention to protect the device’s integrity. These integrated Zener diodes thus avoid the usage of external components.Symbol ParameterValue UnitIPAKTO-92SOT-223V DS Drain-source Voltage (V GS = 0)600V V DGR Drain-gate Voltage (R GS = 20 k Ω)600V V GS Gate- source Voltage± 30V I D Drain Current (continuous) at T C = 25°C 0.80.30.3A I D Drain Current (continuous) at T C = 100°C 0.50.1890.189A I DM ( )Drain Current (pulsed) 3.2 1.2 1.2A P TOT Total Dissipation at T C = 25°C 253 3.3W Derating Factor0.240.0250.026W/°C V ESD(G-S)Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=1.5K Ω)800V dv/dt (1)Peak Diode Recovery voltage slope 4.5V/ns T j T stgOperating Junction Temperature Storage Temperature-55 to 150°C IPAKTO-92SOT-223Rthj-case Thermal Resistance Junction-case Max 5----°C/W Rthj-amb Thermal Resistance Junction-ambient Max 10012037.87(#)°C/W Rthj-leadThermal Resistance Junction-lead Max--40--°C/W T lMaximum Lead Temperature For Soldering Purpose275260260°CSymbol ParameterMax ValueUnit I AR Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive (pulse width limited by T j max)0.8A E ASSingle Pulse Avalanche Energy(starting T j = 25 °C, I D = I AR , V DD = 50 V)60mJSymbol ParameterTest Conditions Min.Typ.Max.Unit BV GSOGate-Source Breakdown VoltageIgs=± 1mA (Open Drain)30V3/14STD1LNK60Z-1 - STQ1NK60ZR - STN1NK60ZELECTRICAL CHARACTERISTICS (T CASE =25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)Table 7: On /OffTable 8: DynamicTable 9: Source Drain DiodeNote: 1.Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %.2.Pulse width limited by safe operating area.3.C oss eq. is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as C oss when V DS increases from 0 to 80% V DSS .Symbol ParameterTest Conditions Min.Typ.Max.Unit V (BR)DSS Drain-sourceBreakdown Voltage I D = 1 mA, V GS = 0600V I DSSZero Gate VoltageDrain Current (V GS = 0)V DS = Max Rating V DS = Max Rating, T C = 125 °C 150µA µA I GSS Gate-body Leakage Current (V DS = 0)V GS = ± 20V±10µA V GS(th)Gate Threshold Voltage V DS = V GS , I D = 50 µA 33.754.5V R DS(on)Static Drain-source On ResistanceV GS = 10V, I D = 0.4 A1315ΩSymbol ParameterTest Conditions Min.Typ.Max.Unit g fs (1)Forward Transconductance V DS = V , I D = 0.4 A0.5S C iss C oss C rss Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance V DS = 25V, f = 1 MHz, V GS = 09417.62.8pF pF pF C oss eq. (3)Equivalent Output Capacitance V GS = 0V, V DS = 0V to 480V 11pF t d(on)t r t d(off)t f Turn-on Delay Time Rise TimeTurn-off-Delay Time Fall TimeV DD = 300V, I D = 0.4 A R G = 4.7Ω V GS = 10 V (see Figure 21) 5.551328ns ns ns ns Q g Q gs Q gdTotal Gate Charge Gate-Source Charge Gate-Drain ChargeV DD = 480V, I D = 0.8 A,V GS = 10V(see Figure 25)4.912.76.9nC nC nCSymbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit I SD I SDM (2)Source-drain CurrentSource-drain Current (pulsed)0.82.4A A V SD (1)Forward On Voltage I SD = 0.8A, V GS = 0 1.6V t rr Q rr I RRM Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Reverse Recovery Current I SD = 0.8 A, di/dt = 100A/µs V DD = 20V, T j = 25°C (see Figure 23)1352163.2ns nC A t rr Q rr I RRMReverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Reverse Recovery CurrentI SD = 0.8 A, di/dt = 100A/µs V DD = 20V, T j = 150°C (see Figure 23)1402243.2ns nC ASTD1LNK60Z-1 - STQ1NK60ZR - STN1NK60Z4/14Figure 3: Safe Operating Area for IPAKFigure 6: Thermal Impedance for IPAK5/14STD1LNK60Z-1 - STQ1NK60ZR - STN1NK60ZFigure 9: Output CharacteristicsFigure 12: Transfer CharacteristicsFigure 14: Capacitance VariationSTD1LNK60Z-1 - STQ1NK60ZR - STN1NK60Z6/14Figure 15: Normalized Gate Thereshold Volt-Figure 18: Normalized On Resistance vs Tem-STD1LNK60Z-1 - STQ1NK60ZR - STN1NK60ZFigure 21: Unclamped Inductive Load Test Cir-cuitFigure 22: Switching Times Test Circuit For Resistive Load Figure 23: Test Circuit For Inductive Load Switching and Diode Recovery TimesFigure 24: Unclamped Inductive WafeformFigure 25: Gate Charge Test CircuitSTD1LNK60Z-1 - STQ1NK60ZR - STN1NK60ZIn order to meet environmental requirements, ST offers these devices in ECOPACK® packages. These packages have a Lead-free second level interconnect . The category of second level interconnect is marked on the package and on the inner box label, in compliance with JEDEC Standard JESD97. The maximum ratings related to soldering conditions are also marked on the inner box label. ECOPACK is an ST trademark. ECOPACK specifications are available at: 8/14STD1LNK60Z-1 - STQ1NK60ZR - STN1NK60Z9/14STD1LNK60Z-1 - STQ1NK60ZR - STN1NK60Z10/14Table 10: Revision HistoryDate Revision Description of Changes 19-Mar-20031First Release15-May-20032Removed DPAK09-Jun-20033Final Datasheet17-Nov-20044Inserted SOT-223.15-Feb-20055Modified Curve 407-Sep-20056Inserted Ecopack indicationInformation furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specifications mentioned in this publication are subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information previously supplied. STMicroelectronics products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without express written approval of STMicroelectronics.The ST logo is a registered trademark of STMicroelectronicsAll other names are the property of their respective owners© 2005 STMicroelectronics - All Rights ReservedSTMicroelectronics group of companiesAustralia - Belgium - Brazil - Canada - China - Czech Republic - Finland - France - Germany - Hong Kong - India - Israel - Italy - Japan - Malaysia - Malta - Morocco - Singapore - Spain - Sweden - Switzerland - United Kingdom - United States of America。
74理研王牌XRK套缸介绍文_李进章配件XRK系出名门,它是厦门理研旗下的第二大品牌,而XRK套缸各个成员更是个个贵族出身。
在这强强联合,紧密配合下,XRK套缸表现出与其他品牌与众不同的性能。
下面一介绍XRK套缸的成员。
缸体。
采用理研XRK汽缸体,是国际知名品牌。
汽缸体的寿命直接影响到发动机的寿命,其材质选择尤为重要。
1、 缸套:现用缸套多为珊瑚状外圆硼铸铁,源自美国Singer公司离心式铸造技术,其性能特点表现为。
(1) 显微组织:A型或B型石墨,长度4至6级,细片状珠光体,6%~8%分散状或断续网状硼碳化物,少于5%的铁素体。
(2) 硬度:HRB93—100,硬度差为HRB5。
(3) 抗拉强度:大于250MPa。
(4) 耐高温:连续以120℃×72小时环境后,其内孔最大变化量为0.005mm,最大变化率为0.009%。
(5) 耐磨。
经200小时耐久试验后其磨损变化量为≤0.015 mm。
(6) 附着力强(镶嵌能力)。
珊瑚状外表缸套由于外表呈珊瑚状,并布满微孔,机体制造(压注铝)过程铝金属充分渗进微孔与铸铁缸套表面牢固结合,此种结合率基本为100%,远远比JB/T6006《内燃机风冷汽缸套技术条件》标准中,双金属结合面要达到“85%~90%”的规定高得多。
缸套获得与铝金属的超强结合后,整个发动机完全避免在使用过程中出现松脱或散热能力下降的问题。
经压铸成形后,其轴向压溃力≥180kN,径向拉力≥40kN。
(7) 散热能力强。
散热效果与铸铁缸套外表和铝机体接触面积成正比,面积越大散热效果将越好。
现用之缸套外圆表面呈珊瑚状凹凸不平,与一般粗糙表面的概念完全不75配件同。
珊瑚状外圆表面缸套与凹凸圆弧槽坑外圆表面缸套相比,若将其外圆表面展开计算面积,则前者将比后者大0.4~0.8倍。
2、 铝材缸体现用铝材为ADC12,为确保性能,我们对各种化学元素成分均严格要求。
二、 设备保障现用之设备、仪器99%为进口的先进设备。
宾德镜头大事记:1952 -1975罗口M42时代1975 PK口的K系列入市1977 M系列入市1983 A系列入市1987 F系列入市1991 FA系列入市2003 FA-J系列和DFA系列入市2004 DA系列入市一、罗口M42’太苦玛’时代罗口“太苦玛”镜头有很多批,名字也让人一团雾水,有Takumar,Auto-Takumar,s-m-c Takumar,SMC-Takumar等等。
还是让我们从它的发展史来了解一下“太苦玛”镜头吧。
1952年入市的第一批“太苦玛”罗口头是为ASAHIFLEX像机用的,它不是M42的而是37MM罗口的.1957年真正M42口的“太苦玛”上市,是为像机“Asahi Pentax”生产的,仍是58MM/2.4的标头.1958年随着像机“Asahi Pentax K”推出了“Auto-Takumar”。
镜头PG上第一次带有光圈顶针,实现了用像机控制镜头的光圈收缩。
代表做55/1.8的斑马标头.1960年起出了一种“Super Takumar” 镜头,对光圈顶针做了一些改善.1971年起Super-Multi-Coated Takumar镜头上市,也叫s-m-c Takumar,多层镀膜的时代来了.1972年起“SMC Takumar” 上市,它和S-M-CTakumar的区别主要在对焦环上(有橡皮在上面),镀膜完全一样。
SMC Takumar很有收藏价值,许多K系列头的光学结构和SMC Takumar完全一样,只是换了卡口罢了。
1975年起,又出了批PK口的Takumar廉价镜头,大部分是由别人代工的,镜头上不带SMC字样。
这种廉价“太苦玛”,成像很差,根本不值得购买和收藏。
有些JS就爱拿这类头来唬人。
大家淘头的时候要注意了。
Takumar M42系列镜头:SMC-Takumar 20/4.5,最小光圈16,11片10组,最近对焦0.2米,视角94度,重251克。
【橡树原创】PK口SMC 宾得50mm标头参考&贴图区本贴内容只讨论标准PK口标头,不含M42等接口类型。
同时不包含太苦马等不含SMC镀膜的镜头。
宾得PK口标头(50mm定焦距镜头、带SMC)共有如下几类:-----------------------------------------------一、K系列(手动头)K 50/1.2镜头标志字样:SMC PENTAX 1:1.2/50 (生产时间:1975 ~ 1977)镜片:7片6组口径:52mm 规格:65 x 49mm 重量:385g光圈:f/1.2 ~ f/22 最大放大倍率:0.15X 最近对焦:0.45米K 50/1.2 (Gold)镜头标志字样:smc PENTAX 1:1.2/50mm(GOLD)(生产时间:1981)镜片:7片6组口径:52mm 规格:65 x 49mm 重量:(24K金打造,重量未知)光圈:f/1.2 ~ f/22 最大放大倍率:0.15X 最近对焦:0.45米K 50/1.2镜头标志字样:smc PENTAX 1:1.2 50mm (生产时间:1977 ~ 1984)镜片:7片6组口径:52mm 规格:65 x 49mm 重量:385g光圈:f/1.2 ~ f/22 最大放大倍率:0.15X 最近对焦:0.45米K 50/1.4镜头标志字样:SMC PENTAX 1:1.4/50 (生产时间:1975 ~ 1977)镜片:7片6组口径:52mm 规格:63 x 42mm 重量:385g光圈:f/1.4 ~ f/22 最大放大倍率:0.15X 最近对焦:0.45米K 55/1.8镜头标志字样:SMC PENTAX 1:1.8/55 (生产时间:1975 ~ 1977)镜片:6片5组口径:52mm 规格:63 x 39mm 重量:221g光圈:f/1.8 ~ f/22 最大放大倍率:未知最近对焦:0.45米K 55/2镜头标志字样:SMC PENTAX 1:2 55 (生产时间:1976 ~ 1977)镜片:6片5组口径:52mm 规格:63 x 39mm 重量:221g光圈:f/2 ~ f/22 最大放大倍率:未知最近对焦:0.45米(说明:大家注意K50/1.2出了两款,GOLD为限量纪念版,24K金打造,极品。
国别型号名称口径(mm)阿根廷FARA83式 5.56阿根廷FN7.62奥地利施泰尔AUG 5.56奥地利SSG69式7.62奥地利AMR5075式15澳大利亚L1A1-F1式7.62比利时FN CAL 5.56比利时FN FNC 5.56比利时FN FAL 50-64式7.62比利时FN30-11式7.62德国G11K3式 4.7德国HK33E式 5.56德国HKG41式 5.56德国G3式7.62德国G8式7.62德国毛瑟86SR式7.62德国MP43/44式7.92法国FAMAS 5.56法国MAS49/56式7.5法国FR-F1式7.5/7.62芬兰瓦尔梅特M76W式7.62/5.56芬兰瓦尔梅特M90式7.62/5.56芬兰瓦尔梅特M78式7.62韩国K1A式 5.56韩国K2式 5.56加拿大C8式 5.56加拿大C1A1式7.62美国可控点射步枪 4.32美国AAI先进战斗步枪 5.56美国M16式 5.56美国M16A2式 5.56美国TRW低维修率步枪 5.56美国柯尔特M231式 5.56美国柯尔特先进战斗步枪 5.56美国鲁格Mini-14式 5.56美国M4式 5.56美国M14式7.62美国AR-10式7.62美国M1式7.62美国M24式7.62美国M40A1式7.62美国麦克米伦M86式7.62美国佩里格林50/12式12.7美国巴雷特M82A1式12.7美国波扎P50式12.7美国麦克米伦M88式12.7美国XM70式南非R4式 5.56南非R5式 5.56前捷克斯洛伐克54式7.62前捷克斯洛伐克58式7.62前南斯拉夫M80式 5.56前南斯拉夫M59/66A1式7.62前南斯拉夫M70B1式7.62前南斯拉夫M77B1式7.62前南斯拉夫M76式7.92前苏联AK-74式 5.45前苏联西蒙诺夫7.62前苏联AK-47式7.62前苏联AKM7.62前苏联德拉戈诺夫SVD7.62俄罗斯A-91式 5.45俄罗斯A-91式 5.56俄罗斯A-91式7.62俄罗斯A-91式9俄罗斯卡拉什尼科夫AK-101式 5.56俄罗斯卡拉什尼科夫AK-103式7.62俄罗斯卡拉什尼科夫AK-102式 5.56俄罗斯卡拉什尼科夫AK-104式7.62俄罗斯卡拉什尼科夫AK-105式 5.45俄罗斯德拉戈诺夫SVDS7.62俄罗斯AS9日本89式 5.56日本64式7.62瑞典FFV890C式 5.56瑞典AK5式 5.56瑞典MKS 5.56瑞士SIG SG540式 5.56瑞士SIG SG550式 5.56瑞士M31/55式7.5瑞士SIG SG510-4式7.62瑞士SSG2000式7.62瑞士SSG3000式7.62西班牙L式 5.56西班牙赛特迈A7.62新加坡SAR80式 5.56新加坡SR88式 5.56匈牙利NGM 5.56匈牙利AMD-65式7.62匈牙利猎豹M1式12.7以色列加利尔(AR) 5.56以色列加利尔7.62意大利AR70式 5.56意大利AR70/90式 5.56意大利BM59式7.62意大利伯莱塔7.62印度INSAS 5.56英国L85A1式 5.56英国恩菲尔德L1A1式7.62英国恩菲尔德L39A1式7.62英国恩菲尔德L42A1式7.62英国BGR7.62英国帕克-黑尔M82式7.62英国帕克-黑尔M85式7.62英国帕克-黑尔M87式7.62英国隐藏式PM7.62英国德莱尔M3式11.43初速(m/s)表尺射程(m)965~100583097086015001500~2000820970965(M193)915(SS109)400840850600930920910780~800800650960825852720/960约800720(7.62×39,mm枪弹)830(7.62 ×51,mm枪弹)820960(M193式枪弹)920(SS109式枪弹)600920840600112014021000948(SS109式枪弹)991(M193式枪弹)986914948(M855枪弹)884(双头弹)1005906(SS109式枪弹)921(M193式枪弹)853760607792777853(M33式普通弹)1418980920795710920735720840720900735710715830670250680250570250270200910100071510008505006705008405008101200295300(夜视瞄准具)920700(减装药弹),800(全装药弹)860500930975980995780800790750875760970970(M193式枪弹)900700870950815(FN比赛弹),780(M118式比赛弹)950950823885940838841838860860314~330260(普通弹)328(高速增压弹)有效射程(m)理论射速(发/min)战斗射速(发/min)750~8008006508001000600700300625~750650650~700300600(连发)、2000(3发点射)400750850400500~60080050050030090060015~2080010 300~400600~750300~400600~750700650700~900900400700~950600(SS109式枪弹)700~9004604503001100~130050~60 325(双头弹)300600(最大)700~1000700700~750700300650650120040080040050030~40400620~66040600600100040065040035~403006006008001300(最大)700~900700~900700~900700~90060040(单发)100(连发)60040(单发)100(连发)60040(单发)100(连发)60040(单发)100(连发)60040(单发)100(连发)650~850400500650650400700~1100650~80070060012600600~750600550400600~800400650~8509003006001200(对人员)、2000(对轻型装甲车)500600650650600750610~775 600(采用氚光瞄准镜)300300(11.43mm柯尔特自动手枪弹)自动方式供弹方式容弹量(发)全枪长mm导气式弹匣301000(枪托打开)745(枪托折叠)导气式弹匣201090导气式弹匣30或42790手动旋转式弹仓51140枪管长后坐式弹匣5导气式弹匣201066导气式弹匣20980导气式弹匣30997(枪托打开)766(枪托折叠)导气式弹匣10、201095(枪托打开)845(枪托折叠)手动弹仓51117导气式弹匣45750半自由枪机式弹匣25940(枪托拉出)735(枪托缩回)半自由枪机式弹匣30997半自由枪机式弹匣201025半自由枪机式弹匣、弹鼓20(弹匣)、50(弹鼓)1030非自动双排式弹仓91210导气式弹匣30940半自由枪机式弹匣25757导气管式弹匣101100手动弹匣101138导气式弹匣15、20、30950(枪托打开)710(枪托折叠)导气式弹匣30930(枪托打开) 675(枪托折叠)导气式弹匣、弹鼓15和30(弹匣)75(弹鼓)1060导气管式弹匣30830(枪托拉出)645(枪托缩回)导气式弹匣30990(枪托打开) 730(枪托折叠)导气管式弹匣30840(枪托打开)760(枪托折叠)导气式弹匣201136导气管式弹匣30875导气式弹匣301016导气管式弹匣20、30990导气管式弹匣20、301000导气式弹匣30872(含消焰器)导气管式弹匣30820(枪托拉出)710(枪托缩回)导气式弹匣301031(枪托拉出)931(枪托缩回)导气式弹匣5、20或30946导气式弹匣20或30840(枪托拉出)760(枪托缩回)导气式弹匣201120导气管式弹匣201016导气式弹匣15或30904非自动弹仓51092~1161非自动弹仓51117非自动弹仓41107导气式弹匣101410枪管短后坐式弹匣101448导气式弹匣51299非自动弹仓51295活塞火帽式弹匣501076导气式弹匣35或501005(枪托打开)740(枪托折叠)导气式弹匣35或50877(枪托打开) 615(枪托折叠)非自动弹仓101148导气式弹匣30820(枪托打开)635(枪托折叠)导气式弹匣30990导气式弹仓101320(刺刀打开)1120(刺刀折叠)导气式弹匣30900导气式弹匣20990导气式弹匣101135导气式弹匣30930导气式弹仓101021导气式弹匣30870(枪托打开)645(枪托折叠)876导气式弹匣101225导气式弹匣20604(枪托打开)导气式弹匣20604(枪托打开)导气式弹匣20604(枪托打开)导气式弹匣20604(枪托打开)弹匣30943(枪托打开)700(枪托折叠)弹匣30943(枪托打开)700(枪托折叠)弹匣30824(枪托打开)586(枪托折叠)弹匣30824(枪托打开)586(枪托折叠)弹匣30824(枪托打开)586(枪托折叠)弹匣10、151135(枪托打开)875(枪托折叠)导气式弹匣20878(枪托打开)615(枪托折叠)导气式弹匣20、30916(枪托打开)670(枪托折叠)导气式弹匣20990导气式弹匣35860(枪托打开) 625(枪托折叠)导气式弹匣301008(枪托打开)753(枪托折叠)导气式弹匣30868(枪托打开) 634(枪托折叠)导气式弹匣20、30950导气式弹匣20、30998(枪托打开)772(枪托折叠)非自动弹仓61210半自由枪机式弹匣201016非自动弹仓41210非自动弹仓51180半自由枪机式弹匣20、30925半自由枪机式弹匣20、30970导气式弹匣20、30970(枪托打开)738(枪托折叠)导气式弹匣20、30970导气式弹匣30935导气式弧形弹匣30851(枪托打开)648(枪托折叠)非自动1540导气式弹匣35、50979(枪托打开) 742(枪托折叠)导气式弹匣201115(枪托打开)840(枪托折叠)导气式弹匣30955导气式弹匣30998导气式弹匣201095非自动弹仓51165导气式弹匣20、30990(固定枪托)导气式弹匣30785导气式弹匣201143手动弹仓101180手动弹仓101181非自动弹匣5~201200非自动弹仓41162非自动弹匣101150~1210非自动弹仓51143非自动弹匣10×2、201250非自动弹仓4960枪管长mm全枪质量kg452 3.95(不含弹匣)533 4.6(不含弹匣)508 3.6(不含弹匣)650 3.9(不含弹匣)1200约20(不含弹匣)533 4.43(不含弹匣) 467(不含消焰器)3(不含弹匣和背带)449 3.8(不含弹匣)533 3.9(不含弹匣或刺刀)502 4.85(不含弹匣) 540(不含弹膛) 3.65(不含弹匣)390 3.98(不含弹匣)450 4.1(不含弹匣)450 4.4(不含弹匣) 450(不含制退器)8.15(不含弹匣、含两脚架) 730(含枪口制退器) 4.9(不含瞄准镜)419 5.1488 3.61(不含弹匣)526 3.9(不含弹匣)552 5.2( 不含弹匣)420 3.6(不含弹匣)416 3.85(不含弹匣)526 4.7(不含弹匣)263(不含枪口制退/补偿器) 2.88(不含枪弹)465(不含枪口制退/补偿器) 3.26(不含弹匣)370 2.7(不含弹匣)533 4.254.54(含空弹匣)3.53(不含弹匣)508(不含消焰器) 3.1(不含背带和擦拭工具)510(不含消焰器) 3.4(不含弹匣)493(不含消焰器) 3.3(不含弹匣)368 3.9(不含弹匣)3.306(不含弹匣和瞄准镜)470 2.9(不含弹匣)368 2.54(不含弹匣)559 5.1(含实弹匣)508 3.4(不含弹匣)458 2.36(含空弹匣)610 5.27(不含枪弹)610 6.57(不含枪弹、含瞄准镜)610 5.4(不含枪弹,含瞄准镜)73715.2(含空弹匣)73712.973713.6730约12(不含枪弹)508460 4.3(不含弹匣)332 3.7(不含弹匣)700 4.38(不含枪弹含瞄准镜)401 3.14( 含金属托不含弹匣)460 3.5(不含弹匣)520 4.1(不含弹匣)415 3.7(含空弹匣)500 4.8(含空弹匣)550 4.2(不含弹匣)400 3.3(含空弹匣)520 3.85(不含枪弹)415 4.3(不含弹匣)3.15(不含弹匣)622 4.3(含瞄准镜)1.75(不含弹匣)1.75(不含弹匣)1.75(不含弹匣)1.75(不含弹匣)415 3.4(不含弹匣)415 3.3(不含弹匣)3143(不含弹匣)314 2.9(不含弹匣)3143(不含弹匣)4.68(含光学瞄准镜和空弹匣)2.5(不含弹匣与瞄准具)420 3.5(不含弹匣)450 4.4(不含弹匣)340 3.5(不含弹匣)450 3.9(不含弹匣)467 2.75(含空弹匣)460(不含消焰器) 3.26(不含弹匣)528 4.1(含空弹匣和两脚架)655 5.53(不含枪弹和瞄准镜)505 4.25(不含弹匣)610 6.6(含弹匣和瞄准镜)610(不含枪口装置) 5.4(含空弹匣,瞄准镜) 400 3.4(不含弹匣)435 4.25(不含弹匣)459 3.7(不含弹匣)459 3.66(不含弹匣)412 3.18(不含弹匣)318(不含消焰器) 3.27110015460 3.95(不含弹匣,两脚架和提把) 508(不含枪口制退器) 6.4(不含弹匣,含两脚架和背带)$450 3.8(含空弹匣)450 3.99(不含弹匣)490 4.6(不含弹匣)586 5.55( 不含枪弹)464 3.2(不含弹匣)518 3.8(不含弹匣和光学瞄准镜) 554 4.3(不含弹匣)700 4.42(不含枪弹)699 4.43(不含枪弹)700 6.6(含瞄准镜和两脚架) 660 4.8(不含枪弹)700 5.7(不含枪弹,含光学瞄准镜) 660 4.55(不含枪弹)655 6.5210 3.7(不含瞄准镜)使用枪弹M193式或SS109式5.56mm枪弹北约7.62mm枪弹SS109式5.56mm枪弹北约7.62mm枪弹、0.243in温彻斯特枪弹15mm专用枪弹北约7.62mm枪弹M193式5.56mm枪弹SS109式或M193式5.56mm枪弹北约7.62mm 枪弹北约7.62mm枪弹、0.308in温彻斯特枪弹DM11式4.73mm无壳弹5.56mm枪弹北约5.56mm枪弹7.62mm枪弹7.62mm枪弹7.62mm枪弹(0.308in温彻斯特枪弹)7.92mm枪弹M193式5.56mm枪弹、北约SS109式5.56mm枪弹M1929式7.5mm枪弹7.5mm枪弹、北约7.62mm枪弹7.62mm或5.56mm枪弹7.62mm或5.56mm枪弹7.62×39,mm、7.62×51,mm枪弹5.56mm枪弹M193式或SS109式5.56mm枪弹M193式或SS109式5.56mm枪弹北约7.62mm枪弹4.32mm枪弹5.56mm次口径箭形弹M193式5.56mm枪弹SS109 式及其他5.56mm枪弹M193式5.56mm枪弹M193式5.56mm枪弹M855式5.56mm枪弹及5.56mm双头弹M193式和SS109式5.56mm枪弹SS109式和M193式5.56mm枪弹北约7.62mm枪弹北约7.62mm枪弹M1式7.62mm卡宾枪枪弹M118式7.62mm特种弹头比赛弹北约7.62mm枪弹#*[-4]0.30-06斯普林菲尔德枪弹、0.308in枪弹、7.62mm温彻斯#*[4] 特马格努姆枪弹12.7mm勃朗宁机枪弹、前苏联12.7mm机枪弹12.7mm勃朗宁机枪弹12.7mm勃朗宁机枪弹12.7mm勃朗宁机枪弹XM645式箭形弹5.56mm枪弹5.56mm枪弹7.62mm枪弹M43式7.62mm中间型枪弹M193或SS109式5.56mm枪弹M43式7.62mm枪弹M43式7.62mm枪弹北约7.62mm枪弹7.92mm毛瑟枪弹5.45mm枪弹M43式7.62mm枪弹M43式7.62mm枪弹M43式7.62mm枪弹7.62mm枪弹M1974式5.45mm枪弹北约5.56mm枪弹M1943式7.62mm枪弹СП-5式和СП-6式9mm枪弹北约5.56mm枪弹M1943式7.62mm枪弹北约5.56mm枪弹M1943式7.62mm枪弹5.45mm枪弹7.62mm枪弹9mm枪弹北约5.56mm枪弹7.62mm减装药弹或全装药弹5.56mm枪弹北约5.56mm枪弹M193式5.56mm枪弹5.56mm枪弹北约5.56mm枪弹M11式7.5mm枪弹北约7.62mm枪弹北约7.62mm枪弹北约7.62mm枪弹SS109式5.56mm枪弹7.62mm减装药枪弹M196式和M193式5.56mm枪弹M193式或SS109式5.56mm枪弹M193式或SS109式5.56mm枪弹M43式7.62mm中间型枪弹12.7mm穿甲燃烧弹、穿甲燃烧曳光弹5.56mm枪弹北约7.62mm枪弹M193式或SS109式5.56mm枪弹北约5.56mm枪弹北约7.62mm枪弹北约7.62mm枪弹SS109式5.56mm枪弹北约5.56mm枪弹北约7.62mm枪弹北约7.62mm枪弹北约7.62mm枪弹#*[-5]北约7.62mm枪弹、0.243in温彻斯特枪弹、0.300in温彻斯#*[5]特马格努姆枪弹北约7.62mm枪弹北约7.62mm枪弹#*[-5]北约7.62mm枪弹、0.243in温彻斯特枪弹、6.5mm枪弹、0.30-06 枪弹、0.300in温彻斯特马格努姆枪弹#*[5]7.62mm亚音速枪弹11.43mm柯尔特自动手枪弹备注装备装备装备装备研制装备装备生产装备装备少量试装备装备装备装备生产生产淘汰生产停产装备装备装备装备装备生产装备装备停止发展停止发展装备装备停止发展装备停止发展生产装备撤装未投产停产生产生产研制研制生产研制研制停止发展生产生产撤装装备出口生产装备生产生产生产撤装撤装生产装备生产生产生产生产生产生产生产生产生产生产生产装备装备停止发展装备停止发展装备装备停产装备装备研制装备撤装装备生产生产装备生产生产装备装备装备装备装备装备装备装备停止生产装备生产停止生产装备装备装备生产。
说明:db:伤害加权,具体数值因人而异。
勒颈:关于这种可能性,请参照“擒抱”技能的规则。
晕眩:在1轮、1d6轮或由守秘人指定的时间内,除了招架什么都做不了。
而且,必须通过一个[意志值×莫兰上校的气动步枪:靠压缩空气发射,不需要火药,因而比较安静。
[译注:典出自福尔摩斯的故事] 1/2、1/3:只有2轮或3轮攻击一次,才能做到准确攻击。
1或2:在同一轮中,可以选择只用一边、还是同时用两边的枪管射击。
①:这种武器、或武器类型可以造成贯穿。
②:本武器的伤害加权算上了马的冲击力。
③:采用“溺毙、窒息”的规则。
④:本枪械是重型加特林机关枪,一般装备在直升机上。
若想用手持的方式射击,则至少需具备16点力⑤:轻型反坦克武器,一次性使用。
☆:本武器不适用于“近距离平射”的规则。
★:本武器若造成贯穿,便可任意截下对手的一条肢体。
连射:民间不可能搞到能连射的枪械。
在这里给出的价格都是黑市价。
NA:平民禁止购买任何自动武器,即使拥有也是违法行为。
但有可能获得把合法武器改装成自动武器的故障值:如果一次火器发射的检定结果大于等于该武器的故障值,不仅攻击不会命中,子弹也会成为哑 但如果拿的是带杠杆式枪机的步枪,枪就会卡壳,射手必须用1d6个战斗轮的时间投“机器维修 而且,如果在检定时投出了96~00,枪就会被彻底弄坏。
直到枪被修好、或者被彻底弄坏为止散弹枪子弹的口径规格:10号为[1d10+8]、12号为[1d10+6]、16号为[1d10+5]、20号为[1d10+4];基本射稀有:可能指已经属于古董的武器、也可能指专供收藏用的精致武器,亦有可能指违法的武器。
各时代价格:现代的价格指收藏品市场上的价格,1920年代的价格指市价。
单位一律为美元。
2码、3码等等:在伤害栏中所示的这个距离,指爆炸后的杀伤半径。
在爆炸范围之外,每远离一段相当阔剑地雷:这种武器的弹道是密集的射束流,其杀伤范围为120度。
附加说明(1):标红色的武器未收录于规则书上,是我自己加的,数值也是我自己估算的,供有爱者使用附加说明(2):标蓝色的武器出自日本Arclight公司出版的扩展规则《克苏鲁与帝国》,供有爱者使用。
充满争议的“日耳曼战马” 德国Ⅳ号坦克全系列点评(下)作者:红隼来源:《坦克装甲车辆》 2020年第11期红隼失败的“转型”在新一轮“T-34”危机的逼迫下,IV号开始了新一轮的“进化”乃至“转型”,可惜的是,无论是“进化”还是“转型”却都很难被认为是成功的。
首先来讲,作为德军手中被认为最具性价比优势,并且在火力、机动和防护性三大性能上能够达到理想平衡的中型底盘,无论是IV号的有炮塔版本还是无炮塔版本,却都没有在战斗效能上与III号(及其洐生型)拉开实质性差距-----从Pzkpfw Ⅳ Ausf.G(后期型)一直到Pzkpfw Ⅳ Ausf. J,装KwK40L48 75毫米坦克炮的IV号坦克与StuG/JagdpanzerIII F/F8/G型突击炮/坦克歼击车拥有相同的火力和相近的装甲防护水平,至于Jagdpanzer IV这种本应拥有更强大火力的无炮塔坦克歼击车版本,却也莫名其妙地装了同样的一门KwK42L48 75毫米坦克炮“凑合”。
结果这样一来,不但在资源上造成了巨大的浪费(同时维持III号和IV号两种战场价值相差不大,但部件通用性却相当有限的底盘生产线,显然与当时德国军工资源的现状是背道而驰的),而且这种打了折扣的缩水版Jagdpanzer IV,其战场价值仅仅相当于Jagdpanzer III,在1944年的东线战场上已经很难被称为“坦克歼击车”了,结果整个IV号系列存在的意义也因此受到了强烈的质疑。
当然,相比于III号底盘,吨位更大的IV号底盘本应拥有更好的火炮适装性,德国人先是在1944年4、5月间,作为对SU-85坦克歼击车的一种摹仿,试验了两种原汁原味的Jagdpanzer IV样车——粗糙一些的Jagdpanzer IV 70(A)与精致一些的Jagdpanzer IV 70(V)(两者都是装KwK 42L70 75毫米坦克炮的版本,区别在于前者直接在未经修改的Pzkpfw Ⅳ Ausf.H车体上建造了一个突兀的固定战斗室,因此车体较高,而后者则重新设计了车体,车体较为低矮,被弹面小,防护性能较好);然后在1944年7月,又试图将正在设计中的Pzkpfw V Ausf.F炮塔装在Pzkpfw Ⅳ Ausf.J车体上。
1937年10月第一辆A型坦克出厂,战前四号坦克的A、B、C型仅有小批量生产,大多用于测试和训练,但波兰战役中的部分参战坦克受到部队的高度赞誉。
1939年10月D 型投产,成为最初的生产型。
1940年E型投产,1941年F型(F1)投产,四号坦克F1型(其中也包括F1型)之前主要武器皆为短身管的75毫米/24倍口径火炮。
至苏德战争开始时,四号坦克装备数量不过数百。
战争开始后,面对苏联新型的T-34/76中型坦克[1]和KV-1重型坦克[2],当时德军装备的三号坦克50毫米/42倍口径与四号坦克75毫米/24倍口径坦克炮在交战距离上无法有效击穿苏军坦克的正面装甲,因此在42年之前,苏军在技术装备上占有一定优势。
而后,德国人除开始研制新型的虎式重型坦克[3]和“黑豹”式中型坦克(也称“豹”式坦克)[4]外,也开始对三、四号坦克大加改进。
首先四号F1型坦克改装长身管75毫米/43倍口径火炮,成为F2型,1942年G型投产(开始是43倍身管,之后统一为48倍身管),两种型号坦克的增强了装甲,火力也大为加强,可以在1000米外轻松击穿T-34/76中型坦克的正面装甲。
此外四号F2型坦克也运至隆美尔的非洲军团,该坦克火力强、结构好,是当时北非战场德意军队最倚重的装备。
其穿甲能力远远高于美军M4坦克及英军所有坦克。
1943年四号H型1944年四号J型坦克投产,进一步提升了火力和防护,最大的特点就是安装了炮塔护圈以及车体两侧的5毫米侧裙板(安装这两个新部件的目的是减少火箭筒发射的火箭弹的能量,使其无法穿透坦克装甲。
)产量均超过3000辆,在数量上逐步取代三号坦克成为德军装甲部队的主力。
在斯大林格勒、库尔斯克、西西里岛、诺曼底、阿登等战役中,四号坦克一直是冲锋陷阵的主力之一。
由于德国生产能力不足,因此结构简单、性能稳定四号坦克一直保持了批量生产,以弥补德军“虎”式、“黑豹”式数量的不足。
整个战争期间,四号坦克总产量达8000辆以上。
样本标准差得表示公式数学表达式:•S-标准偏差(%)•n-试样总数或测量次数,一般n值不应少于20-30个•i-物料中某成分得各次测量值,1~n;[编辑]标准偏差得使用方法•在价格变化剧烈时,该指标值通常很高。
•如果价格保持平稳,这个指标值不高。
•在价格发生剧烈得上涨/下降之前,该指标值总就是很低。
[编辑]标准偏差得计算步骤标准偏差得计算步骤就是:步骤一、(每个样本数据-样本全部数据之平均值)2。
步骤二、把步骤一所得得各个数值相加。
步骤三、把步骤二得结果除以 (n - 1)(“n”指样本数目)。
步骤四、从步骤三所得得数值之平方根就就是抽样得标准偏差。
[编辑]六个计算标准偏差得公式[1][编辑]标准偏差得理论计算公式设对真值为X得某量进行一组等精度测量, 其测得值为l1、l2、……l n。
令测得值l与该量真值X之差为真差占σ, 则有σ= l i−X1= l2−Xσ2……σn = l n−X我们定义标准偏差(也称标准差)σ为(1)由于真值X都就是不可知得, 因此真差σ占也就无法求得, 故式只有理论意义而无实用价值。
[编辑]标准偏差σ得常用估计—贝塞尔公式由于真值就是不可知得, 在实际应用中, 我们常用n次测量得算术平均值来代表真值。
理论上也证明, 随着测量次数得增多, 算术平均值最接近真值, 当时, 算术平均值就就是真值。
于就是我们用测得值l i与算术平均值之差——剩余误差(也叫残差)V i来代替真差σ , 即设一组等精度测量值为l1、l2、……l n则……通过数学推导可得真差σ与剩余误差V得关系为将上式代入式(1)有(2)式(2)就就是著名得贝塞尔公式(Bessel)。
它用于有限次测量次数时标准偏差得计算。
由于当时,,可见贝塞尔公式与σ得定义式(1)就是完全一致得。
应该指出, 在n有限时, 用贝塞尔公式所得到得就是标准偏差σ得一个估计值。
它不就是总体标准偏差σ。
因此, 我们称式(2)为标准偏差σ得常用估计。
做好PCP 的知识汇总一、一把好的PCP第一点就是精度,而不是威力,就拿英国的法律限制16J来说,照样可以下野兔89,所以经常听到大家过于追求WLJ碎几面而忽略了精度第一的原则。
二、散步太大,好多朋友都一看散步大就觉得自己的PCP管子有问题,其实很大一部分是因为你没有D好这只PCP,因为每次出气的气压不稳定,开阀的程度不一样,阀杆伸出阀体的长度不合理等等。
导致了初速不稳定,初速不稳定就导致了D道点不稳定,就产生了管子精度欠佳的感觉,如果你发现你的D道无规则的散步,请遵循先确认初速的原则,最好是有测速仪,再不行也只能就权宜使用WLJ了,见图1中的两种弹道。
三、成品瓶子和安全的再三说明:1、首先是螺纹安全,很多超仿美的阀螺纹做的非常短,倒不是说就不安全,我个人觉得螺纹长度在20MM还是要的,最起码应该填充满国内正规厂家出品的瓶子。
2、瓶子只要是正规厂家生产的,有高压容器许可证都是值得购买,不用局限在XX瓶如何?作为一个成人要有正确的判断能力,无论铝瓶是否撕裂还是BAOZHA,在头部都是够喝一壶了,不是一次看见很多朋友鼓励购买一些没有国家高压容器许可证的产品,我觉得最起码应该保持中立,即使是网络是虚拟的,但是人的良心是踏实的。
3、有条件直接选择纤维瓶,碳纤维缠绕的瓶子肯定比铝瓶更值得选择,虽然价格高出了一些,只要是拥有高压容器许可证(相应资质匹配)正规厂家出品也是值得信赖,即使打在18-22MPA,也是可以选择的,为什么呢?因为20MPA是指20温度下的指标,实际在车厢后部温度高达50-60度,瓶在阳光下晒一会,由于铝是高导热体和黑色吸收阳光的原因,温度就超出60度。
纤维瓶的寿命是10年以上,可以说性价比还是有的。
当然缺点也是存在的抗剪切力碳纤维是较为不理想的,所以小心呵护还是要的。
四、击锤弹簧行程的思考:如果其他设计不考虑的情况下,只能是在击锤弹簧行程上考虑合理配合。
1、强弹簧+轻锤的优点是当PCP对换角度SHEJI的时候初速影响小一些,缺点在于震动和对TU子结构的过桥有一定的影响、而且cao作比较吃力。
日本TOKYO_MARUI电动气枪介绍描述:1991年1.型号:FA-MAS5.56-F1全长:757mm 重量:2.9kgBOX:Version1初速:74.4m/s弹量:原厂60发300连射另购附注:MARUI的创业代表作,搭载全新概念的电动BOX活塞推进系统,外观象真度高,并附枪脚架,撼动玩具枪业。
早期无HOPUP,到1993年夏天才追加HOPUP旋钮于枪身上方。
图片:描述:1992年2.型号:ColtM16A1全长:982mm 重量:2.5kgBOX:Version2初速:81.7m/s弹量:原厂68发190/300连射通用附注:1992年4月发表,使用2号波箱和可变HOPUP,初速,弹道等大幅度提升到实用地步,正式奠定电动枪设计的基础。
仿真的二段式枪身结构,便于拆装和维修,较令人诟病的是枪身与枪管连接部位有摇头现象,市面上有强化外管、金属枪身等可改善摇头问题。
图片:描述:3.型号:H&KMP5A5全长:490/660mm重量:1.9kgBOX:Version2初速:83.4m/s弹量:50发原厂200240连射另购附注:1002年10月与MP5A4同时发表,是MARUI的第一把冲锋枪,SWAT迷的最爱,其发展性是MARUI全系列产品当中之首。
图片:描述:4.型号:H&KMP5A4全长:680mm重量:2.1kgBOX:Version2初速:82.3m/s弹量:50发原厂200240连射另购附注:这是MARUI卖的最多,历久不衰的一把好枪,拆装容易保养简单,枪身长度适中,枪托可装9.6V大电,公认为WARGAME的入门枪。
图片:描述:1993年5.型号:ColtXM177E2全长:755/840mm重量:2.15kgBOX:Version2初速:74.5m/s弹量:原厂68发190/300连射通用附注:美国在越战后期的试验枪,有E1和E2两款,可说是M4突击步枪的前身,准星到防火帽一段为塑料,质感稍差,但仍是越战迷趋之若鹜的热门型号。
Shimanohg40、hg50、ig51、ug51,有什么区别hg40、hg50、ig51、ug51,有什么区别中文, 文章搜到的,转来大家看看~~您應該經常聽到 Shimano HG 鍊條,或 Shimano HG 飛輪 , 但是如果要問你 HG 或 IG 或 UG 到底是什麼? 我想應該就很難回答了...所以我來解釋一下...追朔歷史,順便參考了一下 Sheldon Brown 的文章 , 在加上一些我的猜測讓整個問題做一個還原, 首先我們發現, HG IG UG 都有個"G" ...呵..這不是肯德雞...這個 G 是 glide , 中文我們翻成是滑動,滑行 . 什麼是滑動? 意思是當鍊條從一個齒盤移動到另一個齒盤的行為 . 可是 , 變速系中 , 鍊條的滑動換檔不是很正常嗎? 為何要弄個專有名詞叫某某 glide ....Sheldon Brown 的文章提到了一個重要的歷史典故 , 早期變速系統在變檔時, 大概都是讓鍊條完整的脫離舊的齒盤,然後再帶到新的齒盤 , 可想而知 , 這樣花的時間就比較長 . 但是 shimano 想 , 是否有一種方法能讓換檔更快速? 是否可以讓鍊條還沒完全脫離舊齒盤時,就進入新齒盤..?? 經過了一些齒盤的改造,於是就發明了HyperGlide 的齒盤, hyper 就是有超越的意思 , shimano HyperGlide 專利,就是在齒盤上特定的地方刻上溝槽,讓鍊條在變換時能夠順著溝槽快速的進入新齒盤. 然後因為這樣的設計使得鍊條的拉扯變大,所以又設計了 HG 鍊條 , HG 鍊條最大的特色就是鍊條的軸心(卯釘)相當緊,打鍊條時很難打下,為了就是要配合強化鍊條滑入 HG 齒盤溝槽的拉扯力 . 這就是 HG 的意思. 透過齒盤的特殊凹槽讓鍊條在換檔時更快速.(我曾經看過有人說,飛輪上有齒溝就是叫定位飛輪,如果沒有就不是定位飛輪,我想這個說法是錯的,雖然也是可以拿來分辨,但是我手上就有一個沒有溝槽的定位飛輪,所以嚴格說,這個溝槽應該是 HyperGlide 專利才對)HG 是一個專利 , 這個專利所應用的產品,就是 HG 飛輪 , 或是 HG 大盤 , 或是 HG 鍊條...HG 鍊條是隨著 HG 齒盤而產生的 ...好了..那 UG 呢 ? UG 還真是一整個跟 HG 沒關的產品 , UG 叫 Uniglide .Uniglide 是一種卡式飛輪的設計 , 一般我們現在的卡式飛輪 , 都是用一個外蓋鎖入的,但是 UG 飛輪 , 是直接利用最外的一片齒盤直接鎖在棘輪上,等於是棘輪上有牙,最外面的最小的齒盤直接鎖入,而沒有再放一個外蓋, 這就是 UG , 有 UG 飛輪當然也有 UG 鍊條 , 但是 UG 的產品生命剛好卡在 HG 技術的中間 , 也就是說 , 有些 UG 鍊條支援 HyperGlide , 有些則沒有 ..還真是混亂..暫且不管 UG 了,這產品現在應該都停產了.然後什麼是 IG 呢 ? IG 全名是 Interactive Glide , Interactive 有交互的意思 , IG 是 HG 推出後 , 更晚的產品 , HG 技術一般用在小齒盤向上換到大齒盤上,利用齒盤右側溝槽幫助換檔,但是 IG 呢? IG 更猛了, IG 除了小齒盤換大齒盤有溝槽 , 大齒盤換小齒盤也有溝槽 , 等於是兩面都有溝槽 , 讓上下檔都變快了 , 為了讓齒盤的兩面都刻上凹槽當然也是要付出代價的 , 就是齒盤要變厚 , 所以 IG 的齒盤比 HG 齒盤厚 , 而齒盤中間的墊片(spacer)變薄. 可想而知 , 這麼一搞 , 又要來個 IG 專用鍊條了..呵..把我的一台车子(Trek7300旅行车)上原装的HG50换成了IG51(真正玩车时间不长````换前不了解HG50,以为不如IG51),换后发觉不太爽,主要是磴踏似乎更费力,新车原配HG50刚用的时候没这么费力````其他倒没什么````后来查询了一些资料:1.大致是为不同的飞轮设计的```2.IG的可以给HG系统用,HG的不能给IG用```又咨询了热心的淘宝掌柜,告知:HG的硬度更好,更耐久(难怪给旅行车用)````也更轻````所以更贵````也上了一课:以后买东西不可盲目```IG51暂时再用一段时间````还是不爽的话就换回HG50```没有买到合适的魔术扣````前天研究2个链条````截链```接链````整了2小时,终于研究的自认透彻了(我喜欢来回折腾和透彻研究),接的和原装的没有区别,也很顺畅,昨天新换的IG51骑行了整100公里,没有断链,应该接链接的没有问题````hg40 KMC代工HG50有两种日本原厂的好IG51也有日本原厂UG51很老了 6,7速的我老款大A陪HG链条比IG链条感觉好,HG50飞陪IG51感觉不好。
APPLICATION: Gensets: FG Wilson Misc (RJ51159); Newage 60KW, 115KW (RG51236); 80KW (RJ51156); Gensets: Noram Power Systems (NPS) P-100 (RJ51155); Olympian XQ80 (RJ51156, RJ51159); Gensets: Powko PG-60P (RG51236); PG-80P (RJ51156); PG-125P (RJ51155); Taylor DS80M2 (RJ51156); Telehandlers: Bobcat T40170 (RG37985);QTY ITEM # DESCRIPTION LETTERED ITEMSINCLUDED IN KIT1 974455 In-Frame Kit I1 975455 Out-of-Frame Kit O1 976455 Major Kit M1 977455 Premium Kit (979144 Valve Train Kit Included) P4 4 4 4 171492 171493 171494 171559 STD Piston Kit 0.50 MM Piston Kit1.00 MM Piston KitService Liner (Flanged / Semi-Finished)P M O I4 4 4 171495 171496 171497 STD Piston Ring Set (1-3.4MM Key 1-2.5MM 1-3.5MM) 0.50 MM Piston Ring Set (1-3.4MM Key 1-2.5MM 1-3.5MM)1.00 MM Piston Ring Set (1-3.4MM Key 1-2.5MM 1-3.5MM)4 4 4 4 271285 271286 271287 271288 STD Rod Bearing (No Tangs) .010 Rod Bearing (No Tangs).020 Rod Bearing (No Tangs).030 Rod Bearing (No Tangs)P M O I1 1 1 1 271291 271292 271293 271294 STD Main Set, wo/Thrust Washers .010 Main Set, wo/Thrust Washers.020 Main Set, wo/Thrust Washers.030 Main Set, wo/Thrust WashersP M O I1 1 1 271119 271125 271126 STD Thrust Washer Set (Offset Lug) .007 Thrust Washer Set (Offset Lug).010 Thrust Washer Set (Offset Lug)P M O I1 1 1 4 4 371331 371332 371335 371336 371337 Head Gasket Set Head GasketValve Cover GasketExhaust Valve Seal (Brown Top Hat Type)Intake Valve Seal (Green Top Hat Type)P M O I1 1 1 371371 371339 371348 Lower Gasket Set wo/Seals Timing Cover Gasket (Without LH Aux Drive)Pan Gasket (Ind Pan No Ears) P M OI1 1 371146 371342 Front Crank Seal (Viton Lip Type) (1) Rear Crank Seal & Housing Assembly (Teflon Type) P P M M O O4 1 271289 271259 Pin Bushing (1.563" Pin) Cam Bearing (Finished ID) P P M M8 1 1 771323 771324 771325 Connecting Rod Bolt Head Bolt KitExpansion Plug Kit (9 Plugs)P M (1)Wear Sleeve - 301115Gensets: Noram Power Systems (NPS) P-100 (RJ51155); Olympian XQ80 (RJ51156, RJ51159); Gensets: Powko PG-60P (RG51236); PG-80P (RJ51156); PG-125P (RJ51155); Taylor DS80M2 (RJ51156);QTY ITEM # DESCRIPTION LETTERED ITEMSINCLUDED IN KIT1 979144 Valve Train Kit V1 571197 Camshaft (3)8 571123 Tappet4 471235 Exhaust Valve V4 471236 Intake Valve V8 471237 Valve Guide V8 471238 Valve Spring V16 471241 Keeper (Half) V4 471242 Exhaust Seat4 471243 Intake Seat4 471244 LH Rocker Arm (Adj Screw & Lock Nut Included) (4)4 471245 RH Rocker Arm (Adj Screw & Lock Nut Included) (4)1 471246 Rocker Arm Shaft (5) "Includes 471247 Plugs"1 571196 Cam Gear1 571189 Crank Gear 1 571193 Idler Gear, Thru U480135S (Includes 571144 Bushings)1 571213 Idler Gear, After U480135S8 571117 Push Rod1 671165 Oil Pump4 671163 Piston Cooling Oil Jet1 671166 Oil Cooler1 771327 Crankshaft Kit4 771331 Conn Rod (6.5247-6.5260 / Grade F / Red Mark)4 771332 Conn Rod (6.5229-6.5242 / Grade G / Orange Mark)4 771333 Conn Rod (6.5211-6.5224 / Grade H / White Mark)4 771334 Conn Rod (6.5193-6.5206 / Grade J / Green Mark)4 771335 Conn Rod (6.5175-6.5188 / Grade K / Purple Mark)4 771336 Conn Rod (6.5157-6.5170 / Grade L / Blue Mark)1 771337 Cylinder Head Assembly (Includes Valves & Springs)4 871237 Glow Plug1 871239 Water Outlet/Thermostat Assembly (Vertical Outlet)1 871241 Water Outlet/Thermostat Assembly (Horizontal RH Outlet)1 871238 Water Outlet/Thermostat Assembly (Horizontal LH Outlet)1 871243 Water Pump (7)1 871245 Fuel Pump/Filter Assembly(5)Rocker Arm Shaft Snap Ring - 471248 (7)Repair Kit - 871244。
1/13December 2002STP4NK50Z -STP4NK50ZFP STD4NK50Z -STD4NK50Z-1N-CHANNEL 500V -2.4Ω -3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESH™Power MOSFETs TYPICAL R DS (on)=2.3Ωs EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY s 100%AVALANCHE TESTED s GATE CHARGE MINIMIZEDs VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES sVERY GOOD MANUFACTURING REPEATIBILITYDESCRIPTIONThe SuperMESH™series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™layout.In addition to pushing on-resistance significantly down,special care is tak-en to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications.Such series comple-ments ST full range of high voltage MOSFET s in-cluding revolutionary MDmesh™products.APPLICATIONSs HIGH CURRENT,HIGH SPEED SWITCHING s IDEAL FOR OFF-LINE POWER SUPPLIES,ADAPTORS AND PFC s LIGHTINGORDERING INFORMATIONTYPE V DSS R DS(on)I D Pw STP4NK50Z STP4NK50ZFP STD4NK50Z STD4NK50Z-1500V 500V 500V 500V<2.7Ω<2.7Ω<2.7Ω<2.7Ω3A 3A 3A 3A45W 20W 45W 45WSALES TYPE MARKING PACKAGE PACKAGINGSTP4NK50Z P4NK50Z TO-220TUBE STP4NK50ZFP P4NK50ZFP TO-220FP TUBE STD4NK50ZT4D4NK50Z DPAK TAPE &REELSTD4NK50Z-1D4NK50ZIPAKTUBESTP4NK50Z -STP4NK50ZFP -STD4NK50Z -STD4NK50Z-12/13ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS( )Pulse width limited by safe operating area(1)I SD ≤3A,di/dt ≤200A/µs,V DD ≤V (BR)DSS ,T j ≤T JMAX.(*)Limited only by maximum temperature allowedTHERMAL DATAAVALANCHE CHARACTERISTICSGATE-SOURCE ZENER DIODEPROTECTION FEATURES OF GATE-TO-SOURCE ZENER DIODESThe built-in back-to-back Zener diodes have specifically been designed to enhance not only the device’s ESD capability,but also to make them safely absorb possible voltage transients that may occasionally be applied from gate to source.In this respect the Zener voltage is appropriate to achieve an efficient and cost-effective intervention to protect the device’s integrity.These integrated Zener diodes thus avoid the usage of external components.SymbolParameterValueUnitSTP4NK50ZSTP4NK50ZFPSTD4NK50Z STD4NK50Z-1V DS Drain-source Voltage (V GS =0)500V V DGR Drain-gate Voltage (R GS =20k Ω)500V V GS Gate-source Voltage±30V I D Drain Current (continuous)at T C =25°C 33(*)3(*)A I D Drain Current (continuous)at T C =100°C 1.9 1.9(*) 1.9(*)A I DM ( )Drain Current (pulsed)1212(*)12(*)A P TOT Total Dissipation at T C =25°C 452045W Derating Factor0.360.160.36W/°C V ESD(G-S)Gate source ESD(HBM-C=100pF,R=1.5K Ω)2800V dv/dt (1)Peak Diode Recovery voltage slope 4.5V/ns V ISO Insulation Withstand Voltage (DC)-2500-V T j T stgOperating Junction Temperature Storage Temperature-55to 150°CTO-220TO-220FP DPAK IPAK Rthj-case Thermal Resistance Junction-case (Max) 2.786.252.78°C/W Rthj-ambThermal Resistance Junction-ambient (Max)62.5100°C/W T lMaximum Lead Temperature For Soldering Purpose300°CSymbol ParameterMax ValueUnit I AR Avalanche Current,Repetitive or Not-Repetitive (pulse width limited by T j max)3A E ASSingle Pulse Avalanche Energy(starting T j =25°C,I D =I AR ,V DD =50V)120mJSymbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit BV GSOGate-Source Breakdown VoltageIgs=±1mA (Open Drain)30V3/13STP4NK50Z -STP4NK50ZFP -STD4NK50Z -STD4NK50Z-1ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T CASE =25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)ON/OFFDYNAMICSWITCHING ONSWITCHING OFFSOURCE DRAIN DIODENote: 1.Pulsed:Pulse duration =300µs,duty cycle 1.5%.2.Pulse width limited by safe operating area.3.C oss eq.is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as C oss when V DS increases from 0to 80%V DSS .Symbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit V (BR)DSS Drain-sourceBreakdown Voltage I D =1mA,V GS =0500V I DSS Zero Gate VoltageDrain Current (V GS =0)V DS =Max RatingV DS =Max Rating,T C =125°C 150µA µA I GSS Gate-body Leakage Current (V DS =0)V GS =±20V±10µA V GS(th)Gate Threshold Voltage V DS =V GS ,I D =50µA 33.754.5V R DS(on)Static Drain-source On ResistanceV GS =10V,I D =1.5A2.32.7ΩSymbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit g fs (1)Forward Transconductance V DS =15V ,I D =1.5A1.5S C iss C oss C rss Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance V DS =25V,f =1MHz,V GS =03104910pF pF pF C oss eq.(3)Equivalent Output CapacitanceV GS =0V,V DS =0V to 400V33pFSymbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit t d(on)t r Turn-on Delay Time Rise TimeV DD =250V,I D =1.5A R G =4.7ΩV GS =10V(Resistive Load see,Figure 3)107ns ns Q g Q gs Q gdTotal Gate Charge Gate-Source Charge Gate-Drain ChargeV DD =400V,I D =3A,V GS =10V1237nC nC nCSymbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit t d(off)t f Turn-off Delay Time Fall TimeV DD =250V,I D =1.5A R G =4.7ΩV GS =10V(Resistive Load see,Figure 3)2111ns ns t r(Voff)t f t cOff-voltage Rise Time Fall TimeCross-over TimeV DD =400V,I D =3A,R G =4.7Ω,V GS =10V(Inductive Load see,Figure 5)101017ns ns nsSymbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit I SD I SDM (2)Source-drain CurrentSource-drain Current (pulsed)312A A V SD (1)Forward On Voltage I SD =3A,V GS =0 1.6V t rr Q rr I RRMReverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Reverse Recovery CurrentI SD =3A,di/dt =100A/µs V DD =40V,T j =150°C (see test circuit,Figure 5)2609357.2ns nC ASTP4NK50Z -STP4NK50ZFP -STD4NK50Z -STD4NK50Z-14/13Safe Operating Area For DPAK/IPAK5/13STP4NK50Z -STP4NK50ZFP -STD4NK50Z -STD4NK50Z-1Static Drain-source On ResistanceTransferCharacteristicsTransconductanceSTP4NK50Z -STP4NK50ZFP -STD4NK50Z -STD4NK50Z-16/13Normalized BVDSS vs TemperatureSource-drain Diode Forward Characteristics7/13STP4NK50Z -STP4NK50ZFP -STD4NK50Z -STD4NK50Z-1Fig.5:Test Circuit For Inductive Load Switching And Diode Recovery TimesFig.4:Gate Charge test CircuitFig.2:Unclamped Inductive WaveformFig.1:Unclamped Inductive Load TestCircuitFig.3:Switching Times Test Circuit For ResistiveLoadSTP4NK50Z-STP4NK50ZFP-STD4NK50Z-STD4NK50Z-18/13STP4NK50Z-STP4NK50ZFP-STD4NK50Z-STD4NK50Z-19/13STP4NK50Z-STP4NK50ZFP-STD4NK50Z-STD4NK50Z-110/13STP4NK50Z-STP4NK50ZFP-STD4NK50Z-STD4NK50Z-111/13STP4NK50Z -STP4NK50ZFP -STD4NK50Z -STD4NK50Z-112/13TAPE AND REEL SHIPMENT (suffix ”T4”)*TUBE SHIPMENT (nosuffix)*DPAK FOOTPRINT *on sales typeDIM.mm inch MIN.MAX.MIN.MAX.A 33012.992B 1.50.059C 12.813.20.5040.520D 20.20.795G 16.418.40.6450.724N 501.968T22.40.881BASE QTY BULK QTY 25002500REEL MECHANICAL DATADIM.mm inch MIN.MAX.MIN.MAX.A0 6.870.2670.275B010.410.60.4090.417B112.10.476D 1.5 1.60.0590.063D1 1.50.059E 1.65 1.850.0650.073F 7.47.60.2910.299K0 2.55 2.750.1000.108P0 3.9 4.10.1530.161P17.98.10.3110.319P2 1.9 2.10.0750.082R 40 1.574W15.716.30.6180.641TAPE MECHANICAL DATAAll dimensions are in millimetersAll dimensions are in millimetersSTP4NK50Z-STP4NK50ZFP-STD4NK50Z-STD4NK50Z-1 Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result fromits use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specifications mentioned in this publication are subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information previously supplied. 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