无人能阻挡的DDR2狂澜
随着intel的强力推行，和AMD推出AM2的妥协，DDR2不论在技术上还是市场上都已经逼老大哥DDR走下历史的舞台。虽然DDR2出现时，带着无敌高的延迟出现在我们眼前，而且配合无敌高的报价，一时间令我们难以接受。可是现在DDR2凭着最高的性价比，以及垫不可档的平台换代大潮来到我们面前的时候，一时间我们都无法接受：DDR2普及时代已经来了。
虽然这次换代大潮中，有无数人的心酸血泪(比如说笔者的ddr的TCCD，现在巨不值钱啊)，可也伴随着更多的欢喜，毕竟，更高的时钟频率，更小的功耗，更便宜的价格才是适合我们的....
不过一个问题来了，DDR2并不是DDR1简单的升级，如何更好调试内存，使之达到一个更高的境界是我们目前所需要做的。DDR2与DDR1的主要优势在于：
1.制作工艺先进
新一代的DDR 2颗粒均是采用130nm以及更为先进的技术生产FBGA封装的，相比采用130-180NM生产TSOPII封装的DDR内存来说成本以及功耗上会大幅减低，虽然DDR内存也出现过FBGA封闭，但相对较少。而且由于BGA封装芯片面积/封装比例更接近1：1，可以以更小的体积来实现，所以在单位面积的PCB小可以容纳更多的DDR2颗粒。
2.功耗发热更低
此外，DDR 2的耗电低亦同样较低，DDR2采用全新的240pin接口标准工作电压为1.8V，而DDR其采用184pin接口的标准工作电压是2.5V，这就意味着DDR2要比DDR的功耗低很多。以DDR 400及DDR 2 400为例，DDR需要527mW(Max)，但DDR 2却只需247mW(Max)。长时间使用下去是一笔不小的节约。对整体散热而言，尤其是在移动便携式设备来说更具有长续航时间的保证。
3.频率更高
尽管DDR内存市场也也推出过DDR600等非规范型号，但是DDR2的频率现在已经上升到1G，这对总体带宽而言提升幅度是十分大的。而且在市场上我们可以清楚的看到，能达到DDR600频率的内存多为TCCD，价格不菲；而DDR2能达到此频率的内存数不胜数，并且有竞争之后价格也相对平易近人。
4.容量更大
相对于起始容量仅为128MB的DDR来说DDR2内存起始容量就为256MB，往上可支持到512MB,1G。在桌面系统上提供了充足的容量保障。理论上DDR2内存颗粒所拥有的高
密度特色，可以支持最高4G以上的容量，从而广泛应用于专业领域。随着电脑操作系统越来越庞大，对内存容量的需求更高，DDR2很快就有显身手的一天
本文的目的，就是让各位读者，从新买一对内存，完全不知道体质，以及所需要的电压等等开始，让各位更好发挥出内存的整体性能。
我们的测试主角-威刚Adata Vitesta DDR2 667
相信威刚内存的大名大家已经听过了，威刚科技设立于2001年5月，办人为担任董事长兼执行长职务之陈立白先生。陈董事长创立威刚之初，即怀抱成为「全球内存应用产品之领导品牌厂商」的理想，营业初期系以内存为主要产品线，嗣后着眼于闪存之应用日广，遂投入闪存应用产品之开发。目前威刚主要产品线，业已涵盖DRAM及Flash 内存应用领域，且分别在应用产品上取得全球领先地位，根据国际研调机构iSuppli（04/2005）的统计分析，威刚在内存方面业已位居全球第三大市场占有率；快闪方面，业已成为全球第五大市场占有率。威刚深知专业与创新，才能创造产品竞争优势，因此，威刚的产品从工业设计、原料采购、生产制程与质量检验，皆通过威刚专业人员最严密的执行与检验；且威刚以不断创新精神，努力开发差异化之优质产品，并荣获「精品奖国家产品形象奖」、「日本G-MARK产品设计大奖」、「CES产品创新奖」及「德国iF产品设计大奖」等诸多国际产品奖项之荣耀。
这里需要说明一下的是，笔者这对威刚Adata Vitesta DDR2 667是市售版，是技嘉科技举办的超频大赛的套装里自带的，笔者为了参加此比赛而买下，并非任何厂家/商家送测，这样更大意义上可以贴近消费者。
240-pin (针) 无缓冲之双重内嵌式内存
容量规格：256MB / 512MB / 1G
最大 5.3Gb/s 数据传输频宽
适用于JEDEC (美国电子工程设计发展联合协会)之标准 1.8 +/- 0.1V 供应电源
64M x 8 颗粒规格
CAS Latency：5
4 Bank
外部讯号较正技术(OCD) 与内建中断电阻设计(ODT)
所有产品图片均可点击放大
威刚DDRII667，保持了红色威龙系列红通通的“马甲”，更好的散热以及屏蔽外来的干扰信
号。
关于这对内存的信息，注意DDR2 667(5)，应该是属于威刚Adata
Vitesta DDR2
667的第5代产品了，本次的测试也是源于此展开，而现在零售市场上都是此产品。
威刚Adata Vitesta DDR2 667内存的SPD信息，可以工作于400/533/667等频率。
至少实际我们能跑出什么样的时序和频率，就要看我们下面的调试过程了。
完全不了解的新内存，我们怎么来开始？
如果我们仅仅是把内存插上去，让主板凭借SPD里的信息来自定义时序，频率的话，那我们这篇文章也没必要写下去了；我们的目的就是如果通过调整电压，时序，频率来达到一个平衡点，让我们内存子系统能更提升性能，发挥出威刚Adata Vitesta DDR2 667内存的潜力。
相信不少读者都是从DDR时代开始玩的，对DDR2许多人并不了解，在此笔者像大家说明一下2种内存的超频调试上的区别。
首先，在前面我们说过，DDR的电压比较高，默认为2.5，而DDR2只有1.8V的电压，这意味着DDR2的发热会小，如果超频加合适的电压，甚至还不如DDR的发热严重。但同时也注意的是我们不能用DDR的电压来衡量DDR2电压的高低，例如在DDR里不算高压的2.8v，在DDR2里可以算是十分高的电压了，对整个内存的PCB，颗粒都有很大的危险性。
第二，DDR中，有少量内存是吃高电压的，比如说WINBOAD的BH5/UTT,而剩下大部分的内存，都是对电压不敏感，以及只对加少量电压敏感的，比如TCCD的电压极限一般在3.0V以下，加再高没有太多用处，反而会有反作用。而纵观DDR2，不少内存对电压比较敏感，而且幅度普遍要比较高，或许是DDR2是为了未来设计，在未来的工艺以及制程达到一定条件后1.8V才是合适的工作电压，而在现有的工艺和制程下，1.8V可能要相对少了一些，适当的加些电压可以“还原”内存颗粒的高频率。
第三，DDR2与DDR的内存时序有着很大的区别，一般来说都是时序偏高，而一些频率相对高的DDR2 1000，时序简直让玩DDR的玩家觉得不可理喻---5,5，5,15....然后DDR2的频率可以弥补一些时序，延迟上的缺陷，这也是DDR2优于DDR的最大特征。而DDR2的时序，最大的区别是CAS LA TENCY，在DDR里面我们比较常见的有2/2.5/3,而在DDR2里面常见的却是3/4/5/6,不少内存在CAS LA TENCY都是4个周期以上。
第四，DDR2上的不少内存颗粒都可以高频低参数，下可以低频高差参数，中间一样可以取个折中点，这种情况和DDR里的TCCD类似，但往往组合得要比DDR1来得更多，而且DDR其它颗粒的选择往往很少，只有一种频率/时序的组合才是最佳选择，这俨然和DDR2的多选择性有很大区别，所以在DDR2里合理的搭配，对内存的性能，以及内存的发热，寿命有着更佳的效果。
这么多的时序，在设定上和DDR有很大的区别，期待可以开放更多的时序软件出现，让我
们对内存进行最优化的调试。
我们要继续要对这对新内存研究的话，我们就必须了解我们所用主板所提供的电压，分频选项，时序设置等内存，这才以便我们开始以后的超频调试工作，ok,让我们接着来看看主板
能提供的调试究竟有多大空间。
技嘉G1-I975X助威超频测试
测试平台说明
CPU INTEL
Presler 955XE工程样板@4.2G
主板技嘉G1-I975X
内存威刚Adata Vitesta DDR2 667
硬盘HITACHI 7K250
电源ACBEL 550W GOLD
风扇TOWER 120
系统WINDOWS XP PROFESSIONAL SP2中文版
技嘉G1-I975X丰富的超频选项用来测试和超频调试是最好不过了，正好笔者买了这么一个套装，所以直接用它来测试。而选用INTEL
Presler 955XE工程样板是第一它可以不加电压稳定运行在4.2G,这样子可以充分发挥威刚Adata
Vitesta DDR2
667的性能，第二是它可以给我们提供更多的倍频选择，使我们在CPU保持同频下可以不断的变化外频，以适应内存频率的需要。
整个关于调试内存的的电压，分频选项，时序设置一目了然。
这是关于内存分频方式的调节，这与复杂的A THLON 64的复杂分频方式不同，INTEL的分
频方式向来简明，我们只要把当前的外频乘以分频选项的数字，就会得出我们内存当前运行
的频率。
内存电压，多达7个选项，提供足够的内存电压是一块超频主板的必须条件之一。
CAS(Column Address Strobe) Latency：列地址选通脉冲延迟时间，即DDR－RAM内存接收到一条数据读取指令后要延迟多少个时钟周期才执行该指令。这个参数越小，内存的反应速度越快，可以设置为6/5/4/3,比较多的选项可以给予我们更大的调试空间。
RAS－to－CAS delay（tRCD）：从内存行地址转到列地址的延迟时间。即从DDR－RAM行地址选通脉冲(RAS，Row Address Strobe)信号转到列地址选通脉冲信号之间的延迟周期，这里提供了2/3/4/5/6，数值越大则速度越慢。这里和DDR的情况一样，TRCD的参数总是比TRP更难调节紧凑。
Row－precharge delay（tRP）：内存行地址选通脉冲信号预充电时间。调节在刷新DDR－RAM 之前，行地址选通脉冲信号预充电所需要的时钟周期，这里提供了2/3/4/5/6，数值越大则速度越慢。这里和DDR的情况一样，TRP的参数总是比TRCD更难容易优化，不过2者经常在同一个数值上。
Row－active delay（tRAS）：内存行地址选通延迟时间，这里提供了4到15，按常规来说数值越大则速度越慢，可笔者作过试验从5降到0(用软件调试)性能都没有获得提高，这和DDR 里的情况一模一样。
技嘉G1-I975X提供了技嘉独有的M.I.B.2的技术，用户可以根据自己手中的内存条的牌子/颗粒来自行选定，技嘉会依内存牌子/颗粒的不同自行提供相应优化的内存其它时序，在稳定性和性能上都会有特殊的针对性。这对于初级爱好者而言是一个简单实用的技术，不过希望技嘉在下一版BIOS中能提供更多的内存时序调整可供高级玩家慢慢细调。
在看完BIOS的设置之后，还有一个问题是留给大家的，很多主板上不同的内存插槽有着不同的超频性，那么到底哪颗才是最好的呢，这就有待大家是自己试验，试验的过程并不需要太多的时间，而技嘉G1-I975X主板经过笔者试验，上面的2根红色插槽的内存超频性是最好，所以我们也直接插在上面来进行测试。
多种频率/时序的组合，哪个才是性能/稳定性的折中点？
在了解了主板可以给我们提供的内存超频/调试选项之后，我们现在可能更迷茫了，正如我们如上所说，DR2上的不少内存颗粒都可以高频低参数，下可以低频高差参数，中间一样可以取个折中点，那我们应该怎么样组合呢？那他们的频率/时序又分别是多少才能稳定呢？
面对一对新的内存--威刚Adata
Vitesta DDR2
667，我们在上面已经帖过了关于他的一些SPD信息，如果仅仅按照SPD的内存上来调试
那恐怕太过于保守。
我们现在第一个目的，先了解哪个频率/时序的组合，才是最佳性能。
我们知道一般来说，频率与参数是无法兼得，只能取一，一个必须牺牲来获取另一个的提升。
但我们又不了解他运行这些频率/时序的组合各自需要多少电压，所以我们一律用+0.7v即满电压来应付，以免在测试性能中间出现电压不足的情况。而对于电压的测试，我们在后面来做，这个顺序我们不能倒过来。
技嘉G1-I975X主板加了0.7V内存电压完只有2.3V电压，属于偏低型，所以这个电压完全
在安全范围，不用担心内存烧毁。
在调高了电压之后，我们没有后顾之忧，担心内存电压不足的现象导致超频不成功了。
接着来，是制定相关的频率/时序的组合，至少要有3种以上(DDR2的特性)，我们在这里需要4个搭配，第一种就是绝对的低频高参，参数要把它缩到最漂亮，在技嘉G1-I975X主板上就是3/2/2/4，然后再以一个比较低，又比较合适的频率来搭配(注意，不一定要3/2/2/4,因为有可能一些内存无法在这个参数下启动，哪怕频率压得再低，实在不能启动可以稍微放宽一些参数)第二种次高参次低频应该选择一个相对比较紧的参数，用次低频来搭配。第三种就再放宽参数，搭配更高的频率。第4种就以更高的频率，牺牲一切参数来达到。ok,4个目标明确了，我们来慢慢调。
在整个过程中，需要注意的是合理的搭配，不同的内存有不同的搭配方法，只要你有耐心，总会有多种完全不同的组合能被你研究出来，在这个过程中可以参考一些SPD的频率/参数组合来调试。如果调出来的参数可以过自检，那么和成功距离就不远了，如果能进系统就代表着有一定的稳定性了，而可以跑过SUPER PI 8M就可以说明比较稳定了。
第一种低频高参以及第二种次低频次高参的研究
在经过笔者长达3个多小时的反复死机重启蓝屏的测试之后，终于有了明确的答案，让我们来看一下，第一个低频高参的组合：
笔者试了好久，实在无法把威刚Adata
Vitesta DDR2
667调试成600 3/2/2/4，后来为了保持CPU主频一致，直接调节CPU倍频为13，选择分频方式为1.5,然后得到这个522的频率，在笔者看来应该还有一些空间，但保持CPU主频一致就不能够再往上调节了。尽管如此，这个频率以及时序不用说在高延迟的DDR2里是非常优秀的，哪怕是在以低延迟著称的DDR里都是属于十分优秀的参数。这可比SPD里的400 3/3/3/9不仅频率有所胜出，时序也好了不少。
这个高参低频的组合结果令笔者十分满意，ok,接下来第二个次高参次低频组合的调节继续
开始研究。
笔者刚才在第一种高参低频的组合里无法达成的600MHZ在这个组合里顺利的达成了，并且通过修改倍频后此频率正好是内存步同，就是稍微的改动了TRCD和TRP，使之上升为3之后，威刚Adata
Vitesta DDR2
667的威力再次暴发，不少DDR里的杰出代表TCCD都不能稳定运行的参数在威刚Adata
Vitesta DDR2
667上轻松实现，很可惜笔者试验过往上跑2.5分频时已经不能进入系统。这是和SPD里的400 3/3/3/9参数比较相似，但频率足足上涨了50%之多。对此笔者也感觉十分满意。
第三种次高频次低参以及第四种高频低参的研究
经过笔者不断的调试，终于在第三种次高频次低参的组合里完全的作到了内存超频，内存频率已经彻底突破了默认的频率，并且在时序也十分优秀，达到800 4/3/3/4，对比起SPD里的533 4/4/4/12而言进步非常大。而这个参数在笔者无数次的调试下仍然不能以3.0的分频方式达成900，始终卡在了内存自检那里。不过威刚Adata
Vitesta DDR2
667大概已经可以称得上是参数比较优秀的“DDR2 800”了吧。
上面没达成的900MHZ，让我们继续放宽参数来，于是第四种高频低参出来了。
全面教你认识内存参数 内存热点 Jany 2010-4-28
内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。 内存种类 目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存 第一代DDR内存 DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 DDR2内存 第二代DDR内存
DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 DDR3内存 第三代DDR内存 DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。 三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。 内存SPD芯片 内存SPD芯片
华硕主板bios设置超频方法 华硕主板bios设置超频方法： 目前而言，几乎所有的主板都可以在主板bios中进行超频，而且这是比较理想的超频方案，以p4 2.0ga为例，开机会按下del 键进入bios主菜单，然后进入“frequency/voltage control”选项，在这里我们可以设置cpu的外频、倍频以及cpu电压等参数。 节电管理，本本用户的福音 intelwinodws下的超频软件inteldesktopcontrolcenter inteldesktopcontrolcenter(简称idcc)软件是一款集主板状况监控和主板超频功能与一体的实用工具软件， 包括3大功能： 1。支持在windows环境下超频cpu、内存、系统总线频率，优化系统性能(请注意这可是intel官 方发布的工具软件，在这之前intel一直是反对超频的)。 2。动态监视cpu温度、cpu电压情况、风扇转速等等，并且能够对它们进行调节。 3。整合系统稳定性和性能测试功能。目前此版idcc支持最新型号intel主板。注意在安装此软件之前，请将主板bios升级到最新版 amdwiondws下的超频软件amdoverdrive
overdrive是amd官方推出的一款系统检测、超频工具，专为spider平台打造，即支持phenom处理器、7系列芯片组和radeonhd3000系列显卡。它可以帮你手动或自动控制处理器、芯片组、内存、显卡等部件，并按照自己的需要进行细致入微地调节。当然，要想使用overdrive，一个最基本的前提就是你必须拥有一块7系列芯片组主板，在其他系统上强行安装也无法启动。
内存超频特简单/SPDTool内存超频教程（转载合并） “超频”就是通过软件或硬件设置，强制硬件在高于标称频率的频率下工作，以提高计算机的性能。CPU、内存、显卡、硬盘、鼠标等都可以超频，今天主要给大家说一下内存超频。这次不用在主板的BIOS里设置，而是直接修改和刷写内存的SPD信息，其实刷写内存SPD跟刷写主板BIOS是同样道理的。 SPD：为Serial Presence Detect 的缩写，中文译名为串行寄存检测，是JE DEC组织针对新一代内存制订的统一技术规范。通常，在每一根内存条上都有这么一块毫不起眼的EEPROM芯片(电可擦除只读存储器，如图1)，里面记录了最少一组SPD信息，包括内存颗粒的类型及模组厂商、工作频率、工作电压、速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数，以便于电脑启动时内存有一个最基本的参考工作标准。以往开机时BIOS必须侦测memory，但有了SPD就不必再去作侦测的动作，而由BIOS直接读取SPD取得内存的相关资料。 由于该参考值是在不同用户的电脑中使用，为避免有些性能不佳的旧电脑无法使用这根内存，因此每根内存条的SPD值一般来说都设得比较保守，通常都不是内存的最快运行速度。如果用
户没有在主板BIOS中自己对内存的工作参数进行优化设置，大部分情况下是不能发挥出内存的最优性能的。这无疑是对内存性能和金钱的极大浪费！ 下面进入正题，请看图2和图3（用CPU-Z查看的），同一条内存刷写前后的对比，刷写前工作频率是333MHz，刷写后是400MHz，即内存刷写前后真实运行频率是667MHz和800MHz （这里的真实频率为工作频率的2倍，平时里所说的内存频率400、533、667、800也是如此算），细心的朋友也应该看出了颗粒编号和序列号完全变了，刷写后的颗粒编号变成了“My QQ is 8679645 .”，序列号变成了19870907，其实19870907是我的生日来的哦，内存的颗粒编号和序列号显示的是你的加进去的信息，是不是很有个性！ 别着急，下面介绍如何超频和修改。这次上阵的主角是SPDTool，一个专门修改和刷写内存SPD 信息的国外小软件，CPU-Z，一款检测CPU、主板、内存信息的国外小软件，网上自己下载。打开SPDTool，选择File→Read→Module 0：Installed（注意：有多条内存时，有多个给你选，应注意选对你要刷写的内存），读取内存SPD信息，如图
举例9-9-9-27，一般1600的条子spd出厂就这么设置的 前面2个9对性能很重要，第2个9又比第1个9重要，比如说 我要超1866或者2133，设置成9-10-X-X基本没有问题，但是 设置成10-9-X-X就开不了机了，很多条子都这样子的，比如说 现在很火的3星金条。 第3位9基本上是打酱油的了，设置成9,10,11都对性能木有太大影响。 第4位数字基本就无视好了，设置21-36对测试都没变化，原来稳定的 还是稳定，原来开不了机的还是开不了。 以前的ddr2时代对内存的小参数很有影响，现在ddr3了，频率才是王道哦。 2133的-11-11-11-30都要比1866的-9-9-9-27测试跑分的多。当然平时用是感觉不出来的。 最后我再鄙视下金士顿的XX神条马甲套装，当年不懂事大价钱买的，就是YY用的， 1.65v上个1866都吃力，还要参数放的烂。 对性能影响最大的是CL 第一个9对性能影响最大。l第二个9对超频稳定性影响最大 最普通的ddr3 1333内存都可以1.5V运行在7-8-6-1666 CR1，77 Z博士： 一般来说，体现内存延迟的就是我们通常说的时序，如DDR2-800内存的标准时序：5-5-5-18，但DDR3-800内存的标准时序则达到了6-6-6-
15、DDR3-1066为7-7-7- 20、而DDR3-1333更是达到了9-9-9-25！ 土老冒： 俺想知道博士所说的5-5-5- 18、6-6-6-15等数字每一个都代表什么。 Z博士： 这4个数字的含义依次为： CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，这也是内存最重要的参数之一，一般来说内存厂商都会将CL值印在产品标签上。 第二个数字是RAS－to－CAS Delay（tRCD），代表内存行地址传输到列地址的延迟时间。 第三个则是Row－precharge Delay（tRP），代表内存行地址选通脉冲预充电时间。 第四个数字则是Row－active Delay（tRAS），代表内存行地址选通延迟。 除了这四个以外，在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel芯片组上，如NVIDIA nForce 680i SLI芯片组上，还支持内存的CMD 1T/2T Timing 调节，CMD调节对内存的性能影响也很大，其重要性可以和CL相比。 其实这些参数，你记得太清楚也没有太大用处，你就只需要了解，这几个参数越低，从你点菜到上菜的时间就越快。 土老冒： 好吧，俺自己也听得一头雾水，只需要记得它越低越好就行了。那么俺想问，为什么DDR3内存延迟提高了那么多，Intel和众多的内存模组厂商还要大力推广呢？
SDRAM内存详解（经典） 我们从内存颗粒、内存槽位接口、主板和内存之间的信号、接口几个方面来详细阐述SDRAM内存条和主板内存系统的设计思路... 虽然目前SDRAM内存条价格已经接底线，内存开始向DDR和Rambus内存过渡。但是由于DDR内存是在SDRAM基础上发展起来的，所以详细了解SDRAM内存的接口和主板设计方法对于设计基于DDR内存的主板不无裨益。下面我们就从内存颗粒、内存槽位接口、主板和内存之间的信号接口几个方面来详细阐述SDRAM内存条和主板内存系统的设计思路。 内存颗粒介绍 对于DRAM（Dynamic Random Access Memory）内存我想凡是对于计算机有所了解的读者都不会陌生。这种类型的内存都是以一个电容是否充有电荷来作为存储状态的标志，电容冲有电荷为状态1，电容没有电荷为状态0。其最大优点是集成度高，容量大，但是其速度相对于SRAM (Static Random Access Memory) 内存来说慢了许多。目前的内存颗粒封装方式有许多种，本文仅仅以大家常见的TSSOP封装的内存颗粒为例子。 其各个管脚的信号定义和我们所使用的DIMM插槽的定义是相同的，对于不同容量的内存，地址信号的位数有所不同。另外一个需要注意的地方就是其供电电路。Vcc和Vss是为内存颗粒中的存储队列供电，而VccQ和VssQ是为内存颗粒中的地址和数据缓冲区供电。两者的作用不同。 我们对内存颗粒关心的问题主要是其颗粒的数据宽度（数据位数）和容量（寻址空间大小）。而对于颗粒自检、颗粒自刷新等等逻辑并不需要特别深入的研究，所以对此我仅仅是一笔带过，如果读者有兴趣的读者可以详细研究内存颗粒的数据手册。虽然内存颗粒有这么多的逻辑命令方式，但是由于目前北桥芯片和内存颗粒的集成度非常高，只要在布线和元器件的选择上严格按照内存规范来设计和制造，需要使用逻辑分析仪来调试电路上的差错的情况比较少，并且在设计过程中尽量避免出现这种情况。 168线DIMM内存插槽的信号定义 我们目前PC和Server使用的内存大都是168 Pins的SDRAM，区别只是其工作频率有的可能是100MHz频率，有的可能是133MHz频率的。但是只要是SDRAM，其DIMM插槽的信号定义是一样的。而这些引脚得定义就是设计内存条和主板所必须遵从的规范。 内存引脚主要分为如下几类：地址引脚、数据引脚（包含校验位引脚）、片选等控制信号、时钟信号。整个内存时序系统就是这些引脚上的信号配合产生。下面的表中就是内存插槽的引脚数量和引脚定义，对于一些没有定义或者是保留以后使用的信号就没有列出来。 符号功能详细描述 DQ [0-63] I/O 数据输入/输出 CB [0-7] I/O ECC内存的ECC校验输入/输出 A [0-13] I/O 地址选择 BA [0-1] Control Bank选择 CS [0-3] Control 片选信号 RAS Control 行地址选择信号 CAS Control 列地址选择信号 DQMB [0-7] Control 数据掩码控制（DQ Mask）高有效* WE Control 写允许信号 CK [0-3] Clock 时钟信号 CKE [0-1] Clock 时钟允许信号** REGE Control 寄存器 (Registered) 允许信号
【关键字】情况、方法、模式、稳定、需要、方式、办法、标准、水平、保证、指导、实现如何识别超频内存条和购买用于超频的内存条专家指导如何识别超频内存条和购买用于超频的内存条 网友问1：我现在有两条DDR2 800的内存，但是听说现在市场上有很多DDR2 800的内存条并不是使用标准的DDR2 800颗粒，而是由低端颗粒超频上去的。我想知道有没有什么办法或者软件区别超频的或者未超频的颗粒呢？ 网友问2：现在我想进行把我的内存升级，我现在的内存已经超到DDR2850水平，但是现在不知道需要购买什么样的内存，现在不知道什么样的内存能和它匹配。麻烦我爱电脑网专家帮我介绍些好点的特别适合超频的内存 专家答：现在还没有一款专门的软件来实现区别超频的或者未超频的颗粒这种这个功能，我们在购买内存条的时候可以用下面的几种方法来区别：看看内存条上的颗粒的编号，如果能够直接看到颗粒的编号，然后到网站上搜索即可找到相应的信息参数。其次，查看内存颗粒的工作电压，部分超频颗粒为了能够稳定工作在DDR2 800模式下，只能通过加压的方式实现，DDR2 内存的标准电压是1.80V，要是大于了这个值就要注意了，另外还要留心内存的延迟参数．按照JEDEC（电子元件工业联合会）的规定，对于DDR2 533内存来说的标准延迟参数是4-4-4-12，DDR2 667为5-5-515，DDR2 800是5-5-5-18，如果内存条的参数与标准参数持平，但是工作电压超过了1.8V，则很有可能就是超频颗粒。要注意的是为了达到更低的延迟参数加电压盼隋况不在此列，如DDR2 800 4-4-4-15 @2.2V的情况。最
D D R 系列系列内存内存内存详解及硬件详解及硬件 设计规范 By: Michael Oct 12, 2010 haolei@https://www.doczj.com/doc/f46208525.html,
目录 1.概述 (3) 2.DDR的基本原理 (3) 3.DDR SDRAM与SDRAM的不同 (5) 3.1差分时钟 (6) 3.2数据选取脉冲（DQS） (7) 3.3写入延迟 (9) 3.4突发长度与写入掩码 (10) 3.5延迟锁定回路（DLL） (10) 4.DDR-Ⅱ (12) 4.1DDR-Ⅱ内存结构 (13) 4.2DDR-Ⅱ的操作与时序设计 (15) 4.3DDR-Ⅱ封装技术 (19) 5.DDR-Ⅲ (21) 5.1DDR-Ⅲ技术概论 (21) 5.2DDR-Ⅲ内存的技术改进 (23) 6.内存模组 (26) 6.1内存模组的分类 (26) 6.2内存模组的技术分析 (28) 7.DDR 硬件设计规范 (34) 7.1电源设计 (34) 7.2时钟 (37) 7.3数据和DQS (38) 7.4地址和控制 (39) 7.5PCB布局注意事项 (40) 7.6PCB布线注意事项 (41) 7.7EMI问题 (42) 7.8测试方法 (42)
摘要： 本文介绍了DDR 系列SDRAM 的一些概念和难点，并分别对DDR-I/Ⅱ/Ⅲ的技术特点进行了论述，最后结合硬件设计提出一些参考设计规范。 关键字关键字：：DDR, DDR, SDRAM SDRAM SDRAM, , , 内存模组内存模组内存模组, , , DQS DQS DQS, DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT Notes : Aug 30, 2010 – Added DDR III and the PCB layout specification - by Michael.Hao
e6300 cpu超频方法 e6300 cpu超频方法一步骤1cpu的电压设置为atuo 默认电压，现在的板子都有偷加电压的习惯，默认设置会比默认电压稍微高一点，oc 起来容易些.跑高频率的话要根据情况增加 memorry voltage 内存电压设置为2.1v 稍微加点内存电压，预防内存成为oc的瓶颈 cpu host frequency(mhz)设置为400 ，有着强大的core构架的6系列的u完全可以轻松的跑400外频..除非你rptw遇到超级 无敌大地雷了. cpu clock ratio 设置为 8 ，有的人问为什么不设置9呢~那频率不是更高么? 这里白建议大家超频不要操之过急，先慢慢的熟悉你的系统。熟悉你的cpu的体质。再慢慢的提升才是最安全的方法。 将pci express frequency(mhz)设置为100 免得超频对pci-e的频率造成影响..跑极限的话可以考虑适当的+1-4 将system memmory multiplier 设置为2.0 内存分频1:1 也就是cpu和内存同步超频.这是对内存要求最低的分频了.追求性能的朋友可以根据内存体质来调节更高的频率. memory frequency (mhz) 内存小参设置先设置为auto以免
成为超频的瓶颈 其他设置默认按f10 保存设置重起。 +++++这样基本完成一半了+++++ 如果点亮进入系统，稳定跑测试，则可以有两种选择1进入步骤2，或者把cpu外频再调高10-50,重复步骤1。 如果开机进系统不稳定，则把cpu的外频调地低10～20，重复步骤1。 如果开不了机请等待系统会自动恢复bios的默认设置.重新进入bios设置把cpu frequency调地低10～20，重复步骤1。 如果等待n久还开不了机，则需要打开机箱，把cmos跳线更改到清空位置3～5秒，然后改回跳线，这时候cmos回还原到出厂设置。以上做的方法 是为了找到cpu的最高频率。 步骤2，在步骤1稳定运行的前提下，这个步骤主要是内存调节，把system memmory multiplier内存分频设置为800或1000。如何设置看内存体 质了。 然后进入memory frequency (mhz) 内存时序选项先将tcl 设置为4，trcp设置为4 ，trp设置为4 ，tras设置为12，按f10保存重启。 如果，开不了机器，则将tcl 设置为5，trcp设置为5 ，trp 设置为5 ，tras设置为15!最后调试出最佳的内存时序，这是一个比较靠经验的过程 不太清楚也可以不改。
内存时序 一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。 在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是 “CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍： 一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表： Command Per Clock(CPC) 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。 内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。 这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
Intel i3、i5、i7系列CPU超频详细教程 摘要: 最近大家在我们的微信平台提了很多关于CPU、SSD、主板方面的问题，昨天一位名叫“天梭”的网友提到了CPU超频的问题，关于这个问题今天就来給大家一个详细的教程，不过超出厂商出厂设定的频率还是有一定风险的。超频 ...最近大家在我们的微信平台提了很多关于CPU、SSD、主板方面的问题，昨天一位名叫“天梭”的网友提到了CPU超频的问题，关于这个问题今天就来給大家一个详细的教程，不过超出厂商出厂设定的频率还是有一定风险的。超频的关键是自己反复测试，过程中参考一下别人的经验是可行的，但是不要迷信。比如说什么默认电压，安全电压，这些江湖传言的东西还是远离的好，呵呵。此文参照主板BIOS设置为ASUS的p7p55d，其他主板或许有些许不同，但是大方向是相同的。BIOS中只解释跟超频相关的内容，请谅解。超频分为三大步：一，CPU超频二，内存设置三，VTT电压设置以上3步请保证单独执行。意思就是，在对CPU进行超频时内存不作调整，保证最稳定状态，VTT电压不作调整，保证最稳定状态。这样可以避免出错的多方向性，多可能性。接下来将采取图文并茂的方式来讲解：以下这是超频模式的选择，请选择manual手动设置CPU倍频，按需要选择这个是INTEL的睿频技术，超频时请关闭CPU的外频，
按需要设置PCIE总线频率，请锁定为100，目前主板都为自动锁定100，不过还是确认一下比较好内存比例设置，又叫内存分频设置，决定着内存运行频率，在对CPU进行超频调试结束之前请选择最低频率以确保内存和内存控制器 稳定。QPI频率，超频时选择较低频率，对稳定性有很大帮助。这里注意一点就是，X58主板设置不能选择SLOW MODE，会拖慢显卡。还有一个uncore的频率，i5 750 最高上限锁定为3200，所以不需要调整，bios里面也没有选项。但是i7 920以上的CPU uncore频率是需要调整的，同理对CPU进行超频时选择较低频率，以确保稳定性。从此处可以进入内存时序调整页面，对内存时序进行调整，同样在CPU超频时，时序使用自动确保稳定性。CPU电压设置，模式选择manual后可以手动进行操作。CPU电压一直有个安全电压的传言，有的说1.3V，有的说1.33V。这到底是怎么来的呢？我在此为大家解释一下--在65nm工艺时代，intelCPU包装上有明文标示安全电压为1.35V以下。但是45nm工艺开始，并没有明文标示安全电压为多少，32nm 也没有。大家才开始猜测，会不会是1.33呢？会不会是1.3呢，那32nm的安全电压不是更低？所以，关于安全电压没有准确性，不用纠结了。接下来IMC 电压，又叫VTT，QPI DRM之类的，都是同一个电压，叫法不同而已。此电压关乎cpu核心以外的稳定性，同样决定整个CPU的稳定性，
AMD平台超频手册——高级篇 一、如何进一步优化内存参数，提升系统性能？ 1.步步进阶，AMD K8内存参数逐个抓 面对着AMD K8处理器众多的内存控制参数，我们应该如何根据自身的实际情况，进行相关的内存参数优化，来进一步的提升我们的系统性能呢？ 你都了解上述这些参数设置的意义吗？它们会对性能有哪些的影响呢？ 下面就让我们逐个逐个为大家介绍。 CAS Latency Control（tCL） Settings = Auto，1、1.5、2、2.5、3、3.5、4、4.5 这是最重要的内存参数之一，通常玩家说明内存参数时把它放到第一位，例如3-4-4-8@275mhz，表示cl为3。通常2可以达到更好的性能，但3能提供更佳的稳定性。值得注意的是，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。 CAS表示列地址寻址（Column Address Strobe or Column Address Select），CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存
矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。 这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2。5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。 影响：主要影响稳定性，轻微影响带宽 建议设置：1.5，2，2.5，和3 RAS to CAS Delay（tRCD） Settings = Auto、0、1、2、3、4、5、6、7 这个是说明内存参数时排到第二位的数值，例如3-4-4-8@275mhz，表示tRCD为4。 该参数可以控制内存行地址选通脉冲（RAS，Row Address Strobe）信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，出于最佳性能考虑可将该参数设为2，如果系统无法稳定运行则可将该参数设为3。同样的，调高此参数可以允许内存运行在更高的频率上，用户超频内存遇到困难时可以尝试提高tRCD。 影响：主要影响带宽和稳定性 建议设置：2-5。2能达到最高性能，为达到内存最高频率可设为4或5。 MinRAS Active Timing（tRAS） Settings = Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。 这个是说明内存参数时排到第四位的数值，例如3-4-4-8@275mhz，表示tRAS为8。 这个选项控制内存最小的行地址激活时钟周期数（tRAS），它表示一个行地址从激活到复位的时间。tRAS过长，会严重影响性能。减少tRAS可以使得被激活的行地址更快的复位，然而，tRAS太短也会造成不够时间完成一次突发传送，数据会丢失或者覆盖。最佳设置是越低越好。通常，tRAS应该设为tCL+tRCD+2个时钟周期。例如如果tCL和tRCD分别为2和3个时钟周期，则最佳的tRAS值为7。但如果产生内存错误或系统不稳定，就必须提高tRAS值了。 事实上tRAS是极具争议的一个数值。很多人认为00，05或者10是最快最稳定的。但这也未必对每个用户都适用，它根据内存有所不同。通常设为10后内存能达到最好的超频能力。 影响：轻微影响带宽和稳定性 建议设置：00，5-10。
内存和CPU频率匹配方法的探讨 目录 1.CPU频率的概念 (1) 2.前端总线的概念 (2) 3.各种内存频率的名称辨析 (2) 4.内存的类别和属性 (2) 5.Intel平台内存和CPU同步的条件 (3) 6.FSB带宽和内存带宽相匹配条件 (4) 7．Intel平台的内存异步设置方法 (4) 8.AMD平台的内存实际频率的计算方法 (6) 9.关于双通道内存技术 (8) 10. 小结 (11) 11. 后记 (11) 关于内存与CPU搭配的问题，是电脑爱好者最关心的问题之一。怎样搭配？在网上有成百上千篇文章，把人给看得眼花缭乱，如果不仔细分析判断，很难辨别哪个是正确的，哪个是错误的。据我分析，形成这种局面的原因有多种：一是CPU的外频跟前端总线的频率经常混用，有时还把前端总线跟HT总线也混同；二是三种内存（SDRAM、DDR1 SDRAM、DDR2 SDRAM）的特性不 1
同，但是，经常被混同、混用；三是因为同一个频率有多种名称，各种名称经常被混用；四是Intel的CPU和AMD的CPU特性不同，它们跟内存的搭配方法也不相同，但是经常被混同；五是AMD的K8以前的CPU跟K8及以后的CPU 特性不同，经常被混同；六是各个主板厂商对内存的设置经常采用不同的方法和名称，容易使人迷惑；七是文章写作年代不予注明，不知道说的是哪个年代的、用的是什么型号的内存；八是写作者的水平参差不齐，鱼龙混杂，有时很难辨别孰是孰非。因此，我在学习内存知识时，还真的花了不少时间。因为看得多了，想得也多了，当然，也会萌生一些个人的见解。为了巩固我的学习成果，我作了此小结备忘。当然也希望给同是“菜鸟”的网友们以参考，更欢迎“大侠”们指正。 1.CPU频率的概念 CPU的频率就是我们常说的电脑的速度，非常重要。但是，CPU本身只是一个芯片，不会产生频率，频率是电脑的主板外加给它的。它的主频是它能正常工作的频率，如果频率太高，即对它作过度超频使用时，它会“罢工”甚至被烧坏的。CPU的主频等于外频(CPU Host Frequency)乘以倍频(Multiplier)，即 有 主频＝外频×倍频 其实，倍频并不是频率，只是一个倍数，倍频器是设在CPU中的。外频是计算机主板上的频率发生器产生的，是计算机的时钟标准，也称为系统时钟频率。例如一个CPU的倍频器的倍数是10,加给它的外频是200 MHz时，这个CPU 的主频就等于 200 MHz×10 = 2000 MHz = 2.0 GHz
很多超频玩家都比较关心CPU超了多少外频，达到什么频率，貌似很无视内存的超频，其实内存的频率对电脑的性能提升也是很大的，还有些人超频时内存频率老上不去，其实按照正确的方法，内存也能超出一个好成绩来。需要注意的是内存超频和CPU超频时相辅相成的。那么内存如何超频呢？请跟着笔者往下看： 先晒笔者的电脑平台： CPU：E2180 这颗CPU比较雷，不太好超，外频顶多上到260！ 内存：金士顿窄版DDR2-800 2G 自从金士顿把宽版改成5毛钱硬币那么窄的窄版，很多人觉得超频没以前的神条好超了，但我不觉得，我800的窄条都超到1000以上了。 主板：捷波悍马HI03 超频选项丰富，板子也挺能超的。
下面进入超频主题，超频总体来说可以分为三个步骤：推荐参数设置，超频设置，稳定性测试。 第一步：推荐参数设置 在电脑刚开机时按DEL键进入BIOS，可以看到CMOS的主菜单，超频选项都在“Power User Overclock Settings”选项中（左边第二项） 按enter键进入“Power User Overclock Settings”选项，进行参数设置。
这里可以看到这块主板关于超频的所有选项，看起来很复杂，其实不难，我们平常超频只要调以下几个参数就可以。
1、CPU Clock Ratio （CPU倍频调节选项） 2、Host/PCI Clock at Next Boot （CPU 外频调节选项） 3、DRAM Clock at Next Boot （内存分频选项） 注：内存分频很重要，关系到超频后的内存频率，其中1代表CPU的外频，X （比号后面的数字）代表内存频率与外频的比值。 比如CPU在300外频下，内存分频为1：1.25时的内存频率为：300×1.25×2=750（MHz） 4、DRAM Timming Settings（内存参数调节选项） 5、CPU Vcore Select （CPU电压调节选项） CPU Vcore 7-Shift（CPU 步进增压选项）——初学者建议用这一种，安全一些 6、VDIMM Select （内存电压调节选项）
g31主板怎么在bios中超频 你们知道怎么设置BIOS的超频吗，下面是小编带来g31主板如何在bios超频的内容，欢迎阅读! g31主板bios超频方法： 进入BIOS之后用左右方向键选择超频”OverDrive“设置，就会看到有几项配置信息; CPU超频设置”CPU Configuration“用上下方向键选择，按”Enter“键进入设置; Non Turbo Ratio Override-------------------→CPU 倍频调节/数值
Enhanced Intel SpeedStep Technolog------→支持增强SpeedStep节能技术启用/禁用 内存超频设置”Memory Configuration“用上下方向键选择，按”Enter“键进入设置; Memory Multiplier Configuration--------→增加内存设置，用于超频 Performance Memory Profiles-----------→性能的内存配置 XMP Profile1------------------------------→内存认证标准、CPU超频/支持/不支持 XMP Profile1
电压超频设置”Voltage Configuration“;用于设置内存电压; Platform Voltage Control---------→平台电压控制 Memory Voltage------------------→内存电压设置/V 图形组态超频”Graphics Configuration“设置; Inter Graphics Configuration---------------→因特尔图形组态，用于把内存分出来做显存 Graphics Core Ratio Limit------------------→图形核心比限 Graphics Voltage(1/256)-------------------→图形电压(范围) iGFX Core Current Max(1/8Amp)---------→iGFX芯
bios怎么设置内存超频 其实自己研究下自己主板的BIOS也是蛮有意思的事情，现在就让小编来告诉大家bios怎么设置内存超频的方法吧，希望对大家有所帮助。 bios设置内存超频方法 具体步骤： 打开电脑，进入bios，在cpu选项中，一般会有支持外频超频的位置，就是一组数字，比如cpu默认外频是200MHZ，那么在此位置就会显示200，可以选择到此位置更改这个外频。将外频调大，那么cpu的频率就会增大，就达到了超频的目的。 要注意的是，超频外频的时候，要一点一点地超，第一次，可以先调节成205的外频，然后重启看系统是不是正常，如果正常，再回来，调到210，如果正常再调，如此一次次地上调外频，直到调节到某个数字时系统不能正常启动了，那就对其加电压，也要一点一点地加，否则有可能会烧毁。首先要加0.1V的电压，重启看能否正常重启，如不能重启则为超频极限了。
cpu的散热也是非常重要的，如果散热不好，不但超不高，还有可能会烧坏cpu。所以一定要配一个效果好的风扇，必要时可以用水冷来散热。 CPU超了外频之后,内存的频率当然也是跟着上去的.因此,很多时候超频不成功。 往往不是CPU体质的问题,而是内存的问题.超频的时候,只要锁定了PCI-E在100，那么显卡就不会跟着超了。如果在给CPU 超频的时候,PCI-E没有锁住就会导致显卡烧掉了。 内存能超多少是看体质的.体质好的能超到1500,还有就是,如果内存是双通道的双条(非套装),那超频是很难超上去的.除非是套装或者就用一条内存单通道比较好超。 华硕主板的BIOS设置超频方法
下面我们进入Ai Tweaker超频菜单，我们看到首先第一个板块为相关超频调节选项，而第二个板块为电压调节板块。
内存时序设置详解 内容概要 关键词：内存时序参数设置 导言：是否正确地设置了内存时序参数，在很大程度上决定了系统的基本性能。本文详细介绍了内存时序相关参数的基本涵义及设置要点。 与传统的SDRAM相比，DDR（Dual date rate SDRSM：双倍速率SDRAM），最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR 的数据传输速率为传统SDRAM的两倍。同样地，对于其标称的如DDR400，DDR333，DDR266数值，代表其工作频率其实仅为那些数值的一半，也就是说DDR400 工作频率为200MHz。 FSB与内存频率的关系 首先请大家看看FSB(Front Side Bus：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。 FSB/MEM比率实际运行频率 1/1 200MHz 1/2 100MHz 2/3 133MHz 3/4 150MHz 3/05 120MHz 5/6 166MHz 7/10 140MHz 9/10 180MHz 对于大多数玩家来说，FSB和内存同步，即1:1是使性能最佳的选择。而其他的设置都是异步的。同步后，内存的实际运行频率是FSBx2，所以，DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。
FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系 强烈建议采用1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。内存时序设置 内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。 涉及到的参数分别为： ?CPC : Command Per Clock ?tCL : CAS Latency Control ?tRCD : RAS to CAS Delay ?tRAS : Min RAS Active Timing ?tRP : Row Precharge Timing ?tRC : Row Cycle Time ?tRFC : Row Refresh Cycle Time ?tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay) ?tWR : Write Recovery Time ?……及其他参数的设置 CPC : Command Per Clock 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。
捷波主板bios设置超频方法 捷波主板bios设置超频方法： 1、开机画面时按下“del”键进入bios设置菜单(有些是按f1键)： 用方向键移动光标，回车键确认，esc键返回，用pageup，pagedown和数字键键调整设置，在任何设置菜单中可以按下f10键退出并保存设置。 进入设置 softmenu setup(软超频设置) 前面是cpu的一些基本信息显示，下面的选项就是cpu超频的主要选项 1. cpu operating speed(cpu外频设置)： 这个项目根据所使用的处理器型式以及速度来显示该处理器的运作速度，可以选择[user define](使用者设定)的选项来手动输入其运作速度。 选择“cpu operating speed”中的“use defined”选项后，会看到以前不可以选的cpu选项现在已经可以进行设置了! ext.clock(cpu/agp/pci) 这是外频调节设置选项，手动输入想设置成的cpu外频数值，在此允许输入数值范围在100-412之间，可以以每1mhz的频率提高进行线性超频，最大限度的挖掘cpu的潜能。一般上cpu的外频在100至250左右较为正常，一般不会超过300mhz，所以用户
千万不要一次性把外频调到最高，原则上来讲，第一次超频cpu 因为不清楚cpu究竟可以在多高的外频下工作，因此设置外频的数值可以以三至五兆赫兹为台阶提高来慢慢试验，设置了正确的外频数字以后再按回车键确定。 如果cpu的倍频没有被锁定的话，在ext.clock(cpu/agp/pci)菜单下会显示有一个multiplier factor(倍频设置)选项这个项目选择cpu的倍频数。 2.estimated new cpu clock： 这个项目显示前两项 [ext. clock] 与 [multiplier factor] 的频率总和。 3. n/b strap cpu as： 这个部份可以设定指定给mch (内存控制器)的前端总线。选项有：[psb400]、[psb533]、[psb800]、以及 [by cpu]。默认值是 [by cpu]