(第九章)工艺集成

金属化与多层互连

第九章新领域精细化学品简介(精简版)

第九章_金属化与多层互连

第九章 后端工艺

现代CMOS工艺基本流程第九章工艺集成艺基本流程

第九章金属化作业2、哪种金属已经成为传统的互连金属线？什么是它的取代物？《半导体制造技术》p278第二段3、铝互连复合金属膜的组成铝互连复合金属膜的组成：Ti/TiN；Al/AlCu；TiN。Ti/TiN：接触层金属和阻挡层金属。Al/AlCu：导电层；TiN：阻挡层金属和抗反射涂层。4、什么是欧姆接触？它的优点是什么？《半导体制造技术》p281第四段优点是

集成电路工艺第九章：化学机械抛光解析

第九章金属化与多层互连金属及金属性材料在集成电路技术中的应用被称为金属化。按其在集成电路中的功能划分，金属材料可分为三大类：¾MOSFET栅电极材料：早期nMOS集成电路工艺中使用较多的是铝栅，目前CMOS集成电路工艺技术中最常用的是多晶硅栅。¾互连材料：将芯片内的各独立元器件连接成具有一定功能的电路模块。铝是广泛使用的互连金属材料，目前在ULSI中，铜互连

第九章金属化与多层连接1

第11章-金属化工艺

PVD金属化工艺

第五讲金属化工艺

(s)第九章 金属化与多层互连

目录：Chapter PVD1. 概述1.1 金属化工艺的作用1.2 金属化材料的要求1.3 合金材料的使用1.4金属化膜与半导体的接触1.5 薄膜沉积技术2．物理气相沉积2.1 溅射沉积2.2溅射腔体结构2.3 溅射的工艺条件2.4 膜的工艺参数及性质3．AL/SI接触及其改进3.1 AL中掺入少量的SI3.2 AL-阻挡层结构4．AL膜的电迁移4.1 提

第11章金属化工艺

第九章 金属化与多层互连

三种表面金属化处理工艺简介MTH E’DEPT表面处理指改变物体的表面,从而给予表面新的性质,对象可以为金属或非金属。如：喷涂，钢铁发蓝，电镀一电镀原理：借助外界电流的作用，在溶液中进行电解反应，使导电体（如ABS 塑料）表面沉积一金属或合金。镀层特点：厚度约10um，较厚，镀层不需要额外的保护。基材要求：可导电，本行业中一般为ABS 或ABS+PC。工艺特

第九章_金属化与多层互连

金属化与多层互连(1)