目录
第一部分设计任务
设计题目及要求 (4)
备选方案设计与比较 (4)
1.2.1 方案一 (4)
1.2.2 方案二 (5)
…
1.2.4 各方案分析比较 (5)
第二部分设计方案
总体设计方案说明 (8)
模块结构与方框图 (8)
第三部分电路设计与器件选择
转换电路 (9)
3.1.1 模块电路及参数计算 (9)
3.1.2 工作原理和功能说明 (10)
；
3.1.3 器件说明（含结构图、管脚图、功能表等） (10)
基准电压产生电压比较电路 (10)
3.2.1 模块电路及参数计算 (10)
3.2.2 工作原理和功能说明 (11)
3.2.3 器件说明（含结构图、管脚图、功能表等） (11)
编码电路 (12)
3.3.1 模块电路及参数计算 (12)
3.3.2 工作原理和功能说明 (13)
—
3.3.3 器件说明（含结构图、管脚图、功能表等） (13)
译码及显示电路 (14)
3.4.1 模块电路及参数计算 (14)
3.4.2 工作原理和功能说明 (14)
3.4.3 器件说明（含结构图、管脚图、功能表等） (14)
第四部分整机电路
整机电路图（非仿真图） (17)
|
元件清单 (18)
第五部分电路仿真
仿真软件简介 (19)
仿真电路图 (19)
仿真结果（附图） (19)
第六部分安装调试与性能测量
电路安装 (22)
（推荐附整机数码照片）
）
电路调试 (22)
6.2.1 调试步骤及测量数据 (22)
6.2.2 故障分析及处理 (22)
整机性能指标测量（附数据、波形等） (22)
课程设计总结 (25)
<
%
:
第一部分设计任务
设计任务和要求
\
设计制作一个自动测量三极管直流放大系数β值范围地装置.
1、对被测NPN型三极管值分三档；
2、β值地范围分别为80～120及120～160，160～200对应地分档编号分别是1、2、3；待
测三极管为空时显示0，超过200显示4.
3、用数码管显示β值地档次；
4、电路采用5V或正负5V电源供电.
、备选方案设计与比较
\
1.2.1、方案一：
（1）根据三极管电流IC=βIB地关系，当IB为固定值时，IC反映了β地变化，所以我们可以将变化地β值转化为与之成正比变化地电流量；
（2）电阻RC上地电压VRC又反映了IC地变化，故得到了取样电压VRC；
（3）将取样电压量同时加到具有不同基准电压地比较电路输入端进行比较，对应某一定值
o
，只有相应地一个比较电路输出为高电平，则其余比较器输出为低电平；（4）对比较器输出地高电平进行二进制编码； （5）经显示译码器译码；
（6）驱动数码管显示出相应地档次代号.
-
1.2.2、方案二： （1）根据电压
o
U ＝βIB R3 地关系，当IB 为固定值时，
o
U 反映了β地变化，所以我们
可以将变化地β值转化为与之成正比变化地电压量；（2）
o
U 即为取样电压；
（3）将取样电压量同时加到具有不同基准电压地比较电路输入端进行比较，对应某一定值
o
U ，只有相应地一个比较电路输出为高电平，则其余比较器输出为低电平；（4）对比较器输出地高电平进行二进制编码； （5）经显示译码器译码；
,
（6）驱动数码管显示出相应地档次代号. 1.2.3、各方案分析比较 1、根据方案一： （1）根据电压
o
U ＝βIB R3 地关系，当IB 为固定值时，
o
U 反映了β地变化，所以我们可以
将变化地β值转化为与之成正比变化地电压量；（2）
o
U 即为取样电压；
（3）将取样电压量同时加到具有不同基准电压地比较电路输入端进行比较，对应某一定值
o
U ，只有相应地一个比较电路输出为高电平，则其余比较器输出为低电平；（4）对比较器输出地高电平进行二进制编码；
（5）经显示译码器译码；
…
（6）驱动数码管显示出相应地档次代号. 我们可得该方案转换过程地电路图：
o U
图中：T1是被测三极管，其基极电流可由R1、R2限定，运算放大器地输出o
U ＝βIB R3.
2、根据方案二：
（1）根据三极管电流IC=βIB 地关系，当IB 为固定值时，IC 反映了β地变化，所以我们可以将变化地β值转化为与之成正比变化地电流量；（2）电阻RC 上地电压VRC 又反映了IC 地变化，故得到了取样电压VRC ；
（3）将取样电压量同时加到具有不同基准电压地比较电路输入端进行比较，对应某一定值
o
U ，只有相应地一个比较电路输出为高电平，则其余比较器输出为低电平；￥
（4）对比较器输出地高电平进行二进制编码； （5）经显示译码器译码；
（6）驱动数码管显示出相应地档次代号. 我们可得该方案转换过程地电路图：
^
图中：T1、T2、R1、R3构成微电流源电路，R2是被测管T3地基极电流取样电阻，，R4是集电极电流取样电阻.由运放构成地差动放大电路，实现电压取样及隔离放大作用. 3、比较方案一与方案二：
方案一与方案二比较，两者步骤（3）、（4）、（5）、（6）均相同，不同之处在于它们电路地转换过程部分.由上面地两幅电路图可见，方案一电路地转换过程部分结构较简单，所需元器件也较少.但是，方案一中，当β变化时，即被测三极管变换，三极管不同，内阻不同，导致IB 不稳定，故
o
U 不仅随着β变化而变化，也与IB 变化有关.所以该方案测量结
果不准确，该方案不足采纳.因此，本次课程设计我采用了方案二.
|
%
第二部分 设计方案
、总体设计方案说明：
~（1）根据三极管电流IC=βIB 地关系，当IB 为固定值时，IC 反映了β地变化，所以我们可以将变化地β值转化为与之成正比变化地电流量；
（2）电阻RC 上地电压VRC 又反映了IC 地变化，故得到了取样电压VRC ；
（3）将取样电压量同时加到具有不同基准电压地比较电路输入端进行比较，对应某一定值
o
U ，只有相应地一个比较电路输出为高电平，则其余比较器输出为低电平；（4）对比较器输出地高电平进行二进制编码； （5）经显示译码器译码；
（6）驱动数码管显示出相应地档次代号.
、模块结构与方框图
|
|
^
第三部分 电路设计与器件选择
、转换电路：
…
3.1.1模块电路及参数计算：
依题意有：
〈1〉.T1与T2性能匹配，皆为PNP 三极管
〈2〉.T3地基级电流地选择应在30μA～40 μA 之间为宜,因为： 此时β值较大，因此，取输出电流Io ＝30uA 〈3〉.因为R1地电流约为1mA 左右,则，由
|
已知 v V cc 5= VBE1= 得： R1= 〈4〉.再由：
30ln I I R V I R
T =
由：VT=26mV Io ＝30uA 得 R3=
〈5〉.R2是基极取样电阻，由于基极电流Io ＝30uA ，所以为了便于测量，R2应取大一点，这里取R2=20K 〈6〉.R4是集电极取样电阻，考虑到VR4〈 =，VR4=Io*β*R4
"
β地范围为0—180，即R4〈800，为了便于计算，这里取R4=510（计算时可约为500）
〈7〉. 为了使差动放大电路起到隔离放大地作用， R5—R8应尽量取大一点，这里取
R5=R6=R7=R8=30K. <8>此时电压输出电压为即为R4两端地电压.
综合上述转换电路地电阻值为：
R1=Ω R2=20K Ω R3=Ω R4=510Ω R5=R6=R7=R8=30K Ω…
3.1.2、工作原理和功能说明：
用于把不能直接用仪器测量地NPN 型三极管β值转换成可以直接被测量地集电极电压，再
把电压采样放大，为下一级电压比较电路提供采样电压，其中包括提供恒定电流地微电流源电路和起放大隔离地差动放大电路.3.1.3、器件说明：
、基准电压产生电压比较电路
3.2.1、模块电路及参数计算
?
77
26(1)()26
Vcc o P i i i
R R V V V v Vcc v R R =++-=?-=-
)
因为V0＝βIB R4 ，IB =30uA, R4 =500Ω 所以β＝80， Vi ＝ β＝120， Vi ＝ β＝160， Vi ＝
β＝200， Vi ＝3V
根据串联电路地计算可得： R13:R12:R11:R10:R9=::::2。
<
=6:3:3:3:10
故取R13＝6KΩ R12＝R11= R10=3KΩ R9＝56KΩ 3.2.2、工作原理和功能说明：
由于被测量地物理量要分三档（即β值分别为50～80、80～120及120～180，对应地分档编号分别是1、2、3）所以还要考虑到少于50，和大于180地状况，于是比较电路需要把结果分成五个层次.需要四个基准电压，于是有一个串联电阻网络产生四个不同地基准电压，再用四个运算放大器组成地比较电路，将取样信号同时加到具有不同基准电压地比较电路输入端进行比较，对应某一定值
o
U ，相应地一个比较电路输出为高电平，其余比较器输出为低电平.3.2.3、器件说明： 用到芯片：LM324
2、6、9、13为反相输入，
3、5、10、12为同相输入，1、7、8、14为输出，4接＋5V ，11接-5V.\
LM324是四运放集成电路，它采用14脚双列直插塑料封装，外形如图（10）所示.它地内部包含四组形式完全相同地运算放大器，如图（11）所示.除电源共用外，四组运放相互独立.每一组运算放大器可用图1所示地符号来表示，它有5个引出脚，其中“+”、“-”两个信号输入端，“V+”、“V-”为正、负电源端，“Vo”为输出端.两个信号输入端中，Vi-（-）为反相输入端，表示运放输出端Vo地信号与该输入端地相位相反；
Vi+（+）为同相输入端，表示运放输出端Vo地信端地相同.
3.3、编码电路：
3.3.1、模块电路及参数计算：
|
编码电路电路图为：
】
O0～O2为输出，I0～I7为输入
A1 A2 A3 A4＝0000电平时，代表 0
A1 A2 A3 A4＝1000电平时，代表 1
A1 A2 A3 A4＝1100电平时，代表 2
A1 A2 A3 A4＝1110电平时，代表3
'
3.3.2、工作原理与功能说明：
将电压比较电路地比较结果（高低电平）进行二进制编码.该编码功能主要由集成芯片8位优先编码器CD4532完成.
3.3.3、器件说明：
为了把测试结果显示出来必须对结果进行编码译码，这里我们采用集成芯片8位优先编码器CD4532，其引脚图如图（12）所示：
其中：D0～D7为数据输入端，EI为控制端，Q0～Q2为输出端，VDD接电源VSS接地端，Gs、Eo 为功能扩展端.
￥
CD4532真值表：
3.4、译码及显示电路：
3.4.1、模块电路及参数计算：
3.4.2、工作原理和功能说明：
先通过CD4511对编码电路输出地编码进行译码；
.
而后通过驱动数码管将译码电路产生地代码转换为档次代号，并显示出来.
3.4.3、器件说明：
设计方案中译码电路由芯片CD4511完成.其引脚图如图（14）所示：
图（14）CD4511引脚图
其中：A、B、C、D为数据输入端，LT、BL、LE为控制端.a～g为输出端，其输出电平可直接驱动共阴数码管进行0～9地显示.
根据CD4511地真值表，要使译码电路正常工作，LE接低电平，LT、BL接高电平，D 端悬空，C、B、A、分别接编码器地三个输出端Q2、Q1、Q0.而八个输出端则接共阴数码管地输
入端.
^
CD4511真值表为：
数码管引脚：
·
￥
$
第四部分整机电路、整机电路图：
【
/
、元器件清单
电阻：阻值瓦数误差,
Ω×1 5％
20KΩ×1 5％
Ω×1 5％
510Ω×1 5％
30KΩ×4 5％
Ω×1 5％
10KΩ×1 5％
集成芯片：LM741×1,LM324×1,CD4511×1,CD4532×1（
显示器：共阴数码显示管×1
其他：导线、面包板
~
'
第五部分电路仿真
·
、仿真软件简介：
这次仿真我用地是MULTISIM 2001,这个软件元件种类多，而且分类很好，制作电路图时很是方便，就好像在一个功能齐全地电路实验室做实验一样.而且，测数据方便，给我很多地参考.
、仿真电路图：
/
、仿真结果
当BF＝70：（<80）
当BF＝100 (大于80小于120)
当BF＝130 （大于120小于160）!
当BF＝170 （大于160小于200）
当BF＝240（大于200）
与要求完全符合.
,
半导体三极管β值测量仪设计与制作 摘要：在电子产品设计、制作与维修中，经常需要测量三极管的放大系数β，而万用表自带的简易β测试装置准确性很差，为此本项目设计一个高精度β值测量仪。 关键词： 1．引言 2．设计要求 2.1基本要求 （1）被测三极管为NPN型，β值范围为β<300。 （2）用三个数码管显示β的大小，分别显示个位、十位和百位。显示范围为0-199。 （3）响应时间不超过2秒，显示器显示读数清晰，注意避免出现“叠加现象”。 （4）β值超过测量范围时声光报警。 （5）电源采用5V或±5V供电。 2.2扩充要求 （1）可以测量任意极性（NPN、PNP）的三极管。 （2）三极管内部断路或短路时能发出警报声，要与β值超过测量范围时的报警声区别开来。 2.3设计提示 将三极管β值转换为其他可用仪器测量的物理量来进行测量，如电压，根据三极管电流I C=βI B的关系，当I B为固定值时，I C反映了β的变化，电阻R C上的电压V RC又反映了I C的变化，对V RC进行伏频转换，转换后的频率f就反映了β值的大小，然后再用计数器对f的信号进行一定时间的计数，最后通过计数器的
保持输出经译码电路就可以显示β值。系统方框如下图2-1所示。 图2-1 3．电路设计与器件选择 3.1方案比较 3.1.1方案一 如下图3-1所示。 图3-1 方案一 如图3-1，T1、T2、R1、R3构成微电流源电路，R2是被测管T3的基极电流取样电阻，R4是集电极电流取样电阻。由运放构成的差动放大电路，实现电压取样及隔离放大作用。根据三极管电流I C=βI B的关系，当I B为固定值时，I C随着β的变化而变化，电阻R C上的电压V RC 正好反映了I C的变化，所以，我们对V RC取样加入后级，进行分档比较。从而实现目的。该电路用微电流源为基极取样电阻提供稳恒的电流，这样便于测量β值。 3.1.2方案二 电路如下图3-2所示. 图3-2 方案二
课题3：半导体三极管 【任务一】半导体三极管基础知识 1．三极管的结构包含： （1）三个区，即： 区、 区、 区； （2）三个极，即： 极，用字母 表示， 极，用字母 表示， 极，用字母 表示， （3）两个结，即： 结、 结。 2．由于半导体基片材料的不同，三极管可分为 型和 型两类。 3．在下表中画出PNP 、NPN 型三极管的结构图和图形符号。 4．三极管的电流放大作用 （1）在下表中记录仿真实验数据，并进行分析。 由表格中的数据可知，B I 、C I 和E I 之间的关系式为： 。 （2）根据基尔霍夫节点电流定律，在下列横线上写出NPN 型和PNP 型三极管三个电极上的电流关系式 综上所述三极管的电流分配规律为： 。 （3）由仿真实验数据表可以得出，三极管的电流放大原理为： ，
即实质上是用基极电流B I 的 变化控制集电极电流C I 的 变化。 5．判下列三极管的基本联接方式 （a ） （b ） （c ） 【任务二】三极管的特性曲线及主要参数 1．三极管的输入特性指的是在 一定的条件下，加在三极管 与 之间的电压 ，和它产生的 电流 之间的关系。 2．三极管的输出特性指的是在 一定的条件下，三极管 与 之间的电压 与 电流 之间的关系。 3．在下表中画出三极管的输入输出特性曲线。 4．三极管的输出特性曲线分为如下三个区，在这三个区中，三极管的偏置电压特点为： （1）截止区： ； （2）放大区： ； （3）饱和区： 。 【任务拓展】 1．在晶体三极管放大电路中，测得三极管的三只脚的电位如右图所示，则该三极管 所用材料为 ，管型为 ，1、2、3脚的名称分别 为 、 、 。 2．9012和9013是我们最常用到的三极管，根据平时技能训练课老师所讲的， 我们知道：图（a ）所示9012是 （NPN 型或是PNP 型）三极管， 图（b ）所示9013是 （NPN 型或是PNP 型）三极管，图（a ）所 示的1、2、3脚分别是 极、 极、 极。 1 3 26V 2.7V 2V
[知识学堂] 三极管的基础知识及参数对照表双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN结。正向偏置的EB结有空 穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的CB结势垒电场的效果下到达集电区，形成集电极电流IC。在共发射极晶体管电路中,发射结在基极电路中正向偏置,其电压降很小。绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于VBE很小，所以基极电流约为IB=5V/50kΩ=0.1mA。 如果晶体管的共发射极电流放大系数β=IC/IB=100,集电极电流IC=β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大效果。 常用中小功率三极管参数表： 型号材料与极性Pcm( W) Icm(mA ) BVcbo(V) ft(MHz) 3DG6C SI-NPN 0.1 20 45 >100 3DG7C SI-NPN 0.5 100 >60 >100 3DG12C SI-NPN 0.7 300 40 >300 3DG111 SI-NPN 0.4 100 >20 >100 3DG112 SI-NPN 0.4 100 60 >100 3DG130C SI-NPN 0.8 300 60 150 3DG201C SI-NPN 0.15 25 45 150 C9011 SI-NPN 0.4 30 50 150 C9012 SI-PNP 0.625 -500 -40 C9013 SI-NPN 0.625 500 40 C9014 SI-NPN 0.45 100 50 150 C9015 SI-PNP 0.45 -100 -50 100 C9016 SI-NPN 0.4 25 30 620 C9018 SI-NPN 0.4 50 30 1.1G
第二章半导体三极管测试题 班级：____________ 姓名：____________ 份数：____________ 一、填空题（1分/空，共40分） 1.三极管有两个PN结，即__________结和__________结；有三个电极，即_______极、_______极和_______极。 2.半导体三极管有______________型和______________型。 3.某半导体三极管的Uce不变，基极电流I B=30μA时，Ic=1.2mA，则发射极电流 I E=_______mA。如果基极电流I B增大到50μA时，Ic增加到2mA，则发射极电流 I E=_______mA，三极管的电流放大系数β=_______。 4.三极管基极电流I B的微小变化，将会引起集电极电流Ic的较大变化，说明三极管具有_______作用。 5.当Uce不变时，__________________和_____________之间的关系曲线称为三极管的输入特性。 6.硅三极管发射结的死区电压约为_______V，锗三极管的死区电压约为_______V。半导体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为_______V，锗管的导通电压约为_______V。 7.三极管工作在放大状态时，其_______结必反偏，_______结必正偏，集电极电流与基极电流的关系是_______，其中__________最大，__________最小。由于I B的数值远远小于Ic，如忽略I B，则Ic_______I E。 8.当三极管的发射结_______，集电结_______时，工作在放大区；发射结_______，集电结_______或零偏时，工作在饱和区；发射结_______或零偏，集电结_______时，工作在截止区。 9.半导体三极管放大的实质是_______，即_____________________________。 10.三极管工作在饱和区时，Ic决定于_____________，而与_______无关，这时三极管_______（有、无）电流放大作用。11.三极管的输出特性分为_______、放大、_______三个区。工作在放大区时必须使三极管的_______结正向偏置，_______反向偏置。 12.工作在放大状态的三极管可作为_______器件；工作在截止饱和状态的三极管可作为_______器件。 二、判断题（1分/题，共10分） 1.三极管有两个PN结，因此它具有单向导电性。（） 2.三极管由两个PN结组成，所以可以用两只二极管组合构成三极管。（） 3.三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料（N型或P型）构成的，所以集电极和发射极可以互换使用。（） 4.发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。（） 5.发射结反向偏置的三极管一定工作在截止状态。（） 6.测得正常放大电路中，三极管的三个管脚电位分别是-9V、-6V、和-6.3V，则这个三极管是PNP型锗管。（） 7.某三极管的I B=10μA时，Ic=0.44mA；当I B=20μA时，Ic=0.89mA，则它的电流放大系数为45. （） 8.三极管是电压放大器件。（） 9.三极管的输入特性与二极管的正向特性曲线相似。（） 10.选择半导体三极管时，只要考虑其P CM＜I c U ce即可。（） 三、选择题（2分/题，共40分） 1.三极管按内部结构不同，可分为（）。 A.NPN型 B.PNP型 C.硅管 D.锗管 2.三极管按材料不同，可分为（）。 A.NPN型 B.PNP型 C.硅管 D.锗管 3.关于三极管，下面说法错误的是（）。 A.有NPN和PNP两种 B.有电流放大能力 C.发射极和集电极不能互换使用 D.等于两个二极管的简单组合 4.三极管放大的实质，实际就是（）。 A.将小能量换成大能量 B.将低电压放大成高电压 C.将小电流放大成大电流 D.用较小的电流控制较大的电流 5.在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是（）
第二章半导体三极管及其基本电路 一、填空题 1、(2-1，中)当半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。 2、(2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。 3、(2-1，低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。 4、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。 5、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。 6、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，则I B，这样可克服失真。 7、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。 8、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。 9、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。 10、(2-1，中)共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端，极为输出端。 11、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。可判定该三极管是工作于 区的型的三极管。 12、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断： a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）； b．管型是（NPN，PNP）； c．材料是（硅，锗）。 13、(2-1，中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是，电流分配关系是。 14、(2-1，低)温度升高对三极管各种参数的影响，最终将导致I C，静态工作点。 15、(2-1，低)一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而，发射结的导通压降V BE 则随温度的增加而。 16、(2-1，低)画放大器交流通路时，和应作短路处理。 17、(2-2，低)在多级放大器里。前级是后级的，后级是前级的。 18、(2-2，低)多级放大器中每两个单级放大器之间的连接称为耦合。常用的耦合方式有：，，。 19、(2-2，中)输出端的零漂电压电压主要来自放大器静态电位的干扰变动，因此要抑制零漂，首先要抑制的零漂。目前抑制零漂比较有效的方法是采用。
半导体三极管及其放大电路 一、选择题 1.晶体管能够放大的外部条件是_________ a 发射结正偏，集电结正偏 b 发射结反偏，集电结反偏 c 发射结正偏，集电结反偏 答案：c 2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________ a 发射结正偏，集电结正偏 b 发射结反偏，集电结反偏 c 发射结正偏，集电结反偏 答案：a 3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________ a 0.1V b 0.5V c 0.7V 答案：b 4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________ a 0.1V b 0.3V c 0.5V 答案：b 5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。则该管的β为_____ a 40 b 50 c 60 答案：c 6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________ a 越好 b 越差 c 无变化 答案：a 7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________ a 高 b 低 c 一样 答案：a 8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________ a 增大 b 减小 c 不变 答案：a 9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________ a 升高 b 降低 c 不变 答案：b 10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。 a 发射极 b 基极 c 集电极 答案：c 11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________ a 右移 b 左移 c 不变 答案：b 12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________ a 上移 b 下移 c 不变 答案：a 12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________ a 不变 b 减小 c 增大 答案：c 12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________ a 两者无关 b 有关 c 无法判断 答案：a 15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________ a 晶体管一定被烧毁 b 晶体管的PC=PCM c 晶体管的β一定减小 答案：c
三极管的主要参数 1、直流参数 (1)集电极一基极反向饱和电流Icbo,发射极开路(Ie=0)时,基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb 时的集电极反向电流,它只与温度有关,在一定温度下是个常数,所以称为集电极一基极的反向饱和电流.良好的三极管,Icbo很小,小功率锗管的Icbo约为1~10微安,大功率锗管的Icbo可达数毫安,而硅管的Icbo则非常小,是毫微安级. (2)集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流)基极开路(Ib=0)时,集电极和发射极之间加上规定反向电 压Vce时的集电极电流.Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大,它们是衡量管子热稳定性的重要参数,其值越小,性能越稳定,小功率锗管的Iceo比硅管大. (3)发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时,在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的 电流,它实际上是发射结的反向饱和电流. (4)直流电流放大系数β1(或hEF) 这是指共发射接法,没有交流信号输入时,集电极输出的直流电流与 基极输入的直流电流的比值,即: β1=Ic/Ib 2、交流参数 (1)交流电流放大系数β(或hfe) 这是指共发射极接法,集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流 的变化量△Ib之比,即: β= △Ic/△Ib 一般晶体管的β大约在10-200之间,如果β太小,电流放大作用差,如果β太大,电流放大作用虽然大,但性能往往不稳定. (2)共基极交流放大系数α(或hfb) 这是指共基接法时,集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的 变化量△Ie之比,即: α=△Ic/△Ie 因为△Ic<△Ie,故α<1.高频三极管的α>0.90就可以使用 α与β之间的关系: α= β/(1+β) β= α/(1-α)≈1/(1-α) (3)截止频率fβ、fα当β下降到低频时0.707倍的频率,就是共发射极的截止频率fβ;当α下降到低频 时的0.707倍的频率,就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数,它们之间的关系为: fβ≈(1-α)fα (4)特征频率fT因为频率f上升时,β就下降,当β下降到1时,对应的fT是全面地反映晶体管的高频放 大性能的重要参数. 3、极限参数 (1)集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值,引起β值下降到额定值的2/3或1/2, 这时的Ic值称为ICM.所以当Ic超过ICM时,虽然不致使管子损坏,但β值显著下降,影响放大质量. (2)集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时,集电结的反向击穿电压称为BVEBO. (3)发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时,发射结的反向击穿电压称为BVEBO. (4)集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时,加在集电极和发射极之间的最大允许电压,使用 时如果Vce>BVceo,管子就会被击穿.
摘要 半导体三极管β值测量仪是用来测量NPN型三极管电流放大倍数β值的一种简易仪器。它的设计分为几个部分，首先是转化电路，用微电流电路使晶体管基极电流为一定值，用转化电路将所求c I转换为电压来测量。然后是比较电路，将转换电路得来的电压与所预设的基准电压比较即可知道β值的范围具体是在80~120,120~160还是160~200之间，其中基准电压用电阻分压的形式得到，大于对应的基准电压输出高电平，否则输出低电平，由比较电路的到比较结果后，将对应β值的由高到低的比较结果连接到发光二极管的阳极并且将二极管阴极接地这样即可实现当没有接入三极管或者β<80时，四个发光二极管全灭；80<β<120时，发光二极管亮一只；120<β<160时，发光二极管亮两个；160<β<200时，亮三个发光二极管；当β>200时，四只发光二极管全亮。 关键词：NPN三极管；转换电路；比较电路；发光二极管
一、总体方案与原理说明 1、总体方案框图如图： 2、各部分电路功能的简单说明： ① 转换电路：它是用与把不能直接用仪器测量的NPN 型三极管β值转换成可以直接被测量的集电极电压，再把这个电压采样放大，为下一级电压比较电路提供采样电压，其中包括提供恒定电流的电路和起放大隔离的差动放大电路。 ② 电压比较电路：由于被测量的物理量要分三档（即β值分别为80～120，120～160及160 ～200对应的分档编号分别是1、2、3）还要考虑到少于80，和大于200的，于是比较电路需要把结果分成五个层次。则至少需要四个基准电压，该电路就是有一个串联电阻网络产生四个不同的基准电压，再用四个运算放大器组成的比较电路，将取样信号同时加到具有不同基准电压的比较电路输入端进行比较，对应某一定值 o U ，相应的一个比较电路输出为高电平，其余比较器输出为低电平。 ③显示：该电路功能是用发光二极管显示被测量的NPN 型三极管β值的档次。 二、原理及技术指标 1.转换电路 转换电路要将变化的三极管β值转化为与之成正比变化的电压量，再取样进行比较、分档。上述转换过程可由以下方案实现： （1）微电流源电路 为了获得极其微小的输出电流（如三极管基极电流比较小），这时可令 其电路图如下： 转换电路 比较电路 基准电压 显示电路
课 程 设 计 课题名称：半导体三极管β值及范围测量仪完成人： 班级： 学号： 时间：
（一）设计内容及要求 1. 设计内容：制作一个自动测量NPN 型 硅三极管β值的显示测试仪。 2. 设计要求： 1）对被测NPN 型三极管值 分三档 2）β值的范围分别为80～120及120～160，160～200对应的分档编号分 别是1、2、3；待测三极管为空时显示0，超过200显示4。 3）用数码管 显示β值的档次 4）发挥部分：用三个数码管 显示β的大小，分别显示个位、十位和百位。显示范围为0-199；响应时间不超过2秒，显示器显示读数清晰，注意避免出现“叠加现象”。 （二）电路设计 电路设计整体框图 （三）实验器件 示波器 1台 万用表 1台 直流稳压电源 1 台
模拟实验装置 1台 数字试验箱 1台 四运放LM324 555定时器 三极管 二极管、稳压管 电位器、电阻器、电容器 CD4532、CD4511 数码管 （四）参数计算及元器件选择 1)微电流源（图1）：R1Q21Q 、、构成微电流源电路,Q3为待测三级管,微电流源提供基极电流b I ,R8提供输出电压。调节滑动变阻器1R 的阻值可以改变微电流源的输出电流b I ,b I 的选择应在A A μμ40~30之间为宜,且CE V 的选择应不小于V 1,以使三极管工作在合适的状态。 取待测管的b I 值为A μ40，即A =μ40R I ，根据公式：R V V I BE CC R 1 -= 得出： R BE CC I V V R 1 1-= ，Ω=A ===K R I V V V V R BE CC 5.3571,40,7.0,151得：μ，最终输出 电压为b b I R I V ββ04.080==
晶体管测试仪使用说明 输入电压：直流6.8V-12V 工作电流30mA左右，输入7.5V直流电压时实测 ●晶体管测试仪控制 测试仪由一个旋转编码器开关控制，旋转编码器开关一共可以有4种操作，短按、长按、左旋、右旋。 在关机状态下短按一次，就能打开电源，开始测试。 在一次测试完成后，如果没有检测到器件。长按开关或者左右旋转开关可以进入功能菜单，进入功能菜单后，左旋或者右旋开关可以在菜单项上下选择，要进入某一个功能项，则短按一次开关。当需要从某个功能里退出时，则长按开关。 ●测试器件 测试仪一共有3个测试点，TP1、TP2、TP3。这三个测试点在测试座里的分布如下：
在测试座的右边是贴片元件的测试位置，上面分别有数字1,2,3,各代表TP1、TP2、TP3 测试只有2个引脚的元件时，引脚不分测试顺序，2个引脚任意选择2个测试点，3个脚的器件引脚分别放到三个测试点中，不分顺序。经过测试后，测试仪自动识别出元件的引脚名称、所在的测试点，并显示在屏幕上。 测试只有2个脚的元件时，如果使用的是TP1和TP3两个测试点，则测试完成后自动进入连续测试模式，这样可以连续的同步测量TP1和TP3上的元件，不用再按开关。如果使用的是“TP1和TP2”或者“TP2和TP3”测试，则只测试一次。要再一次测试则按一次开关。 测试电容器前，先给电容器放电，再插入测试座测量，否则有可能损坏测试仪的单片机。 ●校准 测试仪校准是用于消除自身元器件的误差，使得最后的测试结果更加精确。校准分为快速校准和全功能校准。 快速校准的操作方法：用导线将三个测试点TP1、TP2、TP3短接，然后按下测试按钮，同时注意观察屏幕。屏幕颜色会变成黑底白字，在出现提示信息”Selftest mode..? ”后，按一下测试按钮，就进入到快速校准过程；如果在出现提示信息“Selftest mode..?”后，2秒钟内没有按键，则进行一次正常的测试过程，最后显示出短接TP1、TP2、TP3三个测试点导线的电阻值。进入快速校准过程后，屏幕上会出现一些数据，不用管他。等待直到屏幕上出现闪烁的字符串“isolate Probes!”后，去掉短接TP1、TP2、TP3的导线。直到屏幕出现字符串“Test End”后，快速校准完成。首次校准时，使用全功能校准方式。 全功能校准需要从功能菜单里进入，还需要另外准备一个220nf的电容器。全功能校准执行更加全面的校准过程，会花费更长的时间。进入功能菜单后，旋转测试按钮来到菜单项“Selftest”,然后按下测试按钮就进入全功能校准过程，屏幕上首先冒出闪烁的字符串“short Probes!”, 这时和快速校准一样，用导线把三个测试点短接，等待校准过程进行，在屏幕冒出闪烁的字符串“isolate Probes!”时，去掉短接在三个测试点的导线，继续等待校准过程进行，在屏幕冒出字符串“1-||-3 > 100nf”时，把准备好的220nf电容器安装在测试点TP1和TP3上。等待直到屏幕提示“Test End”,全功能校准过程完成。 ●功能菜单 Switch off 关机。 Transistor 晶体管测试，也即是开机后的默认功能。 Frequency 测量频率。长按测试按钮可以退出频率测量功能。频率测量范围从1Hz到1MHz以上，当被测频率低于25KHz时，显示周期。 f-Generator 方波发生器，有多档方波频率可选，左旋或右旋测试按钮切换不同的方波频率，长按测试按钮退出方波发生器。 10-bit PWM 脉冲信号发生器，左旋或右旋测试按钮调节脉冲的占空比，从1% - 99%。长按测试按钮退出脉冲信号发生器。 C+ESR@TP1:3 电容在线测量功能，可以从TP1和TP3引出两根导线，对2uF-50mF 电容器在线测量其电容值和ESR，注意测试前被测电容需完全放电，如果是在线测量，电容所在的电路需完全断电后才能进行。 1- - 3 电阻连续测量方式，不断测试安装在TP1和TP3上的电阻值，电感值。被测电阻小于2100欧姆时才会测量其电感，电感测量范围从0.01mH-20H .长按测试按钮退出。
PNP三极管管脚图TO-92管脚图： SOT-23管脚图：
本篇文章摘自百科查看详细内容请点：https://www.doczj.com/doc/ef6617569.html,/Article/jk/200912/121135 5.html 三极管的主要参数及极性判断
Z304三极管的主要参数及极性判别 1．常用小功率三极管的主要参数 常用小功率三极管的主要参数，参见表B311。 2．三极管电极和管型的判别 (1) 目测法 ①管型的判别 一般，管型是NPN还是PNP应从管壳上标注的型号来辨别。依照部颁标准，三极管型号的第二位(字母)，A、C表示PNP管，B、D表示NPN管，例如： 3AX 为PNP型低频小功率管3BX 为NPN型低频小功率管 3CG 为PNP型高频小功率管3DG 为NPN型高频小功率管 3AD 为PNP型低频大功率管3DD 为NPN型低频大功率管 3CA 为PNP型高频大功率管3DA 为NPN型高频大功率管 此外有国际流行的9011～9018系列高频小功率管，除9012和9015为PNP管外，其余均为NP N型管。 ②管极的判别 常用中小功率三极管有金属圆壳和塑料封装(半柱型)等外型，图T305介绍了三种典型的外形和管极 排列方式。
(2) 用万用表电阻档判别 三极管内部有两个PN结，可用万用表电阻档分辨e、b、c三个极。在型号标注模糊的情况下，也可 用此法判别管型。 ①基极的判别 判别管极时应首先确认基极。对于NPN管，用黑表笔接假定的基极，用红表笔分别接触另外两个极，若测得电阻都小，约为几百欧~几千欧；而将黑、红两表笔对调，测得电阻均较大，在几百千欧以上，此时黑表笔接的就是基极。PNP管，情况正相反，测量时两个PN结都正偏的情况下，红表笔接基极。 实际上，小功率管的基极一般排列在三个管脚的中间，可用上述方法，分别将黑、红表笔接基极，既可测定三极管的两个PN结是否完好(与二极管PN结的测量方法一样)，又可确认管型。 ②集电极和发射极的判别 确定基极后，假设余下管脚之一为集电极c，另一为发射极e，用手指分别捏住c极与b极(即用手指代替基极电阻Rb)。同时，将万用表两表笔分别与c、e接触，若被测管为NPN，则用黑表笔接触c极、用红表笔接e极(PNP管相反)，观察指针偏转角度；然后再设另一管脚为c极，重复以上过程，比较两次测量指针的偏转角度，大的一次表明IC大，管子处于放大状态，相应假设的c、e极正确。 3．三极管性能的简易测量 (1) 用万用表电阻档测ICEO和 基极开路，万用表黑表笔接NPN管的集电极c、红表笔接发射极e(PNP管相反)，此时c、e间电阻 值大则表明ICEO小，电阻值小则表明ICEO大。 用手指代替基极电阻Rb，用上法测c、e间电阻，若阻值比基极开路时小得多则表明β值大。 (2) 用万用表hFE档测β 有的万用表有hFE档，按表上规定的极型插入三极管即可测得电流放大系数β，若β很小或为零，表明三极管己损坏，可用电阻档分别测两个PN结，确认是否有击穿或断路。
【毕业设计】半导体三极管β值测量仪 2012课程设计论文题目：半导体三极管β值测量仪年级专业： 学号： 姓名： ________________ ____________ ____________ 摘要 本设计以集成运放LM324为核心器件并加以555定时器、编码、译码等器件搭接而成。在基本部分，首先自制微电流源产生恒定电流，作为待测三极管的基极电流，根据三极管电流IC=βIB的关系，当IB为固定值时，IC反映了β的变化， 集电极电阻上的电压又反映了IC，用差分电路从待测三极管的集电极采集电压， 即将变化的β值转化为与之成正比变化的电压量，再进行电压比较、分档，将连续变化的模拟量转化成高低电平0和1，再用CD4532编码、CD4511译码，显示部分采用共阴七段数码显示管。在发挥部分，设计压控振荡器将采集的电压量转化成与之成正比变化的频率，合理设定参数使在一定时间内通过的脉冲个数即为被测三极管的β值；计数时间控制信号是基于555定时器设计而成的多谐振荡器产生；74LS90构成十进制计加法计数器，用于计数脉冲的个数，计数时间结束时将计数值送74LS194锁存，并在计数时间信号的控制下将锁存数值送至CD4511译码，最后由共阴七段数码显示管显示计数值。纵观整体，本设计集所学电子技术大部分知识，
其中前半部分的微电流源、采样电路、电压比较电路以及压控振荡电路均属于模拟部分，而后半部分的编码、译码、定时及显示部分则属于数电部分。设计完成后首先在计算机上用multisim仿真优化设计方案，仿真正确后在面包板身上安装、调试。 关键词：三极管β值、微电流源、压控振荡器 目录 - 1 - 一、设计任务 ----------------------------------------------------------------------------------------------- -3- 二、设计要求 ----------------------------------------------------------------------------------------------- -3- 三、电路设计 ----------------------------------------------------------------------------------------------- -3- 3.1 设计思路 ----------------------------------------------------------------------------------------- -3- 3.1.1 基础部分 --------------------------------------------------------------------------------- -3- 3.1.2 发挥部分 --------------------------------------------------------------------------------- -6- 3.2 参数计算及部分元器件说明 ------------------------------------------------------------------- -9- 3.1.1 基础部分
开始/测试按键 SMD 器件测试座电容放电电阻外接表笔座 DC 电源接口 LCD 显示屏 开始/测试按键小元件放置区插件元件测试座 一. 产品概述 本仪表是一款针对于电子爱好者、开发者、电子维修及生产工厂研发的小仪器。可测直插式器件,也可测试贴片器件，可测各种二极管、三极管、可控硅、MOS管；能判断器件类型、引脚的极性、输出HFE、阀电压，场效应管的结电容，可测电容和电阻等。 二. 注意事项 ● 在测试电容前,请务必先进行放电,否则有可能损坏仪表。 ● 使用适配器供电时，请使用DC 9V -12V(含9V,12V)电压范围的适配器。● 本仪表不会对电池进行充电，当电池电量低于6V 时,请更换电池。 三. 技术指标 电阻：0Ω-50MΩ 分辨率： 0.01Ω电容：25pF-100mF 分辨率：1pF 电感：0.01mH-20H 分辨率：0.01mH 测量电容ESR 的分辨率: 0.01Ω 四. 使用方法 a. 按“开机/测试”可以实现开机和一次测试的功能，多次测量可重复按此键；测完后20秒无操作自动关机。 b. 本仪表提供贴片、插件和外置表笔三种测量方式，每种方式的1，2，3脚都是相同的对应关系。 c. 放置器件无需区分管脚顺序，测量完成后屏幕会显每个管脚对应的器件功能。 d. 仪表背面印有电解电容对应的ESR 典型值参照表，该表仅供参考，请以各生产厂家公布的数据为准。 五. 校准 短接1，2，3 测试点，按“开机/测试”按键，屏幕提示是否进入校准，在2秒内此按“开机/测试”按键确认，进入校准。之后屏幕提示断开1， 2，3 测试点，断开后继续，直到提示校准结束。 POWER/TEST SMD Devices Socket Capacitor Discharge Resistor Probe Socket DC IN LCD Screen POWER/TEST Small Devices Container Plug-in Devices Socket 1. Product Description This Meter is a small tool design for Engineer, Electronic Maintenance and Factory. It’s very easy to test plug-in and SMD devices, also can test di?erent kinds of Diodes, Triodes, Thyristors, MOSFET; able to analysis the device type, the polarity of the pin, the output HFE, the valve voltage, the junction capacitance of the FET. 2. Cautions ● Before testing the capacitor, be sure to discharge it, otherwise it may damage the internal circuit.● If using DC supply , please choose DC 9V -12V adapter(including 9V and 12V).● When the battery power is under 6V, please replace a new one . 3. Measuring parameters Resistor : 0Ω-50MΩ Resolution : 0.01ΩCapacitor: 25pF-100mF Resolution : 1pF Inductor: 0.01mH-20H Resolution : 0.01mH Capacitor ESR measuring resolution : 0.01Ω 4. Instructions a. Push "POWER/TEST" to power on and start a test, multiple measurements can be repeated by this key; auto power o? 20 seconds after measurement. b. Provide three kinds of socket, each socket pin1, pin2 and pin3 are connected. c. There 's a table "Typical ESR value of Electrolytic Capacitor" at the back, it’s for guide only, these are typical value for standard grade Electrolytic capacitor at room temperature. 5. Calibration Short the test pin 1,2,3 together, and push "POWER/TEST" button, then the screen prompts to enter Calibration, push the button again whin 2 seconds to con?rm. Few seconds latter the screen prompts to release pin 1,2,3, release them and wait for calibration ?nish. 晶体管测试仪
1.3 半导体三极管 复习提问： 1、二极管的伏安特性是什么？ 2、说出二极管有哪些主要参数？ 导入新课： 单个的PN结，具有单向导通特性，加正向电压导通，加反向电压截止。利用这一特点，给一个PN结加上相应的外引线，然后用塑料、玻璃或铁皮等材料做外壳封装就成为最简单的二极管。如果两个PN结在一起会有什么样的特性？本节课就要研究两个PN结的三极管的特性及应用。三极管是由两个PN结、三个电极组成，这两个结靠的很近，工作时相互联系、相互影响，表现出两个单独的PN结完全不同的特性，与二极管相比，其功能完全不同，在电子电路中得到了广泛的应用。 新课内容： 一、三极管的结构和类型 1.晶体三极管的结构 晶体管三极管是由形成两个PN结的3块杂质半导体组成，因杂质半导体仅有P、N型两种，所以三极管的组成形式只有NPN型和PNP型两种。其结构和符号如图所示：
图1.3.1 三极管结构示意图和表示符号 三个区：集电区、基区、发射区 二个结：集电结、发射结 三个电极：集电极、基极、发射极 内部结构要求：发射区杂质浓度高；基区很薄且杂质浓度很低；集电区面积大于发射区面积。 注意：NPN型和PNP型表示符号的区别是发射结的箭头方向不同，它表示发射结正向偏置时的电流方向。外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。 2.晶体管三极管的类型 三极管如按结构可分为NPN型和PNP型；按所用的半导体材料可分为硅管和锗管；按功率可分为大、中、小功率管；按频率特性可分为低频管和高频管等。实际使用中采用NPN型晶体管较多。以下的讨论以NPN晶体管为例，所得结论对于PNP型晶体管同样适用。 二、三极管的电流分配和放大作用 1.晶体管实验电路 为了定量地分析晶体管的电流分配关系和放大原理，下面先介绍一个实验，实验电路如图1.3.2所示。 加电源电压U BB时发射结承受正向偏置电压， 而电源U CC>U BB，使集电结承受反向偏置电压，这 样可以使晶体管能够具有正常的电流放大作用。 图1.3.2 三极管实验电路改变电阻R B，基极电流I B、集电极电流I C和发射极电流I E都会发生变化，表1.3.1为实验所得一组数据。 表1.3.1 三极管各极电流实验数据
目录 第一部分设计任务 设计题目及要求 (4) 备选方案设计与比较 (4) 1.2.1 方案一 (4) 1.2.2 方案二 (5) 1.2.4 各方案分析比较 (5) 第二部分设计方案 总体设计方案说明 (8) 模块结构与方框图 (8) 第三部分电路设计与器件选择 转换电路 (9) 3.1.1 模块电路及参数计算 (9) 3.1.2 工作原理和功能说明 (10) 3.1.3 器件说明（含结构图、管脚图、功能表等） (10) 基准电压产生电压比较电路 (10) 3.2.1 模块电路及参数计算 (10) 3.2.2 工作原理和功能说明 (11) 3.2.3 器件说明（含结构图、管脚图、功能表等） (11) 编码电路 (12) 3.3.1 模块电路及参数计算 (12) 3.3.2 工作原理和功能说明 (13) 3.3.3 器件说明（含结构图、管脚图、功能表等） (13) 译码及显示电路 (14) 3.4.1 模块电路及参数计算 (14) 3.4.2 工作原理和功能说明 (14) 3.4.3 器件说明（含结构图、管脚图、功能表等） (14) 第四部分整机电路 整机电路图（非仿真图） (17) 元件清单 (18) 第五部分电路仿真
仿真软件简介 (19) 仿真电路图 (19) 仿真结果（附图） (19) 第六部分安装调试与性能测量 电路安装 (22) （推荐附整机数码照片） 电路调试 (22) 6.2.1 调试步骤及测量数据 (22) 6.2.2 故障分析及处理 (22) 整机性能指标测量（附数据、波形等） (22) 课程设计总结 (25)
第一部分 设计任务 设计任务和要求 设计制作一个自动测量三极管直流放大系数β值范围地装置. 1、对被测NPN 型三极管值分三档； 2、β值地范围分别为80～120及120～160，160～200对应地分档编号分别是1、2、3；待 测三极管为空时显示0，超过200显示4. 3、用数码管显示β值地档次； 4、电路采用5V 或正负5V 电源供电. 、备选方案设计与比较 1.2.1、方案一： （1）根据三极管电流IC=βIB 地关系，当IB 为固定值时，IC 反映了β地变化，所以我们可以将变化地β值转化为与之成正比变化地电流量；（2）电阻RC 上地电压VRC 又反映了IC 地变化，故得到了取样电压VRC ； （3）将取样电压量同时加到具有不同基准电压地比较电路输入端进行比较，对应某一定值 o U ，只有相应地一个比较电路输出为高电平，则其余比较器输出为低电平；（4）对比较器输出地高电平进行二进制编码； （5）经显示译码器译码； （6）驱动数码管显示出相应地档次代号. 1.2.2、方案二： （1）根据电压 o U ＝βIB R3 地关系，当IB 为固定值时， o U 反映了β地变化，所以我们
教案（三）
三区：发射区、基区、集电区。 E、基极B、集电极C。 两结：发射结、集电结。 实际上发射极箭头方向就是发射结正向电流方向。 ）按半导体基片材料不同：NPN型和PNP型。 ）按功率分：小功率管和大功率管。 ）按工作频率分：低频管和高频管。 ）按管芯所用半导体材料分：锗管和硅管。 ）按结构工艺分：合金管和平面管。 ）按用途分：放大管和开关管。 ．外形及封装形式 三极管常采用金属、玻璃或塑料封装。常用的外形及封装形式如图所示。
表1-1 三极管三个电极上的电流分配 0.01 0.02 0.03 0.04 0.01 0.56 1.14 1.74 2.33 0.01 0.57 1.16 1.77 2.37 C B I I += 三极管的电流分配规律：发射极电流等于基极电流和集电极电流之和。 ．三极管的电流放大作用 由上述实验可得结论： 的微小变化控制了集电极电流较大的变化，这就是三极管的电流放大原理。）三极管的电流放大作用，实质上是用较小的基极电流信号控制集电极的大电流信号，是“以小控大”的作用。 ）要使三极管起放大作用，必须保证发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏置电三极管的基本连接方式 利用三极管的电流放大作用，可以用来构成放大器，其方框图如图所示。
：把三极管的基极作为公共端子。 ）：把三极管的集电极作为公共端子。 ．三极管的放大作用的实质是_____电流对_____电流的控制作用。．三极管的电流分配关系是怎样的？ ．如何理解三极管的电流放大作用？ ．三极管是一种有三个电极、两个PN 结和两种结构形式（NPN ．三极管内电流分配关系为：C B E I I I +=。 ．三极管实现放大作用的条件是：三极管的发射结要加正向电压，集电结要加反向电压。．三极管有三种基本连接方式：共发射极电路、共基极电路和共集电极电路。