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常用的高频大功率发射管数据

常用的高频大功率发射管数据
常用的高频大功率发射管数据

常用的发射管数据

型号功率增益电压频率工作状态封装 123脚

2N3375 10W 5dB 28V 400MHz FM/AM/SSB TO-60

2N3553 2,5W 10dB 28V 175MHz FM/AM TO-39 C B E

2N3632 20W 7dB 28V 175MHz FM TO-60

2N3866 5W 10dB 28V 400MHz WINTransceiver TO-39 C B E

2N3924 4W 6dB 13,6V 175MHz WINTransceiver TO-39

2N4427 2W 10dB 12V 175MHz WINTransceiver TO-39

2N5108 1W 5dB 24V 1200MHz WINTransceiver TO-39

2N5109 3,5W 11dB 15V 200MHz WINTransceiver TO-39

2N5421 3W 9dB 13,5V 175MHz WINTransceiver TO-39

2N5913 2W 7dB 12,5V 175MHz WINTransceiver TO-39

2N5943 1W 8dB 15V 400MHz FM TO-39

2SC730 0,8W 10dB 13,5V 175MHz FM TO-39 C B E

2SC1096 10W 60MHz FM TO-220

2SC1173 10W 100MHz FM/AM/SSB TO-220

2SC1306 16W 30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E

2SC1307 16W 12dB 12V 30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E

2SC1590 5W 10dB 12,5V 136-174MHz FM TO-220 B E C

2SC1591 14W 7,5dB 12,5V 136-174MHz FM TO-220 B E C

2SC1678 5W 30MHz WINTransceiver TO-220 B C E

2SC1728 8W 80MHz WINTransceiver TO-202 E B C

2SC1729 14W 10dB 13,5V 175MHz FM T-31E

2SC1909 10W 14,5dB 13,5V 50MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E 2SC1944 13W 11,1dB 12V 30MHz WINTransceiver TO-220 B C E 2SC1945 16W 14,5dB 12V 30MHz FM/AM/SSB TO-220 B E C

2SC1946 25W 6,7dB 13,5V 175MHz FM T-31E

2SC1946A 30W 10dB 13,5V 175MHz FM T-31E

2SC1947 3W 10dB 13,5V 175MHz FM TO-39 C B E

2SC1957 1,8W 17dB 12V 30MHz WINTransceiver TO-126 E C B 2SC1966 3W 7,8dB 13,5V 470MHz FM T-31E

2SC1967 7W 6,7dB 13,5V 470MHz FM T-31E

2SC1968 14W 3,7dB 13,5V 470MHz FM T-31E

2SC1969 18W 12dB 12V 30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E

2SC1970 1,5W 10dB 13,5V 175MHz WINTransceiver TO-220 B E C 2SC1971 7W 10dB 13,5V 175MHz WINTransceiver TO-220 B E C 2SC1972 14W 10dB 13,5V 175MHz WINTransceiver TO-220 B E C 2SC1973 1W 50MHz WINTransceiver TO-92L B C E

型号功率增益电压频率工作状态封装 123脚

2SC1974 13W 10dB 13,5V 30MHz WINTransceiver TO-220 B C E 2SC1975 4W 10dB 13,5V 30MHz WINTransceiver TO-220 B C E

2SC2028 1,8W 30MHz WINTransceiver TO-126 E C B

2SC2029 6W 30MHz WINTransceiver TO-220 B C E

2SC2036A 1,4W WINTransceiver TO-202 B C E

2SC2050 10W 12dB 13,5V 30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E

2SC2053 0,2W 15,7dB 12V 175MHz FM/AM TO-92L B C E

2SC2055 0,25W 15,3dB 12V 175MHz FM/AM TO-92L B C E

2SC2056 1,5W 9dB 12V 175MHz FM TO-39 C B E

2SC2075 4W 13,5V 27MHz WINTransceiver TO-220 B C E

2SC2078 4W 13dB 12V 100MHz FM/AM TO-220 B C E

2SC2086 0,45W 13dB 12V 175MHz FM/AM TO-92L B C E

2SC2092 4W 13dB 12V 100MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E

2SC2094 15W 8,8dB 13,5V 175MHz FM/AM/SSB T-31E

2SC2166 6W 13,8dB 12V 30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E

2SC2207 16W WINTransceiver TO-220 B C E

2SC2237 6W 13,8dB 13,5V 175MHz FM T-31E

2SC2312 18,5W 27MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E

2SC2314 1,8W 17dB 12V 180MHz FM/AM TO-126 E C B

2SC2509 13W 14dB 30MHz WINTransceiver TO-220 B C E

2SC2527 60W WINTransceiver TO-220

2SC2538 0,6W 10dB 12V 175MHz FM/AM TO-92L B C E

2SC2539 14W 14,5dB 13,5V 175MHz FM T-31E

2SC2660 30W 30MHz WINTransceiver TO-220

2SC2695 23W 1,9dB 13,5V 520MHz FM T-31E

2SC3001 6W 13dB 7,2V 175MHz FM T-31E

2SC3017 1W 11dB 13,5V 175MHz FM TO-39 C B E

2SC3020 3W 10dB 12,5V 520MHz FM T-31E

2SC3021 7W 7,7dB 12,5V 520MHz FM T-31E

2SC3022 18W 4,8dB 12,5V 520MHz FM T-31E

2SC3103 2,8W 6,7dB 7,2V 520MHz FM T-31E

2SC3104 6W 4,8dB 7,2V 520MHz FM T-31E

2SC3133 13W 14dB 12V 1,5-30MHz FM/AM/SSB TO-220 B E C

2SC3297 15W 100MHz WINTransceiver TO-220

2SC3299 20W WINTransceiver TO-220

2SC3668 1W 100MHz WINTransceiver

2SC3807 15W 260MHz WINTransceiver TO-126

2SC4137 4W 400MHz WINTransceiver TO-126

型号功率增益电压频率工作状态封装 123脚

2SC4693 FM/AM TO-92L B C E

KTC1006 1W 100MHz FM/AM TO-92L E C B

KTC1969 16W 12dB 12V 100MHz FM/AM TO-220 B C E

KTC2078 4W 11dB 12V 100MHz FM/AM TO-220 B C E

MRF161 5W 13,5dB 12,5V 225-500MHz FM/AM TO-220 B E C

MRF162 15W 13,5dB 12,5V 225-500MHz FM/AM TO-220 B E C

MRF163 25W 12dB 12,5V 225-500MHz FM/AM TO-220 B E C

MRF237 4W 12dB 18V 175MHz WINTransceiver TO-39

MRF260 5W 10dB 12,5V 136-174MHz FM TO-220 B E C

MRF261 10W 5,2dB 12,5V 136-174MHz FM TO-220 B E C

MRF262 14W 7,5dB 12,5V 136-174MHz FM TO-220 B E C

MRF264 30W 5,2dB 12,5V 136-174MHz WINTransceiver TO-220 B E C MRF340 8W 13dB 28V 70MHz WINTransceiver TO-220 B E C

MRF342 24W 11dB 28V 70MHz WINTransceiver TO-220 B E C

MRF344 60W 6dB 28V 70MHz WINTransceiver TO-220

MRF454 80W 12dB 12,5V 1,5-30MHz FM/AM/SSB

MRF455 60W 13dB 12,5V 1,5-30MHz FM/AM/SSB

MRF475 12W 10dB 13,5V 1,5-30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E MRF476 3W 15dB 13,5V 1,5-30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E

MRF477 40W 15dB 13,5V 1,5-30MHz FM/AM/SSB TO-220 B E C MRF479 15W 10dB 13,5V 1,5-30MHz FM/AM/SSB TO-220

MRF485 15W 10dB 28V 1,5-30MHz WINTransceiver TO-220

MRF486 40W 15dB 28V 1,5-30MHz WINTransceiver TO-220

MRF496 40W 15dB 13,5V 1,5-30MHz WINTransceiver TO-220 MRF497 60W 10dB 13,5V 27-50MHz WINTransceiver TO-220 B E C MRF517 0,75W 10dB 20V 1000MHz WINTransceiver TO-39

MRF607 1,75W 11,5dB 16V 175MHz WINTransceiver TO-39

MRF660 7W 5,4dB 12,5V 400-512MHz WINTransceiver TO-220

MS1226 30W 18dB 28V 30MHz FM/AM/SSB

MS1227 20W 15dB 12,5V 30MHz FM/AM/SSB

大功率高频场效应管

型号功率增益电压频率用途封装管脚123

MRF134 5W 14dB 28V 30-225MHz FM/AM/SSB

MRF136 15W 16dB 28V 30-225MHz FM/AM/SSB

MRF148A 30W 18dB 50V 2-225MHz FM/AM/SSB

MRF171A 45W 19,5dB 28V 30-225MHz FM/AM/SSB

MRF173 80W 13dB 28V 30-225MHz FM/AM/SSB

MRF174 125W 11,8dB 28V 30-225MHz FM/AM/SSB

MS1307 25W dB 13,5V 30MHz FM/AM/SSB TO-220 G D S

2SC2290 100 Watt 14 Volt 30 MHz

2SC2312 16 Watt 12 Volt 30 MHz 12dB

2SC2879 100 Watt 12,5 Volt 28 MHz 13dB

2N918 50mA 15 Volt 600 MHz

2N3553 2,5 Watt 28 Volt 175 MHz 10 dB

2N3866 1 Watt 28 Volt 400 MHz 10dB

ABH711585 35 Watt 13,5 Volt 108 MHz 10dB

BF964 30mA 20 Volt 200 MHz

BF966 30mA 20 Volt 800 MHz

BFG90a 180mW 15 Volt 5 GHz

BFG91 300mW 12 Volt 6 GHz

BFQ136 9 Watt 14 Volt 4 GHz 12,5dB

BFQ34 2,7 Watt 15 Volt 4 GHz 16,3dB

BFQ68 4,5 Watt 14 Volt 4 GHz 13dB

BFR94 3,5 Watt 25 Volt 3,5 GHz 10dB

BFW30 220mW 10 Volt 800 MHz

BGY22A 2,9 Watt 13,8 Volt 380-512 MHz BGY33 22 Watt 12 Volt 108 MHz

BGY47H 3 Watt 9,6 Volt 400-470 MHz

BGY887 24 Volt 40-860 MHz 21,5 dB

BLF147 150 Watt 28 Volt 108 MHz 14dB

BLF177 150 Watt 50 Volt 108 MHz 19dB

BLF245 30 Watt 28 Volt 175 MHz >13dB

BLF246 80 Watt 28 Volt 108 MHz >16dB

BLF248 300 Watt 28 Volt 225 MHz >10dB BLF368 300 Watt 32 Volt 225 MHz >12dB BLF548 150 Watt 28 Volt 500 MHz 10dB

BLF861 150 Watt 32 Volt 860 MHz >13,5dB BLF1047 70 Watt 26 Volt 1 GHz >14dB

BLF1820 65 Watt 26 Volt 2,4 GHz >11dB

BLF2045 30 Watt 26 Volt 2,4 GHz >10dB

BLF2057 60 Watt 26 Volt 2,4 GHz

BLU20/12 20 Watt 12,5 Volt 470 MHz >6,5dB BLU45/12 45 Watt 12,5 Volt 470 MHz >4,8dB BLU53 100 Watt 28 Volt 400 MHz

BLV21 15 Watt 28 Volt 175 MHz >10dB

BLV25 175 Watt 28 Volt 108 MHz >10dB BLV32F 10 Watt 25 Volt 224 MHz >16dB BLV33 90 Watt 28 Volt 224 MHz 7,5dB

BLV59 30 Watt 25 Volt 860 MHz >7dB

BLV80/28 80 Watt 28 Volt 175 MHz >6,5dB BLV92 4 Watt 12,5 Volt 900 MHz >7,5dB BLV93 8 Watt 12,5 Volt 900 MHz >6,5dB BLV97 30 Watt 24 Volt 960 MHz >7dB

BLV102

BLV193 12 Watt 12,5 Volt 900 MHz >6,5dB BLV862 150 Watt 28 Volt 860 MHz >8dB BLV910 10 Watt 26 Volt 960 MHz >11dB BLV950 150 Watt 26 Volt 900 MHz >8dB

BLV2047 60 Watt 26 Volt 2,4 GHz >9dB BLW33 1 Watt 25 Volt 860 MHz >10dB BLW34 2 Watt 25 Volt 860 MHz 10dB

BLW50 50 Watt 50 Volt 30 MHz >19,5dB BLW76 80 Watt 28 Volt 108 MHz 7,9dB BLW77 130 Watt 28 Volt 87,5 MHz 7,5dB BLW81 10 Watt 12,5 Volt 470 MHz >6dB BLW82 25 Watt 12,5 Volt 470 MHz 6,2dB BLW82F 30 Watt 36 Volt 470 MHz

BLW86 45 Watt 28 Volt 175 MHz 7,5dB BLW89 2 Watt 28 Volt 470 MHz >12dB BLW90 4 Watt 28 Volt 470 MHz >11dB BLW95 160 Watt 50 Volt 30 MHz >14dB BLW96 200 Watt 50 Volt 108 MHz 6,5dB BLW98 4,4 Watt 25 Volt 860 MHz 7dB

BLX15 175 Watt 50 Volt 108 MHz 7,4dB BLY83 12 Watt 175 MHz

BLY87 8 Watt 13,5 Volt 175 MHz >12dB BLY89 25 Watt 13,5 Volt 175 MHz >6dB BLY91 8 Watt 28 Volt 175 MHz >12dB

BLY94 50 Watt 28 Volt 175 MHz >7dB MHW720-3 20 Watt 12,5 Volt 512 MHz 21dB MRF237 4 Watt 12,5 Volt 175 MHz 12dB MRF245 80 Watt 12,5 Volt 175 MHz 6,4dB MRF450A 50 Watt 13,6 Volt 30 MHz 11dB MRF454 80 Watt 12,5 Volt 30 MHz 12dB MRF455 60 Watt 12,5 Volt 30 MHz 13dB MRF475 12 Watt 13,6 Volt 30 MHz 10dB MRF477 40 Watt 12,5 Volt 30 MHz 15dB SD1460 150 Watt 28 Volt 108 MHz 9,2dB

常用场效应管参数大全

常用场效应管参数大全 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W 2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.15 2SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.0 2SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.0 2SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.5 2SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.4 2SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.15 2SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.5 2SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.52 2SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.4 2SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.6 2SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料

场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE

彩显常用大功率三极管场效应管参数表

彩显常用大功率三极管、场效应管参数表 彩显常用大功率三极管、场效应管参数表 型号功率(W)反压(V)电流(A)功能 BU208A 50 1500 5 电源开关管 BU508A751500 8 电源开关管 BU2508AF 45 1500 8 行管 *BU2508DF 125 1500 8 行管 *BU2508D 125 1500 8 行管 BU2520AF 45 1500 10 行管 BU2520AX 45 1500 10 行管 *BU2520DF 125 1500 10 行管 BU2522AF 45 1500 10 行管 *BU2522DF 80 1500 10 行管 *BU2525DF 45 800 12 行管 BUH515 60 1500 8 行管 BUH515D 60 1500 8 行管 C1520 10 250 0.2 视放 C1566 1.2 250 0.1 视放 C1573 0.6 250 0.07 视放 C1875 50 1500 3.5 电源开关管 C3153 100 900 6 电源开关管 C3026 50 1700 5 行管 C3457 50 1100 3 电源开关管 C3459 90 1100 4.5 电源开关管 C3460 100 1100 6 电源开关管 C3461 140 1100 8 行管 *C3683 50 1500 5 行管 C3686 50 1400 8 行管 C3687 150 1500 8 行管 C3481 120 1500 5 电源开关管 C3688 150 1500 10 行管 *C3842 120 1500 6 行管 *C3883 50 1500 5 行管 C3885 50 1400 7 行管 C3886 50 1400 8 行管 C3887 80 1400 7 行管 C3888 80 1400 80 行管 C3889 80 1400 80 行管 *C3891 50 1400 6 行管

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

. 常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进 行判别 (1)用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以 判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。

1 / 19 . (2)用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效 应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏 极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测 得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极 之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。 (3)用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S, 黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压,此时 表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上。这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化,也就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以观察到表针

常用场效应管参数大全 (2)

型号材料管脚用途参数 IRFP9140 PMOS GDS 开关 100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 开关 100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 开关 200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 开关 900V4.7A150W2.5 IRFPG42 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 IRFPZ44 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 开关 50V15A42W83/39nS0.1 IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150W IXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3 IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200W IXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250W IXTP2P50 PMOS GDS 开关 500V2A75W5.5 代J117 J177 PMOS SDG 开关 M75N06 NMOS GDS 音频开关 60V75A120W MTH8N100 NMOS GDS 开关 1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 开关 800V10A150W MTM30N50 NMOS 开关 (铁)500V30A250W MTM55N10 NMOS GDS 开关 (铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 开关 100V27A125W0.05 MTP2955 PMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3 MTP3055 NMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3

常用大功率场效应管

2009-11-16 14:24 IRF系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换 带有"-"号的参数为P沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管,没注明的均为N沟道场效应管. 型号Drain-to-Source V oltage漏极到源极电压Static Drain-Source On-State Resistance静态漏源 通态电阻Continuous Drain Current漏极连续电流(TC=25℃) PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃)Package 封装Toshiba Replacement 替换东芝型号V ender 供应商 型号耐压(V)内阻(mΩ)电流(A)功率(W)封装厂商 IRF48 60 - 50 190 TO-220AB - IR IRF024 60 - 17 60 TO-204AA - IR IRF034 60 - 30 90 TO-204AE - IR IRF035 60 - 25 90 TO-204AE - IR IRF044 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF045 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF054 60 - 30 180 TO-204AA - IR IRF120 100 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF121 60 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF122 100 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF123 60 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF130 100 - 14 75 TO-3 - IR IRF131 60 - 14 75 TO-3 - IR IRF132 100 - 12 75 TO-3 - IR IRF133 60 - 12 75 TO-3 - IR IRF140 100 - 27 125 TO-204AE - IR IRF141 60 - 27 125 TO-204AE - IR IRF142 100 - 24 125 TO-204AE - IR IRF143 60 - 24 125 TO-204AE - IR IRF150 100 - 40 150 TO-204AE - IR IRF151 60 - 40 150 TO-204AE - IR IRF152 100 - 33 150 TO-204AE - IR IRF153 60 - 33 150 TO-204AE - IR IRF220 200 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF221 150 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF222 200 - 4.0 4.0 TO-3 - IR IRF223 150 - 4.0 40 TO-3 - IR IRF224 250 - 3.8 40 TO-204AA - IR IRF225 250 - 3.3 40 TO-204AA - IR IRF230 200 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF231 150 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF232 200 - 8.0 75 TO-3 - IR

一种大功率场效应管隔离驱动电路

一种大功率场效应管隔离驱动电路 余洋云南交通技术学院 摘要:本文介绍了一种高性能的的大功率场效应管隔离驱动电路,并就其技术原理、性能、特点以及运用做了详细的阐述。 关键词:场效应管,隔离,驱动电路 A high power MOSFET isolated driver circuit Yu Yang yunnan traffic institute of technology abstract:This article describes one model of china-made high-power MOSFET Isolation drive Circuit and detailed introduction of its performance,features and application. Keywords: MOSFET, Isolation, drive Circuit 1 概述 大功率场效应管因工作频率高,驱动损耗小等优点在高频大功率电子设备中成为不可替代的功率半导体器件,尤其是在高频大功率开关电源以及高频感应加热设备中,大功率场效应管几乎是了唯一可以选择的功率器件。由于主回路工作电压高,驱动功率大,且开关频率高,为了减少功率变换电路对控制电路(尤其是以DSP等数字处理器为核心的控制系统)干扰,实际运用中需要把功率电路和控制电路隔离,因此就需要具有隔离驱动功能的大功率场效应管驱动电路。目前市场上的场效应驱动器很多,但大多以IR公司的小功率的专用IC为主,这类IC 的缺点在于本能实现控制电路与功率电路的隔离驱动,且驱动能力小。本文向大家介绍的大功率场效应管隔离驱动电路具有驱动功率大、工作频率高、电路简单等特点,可应用于250A/1000V以内容量的大功率场效应管隔离驱动。 电路采用了变压器调制解调隔离驱动技术,信号延迟时间短,抗干扰能力强;采用了干扰脉冲抑制技术,脉冲宽度小于调制电路RS触发器1/2时钟周期宽度的干扰脉冲都将被忽略;内部集成隔离的DC/DC变换电路,只需外供15V电源即可稳定工作。

常用场效应管参数大全(1)

型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关 600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励 60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励 60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励 60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频 50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频 50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关 50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大 50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大 30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大 18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大 20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN 结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在 R X 1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。 当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则 该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两

个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。 (2)用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G 1与栅极G 2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法:首先将万用表置于RX1 0或RX 100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。然后把万用表置于RX10 k档,再测栅极G 1与G 2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。 (3)用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法:用万用表电阻的R X 100档,红表笔接源极S, 黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5 V的电源电压,此时表针指示出的漏源极

常用场效应管参数.doc

常用场效应管参数

常用全系列场效应管MOS 管型号参数封装资料(2008-05-17 13:21:38) 转载 标签:分类:电气知识 mos(和谐社会) 场效应管 开关管 型号 参数 封装 it 场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A100V,14A TO-220

MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220

常用场效应管参数表

(IRF系列) 型号 厂 家用 途 构 造 沟 道 方 式 v111(V) 区 分 ixing(A) pdpch(W) waixin g IRF48 IR N 60 50 190 TO-220AB IRF024 IR N 60 17 60 TO-204AA IRF034 IR N 60 30 90 TO-204AE IRF035 IR N 60 25 90 TO-204AE IRF044 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF045 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF054 IR N 60 30 180 TO-204AA IRF120 IR N 100 8.0 40 TO-3 IRF121 IR N 60 8.0 40 TO-3 IRF122 IR N 100 7.0 40 TO-3 IRF123 IR N 60 7.0 40 TO-3 IRF130 IR N 100 14 75 TO-3 IRF131 IR N 60 14 75 TO-3 IRF132 IR N 100 12 75 TO-3 IRF133 IR N 60 12 75 TO-3

IRF140 IR N 100 27 125 TO-204AE IRF141 IR N 60 27 125 TO-204AE IRF142 IR N 100 24 125 TO-204AE IRF143 IR N 60 24 125 TO-204AE IRF150 IR N 100 40 150 TO-204AE IRF151 IR N 60 40 150 TO-204AE IRF152 IR N 100 33 150 TO-204AE IRF153 IR N 60 33 150 TO-204AE IRF220 IR N 200 5.0 40 TO-3 IRF221 IR N 150 5.0 40 TO-3 IRF222 IR N 200 4.0 4.0 TO-3 IRF223 IR N 150 4.0 40 TO-3 IRF224 IR N 250 3.8 40 TO-204AA IRF225 IR N 250 3.3 40 TO-204AA IRF230 IR N 200 9.0 75 TO-3 IRF231 IR N 150 9.0 75 TO-3 IRF232 IR N 200 8.0 75 TO-3 IRF233 IR N 150 8.0 75 TO-3 IRF234 IR N 250 8.1 75 TO-204AA

常用大功率场效应管

2009-11-16 14:24 IRF 系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换 带有"-"号的参数为P 沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管, 没注明的均为N 沟道场效应管. 型号Drain-to-Source V oltage 漏极到源极电压Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源 通态电阻Continuous Drain Current 漏极连续电流(TC=25 ℃ ) PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25 ℃)Package 封装Toshiba Replacement 替换东芝型号Vender 供应商 型号耐压(V )内阻电流功率封装厂商 IRF48 60 - 50 190 TO-220AB - IR IRF024 60 - 17 60 TO-204AA - IR IRF034 60 - 30 90 TO-204AE - IR IRF035 60 - 25 90 TO-204AE - IR IRF044 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF045 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF054 60 - 30 180 TO-204AA - IR IRF120 100 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF121 60 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF122 100 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF123 60 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF130 100 - 14 75 TO-3 - IR IRF131 60 - 14 75 TO-3 - IR IRF132 100 - 12 75 TO-3 - IR IRF133 60 - 12 75 TO-3 - IR IRF140 100 - 27 125 TO-204AE - IR IRF141 60 - 27 125 TO-204AE - IR IRF142 100 - 24 125 TO-204AE - IR IRF143 60 - 24 125 TO-204AE - IR IRF150 100 - 40 150 TO-204AE - IR IRF151 60 - 40 150 TO-204AE - IR IRF152 100 - 33 150 TO-204AE - IR IRF153 60 - 33 150 TO-204AE - IR IRF220 200 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF221 150 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF222 200 - 4.0 4.0 TO-3 - IR IRF223 150 - 4.0 40 TO-3 - IR IRF224 250 - 3.8 40 TO-204AA - IR IRF225 250 - 3.3 40 TO-204AA - IR IRF230 200 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF231 150 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF232 200 - 8.0 75 TO-3 - IR IRF233 150 - 8.0 75 TO-3 - IR IRF234 250 - 8.1 75 TO-204AA - IR IRF235 250 - 6.5 75 TO-204AA - IR IRF240 200 - 18 125 TO-204AE - IR

常用场效应管(25N120等)参数及 代换

常用场效应管(25N120等)参数及代换 FGA25N120AND (IGBT) 1200V/25A//TO3P (电磁炉用) FQA27N25 (MOSFET) 250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25 (MOSFET) 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264 FQA55N25 (MOSFET) 250V/55A/310W/0.03Ω/TO3P FQA18N50V2 (MOSFET) 500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460A FQA24N50 (MOSFET) 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P FQA28N50 (MOSFET) 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50E FQL40N50 (MOSFET) 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50 FQA24N60 (MOSFET) 600V/24A/TO3P FQA10N80 (MOSFET) 800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3P FQA13N80 (MOSFET) 800V/13A/300W/0. Ω/TO3P FQA5N90 (MOSFET) 900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3P FQA9N90C (MOSFET) 900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3P FQA11N90C (MOSFET) 900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3P FFA30U20DN (快恢复二极管) 200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02A FFPF30U60S (快恢复二极管) 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560 FFA30U60DN (快恢复二极管) 600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06A MBRP3010NTU (肖特基) 100V/30A/TO-220 MBRA3045NTU (肖特基) 45V/30A/TO-3P ISL9R3060G2 (快恢复二极管) 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 (快恢复二极管) 600V/30A/35nS/TO247 FQP44N10 (MOSFET) 100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N FQP70N10 (MOSFET) 100V/57A/160W/0.025Ω/TO220 IRFP450B (MOSFET) 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P IRFP460C (MOSFET) 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460

常用场效应管型号及参数表

常用场效应管型号及参数表(三) 2609 IRFF111 IR N 60 3.5 15 TO-205AF 2610 IRFF112 IR N 100 3.0 15 TO-205AF 2611 IRFF113 IR N 60 3.0 15 TO-205AF 2612 IRFF120 IR N 100 6.0 20 TO-205AF 2613 IRFF121 IR N 60 6.0 20 TO-205AF 2614 IRFF122 IR N 100 5.0 20 TO-205AF 2615 IRFF123 IR N 60 5.0 20 TO-205AF 2616 IRFF130 IR N 100 8.0 25 TO-205AF 2617 IRFF131 IR N 60 8.0 25 TO-205AF 2618 IRFF132 IR N 100 7.0 25 TO-205AF 2619 IRFF133 IR N 60 7.0 25 TO-205AF 2620 IRFF210 IR N 200 2.2 15 TO-205AF 2621 IRFF211 IR N 150 2.2 15 TO-205AF 2622 IRFF212 IR N 200 1.8 15 TO-205AF 2623 IRFF213 IR N 150 1.8 15 TO-205AF 2624 IRFF220 IR N 200 3.5 20 TO-205AF 2625 IRFF221 IR N 150 3.5 20 TO-205AF 2626 IRFF222 IR N 200 3.0 20 TO-205AF 2627 IRFF223 IR N 150 3.0 20 TO-205AF 2628 IRFF230 IR N 200 5.5 25 TO-205AF 2629 IRFF231 IR N 150 5.5 25 TO-205AF 2630 IRFF232 IR N 200 4.5 25 TO-205AF 2631 IRFF233 IR N 150 4.5 25 TO-205AF 2632 IRFF310 IR N 400 1.35 15 TO-205AF 2633 IRFF311 IR N 350 1.35 15 TO-205AF 2634 IRFF312 IR N 400 1.15 15 TO-205AF 2635 IRFF313 IR N 350 1.15 15 TO-205AF 2636 IRFF320 IR N 400 2.5 20 TO-205AF 2637 IRFF321 IR N 350 2.5 20 TO-205AF 2638 IRFF322 IR N 400 2.0 20 TO-205AF 2639 IRFF323 IR N 350 2.0 20 TO-205AF 2640 IRFF330 IR N 400 3.5 25 TO-205AF 2641 IRFF331 IR N 350 3.5 25 TO-205AF 2642 IRFF332 IR N 400 3.0 25 TO-205AF 2643 IRFF333 IR N 350 3.0 25 TO-205AF 2644 IRFF420 IR N 500 1.6 20 TO-205AF 2645 IRFF421 IR N 450 1.6 20 TO-205AF 2646 IRFF422 IR N 500 1.4 20 TO-205AF 2647 IRFF423 IR N 450 1.4 20 TO-205AF 2648 IRFF430 IR N 500 2.75 25 TO-205AF 2649 IRFF431 IR N 450 2.75 25 TO-205AF 2650 IRFF432 IR N 500 2.25 25 TO-205AF 2651 IRFF433 IR N 450 2.25 25 TO-205AF

常用场效应管和晶体管全参数大全

常用场效应管和晶体管参数大全 2010年03月04日 10:13 .elecfans.co 作者:佚名用户评论(1)关键字:晶体管参数(6)场效应管(6) 常用场效应管和晶体管参数大全 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应 IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应 IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应 IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应 IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应 IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应 IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应 IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应 IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应 IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应 IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应 IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应 IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应 IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应 IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应 IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应 IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应 IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应 IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应 IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应 IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应

毕业设计-0820常用三极管场效应管参数

常用三极管、场效应管参数 基础知识基本概念备忘录 2009-10-15 18:39 阅读37 评论0 字号:大中小 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应 IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应 IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应 IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应 IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应 IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应 IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应 IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型 IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应 IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应 IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应 IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应 IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应 IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应 IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应 IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应 IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应 IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应 IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型 IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应 IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应 IRF830 500V 4.5A 75W * * NMOS场效应 IRF740 400V 10A 125W * * NMOS场效应 IRF730 400V 5.5A 75W * * NMOS场效应 IRF720 400V 3.3A 50W * * NMOS场效应

常用场效应管参数大全共11页文档

常用场效应管参数大全型号材料管脚用途参数 3DJ 6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关 600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励 60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励 60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励 60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频 50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频 50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关 50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大 50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大 30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大 18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB

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