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2007年4月，**公司因取《压力容器制造许可证》，需试制一台压力容器。公司决定试制一台自用的储气罐，规格Φ1000×2418×10，设计压力1.78MPa，设计温度40℃，属二类压力容器。通过该压力容器的试制，对压力容器的制造工艺流程有了更深的了解。
工艺流程：下料——>成型——>焊接——>无损检测——>组对、焊接——>无损检测——>热处理——>耐压实验
一、选材及下料
（一）压力容器的选材原理
1．具有足够的强度，塑性，韧性和稳定性。
2．具有良好的冷热加工性和焊接性能。
3．在有腐蚀性介质的设备必须有良好的耐蚀性和抗氢性。
4．在高温状态使用的设备要有良好的热稳定性。精彩文档．
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5．在低温状态下使用的设备要考虑有良好的韧性。
（二）压力容器材料的种类
1．碳钢，低合金钢
2．不锈钢
3．特殊材料：①复合材料（16MnR+316L）
②刚镍合金
③超级双向不锈钢
④哈氏合金（NiMo:78% 20%合金）
（三）常用材料
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常用复合材料：16MnR+0Gr18Ni9
A：按形状分：钢板、棒料、管状、铸件、锻件
B：按成分分：
碳素钢：20号钢20R Q235
低合金钢：16MnR、16MnDR、09MnNiDR、15CrMoR、16Mn锻件、20MnMo锻件高合金钢：0Cr13、0Cr18Ni9、0Cr18Ni10Ti
尿素级材料：X2CrNiMo18.143mol（尿素合成塔中使用，有较高耐腐蚀性）
二、下料工具与下料要求
（一）下料工具及试用范围：
1、气割：碳钢
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2、等离子切割：合金钢、不锈钢
3、剪扳机：＆≤8㎜L≤2500㎜切边为直边
4、锯管机：接管
5、滚板机：三辊
（二）椭圆度要求：
内压容器：椭圆度≤1%D；且≤25㎜
换热器：DN≤1200㎜椭圆度≤0.5%DN且≤5㎜DN﹥1200㎜椭圆度≤0.5%DN且≤7㎜
塔器：
DN
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（500，1000）
（1000，2000）
（2000，4000）
（4000，+∞）
椭圆度
±5㎜
±10㎜
±15㎜
±20㎜
多层包扎内筒：㎜6，且≤0.5%D椭圆度≤精彩文档．实用标准文案
（三）错边量要求：见下表
（四）直线度要求：
一般容器：L≤30000 ㎜直线度≤L/1000㎜
直线度按塔器﹥L30000㎜
㎜直线度≤L/1000≤塔器：L15000 ㎜
15000 L﹥㎜0.5L/1000 +8 直线度≤㎜
L/1000直线度≤且≤㎜4.5 6000L 换热器：≤㎜
㎜﹥L 6000 ㎜8且≤L/1000直线度≤
三、焊接精彩文档．
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（一）焊前准备与焊接环境
1、焊条、焊剂及其他焊接材料的贮存库应保持干燥，相对湿度不得大于60%。
2、当施焊环境出现下列任一情况，且无有效防护措施时，禁止施焊：
A）手工焊时风速大于10m/s
B）气体保护焊时风速大于2m/s
晶圆制造工艺流程和处理工序 晶圆制造工艺流程 1、表面清洗 2、初次氧化 3、CVD(Chemical Vapor deposiTIon) 法沉积一层Si3N4 (Hot CVD 或LPCVD) 。（1）常压CVD (Normal Pressure CVD) （2）低压CVD (Low Pressure CVD) （3）热CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) （4）电浆增强CVD (Plasma Enhanced CVD) （5）MOCVD (Metal Organic CVD) 分子磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy) （6）外延生长法(LPE) 4、涂敷光刻胶（1）光刻胶的涂敷（2）预烘(pre bake) （3）曝光（4）显影（5）后烘(post bake) （6）腐蚀(etching) （7）光刻胶的去除 5、此处用干法氧化法将氮化硅去除 6 、离子布植将硼离子(B+3) 透过SiO2 膜注入衬底，形成P 型阱 7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理 8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5) 离子，形成N 型阱 9、退火处理，然后用HF 去除SiO2 层 10、干法氧化法生成一层SiO2 层，然后LPCVD 沉积一层氮化硅 11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层 12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2 层，形成PN 之间的隔离区 13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF 溶液去除栅隔离层位置的SiO2 ，并重新生成品质更好的SiO2 薄膜, 作为栅极氧化层。 14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2 保护层。 15、表面涂敷光阻，去除P 阱区的光阻，注入砷(As) 离子，形成NMOS 的源漏极。用同样的方法，在N 阱区，注入B 离子形成PMOS 的源漏极。 16、利用PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。
压力容器焊接通用工艺 QB/YR·HJ·T03-2005 № 编制：巩林廷 审核：姚大宝 批准：王桂明 江苏省工业设备安装公司压力容器制造安装厂
钢制压力容器焊接通用工艺 1．适用范围 本工艺适用于江苏省工业设备安装公司压力容器厂制造安装的压力容器产品的焊接工作。 2．焊接工艺评定和焊工 施焊下列各类焊缝的焊接工艺必须按JB4708《钢制压力容器焊接工艺评定》评定合格。 a.受压元件焊缝； b.与受压元件相焊的焊缝； c.熔入永久焊缝的定位焊缝； d.受压元件母材表面堆焊、补焊； e.上述焊缝的返修焊缝。 施焊下列各类焊缝的焊工必须按《锅炉压力容器压力管道焊工考试与管理规则》的规定考试合格； a.受压元件焊缝； b.与受压元件相焊的焊缝； c.熔入永久焊缝内的定位焊缝； d.受压元件母材表面耐蚀层堆焊。 焊接压力容器的焊工取得合格证后，才能在有效期内担任相应合格项目范围内的压力容器产品焊接工作。持证焊工从事产品焊接时，应严格按产品焊接工艺文件的要求进行操作，不得擅自更改工艺。 3.焊接材料 焊接材料主要系指焊条、焊丝、焊剂、气体、电极等。 焊接材料选用原则 应根据母材的化学成份、力学性能、焊接性能结合压力容器的结构特点和适用条件综合考虑选用焊接材料，必要时通过试验确定。 焊缝金属的性能应高于或等于相应母材标准规定值的下限或满足图样规定的技术要求。对各类钢的的焊缝金属要求如下： 相同钢号相焊的焊缝金属
a.碳素钢、低合金钢的焊缝金属应保证力学性能，且不应超过母材标准规定的抗拉强度的上限值加30MPa。 b.高合金钢的焊缝金属应保证力学性能和耐腐蚀性能。 c.不锈钢复合钢板基层的焊缝金属应保证力学性能，且其抗拉强度不应超过母材标准规定的上限值加30MPa；复层的焊缝金属应保证耐腐蚀性能，当有力学性能要求时还应保证力学性能。复层焊缝与基层焊缝以及复层焊缝与基层钢板交界处推荐采用过渡层。 不同钢号相焊的焊缝金属 a.不同钢号的碳素钢、低合金钢之间的焊缝金属应保证力学性能，且其抗拉强度不应超过强度较高母材标准规范的上限值。 b.奥氏体高合金钢与碳素钢或低合金钢之间的焊缝金属应保证抗裂性能和力学性能。宜采用铬镍含量较奥氏体高合金钢母材高的焊接材料。 焊接材料必须有产品质量证明书，并符合相应标准的规定，且满足图样的技术要求，并按JB4708规定通过焊接工艺评定。进厂时按《焊接材料管理制度》的规定验收或复验，合格后方可使用。 焊接材料熔敷金属硫、磷含量规定应与母材一致，选用GB/T5118标准的焊条，应符合下列要求： a.型号为EXXXX—G的焊条应规定出焊缝金属夏比V型缺口冲击吸收功。 b.铬钼钢焊条的焊缝夏比V型缺口冲击吸收功常温时不小于31J。 c.用于焊接低温钢的镍钢焊条的焊缝金属夏比V型缺口冲击吸收功在相应低温时应不小于34J。 常用钢号推荐选用的焊接材料见表1，不同钢号相焊推荐选用的焊接材料见表2。
取证准备工作及流程 一、取证准备工作 1.为保证取证工作的顺利进行，需要成立以公司领导担任组长，质保、工艺、材料、焊接、检验、设备等人员参加的取证工作组。（由公司领导确定小组成员） 2.准备相关的法规、标准（至少一套正式版本），主要有《特种设备安全监察条例》、《锅炉压力容器制造监督管理办法》（简称22号令）、《锅炉压力容器制造许可条件》（国质检锅[2003]194号）、《压力容器安全技术监察规程》、《特种设备制造、安装、改造、维修质量保证体系基本要求》（TSG Z0004-2007）、压力容器材料标准、压力容器设计、制造、检验标准等(这 里所列只是必须的一部分文件，具体应用时还会有部分增加，增加文件视制作产品而定) 制系统（工艺、材料、焊接、理化、热处理、无损检测、压力试验、最终检验）责任人员，同时对技术人员比例、焊接、无损检测人员等也有明确要求。
4.所需设备：应具备适应压力容器制造需要的制造场地、加工设备、成形设备、切割设备、焊接设备、起重设备和必要的工装（不锈钢或有色金属容器制造企业必须具备专用的制造场地和专用的加工设备、成形设备、切割设备、焊接设备、和必要的工装，不得与碳钢混用）。 依据《特种设备制造、安装、改造、维修质量保证体系基本要求》(TSG Z0004-2007)中基本要素的要求及公司实际情况建立质量保证体系，编制公司压力容器质量保证体系
三、许可程序 1.申请 a)参照《特种设备制造许可申请书填写说明》（见附件5）填写《特种设备制造许可申 请书》（一式四份，附电子文件）； b)同时准备营业执照或者事业单位法人证书（及复印件）、中华人民共和国组织机构代 码证（及复印件）、企业简介、质量保证手册等相关资料；气瓶还应提供产品图 纸和设计文件、其它认证认可证书复印件，整理申请资料时应注意：封面和单位 主管部门处要加盖公章，申请书中所有的签字栏需要正式的签字，有分包和外协 (理化检验、无损检测、热处理、封头冲压)项目时需要附协议和相应的资质证明， 无损检测人员需要资质复印件。 c)按规定在中国质量监督业务平台进行网上填报，并提交以上资料到国家质量监督检验 检疫总局。 2.受理 a)对符合申请条件的申请单位，许可实施机关在15个工作日内予以受理，并且在《申 请书》上签署意见。 b)不同意受理的向申请单位出具不受理通知书。 四、试制产品 受理单位需要按TSG Z0005-2007《特种设备制造、安装、改造，维修许可鉴定评审细则》要求试制相应级别的典型产品。 五、约请评审机构
XXXXXXX 有限公司 检验通用工艺规程 文件号：QJG/JL 09-2010 修改单：0 第 1 页共14 页检验通用工艺规程 编制： 审核： 批准： 2010年 1 月 8 日发布 2010年 4 月 1 日实施
XXXXXXX 有限公司检验通用工艺规程 文件号：QJG/JL 09-2010 修改单：0 第 2 页共14 页 1.主题内容与适用范围 本规程规定了第一类压力容器制造过程中的材料、各零部件和成品的检验规程及要求。 本规程适用于第一类压力容器制造过程中的各工序检验。 2.引用标准 《固定式压力容器安全技术监察规程》 GB150-1998《钢制压力容器》（第1、2号修改单） JB/T4709-2000《钢制压力容器焊接规程》 3. 材料检验 压力容器所用的材料，应附有钢厂的材料质量证明书（原件或复印件应有销售单位销售红章及人员签字，注明销售数量。），按国家标准、行业标准或有关技术条件进行验收，合格后方可办理入库手续。具体应检查如下内容： 核查材料质量证明书应根据GB247《钢板和钢带验收、包装、标志及质量证明书的一般规定》、GB2102《钢管验收、包装、标志及质量证明书的一般规定》有关规定进行审查。质量证明书内容齐全，数据应正确。 复核材料标记对要求有标识的材料，材料检查员应将材料质量证明书和实物进行复核。其标识应和材料质量证明书一致。对本单位规定种植的材料标识，按《标记种植及移植管理制度》执行，检查员应进行检查确认。 材料的外观质量和几何尺寸应符合相关标准的规定，不允许存在气泡、裂纹、结疤、夹杂等缺陷。钢板的长度、宽度和厚度，其尺寸偏差应符合相应标准的规定。 对于第一类压力容器主要受压元件，若力学性能和化学成分项目齐全则不复验；若设计图样有要求、项目有怀疑、用户要求等，应进行复验。 外购件的受压元件必须有材料质量证明书，其要求应与上述相同。 外购的安全附件必须有质量证明书或合格证。按相关标准进行检定、校验，验收合格后方可入库。 检验合格的材料，检查员应填写入库验收单，经材料责任师审核后，按照标识种植的规定
A.晶圆封装测试工序 一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、 IC封装 1. 构装（Packaging） IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。 (1) 晶片切割（die saw） 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶（die mount / die bond） 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。
储气罐制造检验通用工艺规程 Q2/TXY10-I-2007 0. 总则 为保证简单压力容器产品（储气罐）质量、检查所制造的产品质量是否符合图纸、图样标准及有关规程的要求。特制定本企业简单压力容器（储气罐）制造检验通用工艺规程，以便检验时参照。 1.职责 本规程归口质检科，技术科等部门配合。 2. 一般要求 2.1 本厂储气罐的制造,除符合《简规》的有关规定外,还要符合设计图纸要求和各项工艺文件规定。 2.2 焊工必须持证上岗。 2.3 本厂执行自检、专检制度，所有产品一律先行自检，然后由检验员按要求检验，合格后方可流入下道工序。 3. 封头 3.1 封头整块下料前作钢印移植，按相应的坯料直径用氧乙炔下料或等离子切割，去除氧化残渣，冲压成形后，其最小厚度不得小于名义厚度减去钢板负偏差。 3.2 成形后的封头，外观检查应无锈蚀和深度不大于0.1δ的划伤，用弦长相当于封头内径的间隙样板检查椭圆形内表面的形状偏差，样板与封头表面的最大间隙外凸不得大于1.25%Di，内凹不得大于0.625%Di，直边部分不得存在纵向皱折，最大最小直径差应不大于内径的1%。 3.3 封头缩口后应保证封头直边垂直，缩口部位无裂口，衬板宽窄一致且不小于12cm，最大最小直径差和同心度符合要求，直边高度差允许h （-5～+10）。 3.4 应100%检查封头表面质量。 3.5 按《简单压力容器封头检验记录》项目，认真填写检查记录。 4.筒体 4.1 储气罐筒体应按封头测周长下料。剪床定位后，对剪板进行实测，长、宽，误差不得大于2mm，对角线差不得大于3mm，然后予弯、卷园。
4.2 组焊前检查筒体一断面最大内径与最小内径之差，应不大于设计内径的1%。 4.3 接管中心线应与壳体主轴中心线垂直，并应保证接管端面的水平或垂直。4.4 壳体表面应避免机械损伤，对严重的尖锐伤痕进行修磨，修磨深度不得超过钢板名义厚度的10%，且修磨处应园滑过渡。 4.5应100%检查封头表面质量。 4.6 按《简单压力容器筒体检验记录》，认真填写检查记录。 5. 焊接 5.1 施焊前准备及施焊环境: 5.1.2 焊条、焊剂及其他焊材的贮存库应保持干燥，相对湿度不大于60%。 5.1.3 施焊前焊条应烘干，施焊现场焊条应存放在焊条保温筒内。 5.1.4 施焊前应对焊口两侧各30mm范围内的水、油、锈等污物进行清除。 5.1.5 当施焊环境相对温度大于90%，雨雪环境时且又无有效防护措施时，禁止施焊。 5.1.6 当焊件温度低于0℃时，应在始焊处100mm范围内预热到15℃左右。 5.2 焊接形状及外观要求 5.2.1 A、B类焊缝的对口错边量b≤0.25δn。 5.2.2 A类焊缝的棱角度E用弦长不小于1/3内径的内样板或外样板检查。(见下图) 5.2.3 B类焊缝的棱角度E用长度不小于 200mm 的直尺检查，检查结果应符合 E ≤0.1δn+2。 5.2.4 焊缝余高和同一焊缝的高度差应符合下列规定，焊缝在焊接接头每边的覆盖宽度应为2-4mm。 5.2.5 D类焊缝的焊脚高度应不小于较薄工件的厚度，并保证园滑过渡。 5.2.6 焊缝表面不得有裂纹、气孔、弧坑等缺陷，并不得保留熔渣及飞溅等。
晶圆的生产工艺流程介绍 从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）： 晶棒成长 --> 晶棒裁切与检测 --> 外径研磨 --> 切片 --> 圆边 --> 表层研磨 --> 蚀刻 --> 去疵 --> 抛光 --> 清洗 --> 检验 --> 包装 1.晶棒成长工序：它又可细分为： 1）.融化（Melt Down） 将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。 2）.颈部成长（Neck Growth） 待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm 左右），维持此直径并拉长100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。 3）.晶冠成长（Crown Growth） 颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如5、6、8、12吋等）。 4）.晶体成长（Body Growth） 不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度
达到预定值。 5）.尾部成长（Tail Growth） 当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。 2.晶棒裁切与检测（Cutting & Inspection） 将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。 3.外径研磨（Surface Grinding & Shaping） 由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。 4.切片（Wire Saw Slicing） 由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。 5.圆边（Edge Profiling） 由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 6.研磨（Lapping） 研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表
压力容器制造通用工艺规程 第四版 宜兴制药设备厂 发布日期2004年9月15日实施日期2004年10月1日 目录 一、关于贯彻实施“压力容器制造通用工艺规程”的通知 二、目录 1 三、编制说明 2 1． T.Z04-01压力容器制造工艺规程 3 2． T.Z04-02材料标记移植工艺规程10 3． T.Z04-03划线下料通用工艺规程16 4． T.Z04-04氧—乙炔切割工艺规程18 5． T.Z04-05空气等离子弧切割工艺规程20 6． T.Z04-06封头圆筒制造通用工艺规程21 7． T.Z04-07压力容器组装工艺规程24 8． T.Z04-08钢制压力容器焊接通用工艺规程27 9． T.Z04-09钢制压力容器焊条电弧焊工艺规程37 10．T.Z04-10钢制压力容器埋弧自动焊工艺规程38 11．T.Z04-11钢制压力容器钨极氩弧焊工艺规程40 12．T.Z04-12碳弧气刨工艺规程41 13．T.Z04-13钢制压力容器焊缝隙返修和修补工艺规程43 14．T.Z04-14管壳式换热器通用工艺规程45 15．T.Z04-15强度胀接工艺规程49 16．T.Z04-16不锈钢压力容器制造管理规定51 17．T.Z04-17晶间腐蚀通用工艺规程54 18．T.Z04-18不锈钢酸零部件膏剂酸洗钝化工艺规程56 19．T.Z04-19钢制压力容器热处理工艺规程 58 20．T.Z04-20水压试验操作规程61
21．T.Z04-21致密性试验操作规程63 22．T.Z04-22气压试验通用工艺规程65 23．T.Z04-23压力容器涂敷运输包装工艺规程67 编制说明 本规程是压力容器制造通用工艺文件的汇编，共23项通用规程。 为了不断改进和发展，对这些规程进行了更新，文件代号有前置代号和后置代号构成，前置代号有通用（TongYong）和制造（ZhiZao）组成，选取汉语拼音中第一个字母通用为T、制造为Z后置代号有年号和文件号组成，。 例T Z 04 01 文件顺序号 年份 制造 通用 压力容器通用制造工艺规程中第一个文件编号为：T.Z04-01 本手册中各规程均由技术科归口解释。 本厂制造的非《容规》控制的容器及其它产品，均可参照本规程执行。 压力容器制造工艺规程 文件号：T.Z04—01 编制说明 1．为使压力容器的制造符合安全技术法规的要求，提高操作人员的工作质量，保证产品质量，根据国家质量技术监督局颁布的《压力容器安全技术监察规程》和GB150-1998《钢制压力容器》的有关规定，结合本厂产品和加工设备的实际情况，特制定本规程。 2．本规程适用于碳素钢、低合金钢容器的制造。 3．由于产品制造中的焊接、探伤、水压试验、气密性试验、油漆、包装等工序已有单项“规程”、“守则”，本规程不再制定。 4．本规程是压力容器制造的基本要求，操作人员必须遵守设计图样和产品工艺过程卡的有关规定，并满足本规程的要求。 5．操作部门对本规程负责贯彻执行，检验部门负责监督检查。 6．本规程由技术科归口并负责解释。 一．矫形和净化 本工艺适用于钢材在划线、下料前的矫形和净化。 1．钢板矫形 钢板不平会影响划线质量、造成切割弯曲，从而影响产品制造质量，因此，钢板在加工制造前必须进行矫形。 1.1手工矫形：将钢板放在平台上，用锤锤击，或用专用工具进行矫形，手工矫形的工 具有大锤小锤及型锤(不得有锤痕)。 1.2机械矫形：将钢板放在专用矫形机(平板机)上进行，钢板纵向大波浪，弯曲也可在 圈板机上进行矫形。 1.3火焰矫形：通常用氧—乙炔火焰加热钢材变红，然后让其快速冷却，使变形得到矫 正。 2．钢板的不平度一般不得超过表1的规定数值。 表1 单位:mm
压力容器制作工艺流程 生产指令→审图→材料计划→封头、法兰外委→铆工工艺焊接工艺编制→材料检验→封头验收→计算封头实际中性层→按中性层、管口方位、支座板布置情况排版→下料前标记移植→下料→刨边→试板制作→筒节卷圆→纵缝焊接→试板机械性能试验→人孔制作→法兰验收→法兰与管焊接→对大于φ250的管着色检查→下锥体制作→整体组装→焊接→超声波检查和拍片→对缺陷进行返修→人孔及各管孔划线→停点检查→割制各管孔→管与筒体组装→焊接→超声波探伤及拍片→水压试验→停点检查→需热处理的进行热处理→→工程质量记录由技术监督科保管,交工后由档案室保管, 保存期为7年 生产指令→审图(压力容器章、材料表尺寸与图纸是否相符，图中尺寸是否全是否正确、管口方位是否全、材料工程师看采用的材料是否能买到相应的材料)→材料计划（材料按排版情况选择宽度和长度,主要考虑管口方位和接缝情况）→封头外委(比图纸尺寸厚2mm，坡口方向)、法兰(按国家标准画图,清楚要做的是哪个面，注意画水线)外委→铆工工艺(有编制好的工艺，每一受压元件一份工艺卡，上、下封头各份，每一筒节各一份，工人在制作过程中要按工艺流程按时进行填写)、→焊缝布置图（根据焊缝分类和排版图将每一条焊缝在图中进行编号，以便拍片，焊接记录，焊接工艺使用）→焊接工艺编制(一种焊接形式一份工艺，根据焊缝布置图，每一条焊缝都对应有焊接工艺，并对应有焊接工艺评定)→材料检验（核对化学含量、机械性能、炉号、批号、钢号、出厂日期，厚度公差，外观，容器板为正公差）→封头验收（资质、合格证、探伤、拍片报告、直径公差；封头总深度；表面形状公差）→计算封头实际中性层（封头厚度比筒体厚度厚2mm，对接处以内壁对齐，计算中性层时以筒体的中性层为准）→按中性层、管口方位、支座板布置、相邻节焊缝情况排版（筒体的
压力容器制造、检验通用工艺规程文件编号Q/PV-Q-3-102-2003 第 1 版 筒体制造通用工艺规程第0 次修改修改日期： 第 1 页共8 页 1总则 1.1 本守则依据GB150—1998《钢制压力容器》和GB151—1999《管壳式换热器》标准，以及《压力容器安全技术监察规程》99版，结合我厂设备及技术力量，编制的压力容器筒体制造通用工艺守则。 1.2 由于压力容器种类较多，各种类型之间要求各不相同，因此，本守则若同产品设计或工艺文件有矛盾时，应以产品设计图样设计要求或工艺文件规定为准。 1.3 操作工人必须熟悉图样和工艺文件，对本岗位所使用的设备结构性能和操作规程必须了解。 1.4 筒体焊缝必须由持证合格焊工施焊。 2 材料 2.1 制造筒体用的材料质量及规格应符合《容规》第10条国标、部标及相应的国家标准、行业标准有关的规定，并具有质量证明书，材料上明显部位有清晰、牢固的钢印标志或其他标志。 2.2 属下列之一的主要受压元件材料应复验 2.2.1 设计图样要求复验的； 2.2.2 用户要求复验的； 2.2.3 制造单位不能确定材料真实性或材料的性能和化学成分有怀疑的； 2.2.4 钢材质量证明书注明复印件无效或不等效的。 2.3 需要代用的材料，原则上应事先取得原设计单位出具的设计更改批准文件。 2.4 制造筒体的钢板表面不得有严重锈蚀或裂纹、斑疤、夹层等影响强度的缺陷。 2.5 严禁使用未经检验或检验不合格的材料。 3 筒体加工 3.1 领料 3.1.1 领料人员应根据领料单、图样、工艺过程卡，核对材料规格，材质标记，并在工艺过批准: 审核：编制： 2003.08.15实施
2018 RQ-1压力容器制造过程及质量检验习题 一、单选题【本题型共42道题】 1.压力容器制造质量计划由（）编制。 A．监检单位 B．监检员 C．制造单位 D．设计单位 正确答案：[C] 用户答案：[C] 得分：2.40 2.第III类低中压容器的许可级别为（）级。 A．A2 B．B2 C．C2 D．D2 正确答案：[A] 用户答案：[A] 得分：2.40 3.D级压力容器的设计文件至少应经过（）级签署。 A．2 B．3 C．4 D．5 正确答案：[B] 用户答案：[B] 得分：2.40 4.下述关于压力容器制造工序的描述，哪一项是正确的？（） A．热处理完成后才可以进行耐压试验
B．耐压试验合格后才可以进行热处理 C．可以先喷涂油漆，然后进行耐压试验 D．耐压试验后进行焊接返修，不必重新进行耐压试验 正确答案：[A] 用户答案：[A] 得分：2.40 5.下述关于压力容器封头成形方法的描述哪一项是正确的？（） A．必须采用旋压成形 B．必须采用热压成形 C．必须采用热冲压 D．成形方法可以采用等冷旋压、冷压、中温压形、热压形、热冲压 正确答案：[D] 用户答案：[D] 得分：2.40 6.下述关于不锈钢制压力容器的描述，哪一项是正确的？（） A．不锈钢容器制造企业必须具备专用的制造场地 B．不锈钢容器制造企业必须具备专用的加工设备、成形设备、切割设备 C．不锈钢容器制造企业必须具备专用的焊接设备 D．不锈钢容器制造企业应当有适应生产需要的制造场地和加工设备、成形设备、切割设备、焊接设备和必要的工装，必要时可以与碳钢混用 正确答案：[D] 用户答案：[D] 得分：1.60 7.下述关于压力容器泄漏性试验的描述，哪一项是正确的？（） A．所有压力容器在制造厂内都应当进行泄漏性试验 B．所有压力容器在制造厂内都不需要进行泄漏性试验 C．当设计图样规定时压力容器在制造厂内应当进行泄漏性试验 D．泄漏性试验必须在耐压试验之前完成 正确答案：[C]
集成电路制造工艺流程之详细解答 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。 将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。 采用精炼石英矿而获得的多晶硅，加入少量的电活性“掺杂剂”，如砷、硼、磷或锑，一同放入位于高温炉中融解。 多晶硅块及掺杂剂融化以后，用一根长晶线缆作为籽晶，插入到融化的多晶硅中直至底部。然后，旋转线缆并慢慢拉出，最后，再将其冷却结晶，就形成圆柱状的单晶硅晶棒，即硅棒。 此过程称为“长晶”。 硅棒一般长3英尺，直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。 硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后，即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。 切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片，将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。 然后，对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗，将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形，去除粗糙的划痕和杂质，就获得近乎完美的硅晶圆。 包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后，还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。 晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放，并提高生产力。 2.沉积 外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中，外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。 现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成，是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。 过去一般是双极工艺需要使用外延层，CMOS技术不使用。 由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用，所以今后可能会在300mm晶圆上更多
焊接通用工艺与检验 一、基础知识 1、什么叫焊接? 焊接是指通过加热、加压或两者并用，使两个分离的工件达到原子间的结合的一种方法。 2、焊接接头的分类: 焊接接头是指用焊接的方法连接的接头称为焊接接头（简称接头），焊接接头包括焊缝、熔合区和热影响区。焊接接头可分为对接接头（a）、T型接头（b）、角接接头（c）和搭接接头（d）四种如下图： 其中我们公司常用的是对接接头和T型接头。 3、坡口: 所谓坡口就是根据设计或工艺需要，为了保证焊透,保证接头质量,在焊件的待焊部位加工的一定几何形状的沟槽。由于我们焊接位置和结构的原因，大部分都要开坡口，其坡口为“V”型，如图： α为破口张开角度通常为60? b为坡口间预留间隙通常为1-2mm p为坡口预留钝边通常为0-2mm
4、手工电弧焊的特点是什么?其主要特点是： （1）工艺灵活，适应性强，适用于各种钢材厚度、结构形状及各种位置的焊接； （2）质量好，与气焊相比，金相组织细，热影响区小，接头性能好； （3）易于通过工艺调整（如对称焊）来控制变形和改善应力； （4）设备简单，操作和维修方便。 5、氩弧焊的特点及适应范围： 氩弧焊是以氩气作为保护介质，以可熔化的焊丝或不熔化的钨棒作电极进行焊接的一种工艺方法。由于焊接电流受到钨棒的限制，电弧功率较小，只适用于薄工件的焊接。 6、焊接工艺规范包括哪些？选择工艺规范应考虑些什么？ 焊接工艺规范参数主要有：焊接电流、电弧电压、焊接速度和焊丝（或焊条）直径等。选择焊接规范参数的原则是：保证电弧稳定，焊缝形状尺寸符合要求，焊缝表面成形光洁整齐，无气孔、裂纹、夹渣、未焊透等缺陷，生产效率高，成本低。 7、焊接电流过大或过小对焊接接头有哪些影响？为什么？ 随着焊接电流的增大，熔深和焊缝余高，都有显著的增加，而焊缝宽度变化不大，这是由于焊接电流的增大时，电弧产生的热量增多，传给工件的热量也增加，电弧对液体金属的作用力也相应增强，焊丝的熔化也相应增加，故使熔深和焊缝余高显著增加。并容易产生咬边、烧穿、焊瘤和引起飞溅过大等焊接缺陷。 电流过小熔深就小，电弧不稳定，容易造成未焊透和夹渣等缺陷，因此焊接电流必须选择适当。 8、焊接电流如何选择？ 手工电弧焊焊接电流主要取决于焊条直径和焊接位置。一般焊接电流可按下表选择： 如果是不锈钢还要适当的低一点，是由于不锈钢的电阻大，易过热发红，会对焊缝不利的。另外还要根据焊接位置、焊接层次、焊件厚度等进行适当的调整。立、横焊时，焊接电流一般比平焊时低10-15%；焊接电流；仰焊时，焊接电流一般比平焊时低15-20%。 9、什么叫焊接线能量？如何计算？ 线能量是指单位长度焊缝所得到的焊接电弧热能量。它用下面公式进行计算： 式中：q—焊接线能量，J/cm q=60UI/v U—焊接电压，V I—焊接电流，A v—焊接速度，cm/min 16Mn焊接时要严格控制线能量，线能量过大易造成裂纹。 10、什么叫正接？什么叫反接？焊接时如何选用？ 直流焊接时，工件接正极，焊条（焊丝）接负极，叫做正接法；工件接负极，焊条（焊丝）接正极，叫做反接法。电弧焊时，由于正负极的热量分布不同，阳极的热量比阴极高，如果是厚的焊件，焊接时需要大量热量，可选用正接法；薄焊件需要热量少，热量大时使工件烧穿，应采用反接法，根据我们的情况，一般采用反接法。 另外，选择焊条接法还要看焊条性质。用酸性焊条焊低碳钢时，一般为正接，使工件温度高些，以
压力容器焊接通用工艺 QB/YRHJT03-2005 编制：巩林廷 审核：姚大宝 批准：王桂明 江苏省工业设备安装公司压力容器制造安装厂
钢制压力容器焊接通用工艺 1．适用范围本工艺适用于江苏省工业设备安装公司压力容器厂制造安装的压力容器产品的焊接工作。 2．焊接工艺评定和焊工 2.1施焊下列各类焊缝的焊接工艺必须按JB4708《钢制压力容器焊接工艺评定》评定 合格。 a. 受压元件焊缝； b. 与受压元件相焊的焊缝； c. 熔入永久焊缝的定位焊缝； d. 受压元件母材表面堆焊、补焊； e. 上述焊缝的返修焊缝。 2.2 施焊下列各类焊缝的焊工必须按《锅炉压力容器压力管道焊工考试与管理规则》的规定考试合格； a. 受压元件焊缝； b. 与受压元件相焊的焊缝； c. 熔入永久焊缝内的定位焊缝； d. 受压元件母材表面耐蚀层堆焊。 焊接压力容器的焊工取得合格证后，才能在有效期内担任相应合格项目范围内的压力容器产品焊接工作。持证焊工从事产品焊接时，应严格按产品焊接工艺文件的要求进行操作，不得擅自更改工艺。 3. 焊接材料 3.1 焊接材料主要系指焊条、焊丝、焊剂、气体、电极等。 3.2 焊接材料选用原则 应根据母材的化学成份、力学性能、焊接性能结合压力容器的结构特点和适用条件综合考虑选用焊接材料，必要时通过试验确定。 焊缝金属的性能应高于或等于相应母材标准规定值的下限或满足图样规定的技术要求。对各类钢的的焊缝金属要求如下：
3.2.1 相同钢号相焊的焊缝金属 a. 碳素钢、低合金钢的焊缝金属应保证力学性能，且不应超过母材标准规定的抗拉强度的上限值加30MPa。 b. 高合金钢的焊缝金属应保证力学性能和耐腐蚀性能。 c. 不锈钢复合钢板基层的焊缝金属应保证力学性能，且其抗拉强度不应超过母材标准规定的上限值加30MPa复层的焊缝金属应保证耐腐蚀性能，当有力学性能要求时还应保证力学性能。复层焊缝与基层焊缝以及复层焊缝与基层钢板交界处推荐采用过渡层。 3.2.2 不同钢号相焊的焊缝金属 a. 不同钢号的碳素钢、低合金钢之间的焊缝金属应保证力学性能，且其抗拉强度不应超过强度较高母材标准规范的上限值。 b. 奥氏体高合金钢与碳素钢或低合金钢之间的焊缝金属应保证抗裂性能和力学性能。宜采用铬镍含量较奥氏体高合金钢母材高的焊接材料。 3.3 焊接材料必须有产品质量证明书，并符合相应标准的规定，且满足图样的技术要求，并按JB4708 规定通过焊接工艺评定。进厂时按《焊接材料管理制度》的规定验收或复验，合格后方可使用。 3.4焊接材料熔敷金属硫、磷含量规定应与母材一致，选用GB/T5118标准的焊条，应符合下列要求： a. 型号为EXXX—G的焊条应规定出焊缝金属夏比V型缺口冲击吸收功。 b. 铬钼钢焊条的焊缝夏比V型缺口冲击吸收功常温时不小于31J。 c. 用于焊接低温钢的镍钢焊条的焊缝金属夏比V型缺口冲击吸收功在相应低温时应不小于34J。 3.5 常用钢号推荐选用的焊接材料见表1，不同钢号相焊推荐选用的焊接材料见表2
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX编号:XXXXXXX-001/1 金属压力容器定期检验通用方案 编制：年月日 审核：年月日 批准：年月日 XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX 年月日
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX编号:XXXXXXX-001/1 目录 一、总则 (1) 二、检验程序 (1) 三、检验依据 (1) 四、检验前的准备工作 (2) 4.技术准备 (5) 五、检验工作安全要求 (5) 六、检验实施 (5) 七、缺陷及问题处理 (9) 八、检验结果汇总 (10) 九、安全状况分析与评定 (11) 十、出具检验报告 (12)
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX编号:XXXXXXX-001/1 一、总则 为了更好地贯彻落实《特种设备安全法》、《特种设备安全监察条例》，全面有效地开展压力容器的定期检验工作，保障设备的安全运行以及人民群众的生命财产安全，根据压力容器的使用状况、损伤模式及失效模式，依据《固定式压力容器安全技术监察规程》的要求，特制定本方案。 本方案由XXXXXXXXXXXX制定，经过检验机构技术负责人审查批准，规定了类压力容器定期检验的内容和方法，是该类压力容器定期检验的作业指导性文件。在检验实施过程中，检验人员应当严格按照本方案进行检验工作。 二、检验程序 图1定期检验工作的一般程序 三、检验依据 1、《特种设备安全法》 2、《特种设备安全监察条例》 3、《固定式压力容器安全技术监察规程》TSG21-2016 4、《承压设备无损检测》NB/T47013-2015 5、压力容器的相关制造标准 1
晶圆生产工艺流程介绍 1、表面清洗 2、初次氧化 3、CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。 （1）常压CVD(Normal Pressure CVD) （2）低压CVD(Low Pressure CVD) （3）热CVD(Hot CVD)/(thermal CVD) （4）电浆增强CVD(Plasma Enhanced CVD) （5）MOCVD(Metal Organic CVD)&分子磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy) （6）外延生长法(LPE) 4、涂敷光刻胶 （1）光刻胶的涂敷 （2）预烘(pre bake) （3）曝光 （4）显影 （5）后烘(post bake) （6）腐蚀(etching) （7）光刻胶的去除 5、此处用干法氧化法将氮化硅去除 6、离子布植将硼离子(B+3)透过SiO2膜注入衬底，形成P型阱 7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理 8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5)离子，形成N型阱 9、退火处理，然后用HF去除SiO2层 10、干法氧化法生成一层SiO2层，然后LPCVD沉积一层氮化硅 11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层 12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2层，形成PN之间的隔离区 13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层。 14、LPCVD沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2保护层。 15、表面涂敷光阻，去除P阱区的光阻，注入砷(As)离子，形成NMOS的源漏极。用同样的方法，在N阱区，注入B离子形成PMOS的源漏极。 16、利用PECVD沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。 17、沉积掺杂硼磷的氧化层 18、?镀第一层金属 （1）薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。 （2）真空蒸发法（Evaporation Deposition） （3）溅镀（Sputtering Deposition） 19、光刻技术定出VIA孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用PECVD法氧化层和氮化硅保护层。20、光刻和离子刻蚀，定出PAD位置 21、最后进行退火处理，以保证整个Chip的完整和连线的连接性
A.晶圆封装测试工序 一、IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、IC封装 1. 构装（Packaging） IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。 (1) 晶片切割（die saw） 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以
0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶（die mount / die bond） 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。 (4) 封胶（mold） 封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、內部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上，再以树脂充填并待硬化。 (5) 剪切/成形（trim / form） 剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除（dejunk）。成形之目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状，以便于装置于
压力容器磁粉检测通用工艺规程1、总则
1.1、本规程规定了铁磁性材料制承压设备的原材料、零部件和焊接接头表面、近表面缺陷的磁粉检测方法。 1.2、本规程适用于本企业铁磁性材料制压力容器的磁粉检测工作。 2、.引用标准 GB 11533 标准对数视力表 GB12604.5 无损检测术语磁粉检测 GB/T5097 无损检测渗透检测和磁粉检测观察条件 GB/T16673 无损检测用黑光源（UV-A）辐射的测量 JB/T6063 无损检测磁粉检测用材料技术条件 JB/T6065 无损检测磁粉检测用试片 JB/T6066 无损检测磁粉检测用环形试块 JB/T8290 磁粉探伤机 NB/T47013.1 承压设备无损检测第1部分：通用要求 《容规》 3、一般要求 3.1、磁粉检测人员 3.1.1、从事磁粉检测的人员应满足NB/T47013.1的有关规定。 3.1.2 磁粉检测人员的未经矫正或经矫正的近（小数）视力和远（距）视力应不低于5.0，测试方法应符合GB 11533的规定；并一年检查一次，不得有色盲。 3.1.3 磁粉检测程序 磁粉检测程序如下： a）预处理； b）磁化； c）施加磁粉或磁悬液； d）磁痕的观察与记录； e）缺陷评级； f）退磁； g）后处理。 3.2、设备要求 3.2.1、磁粉检测设备应符合JB/T8290标准的要求。 3.2.2、当使用磁轭最大间距时，交流电磁轭至少应有45N的提升力，交叉磁轭至少应有118N的提升力。 3.3、磁粉、载体及磁悬液
3.3.1、磁粉应具有高磁导率、低矫顽力和低剩磁，并应与被检工件表面颜色有较高的对比度。磁粉粒度和性能的其他要求应符合JB/T6063的规定。 3.3.2、湿法采用水或低粘度油基载体作为分散媒介。若以水为载体时，应加入适当的防锈剂和表面活性剂，必要时添加消泡剂。油基载体的运动粘度在38℃时小于或等于3.0mm2/s，使用温度下小于或等于5.0mm2/s，闪点不低于94℃，且无荧光和无异味。 3.3.3、磁悬液浓度应根据磁粉种类、粒度、施加方法和被检工件表面状态等因素来确定。一般情况下，非荧光磁粉的磁悬液浓度范围：配制浓度：10-25g/L；沉淀浓度（含固体量）：1.2-2.4mL/100mL。测定前应对磁悬液进行充分的搅拌。 3.4、标准试件 3.4.1、标准试片主要用于检验磁粉检测设备、磁粉和磁悬液的综合性能，了解被检工件表面有效磁场强度和方向、有效检测区以及磁化方法是否正确。标准试片有A1型、C型、D型和M1型，其规格、尺寸和图形应符合JB/T4730.4的要求。A1型、C型和D型标准试片应符合GB/T23907的规定。 3.4.2、磁粉检测时一般应选用A1:30/100型标准试片。当检测焊缝坡口等狭小部位，由于尺寸关系，A1型标准试片使用不便时，一般可选用C:15/50型标准试片。为了更准确的推断出被检工件表面的磁化状态，当用户需要或技术文件有规定时，可选用D 型或M1型标准试片。 3.4.3、标准试片使用方法： a) 标准试片适用于连续磁化法，使用时，应将试片无人工缺陷的面朝外。为使试片与被检面接触良好，可用透明胶带将其平整粘贴在被检面上，并注意胶带不能覆盖试片上的人工缺陷。 b) 标准试片表面有锈蚀、褶折或磁特性发生改变时不得继续使用。 3.4.4、磁场指示器是一种用于表示被检工件表面磁场方向、有效检测区以及磁化方法是否正确的一种粗略的校验工具，但不能作为磁场强度及其分布的定量指示。 3.5、磁化电流类型及其选用 3.5.1、磁粉检测常用的电流类型有：交流、整流电流（全波整流、半波整流）和直流。 3.5.2、磁化规范要求的磁化电流值为有效值，整流电流值为平均值。 3.6、磁化方向 磁化方向包括纵向磁化、周向磁化和复合磁化。 3.6.1、纵向磁化：检测与工件轴线方向垂直或夹角大于或等于45°的缺陷时，应使用纵向磁化方法。纵向磁化可用下列方法获得：a) 线圈法；b) 磁轭法； 3.6.2、周向磁化：检测与工件轴线方向平行或夹角小于45°的缺陷时，应使用周向磁化方法。周向磁化方法可用下列方法获得：a) 轴向通电法；b)触头法;c）中心导体法；