Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor.
受主- 一种用来在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。受主原子必须比半导体元素少一价电子
Alignment Precision - Displacement of patterns that occurs during the photolithography process.
套准精度- 在光刻工艺中转移图形的精度。
Anisotropic - A process of etching that has very little or no undercut ti ng
各向异性- 在蚀刻过程中，只做少量或不做侧向凹刻。
Area Contamination - Any foreign particles or material that are found on the surface of a wafer. This is viewed as discolored or smudged, and it is the result of stains, fingerprints, water spots, etc.
沾污区域- 任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。由沾污、手印和水滴产生的污染。
Azimuth, in Ellipsometry - The angle measured between the plane of incidence and the major axis of the ellipse.
椭圆方位角- 测量入射面和主晶轴之间的角度。
Backside - The bottom surface of a silicon wafer. (Note: This term is not preferred; instead, use …back surface?.)
背面- 晶圆片的底部表面。（注：不推荐该术语，建议使用“背部表面”）
Base Silicon Layer - The silicon wafer that is located underneath the insulator layer, which supports the silicon film on top of the wafer.
底部硅层- 在绝缘层下部的晶圆片，是顶部硅层的基础。
Bipolar - Transistors that are able to use both holes and electrons as charge carriers.
双极晶体管- 能够采用空穴和电子传导电荷的晶体管。
Bonded Wafers - Two silicon wafers that have been bonded together by silicon dioxide, which acts as an insulating layer.
绑定晶圆片- 两个晶圆片通过二氧化硅层结合到一起，作为绝缘层。Bonding Interface - The area where the bonding of two wafers occurs.
绑定面- 两个晶圆片结合的接触区。
Buried Layer - A path of low resistance for a current moving in a device. Many of these dopants are antimony and arsenic.
埋层- 为了电路电流流动而形成的低电阻路径，搀杂剂是锑和砷。Buried Oxide Layer (BOX) - The layer that insulates between the two wafers.
氧化埋层(BOX) - 在两个晶圆片间的绝缘层。
Carrier - Valence holes and conduction electrons that are capable of carrying a charge through a solid surface in a silicon wafer.
载流子- 晶圆片中用来传导电流的空穴或电子。
Chemical-Mechanical Polish (CMP) - A process of flattening and polishing wafers that utilizes both chemical removal and mechanical buffing. It is used during the fabrication process.
化学-机械抛光(CMP) - 平整和抛光晶圆片的工艺，采用化学移除和机械抛光两种方式。此工艺在前道工艺中使用。
Chuck Mark - A mark found on either surface of a wafer, caused by either a robotic end effector, a chuck, or a wand.
卡盘痕迹- 在晶圆片任意表面发现的由机械手、卡盘或托盘造成的痕迹。
Cleavage Plane - A fracture plane that is preferred.
解理面- 破裂面
Crack - A mark found on a wafer that is greater than 0.25 mm in length. 裂纹- 长度大于0.25毫米的晶圆片表面微痕。
Crater - Visible under diffused illumination, a surface imperfection on a wafer that can be distinguished individually.
微坑- 在扩散照明下可见的，晶圆片表面可区分的缺陷。Conductivity (electrical) - A measurement of how easily charge carriers can flow throughout a material.
传导性（电学方面）- 一种关于载流子通过物质难易度的测量指标。Conductivity Type - The type of charge carriers in a wafer, such as “N-type” and “P-type”.
导电类型- 晶圆片中载流子的类型，N型和P型。Contaminant, Particulate (see light point defect)
污染微粒（参见光点缺陷）
Contamination Area - An area that contains particles that can negatively affect the characteristics of a silicon wafer.
沾污区域- 部分晶圆片区域被颗粒沾污，造成不利特性影响。Contamination Particulate - Particles found on the surface of a silicon wafer.
沾污颗粒- 晶圆片表面上的颗粒。
Crystal Defect - Parts of the crystal that contain vacancies and dislocation s that can have an impact on a circuit?s electrical performance.晶体缺陷- 部分晶体包含的、会影响电路性能的空隙和层错。Crystal Indices (see Miller indices)
晶体指数（参见米勒指数）
Depletion Layer - A region on a wafer that contains an electrical field that sweeps out charge carriers.
耗尽层- 晶圆片上的电场区域，此区域排除载流子。
Dimple - A concave depression found on the surface of a wafer that is visible to the eye under the correct lighting conditions.
表面起伏- 在合适的光线下通过肉眼可以发现的晶圆片表面凹陷。Donor - A contaminate that has donated extra “free” electrons, thus making a wafer “N-Type”.
施主- 可提供“自由”电子的搀杂物，使晶圆片呈现为N型。Dopant - An element that contributes an electron or a hole to the conduction process, thus altering the conductivity. Dopants for silicon wafers are found in Groups III and V of the Periodic Table of the Elements.
搀杂剂- 可以为传导过程提供电子或空穴的元素，此元素可以改变传导特性。晶圆片搀杂剂可以在元素周期表的III 和V族元素中发现。
Doping - The process of the donation of an electron or hole to the conduction process by a dopant.
掺杂- 把搀杂剂掺入半导体，通常通过扩散或离子注入工艺实现。Edge Chip and Indent - An edge imperfection that is greater than 0.25 mm.
芯片边缘和缩进- 晶片中不完整的边缘部分超过0.25毫米。
Edge Exclusion Area - The area located between the fixed quality area and the periphery of a wafer. (This varies according to the dimensions of
the wafer.)
边缘排除区域- 位于质量保证区和晶圆片外围之间的区域。（根据晶圆片的尺寸不同而有所不同。）
Edge Exclusion, Nominal (EE) - The distance between the fixed quality area and the periphery of a wafer.
名义上边缘排除(EE) - 质量保证区和晶圆片外围之间的距离。
Edge Profile - The edges of two bonded wafers that have been shaped either chemically or mechanically.
边缘轮廓- 通过化学或机械方法连接起来的两个晶圆片边缘。
Etch - A process of chemical reactions or physical removal to rid the wafer of excess materials.
蚀刻- 通过化学反应或物理方法去除晶圆片的多余物质。
Fixed Quality Area (FQA) - The area that is most central on a wafer surface.
质量保证区(FQA) - 晶圆片表面中央的大部分。
Flat - A section of the perimeter of a wafer that has been removed for wafer orientation purposes.
平边- 晶圆片圆周上的一个小平面，作为晶向定位的依据。
Flat Diameter - The measurement from the center of the flat through the center of the wafer to the opposite edge of the wafer. (Perpendicular to the flat)
平口直径- 由小平面的中心通过晶圆片中心到对面边缘的直线距离。
Four-Point Probe - Test equipment used to test resistivity of wafers.
四探针- 测量半导体晶片表面电阻的设备。
Furnace and Thermal Processes - Equipment with a temperature gauge used for processing wafers. A constant temperature is required for the process.
炉管和热处理- 温度测量的工艺设备，具有恒定的处理温度。Front Side - The top side of a silicon wafer. (This term is not preferred; use front surface instead.)
正面- 晶圆片的顶部表面（此术语不推荐，建议使用“前部表面”）。Goniometer - An instrument used in measuring angles.
角度计- 用来测量角度的设备。
Gradient, Resistivity (not preferred; see resistivity variation)
电阻梯度（不推荐使用，参见“电阻变化”）
Groove - A scratch that was not completely polished out.
凹槽- 没有被完全清除的擦伤。
Hand Scribe Mark - A marking that is hand scratched onto the back surface of a wafer for identification purposes.
手工印记- 为区分不同的晶圆片而手工在背面做出的标记。
Haze - A mass concentration of surface imperfections, often giving a hazy appearance to the wafer.
雾度- 晶圆片表面大量的缺陷，常常表现为晶圆片表面呈雾状。Hole - Similar to a positive charge, this is caused by the absence of a
valence electron.
空穴- 和正电荷类似，是由缺少价电子引起的。
Ingot - A cylindrical solid made of polycrystalline or single crystal silicon from which wafers are cut.
晶锭- 由多晶或单晶形成的圆柱体，晶圆片由此切割而成。
Laser Light-Scattering Event - A signal pulse that locates surface imperfections on a wafer.
激光散射- 由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号。
Lay - The main direction of surface texture on a wafer.
层- 晶圆片表面结构的主要方向。
Light Point Defect (LPD) (Not preferred; see localized light-scatterer)
光点缺陷(LPD) （不推荐使用，参见“局部光散射”）
Lithography - The process used to transfer patterns onto wafers.
光刻- 从掩膜到圆片转移的过程。
Localized Light-Scatterer - One feature on the surface of a wafer, such as a pit or a scratch that scatters light. It is also called a light point defect.
局部光散射- 晶圆片表面特征，例如小坑或擦伤导致光线散射，也称为光点缺陷。
Lot - Wafers of similar sizes and characteristics placed together in a shipment.
批次- 具有相似尺寸和特性的晶圆片一并放置在一个载片器内。Majority Carrier - A carrier, either a hole or an electron that is dominant
in a specific region, such as electrons in an N-Type area.
多数载流子- 一种载流子，在半导体材料中起支配作用的空穴或电子，例如在N型中是电子。
Mechanical Test Wafer - A silicon wafer used for testing purposes.
机械测试晶圆片- 用于测试的晶圆片。
Microroughness - Surface roughness with spacing between the impurities with a measurement of less t han 100 μm.
微粗糙- 小于100微米的表面粗糙部分。
Miller Indices, of a Crystallographic Plane - A system that utilizes three numbers to identify plan orientation in a crystal.
Miller索指数- 三个整数，用于确定某个并行面。这些整数是来自相同系统的基本向量。
Minimal Conditions or Dimensions - The allowable conditions for determining whether or not a wafer is considered acceptable.
最小条件或方向- 确定晶圆片是否合格的允许条件。
Minority Carrier - A carrier, either a hole or an electron that is not dominant in a specific region, such as electrons in a P-Type area.
少数载流子- 在半导体材料中不起支配作用的移动电荷，在P型中是电子，在N型中是空穴。
Mound - A raised defect on the surface of a wafer measuring more than 0.25 mm.
堆垛- 晶圆片表面超过0.25毫米的缺陷。
Notch - An indent on the edge of a wafer used for orientation purposes. 凹槽- 晶圆片边缘上用于晶向定位的小凹槽。
Orange Peel - A roughened surface that is visible to the unaided eye.
桔皮- 可以用肉眼看到的粗糙表面
Orthogonal Misorientation -
直角定向误差-
Particle - A small piece of material found on a wafer that is not connected with it.
颗粒- 晶圆片上的细小物质。
Particle Counting - Wafers that are used to test tools for particle contamination.
颗粒计算- 用来测试晶圆片颗粒污染的测试工具。
Particulate Contamination - Particles found on the surface of a wafer. They appear as bright points when a collineated light is shined on the wafer.
颗粒污染- 晶圆片表面的颗粒。
Pit - A non-removable imperfection found on the surface of a wafer.
深坑- 一种晶圆片表面无法消除的缺陷。
Point Defect - A crystal defect that is an impurity, such as a lattice vacancy or an interstitial atom.
点缺陷- 不纯净的晶缺陷，例如格子空缺或原子空隙。Preferential Etch -
优先蚀刻-
Premium Wafer - A wafer that can be used for particle counting, measuring pattern resolution in the photolithography process, and metal contamination monitoring. This wafer has very strict specifications for a specific usage, but looser specifications than the prime wafer.
测试晶圆片- 影印过程中用于颗粒计算、测量溶解度和检测金属污染的晶圆片。对于具体应用该晶圆片有严格的要求，但是要比主晶圆片要求宽松些。
Primary Orientation Flat - The longest flat found on the wafer.
主定位边- 晶圆片上最长的定位边。
Process Test Wafer - A wafer that can be used for processes as well as area cleanliness.
加工测试晶圆片- 用于区域清洁过程中的晶圆片。
Profilometer - A tool that is used for measuring surface topography.
表面形貌剂- 一种用来测量晶圆片表面形貌的工具。
Resistivity (Electrical) - The amount of difficulty that charged carriers have in moving throughout material.
电阻率（电学方面）- 材料反抗或对抗电荷在其中通过的一种物理特性。
Required - The minimum specifications needed by the customer when ordering wafers.
必需- 订购晶圆片时客户必须达到的最小规格。
Roughness - The texture found on the surface of the wafer that is spaced very closely together.
粗糙度- 晶圆片表面间隙很小的纹理。
Saw Marks - Surface irregularities
锯痕- 表面不规则。
Scan Direction - In the flatness calculation, the direction of the subsites. 扫描方向- 平整度测量中，局部平面的方向。
Scanner Site Flatness -
局部平整度扫描仪-
Scratch - A mark that is found on the wafer surface.
擦伤- 晶圆片表面的痕迹。
Secondary Flat - A flat that is smaller than the primary orientation flat. The position of this flat determines what type the wafer is, and also the orientation of the wafer.
第二定位边- 比主定位边小的定位边，它的位置决定了晶圆片的类型和晶向。
Shape -
形状-
Site - An area on the front surface of the wafer that has sides parallel and perpendicular to the primary orientation flat. (This area is rectangular in shape)
局部表面- 晶圆片前面上平行或垂直于主定位边方向的区域。
Site Array - a neighboring set of sites
局部表面系列- 一系列的相关局部表面。
Site Flatness -
局部平整-
Slip - A defect pattern of small ridges found on the surface of the wafer. 划伤- 晶圆片表面上的小皱造成的缺陷。
Smudge - A defect or contamination found on the wafer caused by fingerprints.
污迹- 晶圆片上指纹造成的缺陷或污染。
Sori -
Striation - Defects or contaminations found in the shape of a helix.
条痕- 螺纹上的缺陷或污染。
Subsite, of a Site - An area found within the site, also rectangular. The center of the subsite must be located within the original site.
局部子表面- 局部表面内的区域，也是矩形的。子站中心必须位于原始站点内部。
Surface Texture - Variations found on the real surface of the wafer that deviate from the reference surface.
表面纹理- 晶圆片实际面与参考面的差异情况。
Test Wafer - A silicon wafer that is used in manufacturing for monitoring and testing purposes.
测试晶圆片- 用于生产中监测和测试的晶圆片。
Thickness of Top Silicon Film - The distance found between the face of the top silicon film and the surface of the oxide layer.
顶部硅膜厚度- 顶部硅层表面和氧化层表面间的距离。
Top Silicon Film - The layer of silicon on which semiconductor devices are placed. This is located on top of the insulating layer.
顶部硅膜- 生产半导体电路的硅层，位于绝缘层顶部。
Total Indicator Reading (TIR) - The smallest distance between planes on the surface of the wafer.
总计指示剂数(TIR) - 晶圆片表面位面间的最短距离。
Virgin Test Wafer - A wafer that has not been used in manufacturing or other processes.
原始测试晶圆片- 还没有用于生产或其他流程中的晶圆片。
Void - The lack of any sort of bond (particularly a chemical bond) at the site of bonding.
无效- 在应该绑定的地方没有绑定（特别是化学绑定）。
Waves - Curves and contours found on the surface of the wafer that can be seen by the naked eye.
波浪- 晶圆片表面通过肉眼能发现的弯曲和曲线。
Waviness - Widely spaced imperfections on the surface of a wafer.
波纹- 晶圆片表面经常出现的缺陷。
14 化学常用缩写词（Abbreviation） A a = active；activity 活性；活度 a = atto- 渺；阿（托）；微微微［10-18） A = absorbance 吸光度 A = ampere 安培（电） AA = aminoacid analyzer 氨基酸分析器 AA = atomic absorption 原子吸收（法） AAD = atomic absorption detector 原子吸收检测器 AAS = atomic absorption spectrometry 原子吸收光谱法 A．A．S．= alkyl aryl sulphonate 磺酸烷基芳基酯 ABCD = automatic basellne drift correction 自动基线漂移校正 abnml = abnormal 反常的；异常的 abr．= abridged；abridg（e）ment 节略的；摘要 ahs．= absolute 绝对的 ahs．= absorption 吸收 ahs．E = absolute error 绝对误差 ABS = acrylonitrile-butadlene-styrene ABS树脂；丙烯睛-丁二烯-苯乙烯共聚物ABS = alkylbenzene sulfonate 烷基苯磺酸盐 abs．visc = absolute viscosity 绝对粘度 ac．= acid 酸 ac．= active；activity 活性；活度 ac．a．；AC．A．= acetic acid 乙酸 a．c．；A．C．= alternating current 交流（电） A．Ch．S．= American Chemical Society 美国化学学会 ACI = allowable concentration Index 容许浓度指数 acid．= acidification；acidified；acidify 酸化；酸化丁的 ACS；A．C．S．= American Chemical Society 美国化学学会 act．= active ；activity 活性；活度 act．std = actual standard 现行标准 activ．= activated 活性的 AD = automatic detection 自动检测 ADC = ascending-descending chromatographv 升降色谱（法） addl；addnl = additional 附加的 addn-（l）= addition（al）加入；加合；加成；附加的 ADI = acceptable daily intake 日容许摄入量 adj．= adjustment 校准；调节 ADP = adenosine diphosphate 腺苷二磷酸
第一章 半导体器件基础测试题（高三） 姓名 班次 分数 一、选择题 1、N 型半导体是在本征半导体中加入下列 ___________ 物质而形成的。 A 、电子； B 、空穴； C 、三价元素； D 、五价元素。 2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是 A 、掺杂的工艺； B 、杂质的浓度: C 、温度； D 、晶体的缺陷。 3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是 _______________ 。 A 、发射结正偏、集电结反偏； B 、发射结正偏、集电结正偏; C 、发射结反偏、集电结正偏； D 、发射结反偏、集电结反偏; 4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是 _____________________ 。 A 、发射结正偏、集电结反偏； B 、发射结正偏、集电结正偏; C 、发射结反偏、集电结正偏； D 、发射结反偏、集电结反偏; 5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是 A 、发射结正偏、集电结反偏； C 、发射结反偏、集电结正偏； 6、理想二极管组成的电路如下图所示，其 A 、一 12V ； B 、一 6V ； C 、+6V ； D 、+12V 。 7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是 __________________ 。 A 、运用它的反向特性； B 、锗管使用在反向击穿区； C 、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域； D 、都使用正向区域。 8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是 _______________________ A 、 用万用表的R X 100或R X 1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转; B 、 用万用表的R X 10K 的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转； C 、 用万用表的R X 100或R X 1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转; D 、用万用表的R X 10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转; 9、电路如下图所示，则 A 、B 两点的电压正确的是 ________________ B 、发射结正偏、集电结正偏; D 、发射结反偏、集电结反偏; AB 两端的电压是 _____________
半导体工艺英语名词解释 CMP CMP 是哪三个英文单词的缩写 答：Chemical Mechanical Polishing (化学机械研磨) CMP是哪家公司发明的 答：CMP是IBM在八十年代发明的。 简述CMP的工作原理 答：化学机械研磨是把芯片放在旋转的研磨垫(pad)上，再加一定的压力，用化学研磨液(slurry)来研磨的。为什幺要实现芯片的平坦化 答：当今电子元器件的集成度越来越高，例如奔腾IV就集成了四千多万个晶体管，要使这些晶体管能够正常工作，就需要对每一个晶体管加一定的电压或电流，这就需要引线来将如此多的晶体管连接起来，但是将这幺多的晶体管连接起来，平面布线是不可能的，只能够立体布线或者多层布线。在制造这些连线的过程中，层与层之间会变得不平以至不能多层迭加。用CMP来实现平坦化，使多层布线成为了可能。 CMP在什幺线宽下使用 答：CMP在微米以下的制程要用到。 什幺是研磨速率（removal rate） 答：研磨速率是指单位时间内研磨膜厚度的变化。 研磨液(slurry)的组成是什幺 答：研磨液是由研磨颗粒(abrasive particles)，以及能对被研磨膜起化学反应的化学溶液组成。 为什幺研磨垫(Pad)上有一些沟槽(groove) 答：研磨垫上的沟槽是用来使研磨液在研磨垫上达到均匀分布，使得研磨后芯片上的膜厚达到均匀。 为什幺要对研磨垫进行功能恢复(conditioning) 答：研磨垫在研磨一段时间后，就有一些研磨颗粒和研磨下来的膜的残留物留在研磨垫上和沟道内,这些都会影响研磨液在研磨垫的分布,从而影响研磨的均匀性。 什幺是blanket wafer 什幺是pattern wafer 答：blanket wafer 是指无图形的芯片。pattern wafer 是指有图形的芯片。
《党政领导干部选拔任用工作条例》知识测试题（二） 姓名：单位： 职务：得分： 一、填空题（每题1分，共20分）： 1、《党政领导干部选拔任用工作条例》于年月发布。 2、《党政领导干部选拔任用工作条例》是我们党规范选拔任用干部工作的一个重要法规，内容极为丰富，共有章条。 3、干部的四化是指革命化、知识化、年轻化、专业化。 4、，按照干部管理权限履行选拔任用党政领导干部的职责，负责《条例》的组织实施。 5、党政领导班子成员一般应当从后备干部中选拔。 6、民主推荐部门领导，本部门人数较少的，可以由全体人员参加。 7、党政机关部分专业性较强的领导职务实行聘任制△I称微分电阻 RBB---8、政协领导成员候选人的推荐和协商提名，按照RE---政协章程和有关规定办理。 Rs(rs----串联电阻 Rth----热阻 结到环境的热阻
动态电阻 本机关单位或本系统 r δ---衰减电阻 r(th--- Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间 、对决定任用的干部，由党委（党组）指定专人同本人 tg---电路换向关断时间 12 Tj---和不同领导职务的职责要求，全面考察其德能勤绩廉toff---。 tr---上升时间13、民主推荐包括反向恢复时间 ts---存储时间和温度补偿二极管的贮成温度 p---发光峰值波长 △λ η---
15、考察中了解到的考察对象的表现情况，一般由考察组向VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降 VFM---最大正向压降（正向峰值电压） 、正向压降（正向直流电压） △政府、断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---17、人民代表大会的临时党组织、人大常委会党组和人大常委会组成人员及人大代表中的党员，应当认真贯彻党委推荐意见 VGRM---门极反向峰值电压，带头（AV 履行职责交流输入电压 最大输出平均电压
[英语常见缩写词整理]常见的的英语缩写大全 AD,A.DAnno Domini(=in the year of the) Lord;since Christ wasborn 公元 A.M.,a.m.ante meridiem(before noon)上午，午前 Apr. April 四月 Aug.August八月 Ave.avenue林荫道，大街 BABachelor of Arts文科学士 BC，B.C.before Christ公元前 BS，BScBachelor of Science理科学士 C°，Centigrade摄氏度 cubic centimeter立方厘米
CDpact disk光盘，激光唱片 cf.confer(=pare)试比较;参看 cmcentimeter厘米 Co.pany公司 c/ocare of由…转交 cp.pare比较 Dec.December十二月 dept.,Dept.department部，司，局，系 Dr.doctor博士;医生 e.g.exempli gratia(=for example)例如 esp.especially尤其是
et al.et alia(=and others)其他的 etc.et cetera(=and the rest)等等 FFahrenheit华氏的 Feb.February二月 ftfoot,feet英尺 g,gm.gram克 GMTGreenwich Mean Time格林威治时间 hr.hour小时 IDidentification card __ i.e.id est(=that is)那就是，即 in.inch英寸
半导体行业的英文单词和术语 A 安全地线safe ground wire 安全特性security feature 安装线hook-up wire 按半周进行的多周期控制multicycle controlled by half-cycle 按键电话机push-button telephone set 按需分配多地址demand assignment multiple access(DAMA) 按要求的电信业务demand telecommunication service 按组编码encode by group B 八木天线Yagi antenna 白噪声white Gaussian noise 白噪声发生器white noise generator 半波偶极子halfwave dipole 半导体存储器semiconductor memory 半导体集成电路semiconductor integrated circuit 半双工操作semi-duplex operation 半字节Nib 包络负反馈peak envelop negative feed-back 包络延时失真envelop delay distortion 薄膜thin film 薄膜混合集成电路thin film hybrid integrated circuit 保护比（射频）protection ratio (RF) 保护时段guard period 保密通信secure communication 报头header 报文分组packet 报文优先等级message priority 报讯alarm 备用工作方式spare mode 背景躁声background noise 倍频frequency multiplication 倍频程actave 倍频程滤波器octave filter 被呼地址修改通知called address modified notification 被呼用户优先priority for called subscriber 本地PLMN local PLMN 本地交换机local exchange 本地移动用户身份local mobile station identity ( LMSI) 本地震荡器local oscillator
土建专业常用英文词汇(较完整版) A-frame A型骨架水泥cement 粉煤灰pulverized fuel ash 碎石broken stone cracked sto ne A-truss A型构架供应量supply 外加剂admixture cement additive abrasion 磨耗；磨蚀桩的平面布置pile layo ut 伸缩接头expansion joint 稀释沥青cut back bitumen abrasive cut-off machine 磨切机回填backfill 摩擦角an angle of frictio n 颗粒材料granular fill abrasive grinding machine 磨机(火石机) 颗粒层granular layer 立方码cubic yard abrasive particle 磨粒psi ＝po und/square inch 英制压力单位Psi具体单位是“lb/in2”, 就是“磅/平方英寸”路堤embankment 粗滤层coarse fliter abso rptio n 吸收ingredients 组成部分，成分，原料；要素，因素job mix formula 工地配合比abutment 桥台；拱座sampling 抽样frequency of test 检测频率 abutting end 邻接端co mpliance with 遵守符合co nform to 遵照符合acceleratio n 加速 in accordance with 依照与…一致wet cohesion 湿粘聚力Asphalt Binder 沥青胶泥 acceleratio n lane 加速车道potholes 坑洞locatio n 现场 acceleratio n pedal 加速器踏板reno mattress 石笼垫层splash pad 冲刷层geo-textile 土工布accelerato r 催凝剂；加速器；催化剂free drainage 自由排水 acceptance criteria 接受准则 access 通路；通道 access door 检修门；通道门 access lane 进出路径 access panel 检修门 access point 入口处；出入通道处 access ramp 入口坡道；斜通道 access ro ad 通路；通道 access shaft 竖井通道 access spiral loop 螺旋式回旋通道 access staircase 通道楼梯 access step 上落踏板；出入踏板 access tunnel 隧道通道 accessible roof 可到达的屋顶；有通道的屋顶 accessory 附件；配件 accident 事故；意外 accidental collapse 意外坍塌 acco mmodate 装设；容纳 accredited private laborato ry 认可私营实验室 accumulato r 储压器；蓄电池 accuracy limit 准确度极限 acetylene cylinder 乙炔气(风煤)樽 acid plant 酸洗设备；酸洗机 acid pump 酸液泵 acid tank 酸液缸 aco ustic co uplant 声耦合剂 aco ustic co upler 声耦合器 aco ustic lining 隔音板
《模拟电子技术基础》 （教案与讲稿） 任课教师：谭华 院系：桂林电子科技大学信息科技学院电子工程系 授课班级：2008电子信息专业本科1、2班 授课时间：2009年9月21日------2009年12月23日每周学时：4学时 授课教材：《模拟电子技术基础》（第4版） 清华大学电子学教研组童诗白华成英主编 高教出版社 2009
第一章常用半导体器件 本章内容简介 半导体二极管是由一个PN结构成的半导体器件,在电子电路有广泛的应用。本章在简要地介绍半导体的基本知识后，主要讨论了半导体器件的核心环节——PN 结。在此基础上，还将介绍半导体二极管的结构、工作原理,特性曲线、主要参数以及二极管基本电路及其分析方法与应用。最后对齐纳二极管、变容二极管和光电子器件的特性与应用也给予简要的介绍。 （一）主要内容: ?半导体的基本知识 ?PN结的形成及特点，半导体二极管的结构、特性、参数、模型及应用电 路 （二）基本要求: ?了解半导体材料的基本结构及PN结的形成 ?掌握PN结的单向导电工作原理 ?了解二极管（包括稳压管）的V-I特性及主要性能指标 （三）教学要点： ?从半导体材料的基本结构及PN结的形成入手，重点介绍PN结的单向导 电工作原理、 ?二极管的V-I特性及主要性能指标 1.1 半导体的基本知识 1.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。导电性能介于导体与绝缘体之间材料，我们称之为半导体。在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等；以及掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（B）、磷（P）、锢（In）和锑（Sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。 半导体有以下特点： 1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间 2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。 3．在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。
ACTIVE AREA主动区(工作区) 主动晶体管(ACTIVE FRANSISTOR)被制造的区域即所谓的主动区(active area)在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由，一层氮化硅光罩及等接氮化硅蚀刻之后的局部特区氧化(LOCOS OXIDATION)所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤．所以Active AREA 会受到鸟嘴(BIRD’S BEAK)之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来得小以长0.6UM 之场区氧化而言大概会有O.5 UM之BIRD'S BEAK存在也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩定义之区域小O.5UM Acetone丙酮 1.丙碗是有机溶剂的一种，分子式为CH30HCH3 2.性质：无色，具剌激性薄荷臭味之液体 3.用途：在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭 4﹒毒性：对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、念心、呕吐、目眩、意识不明等。 5﹒允许浓度:1000ppm ADI显影后检查 After Developing Inspection之缩写 目的：检查黄光室制程;光阻覆盖→对准→曝光弓显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良‥‥等即予修改(Rework)﹒以维产品良率、品质。 方法：利用目检、显微镜为之。 AEI蚀刻后检查 1. AEI 即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除、前反光阻去除后，分别对产品实施主检或抽样检查。 2. AEI之目的有四： 2-1提高产品良率，避免不良品外流。 2-2达到品质的一致性和制程之重复性。 2-3显示制程能力之指针。 2-4防止异常扩大，节省成本 3. 通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少做修改。因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。生产成本增高，以及良率降低之缺点。Air Shower空气洗尘室 进入洁净室之前，须穿无尘衣，因在外面更衣室之故﹒无尘衣上沽着尘埃，故进洁净室之前﹒须经空气喷洗机将尘埃吹掉。 Alignment对准 目的：在IC的制造过程中，必须经过6至10次左右的对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。
常用工程英语词汇 Construction Site 建筑工地 Apologize for any inconvenience caused during building operation 对施工期间带来的不便表示歉意。 Danger of death. Keep out. 生命危险，严禁入内。 Danger，building site, keep out 工地危险，禁止入内。 Danger，evacuation 危险,请走开 Dangerous structure, this bridge is unsafe 危险结构，该桥不安全。 Hot work in progress 正在施工 No persons allowed beyond this point 任何人不许越过此处。 Safety footwear.穿安全靴 Safety helmets must be worn on this site 此工地必须戴安全帽。 Site entrance, dangerous 工地入口，危险 Slow, site entrance 工地入口请慢行 This button has been moved for remedial work 该按钮已卸下拿去修理。 This is just for construction personnel 仅供施工人员使用。 This lift is only for construction personal 此电梯仅供施工人员使用。 This work will be completed by the end of this year. Thank you fo r your patience during the inevitable disruption 此工程于年底完工，感谢你施工期间的宽容大度。 We apologize for any inconvenience caused during this works 对施工期间引起的不便表示歉意。 Working overhead 上面在施工
APEC英文Asian-Pacific Economic Cooperation的缩写，即亚太经济合作组织。 AQ英文Adversity Quotient的缩写，逆境商数，指一个人处理逆境的能力。 ATM英文Automatic Teller Machine的缩写，即自动柜员机，又称自动取款机。 BBS英文Bulletin Board System的缩写，公告牌系统或电子公告板。 BSS英文Base Station System的缩写，即基站系统，指移动通信中的空中接口部分。 CARM英文Chinese Association of Rehabilitation Medicine的缩写，即中国康复医学会。 CATV英文Cable Television的缩写，即有线电视。 CBD英文Central Business District的缩写，又称中央商务区。 CCEL英文China Certification Committee for Environment Labelling Production的缩写，即中国环境标志产品认证委员会。 CD-ROM英文Compact Disk-Read Only Memory的缩写，即光盘只读存储器，也就是人们常说的光驱。CEO英文Chief Executive Officer的缩写，即首席执行官。 CET英文College English Test的缩写，即大学英语测试。 CFO英文Chief Finance Officer的缩写，即首席财务主管。 CGFNS英文Commission on Graduates of Foreign Nuring Schools的缩写，即外国护士毕业生委员会。CGO英文Chief Government Officer的缩写，即首席沟通主管，主要负责与政府机构之间的交流与沟通。ChinaNET英文Chian Network的缩写，即中国公用计算机网，它是政府建立的计算机网络之一，与之相对应的有中国教育网等。 CI英文Corporate Identity的缩写，即企业形象统一战略，指对企业的独特性和目标加以明确化和统一化，并在企业内外公众之中为建立这种印象而开展的有组织的活动。 CID英文Central Information District的缩写，即中央信息区。 CIO英文Chief Information Officer的缩写，即首席信息主管，国内某些机构也称信息中心主任。它是企业信息化发展到一定程度的必然产物，基本上代表企业的信息化程度。 CPA英文Certified Public Accountant的缩写，即注册会计师，指依法取得注册资金会计师证书并接受委托，从事审计和会计咨询、会计服务业务的执业人员。 CPI英文Consumer Price Index的缩写，即全国居民消费价格指数。 CPU英文Central Processing Unit的缩写，又称微处理器，由集成度较高的集成电路芯片组成的大规模和超大规模集成电路，包括运算器和控制器两部分。 CS英文customer satisfaction的缩写，指企业为了使顾客完全满意自己的产品或服务，综合、客观地测定顾客的满意程度，并根据调查分析结果，促使整个企业一体来改善产品、服务及企业 文化的一种经营战略。 CSCL英文computer-supported Collaborative Learning的缩写，是一种利用计算机技术(尤其是多媒体网络技术)来辅助和支持的协作学习。 CTO英文Chief Technology Officer的缩写，即首席技术主管。
1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺? 答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。 2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义? 答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋. 3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？ 答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。 4. 我们为何需要300mm? 答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低 200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍 5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？ 答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。 6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？ 答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从0.35um -> 0.25um -> 0.18um ->
0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer? 答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂 positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。 8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)？ 答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。 9. 一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义？ 答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般0.15um 的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而 光罩层数（mask layer）代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO（光刻）. 10. Wafer下线的第一道步骤是形成start oxide 和zero layer? 其中start oxide 的目的是为何？ 答：①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si 表面。 ②在laser刻号过程中,亦可避免被产生的粉尘污染。 11. 为何需要zero layer? 答：芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的, 各层次之间以zero layer当做对准的基准。 12. Laser mark是什幺用途? Wafer ID 又代表什幺意义? 答：Laser mark 是用来刻wafer ID, Wafer ID 就如同硅片的身份证一样,一个ID代表一片硅片的身份。 13. 一般硅片的制造(wafer process)过程包含哪些主要部分？ 答：①前段（frontend）-元器件(device)的制造过程。 ②后段（backend）-金属导线的连接及护层（passivation） 14. 前段（frontend）的工艺大致可区分为那些部份? 答：①STI的形成(定义AA区域及器件间的隔离)
PO，Purchase order,采购订单 TBE，To be executed,待执行or Technic bidding evaluation 技术标评价ANSI=American national standard insititute 美国标准化组织 AMSE=American society of Mechanical Engineers 美国机械工业工程协会 BWD=ButtWeld 对焊 SWF=Female socketwelding 内承插 TVB=Pipe or tube 管子 VENT=open to vent 放空口 SCF=Screwed Female 内螺纹 SCM=Screwed Male 外螺纹 SWM=Male Socketwelding 外承插焊 DP=Damper 风门 EJ=Expation Joint 膨胀节 FH=Flanged Hose 法兰连接软管 HC=Hose Coupling 软管活接头 RO=Restrict Orifice 限流孔板 RP=Rupture Plate 爆破板 RV=relief Valve 减压阀 SG=Sight Glass 视镜 SS=Safety shower & Eye Washer 安全淋浴洗眼器 ST=Steam Trap 疏水阀 STR=Strainer 过滤器 SV=Safety Valve 安全阀
TS=Temporary Strainer 临时过滤器 SL=Silencer 消音器 SP=Special Items 特殊管件 SY=Stack Yard 渣场 ESD=Emergency Shutdown System 紧急停车系统 DW=feeD Water 生活水 WFR=Fresh Water 新鲜水 FW=Fire protection Water 消防水 OD=Oiled Drain 含油废水 SD=Sewerage Drain 污水 CWSU=Cooling Water Supply 冷却循环给水 CWRT=Cooling Water Return 冷却循环回水 PA=Phoshoric Acid 磷酸 SO=seal oil 密封油 UR=urea 尿素 AA=Atmospheric Air FL=Flare gas 火炬气体 FLG=Flue Gas 烟道气 FG=Fuel GAS 燃料气 OFR=For Review 供审查 OFA=For Approval 供批准 ACF=Advancede Certified Final Drawing 最终确定版图纸
常用英文缩略词 1.表示各种组织或机构的缩略词 2.表示各种系统的缩略词 BBS(Bulletin Board System)电子布告栏系统或(Bulletin Board Service)电子布告服务 GPS(Global Position System)全球定位系统 GSM(Global System for Mobile Communications)全球移动通信系统 CIMS(Computer Integrated Manufacturing System)计算机集成制造系统 DOS(Disc Operating System)磁盘操作系统 ITS(Intelligent Transportation System)智能交通系统 NMD(National Missile Defense)国家导弹防御系统 TMDE(Test,Measure and Diagnostic Equipment)试验、测量与诊断设备 NASDAQ(National Association of Securities Dealers Automated Quotation)纳斯达克，<美>全国证券交易商自动报价系统协会 3.有关职务或学位的缩略词 CEO(Chief Executive Officer)首席执行官 CFO(Chief Finance Officer)首席财务官 CIO(Chief Information Officer)首席信息官 COO(Chief Operating Officer)首席运行官 CTO(Chief Technology Officer)首席技术官 CPA(Certified Public Accountant)注册会计师 MBA(Master of Business Administration)工商管理硕士 MPA(Master of Public Administration)公共管理硕士 4.有关金融方面的缩略词 ATM(Automated Teller Machine)自动取款(出纳)机 CBD(Central Business District)中央商务区 GDP(Gross Domestic Product)国内生产总值 GNP(Gross National Product)国民生产总值 5.有关考试方面的缩略词 CET(College English Test)大学英语等级考试 GRE(Graduate Record Examination)美国研究生入学考试PETS(Public English Test System)全国英语等级考试 6.其他方面的缩略词 AIDS(Acquired Immune Deficiency Syndrome)获得性免疫功能丧失综合症，即艾滋病 AM(Amplitude Modulation)调幅 APC(aspirin,phenacetin and caffeine;compound aspirin;heat-relieving and pain-killing medicine consisting of aspirin,phenacetin and caffeine)复方阿斯匹林phenacetin[医]非那西汀；乙酰对氨苯乙醚（解热镇痛剂）API(Air Pollution Index)空气污染指数 CDMA(Code Division Multiple Access)码分多址，一种无线电发射和接受方式 CD(Compact Disc)激光唱盘 CIP(Cataloguing in Publication)预编目录 DIY(Do It Yourself)指自己动手装电脑，缝制衣服，做贺卡等 DVD(Digital Video Disc)数字化视频光盘 EMS(Express Mail Service)邮政特快专递 EQ(Emotional Quotient)情商 IQ(Intelligence Quotient)智商 IT(Information Technology)信息技术 OA(Office Automation)办公自动化 OEM(Original Equipment Manufacturer)原始设备制造商PC(Personal Computer)个人计算机 PT(Particular Transfer)特别转让 SOHO(Small Office Home Office)小型家居办公室 SOS(Save Our Souls;radio signal once used universally to appeal for help esp.by a ship or boat;urgent request for help from sb.in trouble)国际上曾通用的紧急呼救信号，也用于一般的求救或求助 ST(Special Treatment)特别处理 VIP(Very Important Person)要人 VOD(Video on Demand)视频点播 7、聊天常用英语缩略词 ASAP As soon as possible尽快 BF Boyfriend男朋友 BTW By the way随便说一下 BBL Be back later稍后回来 BRB Be right back很快回来 CU See you再见 CUL See you later下次再会 DIIK Damned if I known我真的不知道 DS Dunce smiley笨伯 FE For example举例 FTF Face to face面对面 FYI For your information供参考 GF girlfriend女朋友 IAE In any event无论如何 IC I see我明白 ILY I love you我爱你 IMHO In my humble opinion依愚人之见 IMO In my opinion依我所见 IOW In other words
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统 4. Acid：酸 5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大） 6. Align mark(key)：对位标记 7. Alloy：合金 8. Aluminum：铝 9. Ammonia：氨水 10. Ammonium fluoride：NH4F 11. Ammonium hydroxide：NH4OH 12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模拟的 14. Angstrom：A（1E-10m）埃 15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） 16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） 18. Antimony(Sb)锑 19. Argon(Ar)氩 20. Arsenic(As)砷 21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher：去胶机 24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） 25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） 26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） 27. Baseline：标准流程 28. Benchmark：基准 29. Bipolar：双极 30. Boat：扩散用（石英）舟 31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip：碎片或芯片。 36. CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 37. Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。 38. Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
结构工程常用英语词汇 混凝土：concrete 钢筋：reinforcing steel bar 钢筋混凝土：reinforced concrete（RC） 钢筋混凝土结构：reinforced concrete structure 板式楼梯：cranked slab stairs 刚度：rigidity 徐变：creep 水泥：cement 钢筋保护层：cover to reinforcement 梁：beam 柱：column 板：slab 剪力墙：shear wall 基础：foundation 剪力：shear 剪切变形：shear deformation 剪切模量：shear modulus 拉力：tension 压力：pressure 延伸率：percentage of elongation 位移：displacement 应力：stress 应变：strain 应力集中：concentration of stresses 应力松弛：stress relaxation 应力图：stress diagram 应力应变曲线：stress-strain curve 应力状态：state of stress 钢丝：steel wire 箍筋：hoop reinforcement 箍筋间距：stirrup spacing 加载：loading 抗压强度：compressive strength 抗弯强度：bending strength 抗扭强度：torsional strength 抗拉强度：tensile strength 裂缝：crack 屈服：yield 屈服点：yield point 屈服荷载：yield load 屈服极限：limit of yielding 屈服强度：yield strength 屈服强度下限：lower limit of yield 荷载：load 横截面：cross section 承载力：bearing capacity 承重结构：bearing structure 弹性模量：elastic modulus 预应力钢筋混凝土：prestressed reinforced concrete 预应力钢筋：prestressed reinforcement 预应力损失：loss of prestress 预制板：precast slab 现浇钢筋混凝土结构：cast-in-place reinforced concrete 双向配筋：two-way reinforcement 主梁：main beam 次梁：secondary beam 弯矩：moment 悬臂梁：cantilever beam 延性：ductileity受弯构件：member in bending 受拉区：tensile region 受压区：compressive region 塑性：plasticity 轴向压力：axial pressure 轴向拉力：axial tension 吊车梁：crane beam 可靠性：reliability 粘结力：cohesive force 外力：external force 弯起钢筋：bent-up bar 弯曲破坏：bending failure 屋架：roof truss 素混凝土：non-reinforced concrete 无梁楼盖：flat slab 配筋率：reinforcement ratio 配箍率：stirrup ratio 泊松比：Poisson’s ratio 偏心受拉：eccentric tension 偏心受压：eccentric compression 偏心距：eccentric distance 疲劳强度：fatigue strength 偏心荷载：eccentric load 跨度：span 跨高比：span-to-depth ratio 跨中荷载：midspan load 框架结构：frame structure 集中荷载：concentrated load 分布荷载：distribution load 分布钢筋：distribution steel 挠度：deflection 设计荷载：design load 设计强度：design strength