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单向可控硅 MCR16 (SOT-23)
MCR16(SOT-23)单向可控硅
l 特点:
l 先进的平面钝化技术，进一步提高了电压稳固性和可靠性，单面台面
结构，半循环交流和脉冲直流导通，门极灵敏触发，触发电流一致性佳，耐电流冲击能力强，出色的可靠性和产品质量。
l 用途:
n 广泛应用于高压点火电路 - 例如摩托车、燃气用具、电围栏；稳压器
- 例如摩托车；安全停机和保护电路 - 例如电子镇流器；断路器、GFCI 、ELCB 、RCD 等；浪涌保护电路 - 例如离线式电源；小型通用电机转速控制 - 例如电动工具、厨房电器。
l 极限参数:
l 电特性（T.=25℃）:
名 称
符号 测试条件 Min Max 单位 重复峰值阻断泄漏电流
I DRM V D =V DRM ---- 100 μA 通态电压 V TM I T =0.6A ---- 1.7 V 门极触发电流 I GT V D =7V, I T =0.1A ---- 120 μA 门极触发电压 V GT V D =7V, I T =0.1A
---- 0.9 V 门极不触发电压 V GD V D =V DRM
0.2 ---- V 断态电压临界上升率 dv D /dt
V DM =67%V DRM Gate open Tj=110℃
10
----
V/μs
名 称 符号 规范值 单位 测试条件 重复峰值阻断电压 V DRM >400 V I DRM =20μA 反向重复峰值电压
V DRM >400 V I RRM =50μA 通态电流 I T(RMS) 0.8 A 正弦波,180度 浪涌电流 I TSM 10 A 正弦波,50HZ
结温 Tj 125 ℃ ---- 储存温度
Tstg
-40~150
℃
----
1 2
SOT-23,SOT-23-3L
3
1=K 2=G 3=A
2015/9/29 Tue 17:51:07
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可控硅工作原理 一种以硅单晶为基本材料的Ｐ１Ｎ１Ｐ２Ｎ２四层三端器件，创制于１９５７年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅Ｔ。又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅ＳＣＲ。 在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称死硅）更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。 可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。 可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。 可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。 可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。 １、可控硅元件的结构 不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由Ｐ型硅和Ｎ型硅组成的四层Ｐ１Ｎ１Ｐ２Ｎ２结构。见图１。它有三个ＰＮ结（Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３），从Ｊ１结构的Ｐ１层引出阳极Ａ，从Ｎ２层引出阴级Ｋ，从Ｐ２层引出控制极Ｇ，所以它是一种四层三端的半导体器件。 ２、工作原理 可控硅是Ｐ１Ｎ１Ｐ２Ｎ２四层三端结构元件，共有三个ＰＮ结，分析原理时，可以把它看作由一个ＰＮＰ管和一个ＮＰＮ管所组成，其等效图解如图１所示 图１、可控硅结构示意图和符号图 当阳极Ａ加上正向电压时，ＢＧ１和ＢＧ２管均处于放大状态。此时，如果从控制极Ｇ输入一个正向触发信号，ＢＧ２便有基流ｉｂ２流过，经ＢＧ２放大，其集电极电流ｉｃ２＝β２ｉｂ２。因为ＢＧ２的集电极直接与ＢＧ１的基极相连，所以ｉｂ１＝ｉｃ２。此时，电流ｉｃ２再经ＢＧ１放大，于是ＢＧ１的集电极电流ｉｃ１＝β１ｉｂ１＝β１β２ｉｂ２。这个电流又流回到ＢＧ２的基极，表成正反馈，使ｉｂ２不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。 由于ＢＧ１和ＢＧ２所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极Ｇ的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。 由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表１
12A SERIES STANDARD The BT151S-650R SCR is suitable to fit modes of control found in applications such as voltage regulation circuits for motorbikes,over-voltage crowbar protection,motor control circuits in power tools and kitchen aids , inrush current limiting circuits ,capacitive discharge ignition.The insulated fullpack package allows a back toback configuration. DESCRIPTION FEATURES ?Repetitive Peak Off-State Voltage : 650V ?R.M.S On-State Current ( I = 12 A )?Low On-State Voltage (1.7V(Max.)@ I )?RoHS Compliant T(RMS)TM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS () T = 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED J SILICON CONTROLLED RECTIFIERS Symbol Parameter Value Unit I T(RMS)RMS on-state current Tc =109°C 12A I T(AV)Average on-state current Tc =109°C 7.5A I TSM Non repetitive surge peak on-state current tp =8.3ms Tj=25°C 132 A tp =10ms 120 I2t I2t Value for fusing tp =10ms Tj=25°C 72A2S dI/dt Critical rateof rise of on-state current I G =2x I GT ,tr ≤100ns F =60Hz Tj=125°C 50A/μs I GM Peak gate current tp =20μs Tj=125°C 2A P G(AV)Average gate power dissipation Tj=125°C 0.5W T stg Storage junction temperature range -40to +150 °C T j Operating junction temperature range -40to +125 V RGM Maximum peak reverse gate voltage 5 V V DRM Repetitive Peak off -State Voltage 650V V RRM Repetitive Peak Reverse Voltage 650 V
1．晶闸管导通的条件是什么？导通后流过晶闸管的电流由什么决定？晶闸管的关断条件是什么？如何实现？晶闸管导通与阻断时其两端电压各为多少？ 解：晶闸管导通的条件是：晶闸管阳极和阴极之间加正向阳极电压。门极和阴极之间加适当的正向阳极电压。 导通后流过晶闸管的电流由主电路电源电压和负载大小决定。 晶闸管的关断条件是：阳极电流小于维持电流。 关断晶闸管可以通过降低晶闸管阳极－阴极间电压或增大主电路中的电阻。 晶闸管导通时两端电压为通态平均电压（管压降），阻断时两端电压由主电路电源电压决定。 2．调试图所示晶闸管电路，在断开负载R d测量输出电压U d是否可调时，发现电压表读数不正常，接上R d后一切正常，请分析为什么？ 习题2图 解：当S断开时，由于电压表内阻很大，即使晶闸管门极加触发信号，此时流过晶闸管阳极电流仍小于擎住电流，晶闸管无法导通，电流表上显示的读数只是管子漏电流形成的电阻与电压表内阻的分压值，所以此读数不准。在S合上以后，Rd介入电路，晶闸管能正常导通，电压表的读数才能正确显示。 3．画出图1-35所示电路电阻R d上的电压波形。 图1-35 习题3图 解：
4．说明晶闸管型号KP100-8E代表的意义。 解：KP100-8E表示额定电流100A、额定电压8级（800V、通态平均电压组别E（0.7＜U T≤0.8）普通晶闸管。 5．晶闸管的额定电流和其他电气设备的额定电流有什么不同？ 解：由于整流设备的输出端所接负载常用平均电流来衡量其性能，所以晶闸管额定电流的标定与其他电器设备不同，采用的是平均电流，而不是有效值，又称为通态平均电流。所谓通态平均电流是指在环境温度为40℃和规定的冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载电路中，当不超过额定结温且稳定时，所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。 6．型号为KP100－3、维持电流I H＝3mA的晶闸管，使用在习题图所示的三个电路中是否合理？为什么（不考虑电压、电流裕量）？ 习题6图 解：（a）图的目的是巩固维持电流和擎住电流概念，擎住电流一般为维持电流的数倍。本题给定晶闸管的维持电流I H＝3mA，那么擎住电流必然是十几毫安，而图中数据表明，晶闸管即使被触发导通，阳极电流为100V/50KΩ＝3 mA，远小于擎住电流，晶闸管不可能导通，故不合理。 （b）图主要是加强对晶闸管型号的含义及额定电压、额定电流的理解。 本图所给的晶闸管额定电压为300A、额定电流100A。图中数据表明，晶闸管可能承受的最大电压为311V，大于管子的额定电压，故不合理。 （c）图主要是加强对晶闸管型号的含义及额定电压、额定电流的理解。 晶闸管可能通过的最大电流有效值为150A，小于晶闸管的额定电流有效值1.57×100＝157A，晶闸管可能承受的最大电压150V，小于晶闸管的额定电压300V，在不考虑电压、电流裕量的前提下，可以正常工作，故合理。
可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流，还可以用作无触点开关的快速接通或切断；实现将直流电变成交流电的逆变；将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样，有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。目前可控硅在自动控制、机电应用、工业电气及家电等方面都有广泛的应用。 可控硅从外形上区分主要有螺旋式、平板式和平底式三种。螺旋式应用较多。 可控硅有三个极----阳极(A)、阴极(C)和控制极(G)，管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN 结，与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引入，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。可控硅应用时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。 我们可以把从阴极向上数的第一、二、三层看面是一只NPN型号晶体管，而二、三、四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。可画出图1的等效电路图。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压E，又在控制极G和阴极C之间(相当BG2的基一射间)输入一个正的触发信号，BG2将产生基极电流Ib2，经放大，BG2将有一个放大了β2 倍的集电极电流IC2 。因为BG2集电极与BG1基极相连，IC2又是BG1 的基极电流Ib1 。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集电极电流IC1送回BG2的基极放大。如此循环放大，直到BG1、BG2完全导通。事实上这一过程是“一触即发”的，对可控硅来说，触发信号加到控制极，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。 可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG2基极的电流已不只是初始的Ib2 ，而是经过BG1、BG2放大后的电流(β1*β2*Ib2)，这一电流远大于Ib2，足以保持BG2的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态，只有断开电源E或降低E的输出电压，使BG1、BG2 的集电极电流小于维持导通的最小值时，可控硅方可关断。当然，如果E极性反接，BG1、BG2受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，E接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向阳极电压大到超过一定值时，可控硅也会导通，但已属于非正常工作情况了。 可控硅这种通过触发信号(小触发电流)来控制导通(可控硅中通过大电流)的可控特性，正是它区别于普通硅整流二极管的重要特征。 由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表1 表1 可控硅导通和关断条件
HOW TO ORDER Technical Data: All technical data relate to an ambient temperature of +25°C Capacitance Range:0.1 μF to 2200 μF Capacitance Tolerance:±10%; ±20% Rated Voltage (V R )?+85°C: 2.54 6.3101620253550Category Voltage (V C )?+125°C: 1.7 2.7 4 71013172333Surge Voltage (V S )?+85°C: 3.3 5.28132026324665Surge Voltage (V S )?+125°C: 2.2 3.45813162028 40 Temperature Range:-55°C to +125°C Reliability:1% per 1000 hours at 85°C, V R with 0.1Ω/V series impedance, 60% confidence level Qualification:CECC 30801 - 005 issue 2EIA 535BAAC Termination Finished: Sn Plating (standard), Gold and SnPb Plating upon request TECHNICAL SPECIFICATIONS CASE DIMENSIONS: millimeters (inches) For part marking see page 127 TAJ Type C Case Size See table above 106 Capacitance Code pF code: 1st two digits represent significant figures 3rd digit represents multiplier (number of zeros to follow) M T olerance K=±10%M=±20% 035 Rated DC Voltage 002=2.5Vdc 004=4Vdc 006=6.3Vdc 010=10Vdc 016=16Vdc 020=20Vdc 025=25Vdc 035=35Vdc 050=50Vdc R Packaging R = 7" T/R (Lead Free since p roduction date 1/1/04) S = 13" T/R (Lead Free since p roduction date 1/1/04) A = Gold Plating 7" Reel B = Gold Plating 13" Reel H = Tin Lead 7" Reel K = Tin Lead 13" Reel NJ Specification Suffix NJ = Standard Suffix — Additional characters may be added for special requirements V = Dry pack Option (selected codes only) ? Generic SMT chip tantalum series ? 6 case sizes available ? Low profile options available COMPONENT
CBB规范 可控硅驱动线路 (VER: V1.0) 拟制：辉时间：2010- 4-15 批准：波时间：2010- 4-15 文件评优级别：□A优秀□B良好□C一般 1 功能介绍 本电路为可控硅门极触发电路，SCRDRV为控制信号，当SCRDRV信号为高电平时，光耦PC1导通，CN1两端为高电平，SCRDRV信号为低电平时光耦PC1截止，CN1两端为低电平。本电路的关键在于电路的输出信号能保证可控硅可靠触发。 2 详细原理图
3 器件功能 ?限流电阻R1、R2、R3，当SCRDRV信号为高电平时，限制流过光耦PC1的原边电流,以防止PC1因过流而可能损坏； ?光耦PC1，实现电气隔离，同时起信号传输作用； ?开关管Q1, 通过控制Q1的开通与关断控制光耦PC1的导通与截止； ?R6的作用是确保没有输入信号时Q1处于截止，R5的作用是限制基极电流。 ?稳压二极管Z1，电压箝位，防止可控硅门极电压过高； ?R10,R11为限流电阻，限制流过可控硅门极的电流，并起到分压作用。 ?Q2为PNP型晶体管，起放大作用。 ?Q3,Q4为对管，推挽输出，起功率放大作用。 ?LED1为发光二极管，当光耦导通时点亮LED1，光耦截止时熄灭LED1，起指示作用。 4 参数计算 ?光耦PC1及R1,R2,R3的选取： 流过光耦副边电流为（8V-0.6V-0.3V）/4.7K=1.5mA，选型号为PS2501的光耦，其Ic=50mA，If=80mA，Vfmax=1.2V，CTR的范围为200%-400%。R1,R2的大小应时SCRDRV信号为高电平时光耦饱和导通， R1和R2选510Ω并联，此时光耦原边电流约为（5-1.2-0.3）/255=13.8mA，R1、R2功率约等于(0.0138/2)2*510=0.02W，选1\10W的电阻，满足降额要求，R3取2K,流过R3电流约为1.2V/2K=0.6mA ?R4,LED1的选取： 按发光管通过1mA的电流计算，若Q1的饱和压降为0.5V，LED1的正向压降为 1V，则通过LED1的电流为（5V-1V-0.5V）/R4=1mA，计算出的R4=3.5K，实际
可控硅控制交流电的使用方法 时间：2009-10-14 08:00:13 来源：作者： 一、概述 在日常的控制应用中我们都通常会遇到需要开关交流电的应用，一般控制交流电的时候，我们会使用很多种方法，如： 1、使用继电器来控制，如电饭煲，洗衣机的水阀： 2、使用大功率的三极管或IGBT来控制： 3、使用整流桥加三极管：
4、使用两个SCR来控制： 5、使用一个Triac来控制： 晶闸管(Thyristor)又叫可控硅，按照其工作特性又可分单向可控硅(SCR)、双向可控硅(TRIAC)。其中双向可控硅又分四象限双向可控硅和三象限双向可控硅。同时可控硅又有绝缘与非绝缘两大类，如ST的可控硅用BT名称后的“A”、与“B”来区分绝缘与非绝缘。 单向可控硅SCR：全称Semiconductor Controlled Rectifier(半导体整流控制器)
双向可控硅TRIAC：全称Triode ACSemiconductor Switch(三端双向可控硅开关)，也有厂商使用Bi-directional Controlled Rectifier(BCR)来表示双向可控硅。
请注意上述两图中的红紫箭头方向！ 可控硅的结构原理我就不提了。 二、可控硅的控制模式 现在我们来看一看通常的可控硅控制模式1、On/Off 控制：
对于这样的一个电路，当通过控制信号来开关Triac时，我们可以看到如下的电流波形 通常对于一个典型的阻性的负载使用该控制方法时，可以看到控制信号、电流、相电压的关联。
2、相角控制： 也叫导通角控制，其目的是通过触发可控硅的导通时间来实现对电流的控制，在简单的马达与调光系统中多可以看到这种控制方法 在典型的阻性负载中，通过控制触发导通角a在0～180之间变化，从而实现控制电流的大小
贴片钽电容规格和封装 一、贴片钽电容简述 贴片钽电容(以下简称钽电容)作为电解电容器中的一类。广泛应用于各类电子产品，特别是一些高密度组装，内部空间体积小产品，如手机、便携式打印机。钽电容是一种用金属钽（Ｔa）作为阳极材料而制成的，按阳极结构的不同可分为箔式和钽烧粉结式两种。在钽粉烧结式钽电容中，又因工作电解质不同，分为固体电解质钽电容(SolidTantalum)和非固体电解质钽电容。其中，固体钽电解电容器用量最大。钽电容由于使用金属钽做介质，不需要像普通电解电容那样使用电解液。另外，钽电容不需像普通电解电容那样使用镀了铝膜的电容纸烧制，所以本身几乎没有电感，但同时也限制了它的容量。 Taj系列贴片钽电容是AVX公司生产的一种贴片封装的钽电解电容，是电子市场上最常见的一种型号。 优点： 体积小由于钽电容采用了颗粒很细的钽粉，而且钽氧化膜的介电常数ε比铝氧化膜的介电常数高，因此钽电容的单位体积内的电容量大。 使用温度范围宽，耐高温由于钽电容内部没有电解液，很适合在高温下工作。一般钽电解电容器都能在－50℃~100℃的温度下正常工作，虽然铝电解也能在这个范围内工作，但电性能远远不如钽电容。 寿命长、绝缘电阻高、漏电流小。钽电容中钽氧化膜介质不仅耐腐蚀，而且长时间工作能保持良好的性能容量误差小等效串联电阻小(ESR),高频性能好 缺点：耐电压不够高电流小价格高
贴片钽电容封装
AVX常规系列(TAJ)贴片钽电容：容量和额定电压(字母表示封装大小)
AVX 贴片钽电容标识 二、钽电容技术规格和选型（以VISHAY 和AVX 为例说明） （一）VISHAY 1、型号表示方法 293D107X9010D2W ①②③④⑤⑥⑦ ①表示系列，VISHAY 有293D 和593D 两个系列，293D 表示普通钽电容，593D 表示的是低阻抗钽电容，直流电阻小于1欧，一般在100毫欧到500毫欧之间。 T 50 年份 Year 年份代码 Year 2000 M 2001 N 2002 P 2003 R 2004 S 2005 T 2006 U 2007 Y
双向可控硅MAC97A6 (SOT23-3L) MAC97A6(SOT23-3L)双向可控硅 n特点: l先进的平面钝化技术，进一步提高了电压稳固性和可靠性，具有通态压 降低，门极逻辑电平触发，耐电流冲击能力强，全循环交流导通，在所 有四个象限中触发，兼容正栅极触发电路，出色的可靠性和产品质量， 可直接应用IC驱动。 n用途: l广泛应用于调光、调温、调速等调压电路；微波炉、洗衣机、空调、电 风扇、饮水机、夜明灯等家电的控制电路及用于交流相控、斩波器、逆 变器和变频器等电路；阻性负载；不苛刻的电机负载；虚假触发干扰并 非首要关注点的负载；灯具调光器；电阻加热和照明负载；低成本电器。 n极限参数: 名称符号数值单位条件 重复峰值阻断电压V DRM≥600 V I DRM=20μA 通态均方根电流I T(RMS) 1 A所有导通角 通态浪涌电流I TSM 10 A t=10ms 12 A t=16.7ms 门极峰值电流I GM 1.2 A T j=125℃ 结温范围T j－40～125 ℃--- 贮存温度T stg－40～150 ℃--- n电特性（T j=25℃）: 名称符号测试条件Min Max Type 单位正向断态峰值电流I RRM T j=125℃V RRM=V DRM---- 0.1 ---- mA 通态峰值电压V TM I TM=6A t=380μs---- 1.5 ---- V 门极触发电流Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ I GT V D=12V R L =100Ω ---- 5 ---- mA Ⅳ---- 7 ---- mA 门极触发电压V GT V D=12V R L =100Ω---- 2 0.8 V 门极不触发电压V GD V D=1/2 V DRM T J=125℃0.2 ---- ---- V 断态电压临界上升率dV/dt V DM=67%V DRM Gate open Tj=110℃ 10 ---- ---- V/μs 通态电流临界上升率dI/dt I G=0.2A I T=1A d I G/dt=0.2 A/μs50 A/μs 维持电流I H V D=24V I GT=50m A≤25 mA SZJBL 1
一、单向可控硅工作原理 可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。 可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。 二、单向可控硅的引脚区分 对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。从外形无法判断的可控硅，可用万用表R×100或R×1K挡，测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻，当万用表指示低阻值（几百欧至几千欧的范围）时，黑表笔所接的是控制极G，红表笔所接的是阴极C，余下的一只管脚为阳极A。 三、单向可控硅的性能检测 可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。第一是三个PN结应完好；第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极与阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流去掉，仍处于导通状态。 用万用表的欧姆挡测量可控硅的极间电阻，就可对前三个方面的好坏进行判断。具体方法是：用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻（控制极不接电压），此两个阻值均应很大。电阻值越大，表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低，或近于无穷大，说明可控硅已经击穿短路或已经开路，此可控硅不能使用了。 用R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻，正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。 用R×1k或R×100挡，测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右，如出现正向阻值接近于零值或为无穷大，表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。反向阻值应很大，但不能为无穷大。正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。 万用表选电阻R×1挡，将黑表笔接阳极，红表笔仍接阴极，此时万用表指针应不动。红表笔接阴极不动，黑表笔在不脱开阳极的同时用表笔尖去瞬间短接控制极，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极接黑表笔，阴极接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。 四、可控硅的使用注意事项 选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。 1、选用可控硅的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。 2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即
众所周知固态继电器SSR是一种无触点通断电子开关，四端为有源器件。其中两个端子为输入控制端，另外两端为输出受控端，中间采用光电隔离，作为输入输出之间电气隔离（浮空）。在输入端加上直流或脉冲信号，输出端就能从关断状态转变成导通状态（无信号时呈阻断状态），从而控制较大负载。整个器件无可动部件及触点，可实现相当于常用的机械式电磁继电器一样的功能。由于固态继电器是由固体元件组成的无触点开关元件，所以与电磁继电器相比具有工作可靠、寿命长，对外界干扰小，能与逻辑电路兼容、抗干扰能力强、开关速度快和使用方便等一系列优点，因而具有很宽的应用领域，亦有逐步取代传统电磁继电器之势。那我们应该如何合理选择固态继电器的型号和规格呢？1. 在选用小电流规格印刷电路板使用的固态继电器时，因引线端子为高导热材料制成，焊接时应在温度小于250℃、时间小于10S的条件下进行，如考虑周围温度的原因，必要时可考虑降额使用，一般将负载电流控制在额定值的1/2以内使用。2. 各种负载浪涌特性对固态继电器SSR的选择被控负载在接通瞬间会产生很大的浪涌电流，由于热量来不及散发，很可能使SSR 内部可控硅损坏，所以用户在选用继电器时应对被控负载的浪涌特性进行分析，然后再选择继电器。使继电器在保证稳态工作前提下能够承受这个浪涌电流。在低电压要求信号失真小可选用采用场效应管作输出器件的直流固态继器；如对交流阻性负载和多数感性负载，可选用过零型继电器，这样可延长负载和继电器寿命，也可减小自身的射频干扰。如作为相位输出控制时，应选用随机型固态继电器。3. 使用环境中温度的影响对固态继电器的负载能力、受环境温度和自身温升的影响较大，在安装使用过程中，应保证其有良好的散热条件，额定工作电流在10A以上的产品应配散热器，100A以上的产品应配散热器加风扇强冷。在安装时应注意继电器底部与散热器的良好接触，并考虑涂适量导热硅脂以达到最佳散热效果。如继电器长期工作在高温状态下（40℃~80℃）时，用户可根据厂家提供的最大输出电流与环境温度曲线数据，考虑降额使用来保证正常工作。4. 过流、过压保护措
可控硅的使用及其方法 可控硅作为一种电子开关，广泛地应用在自动化设备和各种控制电路中，可控硅既有单项也有双向的，在使用中会经常遇到一些问题。文章根据实际工作情况，介绍一些经验以供参考。 标签：自动化设备；控制回路；研究分析 1 选购可控硅 可控硅的电参数很多，在选购时要考虑的是：额定平均电流IT、正反向峰值电压VDRM（VRRM）、控制极触发电压与触发电流IGT这几个参数。由于手册或产品合格证上给定的可控硅的上述参数值都是在规定的条件下测定的，而实际使用环境往往与规定条件不同，并且极有可能发生突发事故超过管子承受能力的现象。所以为了管子在安全的电压下工作，特别是交流220V的情况下，应该按额定为实际电压的2～3倍值来选管子。例如：外加电压为220V，则至少应选择400V以上的管子最好为600V，为了保证管子避免电流过大而烧毁，并考虑到管子的发热情况与电流的有效值，应选择平均电流的有效值的1.2～2倍，需要指出的是。IT对单项可控硅而言是IT（A V）指允许流过SCR的最大有效值电流。例如：8A SCR（单向）的有效值IT（RMS）=12.6A，因此用8A的BCR代替8A的SCR是不允许的，为了使管子的触发电压与触发电流要比实际应用中的数值要小。例如：实际使用的触发电压为3V，则可选触发电压为2V的管子。同样，管子的触发电流亦应选择小些以保证可靠触发，一般常用的集成电路输出电流均很小（除555电路例外，TTL比CMOS要大），所以可在其输出端加一级晶体管放大电路，以提供足够大的驱动电路来保证管子可靠地触发导通。 2 可控硅的具体接法 2.1 直流电路 首先，单向可控硅SCR有三个电极，即阳极A，阴极K，控制极G，SCR 在直流控制电路中使用时，要注意施加工作电压与控制触发电压的极性。A，K 之间是加正向电压但控正向的接法是图1，只有A，K之间接正向电压，控制极G亦接正向电压，SCR才能导通。SCR一旦触发导通后，即使降低控制极电压，甚至撤除控制极电源，SCR亦不阻断而是继续导通。要使SCR阻断，只有降低其阳极电压或将阳极，阴极断开一下，即使阳极与阴极电压为零即可所以有时候可以在SCR的A极与电源之间串了一个常闭开关，按一下即可将SCR阻断。 图1是双向可控硅BCR的接法。BCR是由两个SCR反向并联构成的，共用一个控制极。因此BCR与SCR接法有很大不同，无论在阳、阴两个电极之间接何种极性的电压，只要在其控制极加上一个触发脉冲，而不管这个脉冲是什么极性的，都可以使BCR导通。
贴片钽电容 贴片钽电容简述 贴片钽电容(以下简称钽电容)作为电解电容器中的一类。广泛应用于各类电子产品，特别是一些高密度组装，内部空间体积小产品，如手机、便携式打印机。钽电容是一种用金属钽（Ｔa）作为阳极材料而制成的，按阳极结构的不同可分为箔式和钽烧粉结式两种。在钽粉烧结式钽电容中，又因工作电解质不同，分为固体电解质钽电容(Solid Tantalum)和非固体电解质钽电容。其中，固体钽电解电容器用量最大。钽电容由于使用金属钽做介质，不需要像普通电解电容那样使用电解液。另外，钽电容不需像普通电解电容那样使用镀了铝膜的电容纸烧制，所以本身几乎没有电感，但同时也限制了它的容量。 Taj系列贴片钽电容是AVX公司生产的一种贴片封装的钽电解电容，是电子市场上最常见的一种型号。 固体钽电容特性 优点： 体积小由于钽电容采用了颗粒很细的钽粉，而且钽氧化膜的介电常数ε比铝氧化膜的介电常数高，因此钽电容的单位体积内的电容量大。 使用温度范围宽，耐高温由于钽电容内部没有电解液，很适合在高温下工作。一般钽电解电容器都能在－50℃~100℃的温度下正常工作，虽然铝电解也能在这个范围内工作，但电性能远远不如钽电容。 寿命长、绝缘电阻高、漏电流小钽电容中钽氧化膜介质不仅耐腐蚀，而且长时间工作能保持良好的性能 容量误差小 等效串联电阻小(ESR),高频性能好 缺点：耐电压不够高电流小价格高 贴片钽电容封装、尺寸封装尺寸：毫米（英寸） 封装尺寸：毫米（英寸）
AVX 常规系列(TAJ)贴片钽电容：容量和额定电压(字母表示封装大小)
AVX贴片钽电容标识 二、钽电容技术规格和选型（以VISHAY 和AVX为例说明） （一）VISHAY 1、型号表示方法 293D 107 X9 010 D 2 W ①②③④⑤⑥⑦ ①表示系列，VISHAY 有293D 和593D 两个系列，293D 表示普通钽电容，593D 表示的是低阻抗钽电容，直流电阻小于1 欧，一般在100 毫欧到500 毫欧之间。 ②表示电容的容量，范围从0.1UF----680UF ③表示容量误差，钽电容的容量误差有两种：一是±10%（K）和±20%（M） ④表示电容的耐压，指在85℃时额定直流电压，钽电容的耐压范围从4V---50V ⑤表示钽电容的尺寸大小，有A、B、C、D、E、P 五种尺寸 ⑥表示电容的焊点材料，一般是镍银和钯银 ⑦表示包装方式，有两种包装方式，7 寸盘和13 寸盘 2、外形尺寸 字母代码尺寸代码具体尺寸mm 3、容量与电压和尺寸的范围关系表 293D 普通系列
单片机控制可控硅 This manuscript was revised on November 28, 2020
1 调光控制器设计 在日常生活中，我们常常需要对灯光的亮度进行调节。本调光控制器通过控制双向可控硅的导通来实现白炽灯(纯阻负载)亮度的调整。双向可控硅的特点是导通后即使触发信号去掉，它仍将保持导通；当负载电流为零(交流电压过零点)时，它会自动关断。所以需要在交流电的每个半波期间都要送出触发信号，触发信号的送出时间就决定了灯泡的亮度。 调光的实现方式就是在过零点后一段时间才触发双向可控硅开关导通，这段时间越长，可控硅导通的时间越短，灯的亮度就越低；反之，灯就越亮。 这就要求要提取出交流电压的过零点，并以此为基础，确定触发信号的送出时间，达到调光的目的。 1．1 硬件部分 本调光控制器的框图如下： 控制部分：为了便于灵活设计，选择可多次写入的可器件，这里选用的是ATMEL的AT89C51单片机。 驱动部分：由于要驱动的是交流，所以可以用继电器或光耦+可控硅(晶闸管SCR)来驱动。继电器由于是机械动作，响应速度慢，不能满足其需
要。可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，并且不象继电器那样控制时有火花产生，而且动作快、寿命长、可靠性高。所以这里选用的是可控硅。 负载部分：本电路只能控制白炽灯(纯阻负载)的亮度。 1．2 部分 要控制的对象是50Hz的正弦交流电，通过光耦取出其过零点的信号(同步信号)，将这个信号送至单片机的外中断，单片机每接收到这个同步信号后启动一个延时程序，延时的具体时间由按键来改变。当延时结束时，单片机产生触发信号，通过它让可控硅导通，电流经过可控硅流过白炽灯，使灯发光。延时越长，亮的时间就越短，灯的亮度越暗(并不会有闪烁的感觉，因为重复的频率为100Hz，且人的视觉有暂留效应)。由于延时的长短是由按键决定的，所以实际上就是按键控制了光的强弱。 理论上讲，延时时间应该可以是0～10ms内的任意值。在程序中，将一个周期均分成N等份，每次按键只需要去改变其等份数，在这里，N越大越好，但由于受到单片机本身的限制和基于实际必要性的考虑，只需要分成大约100份左右即可，实际采用的值是95。 可控硅的触发脉冲宽度要根据具体的光耦结合示波器观察而定，在本设计中取20 μs。程序中使用T1来控制这个时间。 对两个调光按键的处理有两种方式：一种是每次按键，无论时间的长短，都只调整一个台阶(亮或暗)；另一种是随按键时间的不同，调整方法
1 单向可控硅 MCR100-6 (SOT-23) MCR100-6(SOT-23)单向可控硅 l 特点: l 先进的平面钝化技术，进一步提高了电压稳固性和可靠性，单面台面 结构，半循环交流和脉冲直流导通，门极灵敏触发，触发电流一致性佳，耐电流冲击能力强，出色的可靠性和产品质量。 l 用途: n 广泛应用于高压点火电路 - 例如摩托车、燃气用具、电围栏；稳压器 - 例如摩托车；安全停机和保护电路 - 例如电子镇流器；断路器、GFCI 、ELCB 、RCD 等；浪涌保护电路 - 例如离线式电源；小型通用电机转速控制 - 例如电动工具、厨房电器。 l 极限参数: l 电特性（T.=25℃）: 名 称 符号 测试条件 Min Max 单位 重复峰值阻断泄漏电流 I DRM V D =V DRM ---- 100 μA 通态电压 V TM I T =0.6A ---- 1.7 V 门极触发电流 I GT V D =7V, I T =0.1A ---- 120 μA 门极触发电压 V GT V D =7V, I T =0.1A ---- 0.9 V 门极不触发电压 V GD V D =V DRM 0.2 ---- V 断态电压临界上升率 dv D /dt V DM =67%V DRM Gate open Tj=110℃ 10 ---- V/μs 名 称 符号 规范值 单位 测试条件 重复峰值阻断电压 V DRM >400 V I DRM =20μA 反向重复峰值电压 V DRM >400 V I RRM =50μA 通态电流 I T(RMS) 0.8 A 正弦波,180度 浪涌电流 I TSM 10 A 正弦波,50HZ 结温 Tj 125 ℃ ---- 储存温度 Tstg -40~150 ℃ ---- 1 2 SOT-23,SOT-23-3L 3 1=K 2=G 3=A 2015/9/28 Mon 17:31:20 共 1 页 第 1 页
电力电子期末试题■及答案1晶闸管导通的条件是什么？导通后流过晶闸管的电流由什么决定？晶闸管的关断条件是什么？如何实现？晶闸管导通与阻断时其两端电压各为多少？ 解：晶闸管导通的条件是：晶闸管阳极和阴极之间加正向阳极电压。门极和阴极之间加适当的正向阳极电压。 导通后流过晶闸管的电流由主电路电源电压和负载大小决定。 晶闸管的关断条件是：阳极电流小于维持电流。 关断晶闸管可以通过降低晶闸管阳极一阴极间电压或增大主电路中的电阻。 晶闸管导通时两端电压为通态平均电压（管压降）,阻断时两端电压由主电路电源电压决定。 2?调试图所示晶闸管电路，在断开负载R d
测量输出电压U d是否可调时，发现电压表读数不正常，接上R d后一切正常，请分析为什么？ 习题2图 解：当S断开时，由于电压表内阻很大，即使晶闸管门极加触发信号，此时流过晶闸管阳极电流仍小于擎住电流，晶闸管无法导通，电流表上显示的读数只是管子漏电流形成的电阻与电压表内阻的分压值，所以此读数不准。在S合上以后，Rd介入电路，晶闸管能正常导通，电压表的读数才能正确显示。 3.画出图1-35所示电路电阻R d上的电压波形。 图1-35习题3图 解: 4.说明晶闸管型号KP100-8E代表的意义。解：
KP100-8E表示额定电流100A、额定电压 8级（800V、通态平均电压组别 E （0.7V U T< 0.8）普通晶闸管 5?晶闸管的额定电流和其他电气设备的额定电流有什么不同？ 解：由于整流设备的输出端所接负载常用平均电流来衡量其性能，所以晶闸管额定电流的标定与其他电器设备不同，采用的是平均电流，而不是有效值，又称为通态平均电流。所谓通态平均电流是指在环境温度为40 C 和规定的冷却条件下，晶闸管在导通角不小于仃0°电阻性负载电路中，当不超过额定结温且稳定时，所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。 6.型号为KP100 —3、维持电流I H = 3mA的晶闸管，使用在习题图所示的三个电路中是否合理？为什么（不考虑电压、电流裕量）？ 习题6图 解：（a）图的目的是巩固维持电流和擎住电流概念，擎住电流一般为维持电流的数倍。本题给定晶闸管
第一篇： 可控硅是一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点，目前交流调压器多采用可控硅调压器。这里介绍一台电路简单、装置容易、控制方便的可控硅交流调压器，这可用作家用电器的调压装置，进行照明灯调光，电风扇调速、电熨斗调温等控制。这台调压器的输出功率达100W，一般家用电器都能使用。 1：电路原理：电路图如下 可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下图所示。从图中可知，二极管D1—D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。当调压器接上市电后，220V交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压，该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。在交流电的正半周时，整流电压通过R4、W1对电容C充电。当充电电压Uc达到T1管的峰值电压Up时，T1管由截止变为导通，于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电，结果在R2上获得一个尖脉冲。这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极，使可控硅导通。可控硅导通后的管压降很低，一般小于1V，所以张弛振荡器停止工作。当交流电通过零点时，可控硅自关断。当交流电在负半周时，电容C又从新充电……如此周而复始，便可调整负载RL上的功率了。 2：元器件选择 调压器的调节电位器选用阻值为470KΩ的WH114-1型合成碳膜电位器，这种电位器可以直接焊在电路板上，电阻除R1要用功率为1W的金属膜电阻外，其佘的都用功率为1/8W的碳膜电阻。D1—D4选用反向击穿电压大于300V、最大整流电流大于0.3A的硅整流二极管,如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。SCR选用正向与反向电压大于300V、额定平均电流大于1A的可控硅整流器件，如国产3CT系例。 第二篇： 本例介绍的温度控制器，具有SB260取材方便、性能可靠等特点，可用于种子催芽、食用菌培养、幼畜饲养及禽蛋卵化等方面的温度控制，也可用于控制电热毯、小功率电暖器等家用电器。
网址：https://www.doczj.com/doc/f36691797.html,/buyer/offerdetail/672293940.html 可控硅(晶闸管)交流调压模块-450A 数量(PCS) 价格(元/PCS) ≥1 4470.00元/PCS 成为该供应商会员可享受折优惠. 请登录后进行申请 ?供应商支持：混批 ?发货地：山东淄博临淄区 ?供货总量：200PCS ?诚信保障：诚保可用保障金：￥2000.00(详细说明) 诚保 签订保障合同后，可保障买家采购的资金，运费等安全，查看详情。签订保障合同什么是签订保障合同？ ?想了解产品详情，请 ?给我留言 ?或 ?查看联系方式
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一、产品简介 本说明书所述晶闸管集成移相控制模块，最大优点是采用了抗老化设计，控制电路与晶闸管主电路集成为一体。模块的输出对称性高，无直流分量。模块具有对电力进行自动控制，调节的强大功能。 1、用途 各行业应用广泛，如；电解、电镀、调温、调光、电焊、蓄电池充放电、直流电机调速、交流电机软起动、稳压电源装置、励磁等。 2、特点 ①采用进口玻璃钝化方芯片，模块导通压降小，功耗低，节能效果显着。 ②控制触发电路采用进口贴片元器件组装，全部元器件进行高温老化筛选，可靠性高。 ③采用陶瓷覆铜工艺，焊接工艺独特，绝缘强度高，导热性能好，电流承载能力大，热循环负载次数是国标的进10倍。 ④控制触发电路，主电路，导热底板之间相互绝缘，介电强度≥2500ⅤAC 导热底板不带电，安全可靠。 ⑤控制端口输入0-10V直流信号，可对主电路输出进行平滑调节。 ⑥控制方式可为：手动电位器控制；仪表控制；微机控制；PLC控制等。