《模拟电子技术》 课 程 习 题
册
R2
学 院： 学 生 姓 名： 专 业： 学 号： 选 课 班： 选 课 序 号： 任 课 教 师：
电 工 电 子 教 学 部
二○一二年制
习题一电路基础知识
本习题主要用于复习《电路》课程中的相关知识，这些内容是学习《模拟电子技术》课程的基础，必须熟练掌握。
1.1 主要目的
1、掌握列写KCL 方程和KVL 方程的方法。
2、掌握两点间电压的分析方法。
3、掌握电位的概念以及分析方法。
1.2 必备基础
1、基尔霍夫定律
定义：① 电流定律──对任意结点，电流流入之和等于流出之和；
② 电压定律──对任意回路，元件电压升之和等于电压降之和； 推广：① 电流定律──对任意假想结点，电流流入之和等于流出之和；
② 电压定律──对任意假想回路，元件电压升之和等于电压降之和。 说明：① 电流定律为KCL 约束，电压定律为KVL 约束；
② 对结点电流列写KCL 方程，对回路列写KCL 方程。
2、两点间电压关系的分析
步骤：① 确定一条连接被求两点的路径；
② 确定该路径上所有元件的电压；
③ 从第一点沿着路径作参考方向指向第二点；
④ 根据参考方向确定各元件电压的正负，并进行代数求和； 说明：① 元件电压与参考方向一致取正，相反取负；
② 求电位的问题属于两点间电压关系的分析。
1.3 分步练习
1、电路如图，已知：12121231042425V V E V E V R R R ====Ω=Ω=Ω，，，，，，试求V 34 。 （提示：本题应使用两点间电压关系的分析方法进行求解）
1
2
3
4
2、电路如图，已知：1212363412S S V V V V R R R ===Ω=Ω=Ω，，，，，试求A 点电位V A 。 （提示：本题应使用两点间电压关系的分析方法进行求解）
A
3
、电路如图，试求I B 的表达式。（提示：应用电位概念对相关回路写KVL 方程）
I B
I B
β)I B
4、电路如图，试求V CE 的表达式。（提示：应用电位概念对相关回路写KVL 方程）
1.4 参考答案
1
2
3、 ； 4
、
；
1.5 综合练习(共3道题)
1、电路如图，试求V o 的表达式。
Vo
2、电路如图，已知：12I I ≈，试求I B 的表达式。
I 1β)I B
I 2
3、电路如图，已知：1235010520CC V V R R R ==Ω=Ω=Ω，，，，试求V A 。
(1)CC BE CC BE B B b b e
V
V
V V I I R R R β--=
=++，
R1
R2
A
习题二 二极管电路分析
本习题主要用于帮助大家掌握二极管及其电路的分析方法。
1.6 主要目的
1、掌握二极管电路的分析步骤。
2、掌握常用二极管电路的作用。
3、掌握一般二极管电路的绘图（绘制输入输出波形）方法。
1.7 必备基础
1、二极管电路的一般分析方法 关键：分析二极管的通断条件。
步骤：① 假设二极管断开，求其阴阳极电位；
② 比较阴阳极电位，阳极高于阴极，二极管导通；
说明：① 如果要考虑二极管导通电压，阳极与阴极电位之差应超过死区电压；
② 如果同时多个二极管具有导通条件，应比较它们的正向电压差，值大的先导通，先导通的二极管可能使其它二极管截止。
2、二极管电路的一般作用
说明：整流、限幅、开关、低压稳压、保护等。
1.8 分步练习
1、电路如图，已知：1211263V V V V R k ===Ω，，，二极管是理想的，试求V AO 。（提示：先分析二极管的导通情况，并考虑优先导通权）
D
A O （1题图）
A
O
V AO ＝ V V AO ＝ V
D
R
（2题图） （3题图）
2、电路如图，已知：10i V Sin t V ω=，二极管是理想的，试分别绘出E = 0、＋5V 、－5V 时的输出电压V o 随输入电压V i 变化的波形。（提示：先分析二极管的导通情况）
v i v o
0-
v i v o
0-
v i v o
-
（E = 0） （E = +5V ） （E = －5V ）
3、电路如图，已知：10i V Sin t V ω=，二极管是理想的，试试分别绘出E = 0、＋5V 、－5V 时的输出电压V o 随输入电压V i 变化的波形。（提示：先分析二极管的导通情况）
v i v o
0-
v i v o
0-
v i v o
-
（E = 0） （E = +5V ） （E = －5V ）
1.9 参考答案
1、 -6V 、-6V ；
2、见下图；
3、（同2题）
v i v o
v i v o
v v o -
（E=0） 1.10 综合练习(共2道题)
1、电路如图，已知：10i V Sin t V ω=，E 1 = E 2 = 5V ，二极管是理想的，试绘出输出电压V o 随输入电压V i 变化的波形。
R
D
（1题图）
（2题图）
v i v o
-
2、电路如图，已知：R = 200Ω，E = 6V ，二极管是理想的，试绘出输出电压V o 随输入电压V i 变化的波形。
习题2 三极管及其电路分析
本习题主要用于帮助大家掌握三极管及其电路的分析方法。
1.11 主要目的
1、掌握三极管的相关特性及其分析方法。
2、掌握三极管电路的图解分析方法。
3、掌握三极管电路的静态和动态分析方法。
1.12 必备基础
1、NPN 三极管的三种工作状态及管脚电压关系
T +
++
_
++ T _
+
（1）
V BE ≤0，肯定截止，此时基极电流和集电极电流都近似为0； （2）
V BE 超过死区电压才能驱动发射结正偏，使三极管工作在放大或饱和状态； （3）
V B 越高（接近或超过V C ）三极管
越容易饱和，饱和时V CES 在0.2V 左右。 2、在放大状态三极管三个管脚的电压关系 （1）
根据电位正负分析类型：管脚电位全正为NPN 管，全负为PNP 管； （2）
根据电位大小分析管脚：NPN 管电位关系为V C >V B >V E ，PNP 管正好相反； （3）
根据发射结电压 |V BE | 分析材料：
0.6V 或0.7V 是硅管，0.2V 或0.3V 是锗管。 3、在放大状态三极管三个管脚的电流关系 （1）
根据电流流向分析类型：两入一出
为NPN 管，一入两出为PNP 管；
（1）截止： 两个结都反偏 （2）放大：
发射结正偏， 集电结反偏 （3）饱和： 两个结都正偏
（2）
根据电流大小分析管脚及β：I E >
I C > I B ，I E = I C + I B = (1+β)I B ，I C = βI B ； 4、图解分析 （1）
负载线：直流负载线确定电路静态
工作点的变化范围，交流负载线确定电路的动态变化范围；直流和交流负载线相
交于静态工作点； （2）
直流负载线：分别令V CE 和I C 为0在输出特性的横纵坐标上找到两个特殊点（0，V CC ）和（V CC /R C ，0），并用这两点确定直流负载线； （3）
定静态工作点Q ：直流负载线与一条输出特性的交点为Q 点（① 如果I B 已知，输出特性曲线由I B 决定；② 如果是甲类放大电
路，正常情况下Q 点应在输出特性曲线的中心位置，借此可以确定Q 点和I B ）； （4）
画交流负载线：以－1/R L ’为斜率，
过Q 点作直线，即交流负载线； （5）
确定动态变化范围：交流负载线与
I B 为0这条输出特性的交点是进入截止区的临界点，与最大这条输出特性的交点是进入饱和区的临界点，在横轴上以Q 为中心确定与两个临界点之间的电压差值，取小的作为电路的最大动态范围（电路不失真时输出的最大电压）； （6）
失真问题：Q 点偏低，容易造成截
止失真，应通过调节R B 增大I B 来改善，而Q 点偏高，容易造成饱和失真，应通
过调节R B 减小I B 来改善。
5、静态分析步骤 （1）
画直流通路（交流信号源短路、电容开路）； （2）
分析直流通路，求取Q 值（I BQ 、I CQ 和V CEQ ）。
6、画小信号等效电路步骤 （1）
确定电路组态；
v CE (V)
I CQ
R C
V CC
V om =3.5V
Vo
Vi
Vo
Vi
Vo
Vi
共基
①Vi输入端；②V o输出端；③接地为公共端
（2）按电路组态画出三极管的小信号等效电路；
b
c
b e e c
共射共集共基（3）从公共端出发找地点（画出地点）；
（4）延长输入端线、输出端线和地线，以确定输入端口和输出端口；
（5）在输入端和输出端连接相关元件。
7、动态分析步骤
（1）画交流通路（直流电源点接地、电容短路，这步通常可省略）；
（2）画小信息号等效电路（必须，具体步骤见上）；
（3）如果题设中没有给出三极管的输
入电阻
be
r，应先进行估算；
''
26()26()
(1)
()()
be bb bb
E B
mV mV
r r r
I mA I mA
β
=++=+
说明：
'
bb
r未给出时，则令其为200Ω；I B和I E为静态值。
提醒：如果题设中把
be
r作为已知条件给出，决不能用之倒推I B或I E 。
（4）求电压放大倍数A v、输入电阻R i、输出电阻R o和源压放大倍数A vs 。
o i o o o i i
v i o vs v
i i o s i s i s
v v v v v v R
A R R A A
v i i v v v R R
======
+
，，，
8、三极管放大电路三种组态的主要性质（具体见教材P148表4.5.1）
（1）共射：反向电压放大器，具有电压和电流放大能力；
（2）共集：同相电压放大器，具有电流放大能力，无电压放大能力；
（3）共基：同相电压放大器，具有电压放大能力，无电流放大能力；
1.13 分步练习
1、试根据图示分析三极管的相关信息（假设三极管工作在放大区）。
0.4m A
（a）（b）
2、已知测量得某硅BJT各电极对地的电压值如下，试分析三极管工作在什么区：①？、
②？、③？、④？（可选项：A 截止区；B放大区；C 饱和区）。
①V
V
C
6
=、V
V
B
2
=、V
V
E
3.1
=②V
V
C
6
=、V
V
B
4
=、V
V
E
6.3
=
③V
V
C
6.3
=、V
V
B
4
=、V
V
E
4.3
=④V
V
C
6
=、V
V
B
7.0
=、V
V
E
=
3、放大电路和三极管T的输出特性如图所示，试在输出特性中画出该电路的直流负载线，标出静态工作点Q，并读取静态值。
o
_
v
CE
4、放大电路的直流通路如图，试求Q值（写出表达式便可）。
(a) (b) (c)
5、放大电路如图所示，试画出其小信号等效电路。
c v i
v o
(a) (b)
(c) (d)
6、放大电路的小信号等效电路如图所示，试写出A v 、R i 和R o 的表达式。
(a) 1.14参考答案
1、NPN 硅管，9V →C 、4V →B 、3.4V →E ；
PNP 管，2mA →C 、2.04mA →E 、0.04mA →B 、β=50 2、① B ；② A ；③ C ；④ B ； 3、绘图部分见右图
读取的静态值：I BQ = 40μA 、I CQ = 2.2mA 、V CEQ = 5.5V 4、（a ）CC BE
BQ CQ BQ CEQ CC CQ c b
V V I I I V V I R R β-=
==-，， （b ）()(1)CC BE
BQ CQ BQ CEQ CC CQ c e b e
V V I I I V V I R R R R ββ-=
=≈-+++，，
（c ）212()CQ b B BE
CQ EQ B CC BQ CEQ CC CQ c e e b b I R V V
I I V V I V V I R R R R R β
-≈===≈-++，，， 5、
(a) (b)
3题图
βi
(c) (d)
6、（a ）'
L
v i b be o c be
R A R R r R R r β=-
=≈，//，；
（b ）'//[(1)](1)L
v i b be e o c be e
R A R R r R R R r R βββ=-=++≈++，，
1.14综合练习(共3道题)
1、放大电路如图，BE V 可以忽略。（1）试求静态工作点Q ；（2）画小信号等效电路；（3）试求A v 、R i 和R o 。
2、放大电路如图，BE V 可以忽略。（1）试求静态工作点Q ；（2）画小信号等效电路；（3）试求A v 、R i 和R o 。
3、放大电路如图，BE V 可以忽略。（1o
CC
+_
v o CC
习题2 场效应管及其电路分析
本习题主要用于帮助大家掌握场效应管及其电路的分析方法。
1.14 主要目的
1、掌握场效应管的相关特性和分析方法。
2、掌握场效应管放大电路的动态分析方法。
1.15 必备基础
1、场效应管的符号和特性曲线 具体见教材P237页表5.5.1。
2、根据转移特性分析场效应管类型的方法 （1） v GS 双向变化为耗尽型MOSFET ； （2）
v GS 单向变化可能是增强型MOSFET ，也可能是JFET ； （3）
v GS 为零，i D 为零是增强型MOSFET ，不为零是JFET ； （4）
i D 随v GS 正向增强是N 沟道，负向
增强是P 沟道。
3、场效应管的三种连接组态与低频小信号模型
g
d
Vo
Vi
Vo
Vi
Vo
Vi
T
g
s d
＋
－
s
d
共栅
v v gs
v gs g m v gs
g
提示：就小信号模型而言场效应管是压控型，而三极管是流控型。 4、场效应管放大电路的直流偏置及静态分析
场效应管放大电路的直流偏置有自给偏压式、栅极电阻分压式和正负电源偏置式等，
其中增强型场效应管电路必须外加偏压。对于JFET 和耗尽型MOSFET ，其特性方程为2(1)GS
D DSS P
v i I V =-
。分析时，根据偏压电路和与关系式即可确定Q 点。
5、通过小信号等效电路对场效应管放大电路进行动态分析 具体见教材P221页表5.2.1。
6、各种放大电路性能比较 具体见教材P240页表5.5.2。
1.16分步练习
1、写出图示场效应管的具体名称。
g
g
（a ） （b ）
（c ）
2、根据图示转移特性分析场效应管的类型。
（a ） （b ） （c ）
3、电路如图，r ds 可以忽略（r ds 无穷大），试画出其小信号等效电路。
（a ） (b)
4、放大电路的小信号等效电路如图，试写出A v 、R i 和R o 的表达式。
（a ） (b)
5、电路如图所示，已知：3315DSS P DD I mA V V V V ==-=，，，d R 分别取3.9k Ω和10k Ω。静态时，试判断场效应管是否处于饱和区，并求饱和区中的电流D I 。
1.16参考答案
1、（a ）N 沟道JFET ；（b ）P 沟道耗尽型MOSFET ；（c ）P 沟道增强型MOSFET
2、（a ）P 沟道耗尽型MOSFET ；（b ）P 沟道JFET ；（c ）P 沟道增强型MOSFET
3、（a ）共源极放大电路，其小信号等效电路如图
（b ）共源极放大电路，其小信号等效电路如图： 4、（a ）共源极放大电路
电压增益：''
'
m gs L o d L v m L i gs gs
g v R v i R A g R v v v -===-=- （'//L d L R R R =）
输入电阻：i g R R = 输出电阻：o d R R ≈ （b ）共漏极放大电路
电压增益：''
''
1m gs L o o m L v i gs o gs m gs L m L
g v R v v g R A v v v v g v R g R ====+++ （'
//L s L R R R =） 输入电阻：i g R R = 输出电阻：1
//o s m
R R g ≈
5、解：进入饱和区的条件为DS GS P V V V ≥-，且静态时0GS V =，所以3DS V V ≥则场效应管工作在饱和区，
否则工作在非饱和区。 （1）当 3.9d R k =Ω时
3.33DS DD D d DD DSS d V V I R V I R V V =-=-=>
故场效应管工作在饱和区，3D I mA = （2）当10d R k =Ω时
153DS DD D d DD DSS d V V I R V I R V V =-=-=-<
故场效应管工作在非饱和区
1.16 综合练习(共2道题)
1、电路如图，忽略r ds 。（1）画小信号等效电路；（2）写出A v 、R i 和R o 的表达式。
1.17 综合练习(共2道题)
2、电路如图，忽略r ds 。（1）画小信号等效电路；（2）写出A v 、R i 和R o 的表达式。
习题五 差分放大电路分析
本习题主要用于帮助大家掌握差分电路的相关概念和分析方法。
1.17 主要目的
1、掌握复合管的概念和特点；
2、掌握差分电路的相关概念；
3、掌握典型差分电路的分析方法。
1.18 必备基础
1、复合管的典型连接方法和特点
（1） 组成原则：① 同类型三极管，T 1管的发射极接T 2管的基极；② 不同类型三极
管，T 1管的集电极接T 2管的基极。
e
c
c e
e c
c e
（2） 电流放大系数：12βββ≈? 。
（3） 输入电阻：① 同类型三极管，12(1)be be be r r r β=++；② 不同类，1be be r r = 。 2、差分电路的作用
多级直接耦合的放大电路中存在严重的零漂现象，其产生原因主要是原件参数受温度影响。解决零漂问题的最好措施就是采用差分电路。在多级放大电路中差分电路常用作输入级。
3、差分电路的相关概念
（1） 差模和共模信号：()12121
2
id i i ic i i v v v v v v =-=
+，
（2） 差模和共模增益：od oc vd vc id ic
v v
A A v v =
=， （3） 输入输出关系：o od oc vd id vc ic v v v A v A v =+=+ （4） 差模和共模输入电阻：id R 和ic R （5） 共模抑制比：121212
vd vd vd CMR CMR CMR vc vc vc A A A
K K K A A A ===，， 4、差分电路的增益
（1） 双端输入双端输出差模增益：A vd （2） 双端输入单端输出差模增益：1211
22
vd vd vd vd A A A A ==-， （3） 双端输入双端输出共模增益：A vc （4） 双端输入单端输出共模增益：A vc1、A vc2 5、差分电路差模增益的一般分析方法 （1） 求A vd 即求单管放大电路的增益； （2） 求A vd1或A vd2应先求A vd ；
（3） 单端输入的情况即等同于双端输入的情况分析。
1.19 分步练习
1、对于差分放大电路：（1）若V v i μ15001=，V v i μ5002=，试求差模输入电压id v 和共模输入电压ic v ；（2）若100=vd A ，试求输出电压od v ；（3）若输出电压219991000i i o v v v -=时，求电路的vd A 、vc A 、CMR K 。
2、电路如图，求电压增益。
Vo
Vi
Vo
Vi
Vo
Vi
Vo Vi
（a ） （b ） （c ） （d ）
3、电路如图，已知：10125102000.7CC EE o o c BE V V V I mA r k R k V V β====Ω=Ω==，，，，，。试求：（1）当120i i v v ==时的C I 和CE V ；（2）A vd 、A vd1、A vc1和K CMR1 。
一、选择题：（共10题，每题1分。合计10分） 第一章： 1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入（ ）元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（ ）。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在（ ）区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章： 1. 对于直接耦合基本放大电路，（ ）的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路，（ ）的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中，（ ）电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的 约为（ ）。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t u u O O i o /V /V 1010 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t 第2章习题 2.1.1如右下图所示电路中，E12V =， D为硅二极管，R10K =Ω，则二极管D和和电阻R上的电压各为多少？流过二极管的电流多大？ 解：二极管正偏导通: D U0.7V ≈; R U120.711.3V =-= D R 11.3 I I 1.13mA 10 === 2.1.2 在下图中的各电路图中， i u12sin tω =V，二极管D的正向压降忽略不计。试分别画出输出电压 o u 的波形。 （a）（b）（c） 解： 2.1.3二极管电路如图所示，试分别判断图（a）和（b）中的二极管是导通还是截止，并求出AB两端电压 AB U。设二极管是理想的。 (a) (b) 解：(a) D导通， AB U6V =-； （b）D1导通，D2截止； AB U0V =； 2.2.1在下图中，所有稳压二极管均为硅管且稳压电压 Z U6V =，输入电压 i u12sin tω =V，画出输出 电压 o u波形图。 解： 2.2.2在下图所示的(a)和（b）分别为稳压管的并联和串联连接，哪种稳压管的用法不合理？试说明理由。解：（a）由于稳压管的击穿电压各不相 同，击穿电压低的管子工作，而另一个 不工作。 (b)可以串联连接，输出电压为两个稳压 管稳压电压之和。 2.2.2在如图所示的稳压管稳压电路中, I U14V =，波动范围10% ±；稳压管的稳定电压 Z U6V =，稳 定电流 Z I5mA =，最大耗散功率 ZM P180mW =；限流电阻R200Ω =；输出电流 o I20mA =。（1）求I U变化时稳压管的电流变化范围；（2）如果负载电阻开路，会发生什么现象？ 解：输入电压波动范围： Imin I U0.9U(0.914)V12.6V ==?= Imax I U 1.1U(1.114)V15.4V ==?= 一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其 多数载流子是__________，少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时，扩 散电流 漂移电流，耗尽层 。 2、三种基本组态的放大电路中，输入和输出相位相反的是____________，输入和 输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较，____________为电压控制器件，____________为电 流控制器件，____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是： 和 。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q 点设置过低，将会引起 失真，其输出电压的波形 半周被部分削平。 6、直流稳压电源由 、 、 及 组成。 7、并联稳压电路中，稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。 二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于（ ） A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 （ ） A ． A 是基极， B 是发射极， C 是集电极，是NPN 管 B．A是集电极，B是基极，C是发射极，是PNP管 C．A是集电极，B是发射极，C是基极，是PNP管 D．A是发射极，B是集电极，C是基极，是NPN管 3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（） A、UGS＞0，UDS＞0 B、UGS＜0，UDS＜0 C、UGS＞0，UDS＜0 D、UGS＜0，UDS＞0 4、某仪表的放大电路，要求Ri很大，输出电流稳定，则应采用（）形式来达到性能要求。 A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re的作用是：（） A、提高Ri B、提高Avd C、提高K CMR D、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时，其K CMR将会（）。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少？（） A、100% B、78.5% C、50% D、20% 8、某单管共射基本放大电路，因晶体管损坏，采用β值为原来2倍的晶体管替换；问该放大电路的电压增益如何变化？（） A、增大为原来的2倍 B、降低为原来的一半 第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“V”和“X”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P型半导体。() (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道MOS管的U Gs大于零，则其输入电阻会明显变小。() 解：(1) V (2) X (3) V (4) X (5) V (6) X 二、选择正确答案填入空内。 (1) ____________________________________ PN结加正向电压时， 空间电荷区将______________________________ 。 A.变窄 B.基本不变 C.变 宽 (2) _______________________________________________ 设二极管 的端电压为U,则二极管的电流方程是______________________ 。 A. I s e U B. Is^^ C. I s(e UU T-1) (3)稳压管的稳压区是其工作在________ 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)_____________________________________________________ 当晶 体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为_______________ 。 模拟电子技术基础期末考试试题（B ） 姓名 班级 学号 计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。 （5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。 （10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω 4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1． 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3． 若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b ) r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的 ＝100，' bb A 、R i和R o； （1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分） 模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小B．基本不变C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大B．基本不变C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ×) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。( ×) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( ×) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。 解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。 (b)令二极管断开，可得U P＝6 V、U N＝10 V，U PUp— 第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N 区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错） 6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对） 7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错） 8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时，该管必被击穿。（错） 9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。（错） 10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（错） 三、选择题：（每小题2分，共20分） 1、单极型半导体器件是（C）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。 模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生 ( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。 8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路 电子技术习题册答案-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII 2 第1章 逻辑代数基础 1. 用真值表证明下列等式。 (1) (A B)C=A (B C)⊕⊕⊕⊕ (2) C B A C B A A +=++ A B C B A ⊕ C B ⊕ C B A ⊕⊕)( A )(C B A ⊕⊕ 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 A B C A C B + C B C B A A ++ C B A + 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 2. 用代数法化简下列各式。 (1) A+ABC+ABC+CB+CB ( C A B B C BC BC A +=++++=) ()1( 2) ABC+AB C+ABC+ABC A AB B A C C AB C C B A =+=+++=) ()( 3．将下列各函数化为最小项之和的形式。 (1) Y=ABC+BC+AB 7 543)()(m m m m C B A C B A BC A ABC BC A C C B A A A BC BC A +++=++++=++++= (2) )( AB Y D C B C ABD +++＝ 半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。 解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波 第1章习题答案 1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。 （1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。（√） （2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。（×） （3）线性电路一定是模拟电路。（√） （4）模拟电路一定是线性电路。（×） （5）放大器一定是线性电路。（√） （6）线性电路一定是放大器。（×） （7）放大器是有源的线性网络。（√） （8）放大器的增益有可能有不同的量纲。（√） （9）放大器的零点是指放大器输出为0。（×） （10）放大器的增益一定是大于1的。（×） 2 填空题： （1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。 （2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。 （3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。 （4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。 （5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。 （6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。 （7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。 （8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。 （10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带 f BW是250KHZ。 3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。如通过实验法求信号源的 内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。 解:提示：按照输入阻抗、输出阻抗定义完成，电流通过测电阻压降得到。 4. 现有：宽频信号发生器1个，示波器1个，互导型放大器1个，1K电阻1个。如通过实验法求放大 器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率，请写出实验步骤。 解: 提示：放大器输入接信号源，输出接电阻，从0HZ开始不断加大频率，由示波器观测输入信号和输出信号的幅值并做纪录，绘出通频带各点图形。 第2章习题答案 一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题： 1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。 第1章 逻辑代数基础 1. 用真值表证明下列等式。 (1) (A B )C =A (B C )⊕⊕⊕⊕ (2) C B A C B A A +=++ (1) A +A B C +A B C +C B +C B ( C A B B C BC BC A +=++++=)()1( 2) A B C +A BC +A B C +A B C A AB B A C C AB C C B A =+=+++=) ()( 3．将下列各函数化为最小项之和的形式。 (1) Y =A B C +B C +A B 7 543)()(m m m m C B A C B A BC A ABC BC A C C B A A A BC BC A +++=++++=++++= (2) )( AB Y D C B C ABD +++＝ D C AB D C B D C AB D C B C D B D A D C B C AD B BD A D C B C ABD B A =+=+++++=+++++=++++=)() () ()( 4．根据下列各逻辑式， 画出逻辑图。 ①Y=（A+B ）C ； ②Y=AB+BC ； ③Y=（A+B ）（A+C ）； 5．试对应输入波形画出下图中 Y 1 ~ Y 4 的波形。 6.如果“与”门的两个输入端中， A为信号输入端， B为控制端。设当控制端B=1和B=0两种状态时，输入信号端A的波形如图所示，试画出输出端Y的波形。如果A和B分别是“与非”门、“或”门、“或非”门的两个输入端，则输出端Y的波形又如何？总结上述四种门电路的控制作用。 第2章 组合逻辑电路 1.分析图示电路的逻辑功能。要求写出逻辑式，列出真值表，然后说明逻辑功能。 AB Y B A B A Y =+=21 半加器 真值表略 2.已知逻辑式B A AB Y +=： ①列出逻辑真值表，说明其逻辑功能； ②画出用“与非”门实现其逻辑功能的逻辑图； ③画出用双2/4线译码器74LS139实现其逻辑功能的逻辑图； ④画出用4选1数据选择器74LS153实现其逻辑功能的逻辑图； ③双2/4线译码器74LS139 有两个2-4线译码器 《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。 模拟电子技术 习题答案 电工电子教学部 2012.2 第一章 绪论 一、填空题： 1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。 2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。 3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。 4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。 5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。 6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。 7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。 8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。 9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。 10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。 11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。 12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。 13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。 14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。 15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。 二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A 10V 50pA 10mV 5001011i o r ?==== -.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上 的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。该放大电路使用哪一类电路模型最方便？ 解：直接将它与10Ω扬声器连接， 扬声器上的电压V 10V 1Ω 10Ω 10V 1Ω10M Ω1Ω1056o -=?≈?+= V 在拾音头与扬声器之间接入放大电路后，使用电压放大电路模型，则等效电路如下图所示 习题答案 第一章数制和码制 1. 数字信号和模拟信号各有什么特点？ 答：模拟信号一一量值的大小随时间变化是连续的。 数字信号一一量值的大小随时间变化是离散的、突变的(存在一个最小数量单位△)。 2. 在数字系统中为什么要采用二进制？它有何优点？ 答：简单、状态数少，可以用二极管、三极管的开关状态来对应二进制的两个数。 3. 二进制：0、1;四进制：0、1、2、3;八进制：0、1、2、3、4、5、6、7;十六进制：0、1、2、 3、4、5、6、7、8、9、A、B、C、D、E、F。 4. (30.25)10=( 11110.01)2=( 1E.4)16。(3AB6) 16=( 0011101010110110)2=(35266)8。 (136.27)10=( 10001000.0100) 2=( 88.4) 16。 5. B E 6. ABCD 7. (432.B7) 16=( 010*********. 10110111) 2=(2062. 556) 8。 8. 二进制数的1和0代表一个事物的两种不同逻辑状态。 9. 在二进制数的前面增加一位符号位。符号位为0表示正数；符号位为1表示负数。这种 表示法称为原码。 10. 正数的反码与原码相同，负数的反码即为它的正数原码连同符号位按位取反。 11. 正数的补码与原码相同，负数的补码即为它的反码在最低位加1形成。 12. 在二进制数的前面增加一位符号位。符号位为0表示正数；符号位为1表示负数。正数的反码、 补码与原码相同，负数的反码即为它的正数原码连同符号位按位取反。负数的 补码即为它的反码在最低位加1形成。补码再补是原码。 13. A:(+1011)2的反码、补码与原码均相同：01011; B: (-1101)2的原码为11101,反码为10010, 补码 为10011. 14. A: (111011)2的符号位为1,该数为负数，反码为100100,补码为100101. B: (001010)2 的符号位为0,该数为正，故反码、补码与原码均相同：001010. 15. 两个用补码表示的二进制数相加时，和的符号位是将两个加数的符号位和来自最高有效 数字位的进位相加，舍弃产生的进位得到的结果就是和的符号。+3的补码000011, +15的补码001111,和为010010; +9 的补码01001, -12 的补码10100,和11101. 16. (100001000) BCD= (108) D= (6C) H= (01101100) Bo 17. A 18. A 19. 常见的十进制代码有8421码，2421码，5211码，余3码，余3循环码；前3种码从左到右每 一位的1分别用码的权值表示；余3码的权值为8、4、2、1;余3循环码相邻的两个代码之间仅有一位的状态不同。 20. 计算机键盘上的按键是ASCII 码。1000100 1011000 1011000 1011001. (参见教材P15表 1.5.3) 习题答案 第二章逻辑代数基础 1. 二值逻辑是指只有两种对立逻辑状态的逻辑关系。如门的开、关等。二值逻辑中的正逻 辑指有1表示高电平，开关闭合等有信号的状态，0表示低电平，开关断开等无信号状态；负逻辑则正好与正逻辑相反。 2. 见教材P22-23。 3. 正逻辑与、或、非运算的真值表： 《模拟电子技术基础》题库 一、填空题 1-12（第一章） 1、杂质半导体有型和型之分。 2、PN结最重要的特性是__________，它是一切半导体器件的基础。 3、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了__________电压，PN结的空间电荷区变窄，是由于PN 结加的是__________电压。 4、N型半导体中多数载流子是，P型半导体中多数载流子是，PN结具 有特性。 5、发射结偏置，集电结偏置，则三极管处于饱和状态。 6、P型半导体中空穴为载流子，自由电子为载流子。 7、PN结正偏时，反偏时，所以PN结具有导电性。 8、反向电流是由载流子形成，其大小和有关，而和外加电压。 9、三极管是控制元件，场效应管是控制元件。 10当温度升高时，三极管的等电极电流I ，发射结压降UBE 。 11、晶体三极管具有放大作用时，发射结，集电结。 12、漂移电流是电流，它由载流子形成，其大小和有关，而和 外加电压。 13-19（第二章） 13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。 14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB，第二 级电压增益为26dB，则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。 15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位_________，有奇数级组成的多 级放大电路中，输入和输出电压的相位__________。 16、电压负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________，电流负反馈稳定的输出量_______， 使输出电阻__________。 17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。 18、晶闸管阳极和阴极间加__________，控制极加适当的__________，晶闸管才能导通。 19、在输入V2单相半波整流电路中，二极管承受的最大反向电压为V RM，负载电压为V O。20-26（第三章） 20、甲类功放的最大缺点是_______； 21、双极型三极管是控制器件，场效应管是控制器件；结型场效应管的栅源极之间 必须加偏置电压，才能正常放大工作。 22、差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V，Ui2=1.98V，则该电路的差模输入电压Uid为 V， 一、选择题： 第一章： 1.PN 结加正向电压时，空间电荷将（ ）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时，空间变电荷区将（ ）。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入（ ）元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（ ）。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在（ ）区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章： 1. 对于直接耦合基本放大电路，（ ）的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路，（ ）的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中，（ ）电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的 约为（ ） 。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u 清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
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