ROM、RAM、DRAM、SRAM、FLASH的区别？
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM 保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。
举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通过记录（通话记录保存在EEPROM中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。
FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦出可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM （EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader 以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。
目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一快的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的“闪盘”，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。
DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式。
SRAM，静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。
SDRAM，同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大。
但是读写速度不如SRAM，但是现在，SDRAM的速度也已经很快了，时钟好像已经有150兆的了。那么就是读写周期小于10ns 了。
所谓的PSRAM（Pseudo SRAM；PSRAM），在技术本质上即是用DRAM来乔装SRAM，所以才叫Pseudo（伪），那为何要用乔装呢？此其实与近年来手持式应用设计的兴起息息相关。
过去在一般性的嵌入式设计上，其内存部分多是使用SRAM，之后由于计算机等电子数据设备的成长，使设备内部所用的内存容量大幅增加，这时就难以使用SRAM来实现大容量的内存系统，而必须使用DRAM，DRAM每个位的记忆电路是以1个晶体管与1个电容所构成，相对于SRAM每个位需要4～6个晶体管才能构成，DRAM拥有比SRAM高4～6倍的记忆密度。
虽然DRAM在记忆密度、电路成本等方面优于SRAM，但DRAM也有不如SRAM的地方，SRAM是以持续供电的方式来记忆数据，所以运作上相当耗电，相对的DRAM实行刷新（Refresh）方式来持留住记忆内容，如此虽比较省电，但记忆数据的存取速度就不如SRAM。
此外，DRAM因为刷新电路、存取电路等设计，使的系统接口的线路较SRAM复杂，SRAM没有刷新电路且接口设计单纯、直觉，如此对电子工程师而言，除非真有SRAM无法满足的高容量、低用电等设计要求，否则都尽可能实行SRAM，因为SRAM的电路设计比DRAM简洁、容易。
正因为SRAM与DRAM有诸多特性是完全相左，以致多年来的应用范畴也各不相同，SRAM多用在少数容量的高速存取应用上，例如高速处理器的高速缓存、高速网络设备（如：路由器、交换机）的内存等。而DRAM就用在大量记忆需求的应用上，如激光打印机、高清晰数字电视等。
不过，在手持式应用的设计上，就同时需要DRAM与SRAM的特性，既需要SRAM的电路简洁特性（因为印刷电路板面积小，线路数能减少就少），又需要DRAM的低用电（因使用电池运作）。此外芯片用数也多在1、2个芯片左右，所以也不易同时使用DRAM芯片与SRAM芯片，只能择一而用。
既然只能择一而用，真正权衡取舍的结果是使用DRAM，但必须将DRAM的存取接口加以简化，作法是将刷新电路改成自行刷新（Self-Refresh），然后接口简化成兼容、近似原有SRAM的接口，如此就成了PSRAM，有时也称PSDRAM。
NAND型闪存又分为SLC和MLC两种类型。其区别在于每个储存单元储存信息的多寡。不同的结构决定了SLC的读写性能、寿命、可靠性较高，而MLC则在容量和成本方面占优势。
PSRAM标准各有技术阵营
PSRAM的概念是改变DRAM原有的存取接口设计，使其接口兼容于原有SRAM的存取接口，且在存取的时序等其它特性上也相类似。不过光有概念还是不够，各业者依然组成了联盟阵营，订立出自己依循的PSRAM规范及标准。
举例来说，由美国柏士（Cypress）、南韩EMLSI、日本Renesas（瑞萨）、台湾Etron（钰创）、南韩Hynix（海力士）、美国美光（Micron）、台湾京典硅旺（Enable）、德国Infineon（英飞凌）、南韩Silicon 7、以及台湾华邦电子（Winbond）等所组成的CellularRAM联盟，共同制订CellularRAM的标准，目前已有1.0版、1.5版标准的规范。
CellularRAM并非是唯一的PSRAM标准联盟，恩益禧（NEC）、日本富士通（Fujitsu）、日本东芝（Toshiba）等3家日系半导体业者也合组了CosmoRAM联盟，CosmoRAM的全称为「Common Specifications for Mobile RAM」，新版标准为Rev 4版。
营销称呼混淆技术分别
PSRAM除了有联盟阵营的标准差异外，另一个让现有电子工程师经常困扰的是PSRAM的名称，例如MoSys公司的独家硅智财技术：1T-SRAM就常被人以为是PSRAM，但其实两者有所不同，然确实PSRAM有时也被称为1T SRAM。
或者南韩的Silicon 7公司将PSRAM称为CCSRAM（CompactCell SRAM）来推行，或如南韩三星将PSRAM称为UtRAM等等，此外PSRAM也容易与Mobile-RAM、Mobile SRAM、Mobile SDRAM等相近称呼相混淆。另外CellularRAM阵营的业者有时也直接以CellularRAM来称呼PSRAM。
留心PSRAM业务的转移、改变
附带一提的，由于PSRAM的技术与价格竞争激烈，有些业者已纷纷退出这块市场，例如日本瑞萨（Renesas）就已经退出，并退出CellularRAM联盟，美国柏士半导体/赛普拉斯半导体（Cypress）也将PSRAM部门转售给台湾晶豪科技（Elite Semiconductor Memory Technology；ESMT），同时也与Renesas一样退出CellularRAM联盟，但接手的ESMT并没有新增成为该联盟的新会员。
另外德国忆恒/英飞凌（Infineon）将内存部门分立成奇梦达（Qimonda）后，也承接了原有在CellularRAM联盟中的会员身份，此外南韩海力士（Hynix）似乎也停止PSRAM的后续发展。此外日本东芝（Toshiba）委由台湾华邦电子（Winbond）代产PSRAM，以及欧洲意法半导体（STMicroelectronics；ST）也将PSRAM委交台湾茂德（ProMOS）代产，未来欧、美、日、韩的PSRAM业务都可能转至台湾，一方面过去台湾专长于SRAM，但PSRAM的出现将挤压原有SRAM的市场，为了保有原有的市场必然要跨入PSRAM。这些产业消长变迁信息，也是电子采购与工程设计人员所必须注意的。
美国柏士／赛普拉斯（Cypress）－CYK512K16SCCA
◆先进的低功耗MoBL（More Battery Life）架构。
◆高速运作性：55nS、70nS（奈秒）。◆宽裕的运作电压范畴：2.7～3.3V。
◆运作中的耗用电流（典型值）：2mA（工作频率为1MHz时）。◆运作中的耗用电流（典型值）：11mA（工作频率为最高频率时）。
◆待备（Stand-by）时低功耗。◆芯片未被选择到时自动进入低功耗（Power-Down）状态。◆适合手机之类的手持式应用。德国奇梦达（Qimonda）－HYE18P128160AF-12.5
◆1.8V的核心电压与I/O电压。◆合乎CellularRAM 1.0、1.5规范的标准。
◆针对无线应用而设计。◆可用「异步/分页模式」或「同步爆发」模式运作。
◆异步工作时的存取间隔为70nS/85nS。◆同步爆发（Sync burst）模式运作时可达66MHz/80MHz/104MHz。
◆免刷新（Refresh）的运作。◆直接在芯片上设置温度传感器。
美国美光（Micron）－MT45W8MW16BGX
◆合乎CellularRAM 1.5规范的标准◆支持异步、分页、以及爆发等模式的运作
◆随机存取时间：70nS◆合乎欧洲RoHS规范与大陆RoHS规范
◆核心电压工作范畴：1.7V～1.95V◆I/O电压工作范畴：1.7V～3.3V
◆适合的应用：医疗、商业与产业、车用、安全、行动、扫描仪◆适合的应用：导航定位、测试与量测、消费性手持式装置、电信
台湾钰创（Etron）－EM567168BC
◆记忆组织：2M x16。
◆快速的周期时间：55nS、70nS。
◆待备（Stand-by）状态下的用电：100uA。◆深度低功耗（Deep Power-Down）下的用电：10uA（数据不可存取）。
◆数据存取宽度的控制：LB#（DQ0～7）、UB#（DQ8～15）。◆相容于低功耗的SRAM（Low Power SRAM）。
◆单一的供电电压：3.0V正负0.3V。◆封装型态：48个接脚，FBGA封装，6x8mm尺寸。
南韩EMLSI－EM7164SU16
◆记忆组织：1M x16。
◆工作电压范畴：2.7V～3.3V。◆分立的I/O供电（VccQ）与核心供电（Vcc）。◆三态输出（高、低、浮接）。
◆透过#UB接脚、#LB接脚可控制字节（Byte）的读写。◆运用#ZZ接脚可支持直接深度低功耗（Direct Power Down）控制。
◆自动化的TCSR可节省用电。◆芯片封装方式：48个接脚，FPBGA封装，6.0x7.0尺寸。
南韩海力士（Hynix）－HY64UD16322M
◆记忆组织：2M x16。
◆CMOS制程技术。◆逻辑准位兼容于TTL，并具备三态（Tri-State）输出。
◆深度低功耗（Deep Power-Down）模式。◆标准的接脚组态配置：48个接脚，FBGA封装。
◆透过/LB、/UB接脚可行使数据屏蔽（Data Mask）功效。◆工作电压范畴：2.7V～3.3V。◆工作温度范畴：摄氏-25～85
或-40～85度。
南韩Silicon 7－SV6P3215UFB
◆标准的异步SRAM接口。◆已历验证的Silicon CompactCell SRAM可用于高密度、低功耗与成本取向的应用。
◆记忆组织：2M x16。◆工作电压范畴：2.7V～3.3V。
◆封装方式：48个接脚，FPGA封装。◆逻辑准位兼容于TTL，并具备三态（Tri-State）输出。
◆适合的应用：手机、PDA、以及其它用电池运用的消费性产品。◆运作上可选择正常（Normal）模式或双CS（Dual CS）模式。
南韩三星半导体（Samsung）－K1S56161CM
◆使用CMOS制程技术。◆记忆组织：16M x16。
◆内部的TCSR。◆工作电压范畴：2.7V～3.1V。◆存取间隔速度：70nS。
◆工作温度范畴：摄氏-40～85度。◆100%回溯兼容于SRAM接口。◆支持分页（Page）模式。
针对手机高容量存储的需求，Spansion公司推出了ORNAND架构，采用MirrorBit技术，具有每单位双比特/4比特的特点，一方面加大了存储容量，同时又具有很快的读取速度，还无需纠错，既具有了NAND的大容量，又具有了NOR的读取速度快的特点。目前，ORNAND架构容量可以达到1Gb，采用90nm工艺后，容量将达到2Gb。2007年，随着采用65nm QuadBit技术，容量可以达到8Gb。除了在3G手机市场里面，ORNAND还可以应用在嵌入式市场中的需要的存储卡应用，比如电子辞典、电子图书、MP3播放器、具有安全功能的USB、汽车导航等等应用。
iSuppli公司拆解的手机中还有一款是高端手机,这款手机采用了256M NOR闪存、128M pSRAM和1G的OneNAND闪存。另外,其中的一款中端手机还带有外接存储插槽。这些手机的存储方案均采用了多芯片封装。
三星电子此前开发的OneNAND目前已经得到广泛应用。它在一块芯片上整合了NAND存储内核和NOR控制接口，并直接加入高性能SRAM内存作为芯片的读写缓存。这种结构使整个芯片的性能指标接近NOR闪存，同时容量和成本指标与NAND闪存接近。
目前面世的闪存主要分为NOR型和NAND型两大类。NOR闪存有独立的地址线和数据线，速度较快，但是价格高，容量较小。NAND型闪存成本较低，容量大，但是速度较慢。
三星电子日前开发出了一款新型整合芯片，取名“OneDRAM”。它采用双接口结构，整合了通常被简称为RAM或系统内存的静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)。该芯片频率为133MHz，总容量为512Mbits。据外电报道，手机一类的嵌入式设备通常都包含了一个通用的处理器和一个用来处理特定任务的应用处理器，OneDRAM可以做为一个共享存储放置在它们中间，供它们同时使用。据三星称，OneDRAM分配给两者的空间可以动态调整。三星声称，它的这种设计结构将可以使耗电量减少30％，模块所占空间减少50％，手机和游戏机的运行速度可因此提高5倍。三星预计该产品2007年下半年即可引入到手机产品上。
（1）熔断器的安秒特性 熔断器的动作是靠熔体的熔断来实现的，当电流较大时，熔体熔断所需的时间就较短。而电流较小时，熔体熔断所需用的时间就较长，甚至不会熔断。因此对熔体来说，其动作电流和动作时间特性即熔断器的安秒特性，为反时限特性，如图所示。 图熔断器的安秒特性 每一熔体都有一最小熔化电流。相应于不同的温度，最小熔化电流也不同。虽然该电流受外界环境的影响，但在实际应用中可以不加考虑。一般定义熔体的最小熔断电流与熔体的额定电流之比为最小熔化系数，常用熔体的熔化系数大于1.25，也就是说额定电流为10A的熔体在电流12.5A以下时不会熔断。熔断电流与熔断时间之间的关系如表1-2所示。 从这里可以看出，熔断器只能起到短路保护作用，不能起过载保护作用。如确需在过载保护中使用，必须降低其使用的额定电流，如8A的熔体用于10A的电路中，作短路保护兼作过载保护用，但此时的过载保护特性并不理想。 表1-2熔断电流与熔断时间之间的关系 （2）熔断器的选择 主要依据负载的保护特性和短路电流的大小选择熔断器的类型。对于容量小的电动机和照明支线，常采用熔断器作为过载及短路保护，因而希望熔体的熔化系数适当小些。通常选用铅锡合金熔体的RQA系列熔断器。对于较大容量的电动机和照明干线，则应着重考虑短路保护和分断能力。通常选用具有较高分断能力的RM10和RL1系列的熔断器；当短路电流很大时，宜采用具有限流作用的RT0和RTl2系列的熔断器。 熔体的额定电流可按以下方法选择： 1）保护无起动过程的平稳负载如照明线路、电阻、电炉等时，熔体额定电流略大于或等于负荷电路中的额定电流。 2）保护单台长期工作的电机熔体电流可按最大起动电流选取，也可按下式选取： IRN ≥(1.5～2.5)IN 式中IRN--熔体额定电流；IN--电动机额定电流。如果电动机频繁起动，式中系数可适当加大至3～3.5，具体应根据实际情况而定。 3）保护多台长期工作的电机（供电干线） IRN ≥(1.5～2.5)IN max+ΣIN IN max-容量最大单台电机的额定电流。ΣIN其余.电动机额定电流之和。 （3）熔断器的级间配合 为防止发生越级熔断、扩大事故范围，上、下级(即供电干、支线)线路的熔断器间应有良好配合。选用时，应使上级(供电干线)熔断器的熔体额定电流比下级(供电支线)的大1～2个级差。 常用的熔断器有管式熔断器R1系列、螺旋式熔断器RLl系列、填料封闭式熔断器RT0系列
半导体存储器（解说） ——分类、结构和性能—— 作者：Xie M. X. (UESTC ，成都市) 计算机等许多系统中都离不开存储器。存储器就是能够存储数据、并且根据地址码还可以读出其中数据的一种器件。存储器有两大类：磁存储器和半导体存储器。 （1）半导体存储器的分类和基本结构： 半导体存储器是一种大规模集成电路，它的分类如图1所示。半导体存储器根据其在切断电源以后能否保存数据的特性，可区分为不挥发性存储器和易挥发性存储器两大类。磁存储器也都是不挥发性存储器。 半导体存储器也可根据其存储数据的方式不同，区分为随机存取存储器（RAM ）和只读存储器（ROM ）两大类。RAM 可以对任意一个存储单元、以任意的次序来存/取（即读出/写入）数据，并且存/取的时间都相等。ROM 则是在制造时即已经存储好了数据，一般不具备写入功能，只能读出数据（现在已经发展出了多种既可读出、又可写入的ROM ）。 半导体存储器还可以根据其所采用工艺技术的不同，区分为MOS 存储器和双极型存储器两种。采用MOS 工艺制造的称为MOS 存储器；MOS 存储器具有密度高、功耗低、输入阻抗高和价格便宜等优点，用得最多。采用双极型工艺制造的，称为双极型存储器；双极型存储器的优点就是工作速度高。 半导体存储器的基本结构就是存储器阵列及其它电路。存储器阵列（memory array ）是半导体存储器的主体，用以存储数据；其他就是输入端的地址码缓存器、行译码器、读出放大器、列译码器和输出缓冲器等组成。 各个存储单元处在字线（WL ，word line ）与位线（BL ，bit line ）的交点上。如果存储器有N 个地址码输入端，则该存储器就具有2N 比特的存储容量；若存储器阵列有2n 根字线，那么相应的就有2N n 条位线（相互交叉排列）。 在存储器读出其中的数据时，首先需通过地址码缓存器把地址码信号送入到行译码器、并进入到字线，再由行译码器选出一个WL ，然后把一个位线上得到的数据（微小信号）通过读出放大器进行放大，并由列译码器选出其中一个读出放大器，把放大了的信号通过多路输出缓冲器而输出。 在写入数据时，首先需要把数据送给由列译码器选出的位线，然后再存入到位线与字线相交的存储单元中。当然，对于不必写入数据的ROM （只读存储器）而言，就不需要写入电路。 图1 半导体存储器的分类
熔断器与断路器分类知识原理与作用 （上传时间：2008-4-22 点击：37） 熔断器其实就是一种短路保护器，广泛用于配电系统喝控制系统，主要进行短路保护或严重过载保护。 熔断器一种简单而有效的保护电器。在电路中主要起短路保护作用。 熔断器主要由熔体和安装熔体的绝缘管(绝缘座)组成。使用时，熔体串接于被保护的电路中，当电路发生短路故障时，熔体被瞬时熔断而分断电路，起到保护作用。 常用的熔断器 （1）插入式熔断器如图1所示，它常用于380V及以下电压等级的线路末端，作为配电支线或电气设备的短路保护用。 图1 插入式熔断器 1-动触点 2-熔体 3-瓷插件 4-静触点 5-瓷座 （2）螺旋式熔断器如图2所示。熔体上的上端盖有一熔断指示器，一旦熔体熔断，指示器马上弹出，可透过瓷帽上的玻璃孔观察到，它常用于机床电气控制设备中。螺旋式熔断器。分断电流较大，可用于电压等级500V及其以下、电流等级200A以下的电路中，作短路保护。 图2 螺旋式熔断器 1-底座 2-熔体 3-瓷帽 （3）封闭式熔断器封闭式熔断器分有填料熔断器和无填料熔断器两种，如图3和图4所示。有填料熔断器一般用方形瓷管，内装石英砂及熔体，分断能力强，用于电压等级500V以下、电流等级1KA以下的电路中。无填料密闭式熔断器将熔体装入密闭式圆筒中，分断能力稍小，用于500V以下，600A以下电力网或配电设备中。 图3 无填料密闭管式熔断器 1-铜圈 2-熔断管 3-管帽 4-插座 5-特殊垫圈 6-熔体 7-熔片
图4 有填料封闭管式熔断器 1-瓷底座 2-弹簧片 3-管体 4-绝缘手柄 5-熔体 （4）快速熔断器它主要用于半导体整流元件或整流装置的短路保护。由于半导体元件的过载能力很低。只能在极短时间内承受较大的过载电流，因此要求短路保护具有快速熔断的能力。快速熔断器的结构和有填料封闭式熔断器基本相同，但熔体材料和形状不同，它是以银片冲制的有V 形深槽的变截面熔体。 5）自复熔断器采用金属钠作熔体，在常温下具有高电导率。当电路发生短路故障时，短路电流产生高温使钠迅速汽化，汽态钠呈现高阻态， 从而限制了短路电流。当短路电流消失后，温度下降，金属钠恢复原来的良好导电性能。自复熔断器只能限制短路电流，不能真正分断电路。其 优点是不必更换熔体，能重复使用。 工作时，熔断器串连在被保护的电路中。当电路发生短路或严重过载时，熔断器中的熔断体将自动熔断，起到保护作用，最常见的就是保险丝。另外还有断路器,俗称"空气开关",也是一种短路保护器,当过流时,它会自动跳闸,起到保护作用;熔断器、断路器都是保护电器。但它们不是一样.断路器是总称，它分为两种——框架式断路器和塑料外壳式断路器。框架式断路器俗称 万能断路器；塑料外壳式断路器俗称空气开头。他们具有短路和过载保护，可重复使用。寿命一般在几千次到几万次。熔断器是靠熔体熔化保护线路的一种电器，不可重复使用。保护以后需要更换熔体。 熔断器与断路器的区别: 他们相同点是都能实现短路保护，熔断器的原理是利用电流流经导体会使导体发热，达到导体的熔点后导体融化所以断开电路保护用电器和线路不被烧坏。它是热量的一个累积，所以也可以实现过载保护。一旦熔体烧毁就要更换熔体。 断路器也可以实现线路的短路和过载保护，不过原理不一样，它是通过电流底磁效应（电磁脱扣器）实现断路保护，通过电流的热效应实现过载保护（不是熔断，多不用更换器件）。具体到实际中，当电路中的用电负荷长时间接近于所用熔断器的负荷时，熔断器会逐渐加热，直至熔断。像上面说的，熔断器的熔断是电流和时间共同作用的结果起到对线路进行保护的作用，它是一次性的。而断路器是电路中的电流突然加大，超过断路器的负荷时，会自动断开，它是对电路一个瞬间电流加大的保护，例如当漏电很大时，或短路时，或瞬间电流很大时的保护。当查明原因，可以合闸继续使用。正如上面所说，熔断器的熔断是电流和时间共同作用的结果，而断路器，只要电流一过其设定值就会跳闸，时间作用几乎可以不用考虑。断路器是现在低压配电常用的元件。也有一部分地方适合用熔断器， 熔断器具有“反时限”保护特性，即当故障电流较小时，熔断器熔断的时间较长，当故障电流较大时，熔断器熔断的时间较短；熔断器的保护是一条曲线，对应每一个超过额定电流1.5倍的故障电流，均有一个熔断时间，因而熔断器是一个兼有若干个过流，又兼有若干个速断的保护元件。而空气开关大多只能设定速断值，即便是进口的先进空开，也只能设定几个“点”，对这几个点设定保护定值，不能作到全曲线，即每个点的保护。需要保护特性好的场合就不能替代。 熔断器一般灭弧能力较强，所带设备一般不需要校验动、热稳定性。而空气开关所带设备不但应校验动、热稳定性，就是空气开关本身也应进行动、热稳定性校验。（注：应该的事不一定能作到，家用等场合一般短路电流较小，人们大多省了此步，但这也是个别地方短路后烧空开的因素之一）
存储器类型 ①SRAM SSRAM RAM ②DRAM SDRAM ①MASK ROM ②OTP ROM ROM ③PROM ④EPROM ⑤EEPROM ⑥FLASH Memory RAM: Random Access Memory 随机访问存储器 存储单元的内容可按需随意取出或存入，这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。它的特点就是是易挥发性（nonvolatile），即掉电失忆。 ROM: Read Only Memory 只读存储器 ROM 通常指固化存储器(一次写入，反复读取)，它的特点与RAM 相反。 注意： ①我们通常可以这样认为，RAM是单片机（MCU）的数据存储器（这里的数据包括 内部数据存储器（用户RAM区，可位寻址区和工作组寄存器）和特殊功能寄存器 SFR），或是电脑的内存和缓存，它们掉电后数据就消失了（非易失性存储器除外， 比如某些数字电位器就是非易失性的）。ROM是单片机的程序存储器，有些单片 机可能还包括数据存储器，这里的数据指的是要保存下来的数据，即单片机掉电 后仍然存在的数据，比如采集到的最终信号数据等。而RAM这个数据存储器只是 在单片机运行时，起一个暂存数据的作用，比如对采集的数据做一些处理运算， 这样就产生中间量，而RAM这个数据存储器就是来暂时存取中间量的，最终的结 果要放到ROM的数据存储器中。（如下图所示） ② ROM在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速的随时修改或重新写入数 据。它的优点是电路结构简单，而且在断电以后数据不会丢失。缺点是只适用于 存储那些固定数据的场合。RAM与ROM的根本区别是RAM在正常工作状态下 就可以随时向存储器里写入数据或从中读取数据。
提供相关设备实物图片、视频、动画。 第五章熔断器 第一节概述 二、熔断器的工作原理 熔断器是串联在电路中的一个最薄弱的导电环节，其金属熔体是一个易于熔断的导体。在正常工作情况下，由于通过熔体的电流较小，熔体的温度虽然上升，但不致达到熔点，熔体不会熔化，电路能可靠接通。一旦电路发生过负荷或短路故障时，电流增大，过负荷电流或短路电流对熔体加热，熔体由于自身温度超过熔点，在被保护设备的温度未达到破坏其绝缘之前熔化，将电路切断，从而使线路中的电气设备得到了保护。 熔断器的工作过程大致可分为以下四个阶段： （1）熔断器的熔体因过载或短路而加热到熔化温度； （2）熔体的熔化和气化； （3）触点之间的间隙击穿和产生电弧； （4）电弧熄灭、电路被断开。 显然，熔断器的动作时间为上述四个过程所经过时间的总和。熔断器的开断能力决定于熄灭电弧能力的大小。熔体熔化时间的长短，取决于通过的电流的大小和熔体熔点的高低。当电路中通过很大的短路电流时，熔体将爆炸性地熔化并气化，迅速熔断；当通过不是很大的过电流时，熔体的温度上升得较慢，熔体熔化的时间也就较长。熔体材料的熔点高，则熔体熔化慢、熔断时间长；反之，熔断时间短。 三、熔断器的原理结构 熔断器主要由金属熔断体、载熔件和底座组成。另外，有的熔断器还具有熔管、充填物、熔断指示器等结构部件。 （1）熔断体。是熔断器的主要部分，包括熔体。熔体是熔断器的核心部件，它是一个最薄弱的导电环节，正常工作时起导通电路的作用，在故障情况下熔体将首先熔化，从而切断电路实现对其他设备的保护。 熔体可分为高熔点熔体和低熔点熔体。低熔点材料（如铅、锌、锡等）电阻率较大，所制成的熔体截面也较大，在熔化时将产生大量的金属蒸气，使电弧不易熄灭，所以这类熔体一般用在500V及以下的低压熔断器中起过负荷保护；高熔点材料（如铜、银等）电阻率较低，所制成的熔体截面可较小，有利于电弧的熄灭，这类熔体一般用作短路保护。 高熔点材料在小而持续时间长的过负荷时，熔体不易熔断，结果使熔断器损坏。为此，在铜或银熔体的表面焊上小锡球或小铅球，当熔体发热到锡或铅的熔点时，锡或铅的小球先熔化，而渗入铜或银的内部，形成合金，电阻增大，发热加剧，同时熔点降低，首
熔断器根据使用电压可分为高压熔断器和低压熔断器。根据保护对象可分为保护变压器用和一般电气设备用的熔断器、保护电压互感器的熔断器、保护电力电容器的熔断器、保护半导体元件的熔断器、保护电动机的熔断器和保护家用电器的熔断器等。根据结构可分为敞开式、半封闭式、管式和喷射式熔断器。 敞开式熔断器结构简单，熔体完全暴露于空气中，由瓷柱作支撑，没有支座，适于低压户外使用。分断电流时在大气中产生较大的声光。 半封闭式熔断器的熔体装在瓷架上，插入两端带有金属插座的瓷盒中，适于低压户内使用。分断电流时，所产生的声光被瓷盒挡住。 管式熔断器的熔体装在熔断体内。然后插在支座或直接连在电路上使用。熔断体是两端套有金属帽或带有触刀的完全密封的绝缘管。这种熔断器的绝缘管内若充以石英砂，则分断电流时具有限流作用，可大大提高分断能力，故又称作高分断能力熔断器。若管内抽真空，则称作真空熔断器。若管内充以SF6气体，则称作SF6熔断器，其目的是改善灭弧性能。由于石英砂，真空和SF6气体均具有较好的绝缘性能，故这种熔断器不但适用于低压也适用于高压。 喷射式熔断器是将熔体装在由固体产气材料制成的绝缘管内。固体产气材料可采用电工反白纸板或有机玻璃材料等。当短路电流通过熔体时，熔体随即熔断产生电弧，高温电弧使固体产气材料迅速分解产生大量高压气体，从而将电离的气体带电弧在管子两端喷出，发出极大的声光，并在交流电流过零时熄灭电弧而分断电流。绝缘管通常是装在一个绝缘支架上，组成熔断器整体。有时绝缘管上端做成可活动式，在分断电流后随即脱开而跌落，此种喷射式熔断器俗称跌落熔断器。一般适用于电压高于6千伏的户外场合。 此外，熔断器根据分断电流范围还可分为一般用途熔断器，后备熔断器和全范围熔断器。一般用途熔断器的分断电流范围指从过载电流大于额定电流1.6～2倍起，到最大分断电流的范围。这种熔断器主要用于保护电力变压器和一般电气设备。后备熔断器的分断电流范围指从过载电流大于额定电流4～7倍起至最大分断电流的范围。这种熔断器常与接触器串联使用，在过载电流小于额定电流4～7倍的范围时，由接触器来实现分断保护。主要用于保护电动机。 艾驰商城是国内最专业的MRO工业品网购平台，正品现货、优势价格、迅捷配送，是一站式采购的工业品商城！具有 10年工业用品电子商务领域研究，以强大的信息通道建设的优势，以及依托线下贸易交易市场在工业用品行业上游供应链的整合能力，为广大的用户提供了传感器、图尔克传感器、变频器、断路器、继电器、PLC、工控机、仪器仪表、气缸、五金工具、伺服电机、劳保用品等一系列自动化的工控产品。 如需进一步了解相关熔断器产品的选型，报价，采购，参数，图片，批发等信息，请关注艾驰商城https://www.doczj.com/doc/c54587887.html,。
存储器那点事(一)常见存储器分类 前言 注：本文中所谈到的存储器主要是指磁盘阵列，通过SAN/NAS/iSCSI等接口与主机相连，虽然说SAN交换机、物理带库、磁带机和光盘塔也属于存储的范畴，但不在本文讨论范围内。 存储器，或者称作存储阵列，是当今业界一个比较Fashion的词，见过不少这个圈子里的公司为了提高档次，会主动往存储行业靠，经常自我标榜“哥所在的系统集成公司是高科技，不仅搬箱子，哥还做存储”，“哥公司自己生产具有完全知识产权的存储器”…（当然现在再这么说有点out了，现在流行自我标榜“哥公司现在做云计算高科技呢”）。 当然，这个圈子里面的人在和身边朋友自我介绍是做存储这个高科技行业时，也经常碰到另外一种情况，“哥们你们那边250G的盘多少钱一块啊，你们卖U盘么？”… 那么存储器究竟该如何定义呢？在我看来，二十多年前Sun公司提出了“网络就是计算机”的理念，对于整个IT行业发生了翻天覆地的变化，那么我们也完全可以说“存储也是计算机”。存储是什么呢，对，存储也是计算机。 2000年前的存储器，多是作为主机的附属品出现的，记得97年本人在做系统管理员时，看到厂商在调试几套HP 9000和SUN小型机，几个集成商的工程师将一个个磁盘塞进一个独立架子里面（后来才知道那叫磁盘柜），一边塞进去还一边说：“哥们千万注意啊，这玩意叫磁盘阵列，贼贵，一块磁盘顶一台夏利呢”。我们当时大吃一惊，高科技啊，一块小铁片竟然顶得上大街上一辆出租车（其实当时也不过是给个JBOD+软件RAID，现在想想，真叫暴利啊）… 而且当时安装磁盘阵列也是看起来很高深的一件事情，不同于主机UNIX操作系统要插入光盘，输入命令、不断回车，磁盘阵列的安装往往是在主机安装完后再导入一些软件，然后运行一个脚本，出去吃个饭、抽根烟….就完成了。这就是早期DAS 阶段的典型工作流程，存储器在当时仅仅是服务器的附属品。 2000年左右以后，国内的存储器市场慢慢进入了一个繁荣发展阶段，具有独立控制器的磁盘阵列产品越来越多（不再依赖于主机端的软件RAID技术）；另外除了 IBM/HP/SUN/Compaq/SGI五大UNIX厂商有自己的存储器产品外，独立存储厂商在国内也如雨后春笋般出现了，EMC（第一次还以为是那个做显示器的厂商）、Brocade、Netapp、MCData、HDS等存储网络产品公司也慢慢地出现在招标书和投标现场，可以说，2000年以后，存储器进入了一个快速发展的时期。 存储器和主机的采购可以分开、建立独立的存储网络等概念分别被以EMC和Brocade 为代表的存储公司发扬光大。存储与计算分离的概念颠覆了传统的DAS模式，在传统模式中，存储器被看作一个简单的外设依附于主机系统，而存储与计算分离以后，存储子系统从原来的计算系统中分离出来形成一个独立的子系统（这是EMC早期一再强调的概念），存储和主机间通过高速网络互联，这样存储器从后台走向了前台，这样诞生了Brocade和Mcdata（后被Brocade收购）等SAN网络设备公司。同时随着网络共享应用的持续增长和网络文件共享协议的成熟（SUN发明的NFS协议和
关于电力熔断器 熔断器是低压配电系统和电力拖动系统中起过载和短路保护作用的电器。使用时，熔体串接 于被保护的电路中，当流过熔断器的电流大于规定值时，以其自身产生的热量使熔体熔断， 从而自动切断电路，实现过载和短路保护。 熔断器串接于被保护电路中，电流通过熔体时产生的热量与电流平方和电流通过的时 间成正比。电流越大，则熔体熔断时间越短，这种特性称为熔断器的保护特性或安秒特性。 熔断器的电流和时间特性数值关系，如下表 在配电、电力拖动系统中，熔断器的正确选择，直接关系到设备正常生产的安全和效率， 减少事，故切实保护电器设备安全线路安全，熔断器的正确设计尤为重要，一般都应当注意 以下几个原则: (1)根据实际，正确选择熔断器类型。根据负载的保护特性、短路电流大小、使用场合 4、安装条件以及各类熔断器的适用范围来选择熔断器类型，做到因地制宜。 (2)熔断器额的电压的选择。就是其额定电压应等于或者大于线路的工作电压才行。 (3)熔体与熔断器额定电流的确定。 熔体额定电流的确定: ①对于电阻性负载，熔体的额定电流等于或者略大于电路的工作电流。 ②对于电容器设备的容性负载，熔体的额定电流应当大于电容器额定电流的1.6倍才 行。 ③对于电动机负载，要考虑启动电流冲击的影响，计算方法如下: 对于单台电动机:Inr ≥(1.5~2.5)Inm 其中，Inr —熔体额定电流; Inm —电动机额定电流。 对于多台电动机:Inr ≥(1.5~2.5)Inmmax ＋ ∑Inm 其中，Inmmax —容量最大一台电动机额定电流； ∑Inm 其余各个电动机额定电流之和。 熔断器额定电流的确定:熔断器的额定电流应当等于或者大于熔体的额定电流。 (4)额定分断能力的选择: 熔断器的额定分断能力必须大于或者等于所在电路中可能出现的最大短路电流值。 (5)系统中熔断器上下级分断能力的正确配合: 为适应线路，确保生产，保护电气设备，达到保护的要求，应当注意熔断器上下级 之间的正确配合，一般要求每两个级熔体额定电流的比值不小于1.6:1 的比例。 熔断器 电流 1.25-1.30In 1.6In 2In 2.5In 3In 4In 8In 熔断时 间 ∞ 1h 40S 8S 4.5S 2.5S 1S
第7章半导体存储器 内容提要 半导体存储器是存储二值信息的大规模集成电路，本章主要介绍了（1）顺序存取存储器（SAM）、随机存取存储器（RAM）、只读存储器（ROM）的工作原理。 （2）各种存储器的存储单元。 （3）半导体存储器的主要技术指标和存储容量扩展方法。 （4）半导体存储器芯片的应用。 教学基本要求 掌握： （1）SAM、RAM和ROM的功能和使用方法。 （2）存储器的技术指标。 （3）用ROM实现组合逻辑电路。 理解SAM、RAM和ROM的工作原理。 了解： （1）动态CMOS反相器。 （2）动态CMOS移存单元。 （3）MOS静态及动态存储单元。 重点与难点 本章重点： （1）SAM、RAM和ROM的功能。
（2）半导体存储器使用方法（存储用量的扩展）。 （3）用ROM实现组合逻辑电路。 本章难点：动态CMOS反相器、动态CMOS移存单元及MOS静态、动态存储单元的工作原理。 7.1 半导体存储器及分类 半导体存储器是存储二值信息的大规模集成电路，是现代数字系统的重要组成部分。半导体存储器分类如下： 按制造工艺分，有双极型和MOS型两类。双极型存储器具有工作速度快、功耗大、价格较高的特点。MOS型存储器具有集成度高、功耗小、工艺简单、价格低等特点。 按存取方式分，有顺序存取存储器（SAM）、随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）三类。 （1）顺序存取存储器（简称SAM）：对信息的存入（写）或取出（读）是按顺序进行的，即具有“先入先出”或“先入后出”的特点。 （2）随机存取存储器（简称RAM）：可在任何时刻随机地对任意一个单元直接存取信息。根据所采用的存储单元工作原理的不同，又将
对熔断器的选择要求是： 在电气设备正常运行时，熔断器不应熔断；在出现短路时，应立即熔断；在电流发生正常变动（如电动机起动过程）时，熔断器不应熔断；在用电设备持续过载时，应延时熔断。对熔断器的选用主要包括类型选择和熔体额定电流的确定。 选择熔断器的类型时，主要依据负载的保护特性和短路电流的大小。 例如，用于保护照明和电动机的熔断器，一般是考虑它们的过载保护，这时，希望熔断器的熔化系数适当小些。所以容量较小的照明线路和电动机宜采用熔体为铅锌合金的RC1A系列熔断器，而大容量的照明线路和电动机，除过载保护外，还应考虑短路时分断短路电流的能力。若短路电流较小时，可采用熔体为锡质的RCIA系列或熔体为锌质的RM10系列熔断器。用于车间低压供电线路的保护熔断器，一般是考虑短路时的分断能力。当短路电流较大时，宜采用具有高分断能力的RL1系列熔断器。当短路电流相当大时，宜采用有限流作用的RT0系列熔断器。 熔断器的额定电压要大于或等于电路的额定电压 熔断器的额定电流要依据负载情况而选择。 ①电阻性负载或照明电路，这类负载起动过程很短，运行电流较平稳，一般按负载额定电流的1~1.1倍选用熔体的额定电流，进而选定熔断器的额定电流。 ②电动机等感性负载，这类负载的起动电流为额定电流的4~7倍，一般选择熔体的额定电流为电动机额定电流的1.5~2.5倍。这样一般来说,熔断器难以起到过载保护作用,而只能用作短路保护,过载保护应用热继电器才行。
熔断器型号规格用途对照大全 第一位：产品字母代号（R-熔断器） 第二位：使用环境（N-户内，W-户外） 第三位：设计序号（1，2，3……） 第四位：额定电压（KV） 第五位：结构特点（H-带有限流电阻，Z-带重合闸，T-带热脱扣器） 第六位：额定电流（A） 1；熔断器型号:QX374-RN2 用于1000v以下电力设备保护 2；PW10户外跌落式熔断器 产品名称：PW10户外跌落式熔断器 产品型号：RW10-100 RW10-200 10KV-15KV 产品概述：PW10户外跌落式熔断器采用IEC60282、GB15166标准!适用于交流50Hz，额定电压为10KV ∽35KV户外架空配电系统上，作为线路或电力变压器的过载和短路保护用。
（1） S7-200存储器类型 S7-200 PLC可以采用多种形式的存储器来进行PLC程序与数据的存储，以防止数据的丢失。S7-200可以使用的存储器主要有如下类型： ①RAM： CPU模块本身带有动态数据存储器（RAM）。RAM用于存储PLC的运算、处理结果等数据。根据需要，RAM的数据可以通过电容器或电池盒（选件）进行保持，但其存储时间较短，一般只能保持几天。 ②EEPROM（或Flash ROM）：除RAM外，CPU模块本身带有的保持型存储器（EEPROM或Flash ROM），可以进行数据的永久性存储。保持型存储器用于存储PLC用户程序、PLC参数等重要数据；根据需要，也可以将PLC程序执行过程中所产生的局部变量V、内部标志M、定时器T、计数器C等保存在保持型存储器中。 ③存储器卡：存储器卡在S7-200中为可选件，用户可以根据需要选用。存储器卡为保持型存储器，可以作为PLC保持型存储器的扩展与后备，用于保存PLC用户程序、PLC参数、变量V、内部标志M、定时器T、计数器C等。 （2）存储器分区 S7-200的内部存储器分为程序存储区、数据存储区、参数存储区。其中，程序存储区用于存储PLC用户程序；数据存储区用于存储PLC运算、处理的中间结果（如输入／输出映像，标志、变量的状态，计数器、定时器的中间值等）；参数存储区用于存储PLC配置参数（包括程序保护密码、地址分配设定、停电保持区域的设定等）。 艾驰商城是国内最专业的MRO工业品网购平台，正品现货、优势价格、迅捷配送，是一站式采购的工业品商城！具有10年工业用品电子商务领域研究，以强大的信息通道建设的优势，以及依托线下贸易交易市场在工业用品行业上游供应链的整合能力，为广大的用户提供了传感器、图尔克传感器、变频器、断路器、继电器、PLC、工控机、仪器仪表、气缸、五金工具、伺服电机、劳保用品等一系列自动化的工控产品。 艾驰商城是国内最专业的MRO工业品网购平台，正品现货、优势价格、迅捷配送，是一站式采购的工业品商城！具有 10年工业用品电子商务领域研究，以强大的信息通道建设的优势，以及依托线下贸易交易市场在工业用品行业上游供应链的整合能力，为广大的用户提供了传感器、图尔克传感器、变频器、断路
熔断器 熔断器作用：在电路中主要起短路保护，由熔体和安装熔体的熔管或熔座等部分组成。 1）电流保护形式：过载延时保护、短路瞬时保护。 过载一般是指l.5倍额定电流以下的过电流; 短路则是指超过几倍额定电流以上的过电流。 2）熔体：既是感测元件又是执行元件，安装在被保护的电路中。 熔体是有低熔点的金属材料（铅、锡、铜、银及其合金）丝状、带壮、片壮。 3）熔管：安装熔体和在熔体熔断时灭弧。 一、熔断器的分类 1．按发热时间常数(热惯性)：无热惯性、大热惯性、小热惯性； 2．按熔体形状：丝状、片状、带状； 3．按支架结构：螺旋塞式、管式。 管式又分为有填料与无填料两种，石英砂等材料以增加灭弧能力。 插入式和螺旋式熔断器的结构图： 二、熔断器的保护特性 1、原理：电流热效应 1）正常：i = ie —→温度〈熔点—→熔体不熔断 2）短路：i >> ie —→温度〉熔点—→熔体熔断—→切断电路 2、保护特性：反时限特性（熔体动作时间随电流增大而减小）
安秒特性：指熔化电流与熔化时间的关系。 I R ：熔体最小熔化电流 I RTR ：熔体额定电流 ：熔断器的融化系数 K r 小时对小倍数过载电流有利，但也不宜接近1，当为1时，不仅熔体在I re 下的工作电流会过高，而且还可能因为保护特性本身的误差而发生熔体在I re 下也熔断，影响熔断器工作的可靠性。 表1-6 熔断器的熔化电流与熔化时间 I RT ：负载额定电流 三、熔断器的主要参数 1、额定电压 熔断器长期工作时和分断后能够耐受的电压，一般等于或大于电气设备的额定电压。 2、额定电流 1）熔体的额定电流：熔体长期通过而不会熔断的电流值。 2）支持件的额定电流：熔断器长期工作所允许的温升电流值。 3、极限分断能力 熔断器在规定的额定电压和功率因数(或时间常数)的条件下，能分断的最大电流值。 四、熔断器的选择 选择的原则：设备正常工作(设备起动电流响)时不熔断，当过大电流和短路电流时熔断。 1、无起动过程的平稳负载（照明、电阻电炉） RT R r I I k
熔断器的作用与分类 熔断器（fuse）是指当电流超过规定值时，以本身产生的热量使熔体熔断，断开电路的一种电器。熔断器是根据电流超过规定值一段时间后，以其自身产生的热量使熔体熔化，从而使电路断开；运用这种原理制成的一种电流保护器。熔断器广泛应用于高低压配电系统和控制系统以及用电设备中，作为短路和过电流的保护器，是应用最普遍的保护器件之一。 熔断器 工作原理 利用金属导体作为熔体而分断电路的电器，串联于电路中，当过载或短路电流通过熔体时，熔体自身将发热而熔断，从而对电力系统、各种电工设备以及家用电器都起到了一定的保护作用。具有反时延特性，当过载电流小时，熔断时间长；过载电流大时，熔断时间短。因此，在一定过载电流范围内至电流恢复正常，熔断器不会熔断，可以继续使用。 熔断器 分类 插入式熔断器：它常用于380V及以下电压等级的线路末端，作为配电支线或电气设备的短路保护用。 螺旋式熔断器：熔体上的上端盖有一熔断指示器，一旦熔体熔断，指示器马上弹出，可透过瓷帽上的玻璃孔观察到，它常用于机床电气控制设备中。螺旋式熔断器。分断电流较大，可用于电压等级500V及其以下、电流等级200A以下的电路中，作短路保护。 封闭式熔断器：封闭式熔断器分有填料熔断器和无填料熔断器两种。有填料熔断器一般用方形瓷管，内装石英砂及熔体，分断能力强，用于电压等级500V以下、电流等级1KA以下的电路中。无填料密闭式熔断器将熔体装入密闭式圆筒中，分断能力稍小，用于500V以下，600A以下电力网或配电设备中。 快速熔断器：快速熔断器主要用于半导体整流元件或整流装置的短路保护。由于半导体元件的过载能力很低。只能在极短时间内承受较大的过载电流，因此要求短路保护具有快速熔断的能力。快速熔断器的结构和有填料封闭式熔断器基本相同，但熔体材料和形状不同，它是以银片冲制的有V形深槽的变截面熔体。 自复熔断器：采用金属钠作熔体，在常温下具有高电导率。当电路发生短路故障时，短路电流产生高温使钠迅速汽化，汽态钠呈现高阻态，从而限制了短路电流。当短路电流消失后，温度下降，金属钠恢复原来的良好导电性能。自复熔断器只能限制短路电流，不能真正分断电路。其优点是不必更换熔体，能重复使用。 低压配电系统中熔断器是起安全保护作用的一种电器，熔断器广泛应用于电网保护和用电设备保护，当电网或用电设备发生短路故障或过载时，可自动切断电路，避免电器设备损坏，防止事故蔓延。
快速熔断器的选择及应用 整流变电是氯碱行业中的重要环节,而快速熔断器在半导体电力整流变电保护中的配置至关重要,一旦设备定型后,快速熔断器的选用会直接影响直流供电的质量和用电的效率等整流变电参数。 电力半导体器件热容量小,在故障状态下必须要有快速熔断器保护,而快速熔断器具有与半导体器件类似的热特性,是一种良好的保护器件。本文涉及的是封闭式有填料式快速熔断器,在运行中没有外部现象。 1 快速熔断器的配置 快速熔断器在半导体电力整流器保护中的配置一般分2类。 1.1 变流臂内部并联支路配置保护式 此类型主要用于大功率和超大功率整流器的保护。当变流臂中某一支路器件因某种原因损坏时(每一支路根据设备功率不同,一般并联几对快速熔断器和半导体整流元件串联而成,图1仅标出1对快速熔断器与半导体整流元件),导致与之串联的快速熔断器保护分断后,一般情况下仅1个器件出故障,并不影响整个整流器的正常运行。目前,唐山三友集团冀东化工有限公司的半导体电力整流器保护中的配置就属于变流臂内部并联支路配置保护式,运行效果很好,如图1所示。
1.2 分相配置总体保护式 此类型主要用于中、小功率整流器的保护。当某一变流臂中的器件因某种原因损坏时,导致该相快速熔断器保护分断后,整流器的保护将自动切断供电电源,停止向整流器供电,氯碱行业不常用该配置,如图2所示。 2 快速熔断器的选用 也称电压电流法。线路变流变压器的线电压应低于快速熔断器的额定电压。经电力半导体器件与快速熔断器串联短路实验验证,以半导体额定电流乘以系数,做为所选用的快速熔断器的额定电流。因快速熔断器的额定电流是有效值,而半导体器件的额定电流是平均值,针对上述第一类配置方案(图1),对第一代产品RS0、RS3系列(我国快速熔断器的发展史可分为4个阶段,第一代是全国联合设计的RS0、RS3系列,参数为480A、750V以下,分断能力为50kA,是一种体积较大、价格低廉、电寿命短的初级产品,目前尚有相当装机量)而言,该系数可按整流管为1.4、晶体管1.2、快速晶体管为1来选配,如ZP1000配1400A快速熔断器。针对上述第二类配置方案(图2),则可依据阀电流Iv以及变流装置的负载特性选择快速熔断器,再按整流器可能产生的最大故障电流,来选择有足够分断能力的快速熔断器,如50kA或 100kA,其中50kA为合格品,100kA为一级品。
赫森电气 https://www.doczj.com/doc/c54587887.html, 赫森电气（无锡）有限公司坐落于享誉“太湖明珠”之城-无锡，由加拿大赫森电能研究所参与保险丝分类 当电路中出现较大的过载电流故障或短路时，保险丝才会动作，通过断开电流来保护电路的安全。那么保险丝的分类有哪些呢?我们一起来和赫森电气有限公司看看吧，希望对大家有所帮助。 1、按熔断特性分： 根据不同应用要求，同一类型的保险丝被设计成好多种不同的熔断特性，有此又可将保险丝分为：快熔断和慢熔断两大类， 再细分还有特快熔断;中速熔断和特慢熔断等。 2、按外形尺寸分： 管状保险丝的外形尺寸有很多种，比较常用的有：Φ 6X30 (3AG);Φ5X20;Φ4X15(2AG);Φ3X10;Φ2X7 等 。 3、按联接方式分： 保险丝联接到电路中去的方式两大类：直接焊在电路板上(称为 PGT 式)的和通过其他连接件联接的。
赫森电气 https://www.doczj.com/doc/c54587887.html, 赫森电气（无锡）有限公司坐落于享誉“太湖明珠”之城 -无锡，由加拿大赫森电能研究所参与 4、按分断能力分： 从保险丝能够安全分断的大电流的大小来分，保险丝可分为： 高分断和低分断两大类以及介于两者之间的增强分断能力保险丝。 保险丝分类哪家专业?小编为您推荐赫森电气有限公司。 赫森电气(无锡)有限公司坐落于享誉“太湖明珠”之城—无锡，专注于超快速半导体设备保护与光伏熔断器的研发﹑制造﹑销售和服务的专业厂家。 公司以国际化市场为导向，通过不断的研究﹑开发以及大量的实践，终于在大功率电动汽车电池组与充电﹑轨道交通﹑航天器UPS 电源﹑光伏发电等电力系统保护领域获得显著成果。赫森成功改良固化技术﹑设计领域产品结构与工艺，使产品体积显得缩小。同时，赫森是全球高分断能力熔断器的纪录创造者。超快速半导体保护和光伏熔断器分断能力创世界高纪录，主导产品已获得美国UL 安全试验所认证。
直流系统熔断器的配置选择与现场分析（摘要） 随着我国电力工业的不断进步，电力系统向超高压大容量方向发展，为这些大容量电力设备提供控制、保护、信号、操作电源、直流系统的安全可靠运行问题，就必须提到一个新的重视高度来认识。 电力设备正常运行时，直流系统为断路器提供合闸电源，还为继电保护及自动装置、通讯设备等提供直流电源。在系统出现电路故障时，特别是交流电源中断情况下，直流系统必须为继电保护及自动装置、断路器的合跳闸、事故照明提供安全可靠的直流电源，是电力系统继电保护、自动装置和断路器正确动作的基本保证。在直流回路中，直流熔断器和断路器是直流系统各出线过流和短路故障的主要保护元件，可作为馈线回路供电网络断开和隔离之用，其选型和动作值整定是否适当以及上、下级之间是否具有选择性保护配合，直接关系到能否把系统的故障限制在最小范围内，这对防止系统破坏、事故扩大和主设备严重损坏至关重要。因此,加强熔断器与断路器选择及配置的准确性，对提高电力系统运行的安全可靠性具有非常重要的意义.。 1、级差配合存在的主要问题 由于直流变电站系统供电内容多，回路分布广，在一个直流网络中往往有许多支路需要设置断路器与熔断器进行保护，并往往分成三级或四级串联，这就存在着正确选择保护方案和上下级之间的保护配合问题.。 1.1、熔断器质量及参数分散问题： 生产厂家提供的熔断器技术数据是在产品型式试验时得到的，校验熔断器的分断能力大多是在交流电源周期分量有效值下做的，熔体动作选择配合特性曲线也是交流安秒特性曲线，这与变电站直流系统发生短路故障时的实际情况有一定差距。为了保持与系统直流故障情况项一致，熔断器的分断能力试验应该在直流短路电流状态下进行。 熔断器厂家及设计手册提供的级差配合是按同一型号、同一熔体材料来确定上下级差,从而保证满意的保护选择性，当回路中有不同类型和不同特性的熔断器时，熔断器之间的级差配合更应引起高度重视。由于目前熔断器生产厂家较多，产品质量参差不齐，熔断片和零件材料的差异，并不能完全保证产品质量的同一性，所以即使同一厂家、同一型号的熔断器，其参数也有一定的分散性，安秒特性有一定的实际偏差.。 1．2上下级间的额定值级差选择不当： 熔断器采用热熔效应原理开断故障电流，而断路器是磁效应与热效应相结合，安秒特性曲线不同，配合级差也不同。对于断路器之间、断路器与熔断器之间的级差配合不应照
半导体存储器分类介绍 § 1. 1 微纳电子技术的发展与现状 §1.1.1 微电子技术的发展与现状 上个世纪50年代晶体管的发明正式揭开了电子时代的序幕。此后为了提高电子元器件的性能，降低成本，微电子器件的特征尺寸不断缩小，加工精度不断提高。1962年，由金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）组装成的集成电路（IC）成为微电子技术发展的核心。 自从集成电路被发明以来[1,2]，集成电路芯片的发展规律基本上遵循了Intel 公司创始人之一的Gordon Moore在1965年预言的摩尔定律[3]：半导体芯片的集成度以每18个月翻一番的速度增长。按照这一规律集成电路从最初的小规模、中规模到发展到后来的大规模、超大规模（VLSI），再到现在的甚大规模集成电路（ULSI）的发展阶段。 随着集成电路制造业的快速发展，新的工艺技术不断涌现，例如超微细线条光刻技术与多层布线技术等等，这些新的技术被迅速推广和应用，使器件的特征尺寸不断的减小。其特征尺寸从最初的0.5微米、0.35 微米、0.25 微米、0.18 微米、0.15 微米、0.13 微米、90 纳米、65 纳米一直缩短到目前最新的32纳米，甚至是亚30纳米。器件特征尺寸的急剧缩小极大地提升了集成度，同时又使运算速度和可靠性大大提高，价格大幅下降。随着微电子技术的高速发展，人们还沉浸在胜利的喜悦之中的时候，新的挑战已经悄然到来。微电子器件等比例缩小的趋势还能维持多久？摩尔定律还能支配集成电路制造业多久？进入亚微米领域后，器件性能又会有哪些变化？这一系列的问题使人们不得不去认真思考。20世纪末
期，一门新兴的学科应运而生并很快得到应用，这就是纳电子技术。 §1.1.2 纳电子技术的应用与前景 2010年底，一篇报道英特尔和美光联合研发成果的文章《近距离接触25nm NAND闪存制造技术》[4]，让人们清楚意识到经过近十年全球范围内的纳米科技热潮，纳电子技术已逐渐走向成熟。电子信息技术正从微电子向纳电子领域转变，纳电子技术必将取代微电子技术主导21世纪集成电路的发展。 目前，半导体集成电路的特征尺寸已进入纳米尺度范围，采用32纳米制造工艺的芯片早已问世，25纳米制造技术已正式发布，我们有理由相信相信亚20纳米时代马上就会到来。随着器件特征尺寸的减小，器件会出现哪些全新的物理效应呢？ （1）量子限制效应。当器件在某一维或多维方向上的尺寸与电子的徳布罗意波长相比拟时，电子在这些维度上的运动将受限，导致电子能级发生分裂，电子能量量子化，出现短沟道效应、窄沟道效应以及表面迁移率降低等量子特性。 （2）量子隧穿效应。当势垒厚度与电子的徳布罗意波长想当时，电子便可以一定的几率穿透势垒到达另一侧。这种全新的现象已经被广泛应用于集成电路中，用于提供低阻接触。 （3）库仑阻塞效应。单电子隧穿进入电中性的库仑岛后，该库仑岛的静电势能增大e2/2C，如果这个能量远远大于该温度下电子的热动能K B T，就会出现所谓的库仑阻塞现象，即一个电子隧穿进入库仑岛后就会对下一个电子产生很强的排斥作用，阻挡其进入。 以上这些新的量子效应的出现使得器件设计时所要考虑的因素大大增加。目
插入式熔断器：它常用于380V及以下电压等级的线路末端，作为配电支线或电气设备的短路保护用。 螺旋式熔断器：熔体上的上端盖有一熔断指示器，一旦熔体熔断，指示器马上弹出，可透过瓷帽上的玻璃孔观察到，它常用于机床电气控制设备中。螺旋式熔断器。分断电流较大，可用于电压等级500V及其以下、电流等级200A以下的电路中，作短路保护。 封闭式熔断器：封闭式熔断器分有填料熔断器和无填料熔断器两种，如图3和图4所示。有填料熔断器一般用方形瓷管，内装石英砂及熔体，分断能力强，用于电压等级500V以下、电流等级1KA以下的电路中。无填料密闭式熔断器将熔体装入密闭式圆筒中，分断能力稍小，用于500V以下，600A以下电力网或配电设备中。 快速熔断器：快速熔断器主要用于半导体整流元件或整流装置的短路保护。由于半导体元件的过载能力很低。只能在极短时间内承受较大的过载电流，因此要求短路保护具有快速熔断的能力。快速熔断器的结构和有填料封闭式熔断器基本相同，但熔体材料和形状不同，它是以银片冲制的有V形深槽的变截面熔体。 自复熔断器：采用金属钠作熔体，在常温下具有高电导率。当电路发生短路故障时，短路电流产生高温使钠迅速汽化，汽态钠呈现高阻态，从而限制了短路电流。当短路电流消失后，温度下降，金属钠恢复原来的良好导电性能。自复熔断器只能限制短路电流，不能真正分断电路。其优点是不必更换熔体，能重复使用。 艾驰商城是国内最专业的MRO工业品网购平台，正品现货、优势价格、迅捷配送，是一站式采购的工业品商城！具有10年工业用品电子商务领域研究，以强大的信息通道建设的优势，以及依托线下贸易交易市场在工业用品行业上游供应链的整合能力，为广大的用户提供了传感器、图尔克传感器、变频器、断路器、继电器、PLC、工控机、仪器仪表、气缸、五金工具、伺服电机、劳保用品等一系列自动化的工控产品。 如需进一步了解相关熔断器产品的选型，报价，采购，参数，图片，批发等信息，请关注艾驰商城。https://www.doczj.com/doc/c54587887.html,/