浆纱工序介绍
在经纱上施加浆料以提高其可织性的工艺过程。可织性是指经纱在织机上能承受经停片、综、筘等的反复摩擦、拉伸、弯曲等作用而不致大量起毛甚至断裂的性能。未上浆的单纱纤维互相抱合不牢,表面毛羽较多,难以织制。上浆后一部分浆液透入纤维之间，另一部分粘附在经纱表面。以浆液透入纤维之间为主的上浆称浸透性上浆，以浆液粘附在经纱表面为主的上浆称被覆性上浆。
经纱在织机上织造时，要受到综、筘、停经片等的反复摩擦作用和开口时大小不断变化着的张力作用。末浆的经纱，由于有许多毛羽露在纱的表面，因此在织机上受到摩擦和张力的反复作用时，纱上的毛羽就会松开、起毛，部分纤维与纱分离，最后会引起经纱断头，这样不仅增加了织机的断头率，降低了工人的看台数，还会影响棉布的质量。
为了减少织机上的断头率，经纱要经过上浆工程，使经纱具有较大的光滑度，坚牢度，上浆的过程就是几个经轴上的经纱并成一片，使其通过浆液，然后经过压榨、烘干、卷绕成织轴。
经过上浆后的经纱，由于浆液使四周突出的纤维粘附在纱的条干上，提高了纱的光滑度，同时浆液烘干后也在经纱上形成一层浆膜，增大了经纱的抗摩能力，另一方面浆液渗透到经纱内部把部分纤维互相粘着起来，当纱线受到拉伸时，台以阻碍纤维在纱线内的相互移动，从而提高了经纱的强力。
根据许多浆纱的横截面表明浆液渗入到经纱内部的深度是不大的，大部分浆液都被覆在纱的表面上。如果浆液完全不能渗透到纱线中去，那就只能在纱的表面形成一层浆膜，它粘在纱线上很脆弱，在织造过程中很容易脱落。如果浆液全部渗透到纱线中去，纱线中的大量纤维都粘着起来，这时纱的强度虽然增加许多，但纱的伸长度却会显著下降。因为伸长度决定于棉纱中的纤维的弯曲度及其相互之间的移动。上浆后，由于浆液渗入纱内，浆膜覆盖在纱的表面，以及毛茸的粘附，障碍了拉伸经纱时纤维在经纱内的自由移动。因此上浆后的经纱，其伸长度均有所下降。这样的浆纱在织造过程中，不能抵抗时刻变化着的负荷。经验证明，单纯追求浆涨强度的增加，其结果在一定限度后，织机的断头率不仅没有降低反而有所增加。因此，适当的增加纱的的强力，最大限度地保持经纱的弹性，减少经纱的毛茸现象和摩擦系数，这是上浆的基本要求。
一般情况下，经纱都要经过上浆，但有足够光滑度和强度的股线只须经过并轴工序即可，有的可作拖水处理。
浆纱工程包括两个工序：调浆工序（配制浆液）和上浆工序要把前沿液粘附在经纱上并加以烘干，然后卷绕在织轴上。
为了达到上浆纱机械的目的，对浆料浆纱机械的基本要求如下：1．对浆液和浆料的要求：
（1）浆液不仅应能桥头经纱的表面，同时还应能部分地渗透到纱的内部去，烘干后能在纱上形成一层浆膜。
（2）浆料应具有一定的吸湿性，不致使浆液凝固成为坚硬的薄膜，
而降低经纱的弹性和伸长。
（3）浆料应具有防腐性。
（4）浆料应不致操作经纱，综筘和机件。
（5）浆料应易于从织物上除去，不致影响漂洗和印染工程。
（6）浆液的性能应相应稳定。
（7）浆液应用价值低廉、货源充足的原料来配制，并尽可能的不采用主要粮食。
2．对浆纱机械的要求：
（1）应能保持一定的上浆率。
（2）应能保持一定的烘干回潮率，并使蒸汽消耗得最少。
（3）应能最大限度的保持经纱的弹性。
（4）速度高，产量高。
（5）机物料损耗少，回丝少，耗电少。
船舶建造工艺流程简要介绍 一、船舶建造工艺流程层次上的划分为： 1、生产大节点：开工——上船台（铺底）——下水（出坞）——航海试验——完工交船生产大节点在工艺流程中是某工艺阶段的开工期（或上一个节点的完工期），工艺阶段一般说是两个节点间的施工期。生产大节点的期限是编制和执行生产计划的基点，框定了船舶建造各工艺阶段的节拍和生产周期；节点的完成日也是船东向船厂分期付款的交割日。 2、工艺阶段：钢材予处理——号料加工——零、部件装配——分段装焊——船台装焊（合拢）——拉线镗孔——船舶下水——发电机动车——主机动车——系泊试验——航海试验——完工交船 3、以上工艺阶段还可以进一步进行分解。 4、是以上工艺阶段是按船舶建造形象进度划分的，造船工艺流程是并行工程，即船体建造与舾装作业是并行分道组织，涂装作业安排在分道生产线的两个小阶段之间，船体与舾装分道生产线在各阶段接续地汇入壳舾涂一体化生产流程。 二、船舶建造的前期策划 船舶设计建造是一项复杂的系统工程，在开工前船厂必须组织前期策划，一是要扫清技术障碍；二是要解决施工难点。 1、必须吃透“技术说明书”（设计规格书）。 技术说明书是船东提出并经双方技术谈判，以相应国际规范及公约为约束的船舶设计建造的技术要求。船厂在新船型特别是高附加值船舶的承接中必须慎重对待：必须搞清重要设备运行的采用标准情况、关键技术的工艺条件要求，特别是要排查出技术说明书中暗藏的技术障碍（不排除某些船东存有恶意意图）， 2、对设计工作的组织。 船舶设计工作分三阶段组织进行——初步设计、详细设计、生产设计。初步设计：是从收到船东技术任务书或询价开始，进行船舶总体方案的设计。提供出设计规格说明书、总布置图、舯剖面图、机舱布置图、主要设备厂商表等。详细设计：在初步设计基础上，通过对各个具体技术专业项目，进行系统原理设计计算，绘制关键图纸，解决设计中的技术问题，
扩散基本知识 一、半导体基本知识 太阳电池是用半导体材料硅做成的。容易导电的是导体，不易导电的是绝缘体，即不像导体那样容易导电又不像绝缘体那样不容易导电的物体叫半导体，譬如：锗、硅、砷化缘等。 世界上的物体都是由原子构成的，从原子排列的形式来看，可以把物体分成2大类，晶体和非晶体。晶体通常都有特殊的外形，它内部的原子按照一定的规律整齐地排列着；非晶体内部原子排列乱七八糟，没有规则；大多数半导体都是晶体。半导体材料硅是原子共价晶体，在晶体中，相邻原子之间是以共用电子结合起来的。硅是第四族元素，硅原子的电子层结构为2、8、4，它的最外层的四个电子是价电子。因此每个硅原子又分别与相邻的四个原子形成四个共价键，每个共价键都是相邻的两个原子分别提供一个价电子所组成的。 如果硅晶体纯度很高，不含别的杂质元素，而且晶体结构很完美，没有缺陷，这种半导体叫本征半导体，而且是单晶体。而多晶体是由许多小晶粒聚合起来组成的，每一晶体又由许多原子构成。原子在每一晶粒中作有规则的整齐排列，各个晶粒中原子的排列方式都是相同的。但在一块晶体中各个晶粒的取向（方向）彼此不同，晶粒与晶粒之间并没有按照一定的规则排列，所以总的来看，原子的排列是杂乱无章的，这样的晶体，我们叫它多晶体。 半导体有很特别的性质：导电能力在不同的情况下会有非常大的差别。光照、温度变化、适当掺杂都会使半导体的导电能力显著增强，尤其利用掺杂的方法可以制造出五花八门的半导体器件。但掺杂是有选择的，只有加入一定种类和数量的杂质才能符合我们的要求。 我们重点看一下硼和磷这两种杂质元素。硼是第三族主族元素，硼原子的电子层结构为2、3，由于硼原子的最外电子层只有三个电子，比硅原子缺少一个最外层电子，因此当硼原子的三个最外层价电子与周围最邻近的三个硅原子的价电子结合成共价键时，在与第四个最邻近的硅原子方向留下一个空位。这个空位叫空穴，它可以接受从邻近硅原子上跳来的电子，形成电子的流动，参与导电。硼原子在硅晶体中起着接受电子的作用，所以叫硼原子为受主型杂质。掺有受主型杂质的半导体，其导电率主要是由空穴决定的，这种半导体又叫空穴型或P型半导体。 磷是周期表中第五族元素，磷原子的电子层结构为2、8、5，它的最外层的五个电子是价电子。由于磷原子比硅原子多一个最外层电子，因此当磷原子的四个价电子与周围最邻近的四个硅原子的价电子形成共价键后，还剩余一个价电子。这个价电子很容易成为晶体中的自由电子参与导电。磷原子在硅晶体中起施放电子的作用，所以叫磷原子为施主型杂质。掺有施主型杂质的半导体，其导电率主要是由电子决定的，这种半导体又叫电子型半导体或n型半导体。 二、扩散基本知识 我们知道，太阳能电池的心脏是一个PN结。我们需要强调指出，PN结是不能简单地用两块不同类型（p型和n型）的半导体接触在一起就能形成的。要制造一个PN结，必须使一块完整的半导体晶体的一部分是P型区域，另一部分是N型区域。也就是在晶体内部实现P型和N型半导体的接
第三章 扩散工艺 在前面“材料工艺”一章，我们就曾经讲过一种叫“三重扩散”的工艺，那是对衬底而言相同导电类型杂质扩散。这样的同质高浓度扩散，在晶体管制造中还常用来作欧姆接触，如做在基极电极引出处以降低接触电阻。除了改变杂质浓度，扩散的另一个也是更主要的一个作用，是在硅平面工艺中用来改变导电类型，制造PN 结。 第一节 扩散原理 扩散是一种普通的自然现象，有浓度梯度就有扩散。扩散运动是微观粒子原子或分子热运动的统计结果。在一定温度下杂质原子具有一定的能量，能够克服某种阻力进入半导体，并在其中作缓慢的迁移运动。 一．扩散定义 在高温条件下，利用物质从高浓度向低浓度运动的特性，将杂质原子以一定的可控性掺入到半导体中，改变半导体基片或已扩散过的区域的导电类型或表面杂质浓度的半导体制造技术，称为扩散工艺。 二．扩散机构 杂质向半导体扩散主要以两种形式进行： 1．替位式扩散 一定温度下构成晶体的原子围绕着自己的平衡位置不停地运动。其中总有一些原子振动得较厉害，有足够的能量克服周围原子对它的束缚，跑到其它地方，而在原处留下一个“空位”。这时如有杂质原子进来，就会沿着这些空位进行扩散，这叫替位式扩散。硼（B ）、磷（P ）、砷（As ）等属此种扩散。 2．间隙式扩散 构成晶体的原子间往往存在着很大间隙，有些杂质原子进入晶体后，就从这个原子间隙进入到另一个原子间隙，逐次跳跃前进。这种扩散称间隙式扩散。金、铜、银等属此种扩散。 三． 扩散方程 扩散运动总是从浓度高处向浓度低处移动。运动的快慢与温度、浓度梯度等有关。其运动规律可用扩散方程表示，具体数学表达式为： N D t N 2?=?? （3-1） 在一维情况下，即为： 22x N D t N ??=?? （3-2） 式中：D 为扩散系数，是描述杂质扩散运动快慢的一种物理量； N 为杂质浓度； t 为扩散时间； x 为扩散到硅中的距离。 四．扩散系数 杂质原子扩散的速度同扩散杂质的种类和扩散温度有关。为了定量描述杂质扩散速度，引入扩散系数D 这个物理量，D 越大扩散越快。其表达式为： KT E e D D ?-=0 （3-3）
一．铸造成型 1.1收缩：铸造合金在液态、凝固态和固态的冷却过程中，由于温度降低而引起的体积减小的现象，称为收缩。 缩松缩孔：铸件在冷却和凝固过程中，由于合金的液态和凝固收缩，往往在铸件最后凝固的部分出现空洞。容积大而集中孔洞称为缩孔，细小而分散的孔洞称为缩松。 影响缩孔和缩松的因素及防止措施： 因素：浇筑温度，合金的结晶范围，铸型的冷却能力越大 防止措施：用顺序凝固方法 1.1.5铸造应力怎么产生的： 铸件凝固后在冷却过程中，由于温度下降将继续收缩。有些合金还会发生固态相变而引起收缩或膨胀，这导致铸件的体积和长度发生变化，若这种变化受到阻碍，就会在铸件内产生应力，称为铸造应力。 1.2砂型铸造 剖面示意图：上型下型，明冒口，出气冒口，浇口杯，型砂，砂箱，直浇道，横浇道，暗冒口，内浇口，型腔，型芯，分型面。 工艺流程！ 1.3金属型铸造 金属型铸造又称硬模铸造，它是将金属液浇入金属型中，以获得金属铸件的一种工艺方法。（永久型铸造） 1.4熔模铸造：熔模铸造又称失蜡铸造，通常是在蜡模表面涂上数层耐火材料，待其硬化干燥后，将其中的蜡模熔去而制成型壳，再经过焙烧，然后进行浇注，而获得铸件的一种方法。熔模铸造工艺（重点） 1.5压力铸造：在高压作用下，使得液态或半液态金属以较高的速度充填压铸模型腔，并在压力下成形和凝固。 1.6铸造工艺设计 1.6.2铸件结构的工艺性。 1.铸造结构形式：结构外形应方便起模，尽可能减少和简化分型面，铸件的内腔应尽量不用或少用型芯。 2.合理的铸件壁厚：铸件壁厚过小，易产生浇不到、冷隔等缺陷；壁厚过大，易产生缩孔、缩松、气孔等缺陷。壁厚应均匀。 3.铸件壁的链接：连接处或者转角处应有结构圆角。，厚壁与薄壁间的链接要逐步过渡。 4.铸件应尽量避免有过大的平面 1.6.4型芯设计的作用是形成铸件的内腔、孔洞、形状复杂阻碍取模部分的外形以及铸型中有特殊要求的部分。 1.6.5浇注系统设计：浇口杯，直浇道，横浇道，内浇道。 金属型的浇筑位置一般分为三种：顶注式、底注式和侧注式。 基本要求： 1.防止浇不足缺陷 2．液态金属平稳地流入型腔 3.能把混入合金液中的熔渣挡在浇筑系统中 4能够合理地控制和调节铸件各部分的温度分布，减少或消除缩松缩孔 5.结构简单，体积小
工序知识概要 在整个晶体内,原子都是周期性的规则排列,称之为单晶.由许多取向不同的单晶颗粒杂乱的排列在一起的固体称为多晶. 工序流程::装片-清洗-制绒-清洗-甩干-扩散-等离子刻蚀-去磷硅玻璃-甩干-镀膜-丝印-烧结-分类检测 清洗 利用氢氧化钠对多晶硅腐蚀的各向异性,争取表面反射率较低的表面结构. 单晶主要化学品:NaOH NaSiO3 HF HCL 异丙醇 多晶主要化学品：咯酸HF HCL 化学腐蚀的原理 热的NaOH溶液祛除硅片表面机械损伤层: Si+2NaOH+H2O====Na2SiO3+2H2 HF祛除硅片表面氧化层 SiO2+6HF=====H2[SiF6]+2H2O HCL祛除硅片表面金属杂质 盐酸具有酸和络合剂的双重作用,氯离子能与Pt2+ Au3+ Ag+ Cu+ Cd2+ Hg2+等金属离子形成可溶于水的络合物现有多晶硅片是又长方体晶锭在多线切割锯切成一片片多晶硅方片,由于切片是钢丝在金刚砂溶液作用下多次往返削切成硅片,金刚砂硬度很高,会在硅片表面带来一定的机械损伤. 如果损伤不祛除,会影响太阳电池的填充因子.
硅片扩散前的清洗腐蚀工序标准工时:44分钟 绒面的作用 为了提高单晶硅太阳电池的光电转换效率,工业生产中通常采用碱与醇的混合溶液对晶面的单晶硅片的各项异性腐蚀在表面形成类似”金字塔”状的绒面,有效增强硅片对入射太阳光的吸收,从而提高光生电流密度. 浓度高的氢氧化纳溶液与硅进行化学反应的速度加快,反应相同时间后,金字塔的体积更大.当氢氧化钠的浓度超过了一定的界限,溶液的腐蚀力度过强,绒面会越来越差,直至出现类似”抛光”的效果. 异丙醇在制绒液中起两点作用:一. 协助氢气泡的释放;二.可以减弱氢氧化钠对硅片的腐蚀力度. 氢氧化钠.硅酸钠与异丙醇的混合溶液对晶体硅进行腐蚀,可以制备出类似金字塔的结构表面。理想的绒面应是金字塔体积较小，大小均匀，覆盖率高。 制绒过程中易出现的问题有：绒面过大，或大小不均，绒面不良（绒面色斑教多，主要是脏污没有去掉），绒面雨点现象。绒面过大，可能是制绒槽中NaOH量过多，或者温度过高，造成初抛过后的大绒面没有很好的得到修复。绒面雨点现象：制绒过程中溶液配比不当，异丙醇易挥发，主要是靠它带走硅片反应后产生的氢气泡后，气泡内部有脏污，气泡不去掉，内部的脏污也无法溶于水，也就无法去掉，从而形成雨点状的脏污。另一方面，
粉末冶金工艺及材料基础知识介绍 粉末冶金是制取金属粉末并通过成形和烧结等工艺将金属粉末或与非金属粉末的混合物制成制品的加工方法，既可制取用普通熔炼方法难以制取的特殊材料，又可制造各种精密的机械零件，省工省料。但其模具和金属粉末成本较高，批量小或制品尺寸过大时不宜采用。粉末冶金材料和工艺与传统材料工艺相比，具有以下特点： 1．粉末冶金工艺是在低于基体金属的熔点下进行的，因此可以获得熔点、密度相差悬殊的多种金属、金属与陶瓷、金属与塑料等多相不均质的特殊功能复合材料和制品。 2．提高材料性能。用特殊方法制取的细小金属或合金粉末，凝固速度极快、晶粒细小均匀，保证了材料的组织均匀，性能稳定，以及良好的冷、热加工性能，且粉末颗粒不受合金元素和含量的限制，可提高强化相含量，从而发展新的材料体系。 3．利用各种成形工艺，可以将粉末原料直接成形为少余量、无余量的毛坯或净形零件，大量减少机加工量。提高材料利用率，降低成本。 粉末冶金的品种繁多，主要有：钨等难熔金属及合金制品；用Co、Ni等作粘结剂的碳化钨（WC）、碳化钛（TiC）、碳化钽（TaC）等硬质合金，用于制造切削刀具和耐磨刀具中的钻头、车刀、铣刀，还可制造模具等；Cu合金、不锈钢及Ni等多孔材料，用于制造烧结含油轴承、烧结金属过滤器及纺织环等。
1 粉末冶金基础知识 ⒈1 粉末的化学成分及性能 尺寸小于1mm的离散颗粒的集合体通常称为粉末，其计量单位一般是以微米（μm）或纳米（nm）。 1.粉末的化学成分 常用的金属粉末有铁、铜、铝等及其合金的粉末，要求其杂质和气体含量不超过1%～2%，否则会影响制品的质量。 2.粉末的物理性能 ⑴粒度及粒度分布
1条框类产品加工工艺简介 定义：条框类品指整体背胶或不背胶、且产品无拐角、成规则四边形的产品，典型产品如（端反：缓冲矽胶卖拉片） 工艺一：成型刀加工工艺——即直接开成型刀将产品模切成型，排废收卷或切片。 工艺二：步进刀加工工艺——即将条框产品分解成横刀+竖刀通过跳步进的形式将产品加工成型，排废后收卷或切片。 工艺三：条切加工工艺——即将产品通过横切刀切后（切到需要的条数切断），然后将产品旋转90度再次单刀模切排废。 工艺四：滚刀加工工艺——顾名思义利用滚刀将产品直接模切成型。 工艺五：切卷工艺——将胶带切成所需的宽度，多条复合上离型纸后切片。 2半背胶类产品加工工艺简介（贯通两边） 定义：半背胶类产品指——产品下面不是部分背胶，并且背胶方向和产品边缘成水平线并贯通，且胶与胶之间也水平，位置公差在±0.2以上的产品。 典型产品如（固定垫片） 工艺一：边复边冲——顾名思义用治具将材料复合后进行模切加工。 工艺二：模切AB胶——用A刀模将胶带的位置冲出来，然后用B模将产品的外型冲出来。 工艺三：套冲——同AB模类似并利用定位孔定位原理进行套冲，加工精度有很大的提高。3带耳朵类产品加工工艺简介 定义：带耳朵类产品指产品的上盖有突出拉把，并且在此区域无胶，典型产品如（网罩；垫圈巾布） 工艺一：上下模——即利用上模冲切外框；下模冲切耳朵部位，手工或利用机器将耳朵废去掉。 工艺二：A模+手工贴合+B模套冲——有多层材料复合并且中间有网布的产品，多用于此工艺，或直接用滚刀模切。
工艺三：1模成型+手工——此工艺多用于小批量生产的带耳朵的单层或多层胶带，胶的间距也不能太小。 工艺四：AB套冲——此工艺多用于大批量带耳朵的产品制作，并且间距可以相对小些的产品。 四边背胶类产品加工工艺简介 定义：四边背胶类产品是指离型或非离型材料下面背非规则形状的胶带（一般中间有空缺胶部分）的产品。 工艺一：一模成型+手工——此工艺多用于小批量生产制作，间距小的可以用跳步进的形式完成制作。（仅适用于离型类产品） 工艺二：AB套冲——此工艺多用于大批量产品制作，并且间距可以相对小些的产品。 工艺三：滚刀加工——此工艺是将套冲工艺的速度进一步提高，（一般受设备及加工精度的局限 反射类产品加工工艺简介 定义：反射类产品掼在BLU中起反射作用的膜片类产品，一般分为背胶类及非背胶类，背胶类反射片，一般工艺如下： 工艺一：AB套冲； 工艺二：边复边冲； 工艺三：冲切+手工贴合。 非背胶类反射片一般工艺如下： 工艺一：单体模切后手工检查包装； 工艺二：用弱粘性保护膜做底纸模切后包装； 工艺三：用弱粘性保护膜做底纸模切后排废然后用PE保护膜做上盖保护。 扩散类产品加工工艺简介 定义：扩散类产品指在BLU中起扩散作用的膜片类产品。一般制作工艺如下： 工艺一：单体模切后手工检查包装； 工艺二：用弱粘性保护膜做底纸模切后包装； 工艺三：用弱粘性保护膜做底纸模切后复合上PE保护膜做上盖保护； 工艺四：用弱粘性保护膜做底纸后排废然后用PE保护膜做上盖保护。
第三章 扩散工艺 在前面“材料工艺”一章,我们就曾经讲过一种叫“三重扩散”的工艺，那是对衬底而言相同导电类型杂质扩散。这样的同质高浓度扩散，在晶体管制造中还常用来作欧姆接触,如做在基极电极引出处以降低接触电阻。除了改变杂质浓度,扩散的另一个也是更主要的一个作用,是在硅平面工艺中用来改变导电类型,制造P Ｎ结。 第一节 扩散原理 扩散是一种普通的自然现象,有浓度梯度就有扩散。扩散运动是微观粒子原子或分子热运动的统计结果。在一定温度下杂质原子具有一定的能量,能够克服某种阻力进入半导体，并在其中作缓慢的迁移运动。 一.扩散定义 在高温条件下，利用物质从高浓度向低浓度运动的特性，将杂质原子以一定的可控性掺入到半导体中,改变半导体基片或已扩散过的区域的导电类型或表面杂质浓度的半导体制造技术,称为扩散工艺。 二．扩散机构 杂质向半导体扩散主要以两种形式进行： 1．替位式扩散 一定温度下构成晶体的原子围绕着自己的平衡位置不停地运动。其中总有一些原子振动得较厉害,有足够的能量克服周围原子对它的束缚，跑到其它地方,而在原处留下一个“空位”。这时如有杂质原子进来,就会沿着这些空位进行扩散，这叫替位式扩散。硼（B ）、磷(Ｐ)、砷(As)等属此种扩散。 ２.间隙式扩散 构成晶体的原子间往往存在着很大间隙,有些杂质原子进入晶体后，就从这个原子间隙进入到另一个原子间隙，逐次跳跃前进。这种扩散称间隙式扩散。金、铜、银等属此种扩散。 三． 扩散方程 扩散运动总是从浓度高处向浓度低处移动。运动的快慢与温度、浓度梯度等有关。其运动规律可用扩散方程表示,具体数学表达式为： N D t N 2?=?? （3-1） 在一维情况下,即为: 22x N D t N ??=?? （3-2) 式中:D 为扩散系数，是描述杂质扩散运动快慢的一种物理量; N 为杂质浓度; t 为扩散时间；