一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）
1、电子技术包括_信息电子技术__和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属
于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在___开关______状态。当器件的工作频率较高
时，___开关______损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为____载波比_________，当它为常数时的
调制方式称为___同步______调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状___不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果
基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是____
MOSFET _____，单管输出功率最大的是___ GTO __________，应用最为广泛的是_____ IGBT ______。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的
最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为有源逆变，如果接到负载，则称为无源
逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用
V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___ VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的
通路为___ V1____；
(3) t2~t3时间段内，电流的通路为___ VD2____；(4) t3~t4时间段内，电流
的通路为___ V2____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___ VD1____；
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二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）
1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（ B ）
A、V1与V4导通，V2与V3关断
B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断
C、V1与V4关断，V2与V3导通
D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断
2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ D ）
A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶
闸管的导通角小于180度
B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才
能正常工作
C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为
180度
D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度
3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（ C ）晶闸管导通。
A、1个
B、2个
C、3个
D、4个
4、对于单相交交变频电路如下图，在t1~t2时间段内，P组晶闸管变流装置与N组
晶闸管变流装置的工作状态是（ C ）
A、P组阻断，N组整流
B、P组阻断，N组逆
变
C、N组阻断，P组整流
D、N组阻断，P组逆
变
5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（ D ）
A、30°～150
B、0°～120°
C、15°～125°
D、0°～150°
6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是（ A ）
A、加快功率晶体管的开通
B、延缓功率晶体管的关断
C、加深功率晶体管的饱和深度
D、保护器件
7、直流斩波电路是一种（ C ）变换电路。
A、AC/AC
B、DC/AC
C、DC/DC
D、AC/DC
8、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（B ）
A、du/dt抑制电路
B、抗饱和电路
C、di/dt抑制电路
D、吸收
电路
9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ A ）
A、减小至维持电流以下
B、减小至擎住电流以下
C、减小至门极触发电流以下
D、减小至5A以下
10、IGBT是一个复合型的器件，它是（ B ）
A、GTR驱动的MOSFET
B、
MOSFET驱动的GTR
C、MOSFET驱动的晶闸管
D、MOSFET
驱动的GTO
三、简答题（共3小题，22分）
1、简述晶闸管导通的条件与关断条件。（7分）
1、（7分）
晶闸管导通的条件是：阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流，即擎住电流ＩＬ以上。导通后的晶闸管管压降很小。（3分）
使导通了的晶闸管关断的条件是：使流过晶闸管的电流减小至某个小的数值－维持电流ＩＨ以下。其方法有二：
（1）减小正向阳极电压至某一最小值以下，或加反向阳极电压；（2分）
（2）增加负载回路中的电阻。（2分）
2、电压型逆变电路的主要特点是什么？（8分）
2、（8分）
(1) 直流侧为电压源或并联大电容，直流侧电压基本无脉动；（2分）
(2) 输出电压为矩形波，输出电流因负载阻抗不同而不同；（3分）
(3) 阻感负载时需提供无功。为了给交流侧向直流侧反馈的无功提供通道，逆变桥各臂并联反馈二极管。（3分）
3、简述实现有源逆变的基本条件，并指出至少两种引起有源逆变失败的原因（7分）
3、（7分）
（1）外部条件：要有一个能提供逆变能量的直流电源，且极性必须与直流电流方向一致，其电压值要稍大于Ud；（2分）
（2）内部条件：变流电路必须工作于β<90°区域，使直流端电压Ud的极性与整流状态时相反，才能把直流功率逆变成交流功率返送回电网。这两个条件缺一不可。（2分）当出现触发脉冲丢失、晶闸管损坏或快速熔断器烧断、电源缺相等原因都会发生逆变失败。当逆变角太小时，也会发生逆变失败。（3分）
四、作图题（共 2 小题，每题12分，共24分）
1、三相全控桥，阻感负载，主回路整流变压器的接法是D,y5，采用NPN 管的锯齿波触发器，要求在整流与逆变状态运行。同步变压器二侧电压经R-C 滤波器滤波后（滞后角为30°）接到触发电路。同步变压器的的接法为
Y/Y-10，4接法，如下图所示，选择晶闸管的同步电压。（要给出分析晶闸管VT1VT2VT3VT4VT5VT6主电路电压+U u-U w+U v-U u+U w-U v 同步电压
1、（12分）
同步变压器的钟点数为Y/Y-10,4
晶闸管VT1VT2VT3VT4VT5VT6主电路电压+Uu-Uw+Uv-Uu+Uw-Uv 同步电压UsU-UsW UsV-UsU UsW-UsV
2、电路与波形如图所示。（1）若在t1时刻合上K，在t2时刻断开K，画出负载电阻R上的电压波形；（2）若在t1时刻合上K，在t3时刻
断开
K，
画出
负载
电阻R上的电压波形。（u g宽度大于3600）。
2、（12分）
（a）电路图（b）输入电压u2的波形图
五、计算题（共 1 小题，共20分）
1、电路如图所示，单相全控桥式整流电路接大电感负载，R=4Ω，
U2=220V。
（1）触发角为60°时，(a) 试求U d、I d、晶闸管电流平均值I dVT、晶闸管电流有效值I VT、变压器副边电流有效值I2；（b）作出u d、i d、
i VT2、i2的波形图（图标清楚，比例适当）。
（2）当负载两端接有续流二极管时，（a）试求U d、I d、I dVT、I VT、
I VD、I dVD、I2；（b）作出u d、i d、i VT2、i VD、i2的波形图（图
标清楚，比例适当）。
五、计算题（共 1 小题，20分）
1、(1)
(a)Ud=0.9U2cosα=0.9×220×cos600=99V （1分）
Id=Ud/R=99/4=24.75A（1分）
I2=Id=24.75A （1分）
IdVT=1800/3600×Id=24.75/2=13.38A（1分）
IVT=（2分）
（b）波形如图1所示（3分）
（2）（a）Ud=0.9U2（1+cosα）/2=0.9×220×（1+cos600）/2=148.5V（1分）
Id=Ud/R=148.5/4=37.13A IdVT=（1800-α）/3600×Id=（1800-600）/3600×37.13=12.38A（1分）
（1分）
（2分）
IdVD=2α/3600×Id=2×600/3600×37.13=12.38A （1分）
（2分）
（b）波形如图2所示（3分）
图1
电力电子技术模拟试题2（开卷，时间：120分钟） （所有答案必须写在答题纸上） 一、填空题（40分，每空1分） 1. GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过在门极使其关断。 3. GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度,导通时管压降。 4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称 为, 该值一般很小，只有左右，这是GTO的一个主要缺点。 5. GTR导通的条件是：且。 6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中，在区和 区之间过渡时，要经过放大区。 7. 电力MOSFET导通的条件是：且。 8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。 9.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。 10.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是原理，即相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。 11.根据“面积等效原理”，SPWM控制用一组的脉冲（宽度按 规律变化）来等效一个正弦波。 12.PWM控制就是对脉冲的进行调制的技术；直流斩波电路得到的PWM波是等效波形，SPWM控制得到的是等效波形。 13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称控制方式，PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称控制方式，三相桥式PWM型逆变电路采用控制方式。 14.SPWM波形的控制方法：改变调制信号u r的可改变基波幅值；改变
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属
2010年全国自考模拟、数字及电力电子技术模拟试卷(二) 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1. 根据真值表中的对应关系，Y与A、B之间的逻辑关系为() A. A B. B C. C D. D 答案：D 解析：(P150) 2. 在单相半波可控整流电路中，当负载为感性负载(设电感很大)时，若在负载端并联续流二 极管后，则() A. 续流二极管中的电流平均值与晶闸管中电流的平均值相等 B. 续流二极管中的电流平均值将大于晶闸管中电流的平均值 C. 续流二极管中的电流平均值将小于晶闸管中电流的平均值 D. 根据控制角α的不同，续流二极管中的电流平均值可能大于也可能小于晶闸管中电流的 平均值 答案：D 解析：(P下79)在单相半波可控整流电路中，若负载电感很大，由于电感的作用，延迟了晶闸管的关断时间，负载上电流流动时间加长，负载电流近似为一条平直线。当加了续流二极管，在输
入电压过零变负后，在电感电势作用下，续流二极管导通，使晶闸管关断。如果控制角α较大，因续流管导电时间可能比晶闸管导电时间长，这时续流管中的平均电流将大于晶闸管中的平均电流；如果α较小则相反。 3. 硅稳压二极管在稳压电路中起稳压作用时，应工作在（） A. 正向导通状态 B. 反向截止状态 C. 反向击穿状态 D. 反向饱和状态 答案：C 解析：(P16)稳压二极管是利用二极管在反向击穿时，反向电流在很大范围内变化而反向电压变化很小的特性来实现稳压的，因此必须工作在反向击穿状态。 4. 卡诺图如题图所示，其表示的逻辑函数最简式为() A. A B. B C. C D. D 答案：B
全国2018年4月自学考试电力电子变流技术试题 课程代码：02308 一、单项选择题(本大题共10小题.每小题1分，共10分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.电阻性负载三相半波可控整流电路，在合理的控制角范围内，当控制角α为何值时，输出负载电压出现断续( ) A.<30° B.>30° C.>45° D.>90° 2.电阻性负载三相半波可控整流电路中，该输入电源相电压有效值为U2，晶闸管所承受的最大反向电压U Rm等于多少( ) A.U Rm=3U2 B. U Rm=6U2 2U2 C. U Rm=2 2U2 D. U Rm=3 3.三相桥式不控整流电路中，二极管在自然换相点按1、2、3、4、5、6、l的顺序每隔多少度换相一次( ) A.45° B.60° C.90° D.120° 4.三相全控桥式整流电路中，共阴极组的三个晶闸管的触发脉冲相位互差( ) A.60° B.90° C.120° D.150° 5.单相全波可控整流电感性负载电路中，在理想的条件下( ) A.电感消耗的能量大于电阻消耗的能量 B.电感消耗的能量小于电阻消耗的能量 C.电感消耗的能量等于电阻消耗的能量 D.电感本身不消耗能量 6.单相全控桥式整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( ) 1
A.90° B.120° C.150° D.180° 7.下面给出的四个电力半导体器件中，哪个是全控型电力半导体器件( ) A.二极管 B.晶闸管 C.功率晶体管 D.逆导晶闸管 8.单相桥式全控电压源型逆变电路，直流侧电压为E，采用180°导电控制，则输出方波电压的有效值为( ) 1 A.E B.E 2 C.2E D.0 9.变流电路能进行有源逆变的条件之一是( ) A.直流侧接有续流二极管 B.电阻性负载 C.直流侧接有RC保护电器 D.直流侧有直流电动势E d 10.三相半波可控变流电路，输出电压U d的脉动频率与交流电源的频率之比为( ) A.6 B.3 C.2 D.1 二、填空题(本大题共15小题，每小题1分，共15分) 请在每小题的空格中填上正确答案.错填、不填均无分。 11.单相全控桥式整流电路电阻负载，控制角α=____时，整流输出电压平均值U d=0。 12.单相全桥相控电阻性负载电路中，设触发角为α，则晶闸管的导通角为_____。 13.单相半波可控整流纯电阻负载电路，控制角α=_____时，负载电流的平均值最大。 14.按照控制信号的性质来分，晶闸管是属于_______驱动型电力电子器件。 15.电压型三相桥式逆变电路中，采用180°导电控制方式时，同一相上、下两桥臂控制信号的相位差_____度。 16.SPWM调制，设正弦调制波的幅值为U rm，三角载波的幅值为U cm，则调制比为_____。 17.单相桥式逆变电路采用双极性SPWM调制，设逆变器直流侧电压幅值为U d，则输出电压有-U d和______。 18.将直流电能转换为交流电能，直接提供给交流_______的逆变电路称为无源逆变器。 19.三相桥式不控整流电路中，在—个输入电源周期内每个整流二极管换相_____次。 20.对同一只晶闸管，擎住电流I L和维持电流I H的大小关系为I L____I H。 2
电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力
华东理工大学网络教育学院（全部答在答题纸上，请写清题号，反 面可用。试卷与答题纸分开交）电力电子技术1606模拟卷1答案 一、单选题（共10题,每题2分,共20分） 1. 可实现有源逆变的电路为( )。（2分） A.单相半波可控整流电路， B.三相半波可控整流桥带续流二极管电路， C.单相全控桥接续流二极管电路， D.三相半控桥整流电路。.★标准答案：B 2. 晶闸管串联时，为达到静态均压，可在晶闸管两端并联相同的（）。（2分）A.电阻 B.电 容 C.电 感 D.阻容元件 .★标准答案：A 3. 当晶闸管随反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( ) （2分） A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不 定 .★标准答案：B 4. 单相全控桥式带电阻性
负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）（2分） A.90° B.120° C.150° D.180° .★标准答案：D 5. 有源逆变电路中，晶闸管大部分时间承受正压，承受反压的时间为（）。（2分）A.π－β B.30 °+β C. 10°+β D.β .★标准答案：D 6. 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）（2分） A.0~90° B.0~180° C.90°~180° D.180°~360° .★标准答案：A 7. 单相全控桥，带反电动势负载，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ为（2分） A.π-α-δB .π-α+δ C.π-2αD .π-2δ .★标准答案：A 8. 下列几种电力电子器件
中开关频率最高的是( ) （2分） A.功率晶体管 B.IGBT C.功率MOSFET D.晶闸管 .★标准答案：C 9. 三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组触发装置，α的移相范围( )。（2分） A.0o--60o； B. 0o--90o； C.0o --120o； D.0o--1 50o； .★标准答案：C 10. SPWM逆变器有两种调制方式：双极性和( )。（2分）A.单极性 B.多极性 C.三极性 D.四极性 .★标准答案：A 二、填空题（共10题,每题2分,共20分） 1. 单相交流调压电路电阻负载时移相范围是____________，电感负载时的移相范围是____________ （2分） .★标准答案：1. 0～π;2. 0～π; 2. 正弦脉宽调制（SPWM）技术运用于电压型逆变电路中，改变____________可改变逆变器输出电压幅值；改变____________可改变
??????????????????????精品自学考试资料推荐?????????????????? 全国 2018 年 7 月自考电力电子变流技术试题 课程代码： 02308 一、填空题 (每小题 1 分，共 15 分) 1．对于普通晶闸管，在没有门极触发脉冲的情况下，有两种因素会使其导通，一是正向阳极电压U A过高，二是 _________________。 2．为防止晶闸管误触发，应使干扰信号不超过_________________ 。 3．由逆阻型晶闸管和整流管集成的晶闸管称为_________________ 4．单相全控桥能在Ⅰ、_________________象限中工作。 5．逆变失败是指工作在逆变状态的变流器由于某种原因，出现了U d和 E d _______________ 的状态。 6．采用α1=π-α2配合有环流的控制的单相反并联(双重 )全控桥式整流电路，当变流器Ⅱ工作在逆变状态时，变流器Ⅰ工作在_________________状态。 7．常用的抑制过电压的方法有两种，一是用储能元件吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。 二是用 _________________ 元件限制过电压的幅值。 8．在整流电路中，晶闸管的换流属于_________________。 9 ．若用集成触发电路KC04触发三相全控桥，则KC04的引脚 1 和15 分别接至三相全控桥 _________________ 的上下两只晶闸管。 10．电压型单相桥式逆变电路中，与开关管反并联的二极管起着_________________ 和防止开关器件承受反压的作用。 11．脉冲宽度调制(PWM) 电路的调制比M 愈高，输出电压基波幅值愈_________________。 12．为了使电力晶体管安全、可靠地运行，驱动电路和主电路应该实行_________________ 。 13．为防止过电压和抑制功率晶体管的du/dt ，对功率晶体管需加接_________________ 。 14．普通晶闸管为半控型器件，在直流斩波电路中，由触发脉冲控制其开通，关断则由_________________ 完成。 15．三相全控桥中，晶闸管的控制角的起算点在_________________。 二、单项选择题 (在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。 每小题 1 分，共 20 分 ) 1．晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为（）。 A ．维持电流B．擎住电流 C．浪涌电流D．额定电流 2．为了减小门极损耗，晶闸管正常导通的方法是阳极加正向电压，门极加（）。 A ．正脉冲B．负脉冲 C．直流D．正弦波 3．在 GTR 作为开关的电路中，若在转换的过程中出现从高电压小电流到低电压大电流的现象，则说明晶体管（）。 A ．失控B．二次击穿 C．不能控制关断D．不能控制开通 4．下列器件中为全控型器件的是（）。 1
《电力电子技术》试卷1答案 一、填空（每空1分，36分） 1、请在正确的空格内标出下面元件的简称： 电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。 4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。 5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。 6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。 7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。 8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。环流可在电路中加电抗器来限制。为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。 9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。（写出四种即可） 10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ-四种。 二、判断题,（每题1分，10分）（对√、错×） 1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失 控现象。（√） 2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中 一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。（×） 3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。（×） 4、逆变角太大会造成逆变失败。（×） 5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。（√） 6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。（×） 7、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。（×） 8、在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取U2。（×） 9、在三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。（×） 10、变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。 （√） 三、选择题（每题3分，15分）
考试试卷( 1 )卷 一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分） 1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属 于前者。 2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时， _________损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为 _________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。 4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果 基本相同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大 的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。 6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大 反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。 7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。 8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。 (1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____； (3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5 时间段内，电流的通路为___VD1____；
电力电子变流技术练习题A 一、选择题 1、当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( ) A、导通状态C、饱与状态D、不定 2、带平衡电抗器得双反星型可控整流电路适用于( )负载。 B 高电压, C 电动机 D 发电机 3.为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作,应在电路中接入( )。 A 三极管, C 保险丝 D 电抗器 4、、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α得最大移相范围就是( ) A、90° B、120° C、150° 5、单相全控桥大电感负载电路中,晶闸管可能承受得最大正向电压为( ) A、U2C、2 U2D、U2 6、三相半波可控整流电路得自然换相点就是 ( ) A、交流相电压得过零点 C、比三相不控整流电路得自然换相点超前30° D、比三相不控整流电路得自然换相点滞后60° 7、普通晶闸管得通态电流(额定电流)就是用电流得( )来表示得。 A 有效值 B 最大值不一定 8、快速熔断器可以用于过电流保护得电力电子器件就是( ) A、功率晶体管 B、IGBT C、功率 MOSFET 9、可实现有源逆变得电路为( )。
、三相半控桥整流桥电路, C、单相全控桥接续流二极管电路 D、单相半控桥整流电路。 10、在大电感负载三相全控桥中,当α=90°时,整流电路得输出就是( ) A、 C、1、414U2 D、1、732U2 11、属于半控型电力电子器件得就是( ) A、功率晶体管 B、IGBT C、功率 12、当三相桥式全控整流电路正常工作时,同时处于导通状态得晶闸管数量就是多少个( ) A、1个、3个 D、2个与3个交替 13、对于可控整流电路,以下说法正确得就是 ( )。 将直流变成交流, C 将交流变成交流 D 将直流变成直流14、单相桥式可控整流电阻性负载电路中,控制角α得最大移相范围就是( ) A、90° B、120° C、150° 二、填空题 1、在1个工频周期内,当负载电流连续时,在典型三相桥式全控整流电路中,每个晶闸管得导通角为 120 度,度 2.三相半波可控整流电路中,当触发角α在正常范围内增大时,输出电压 3.无流整流电路得输入就是 输出就是。 4、有源逆变产生得条件有 5 6 三、简答题 1.简述下图所示得降压斩波电路工作原理。
电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？ 答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区，也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断， 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形 解：a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解：额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35， I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益 1α和2α， 由普通晶阐管的分析可得， 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21＞αα+两个等效晶体管过饱和而导通；
电力电子模拟试卷七（附答案） 一、填空题（本题共14小题，每空1分，共20分） 1、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别为：阳极、阴极和极。 2、晶闸管的额定电流是用在一定条件下的电流来标定。 3、为了保证晶闸管可靠与迅速地关断，通常在管子阳极电压下降为零之后，加一段时间的电压。 4、同一晶闸管，维持电流I H 与擎住电流I L 的数值大小上有I L I H 。 5、某晶闸管的型号为KP200-5，其中200表示，5表示。 6、从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为。 7、为了保证三相全控桥电路能启动工作，触发脉冲必须采用或。 8、三相半波整流电路有和两种接法。 9、三相全控桥的共阴极组要求触发脉冲以120°为间隔，依次在半周触发共阴极组的各晶闸管。 10、电阻性负载三相桥式可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm 等于，设U 2 为相电压有效值。 11、在单相全控桥式变流器控制直流电动机卷扬机拖动系统中，若使变流器 工作于有源逆变状态时，需使控制角a>π/2，同时|E d | |U d |。 12、为了防止逆变失败，对于工作在逆变状态的电路，对其的可靠性， 的质量以及的保护功能，都比整流电路要求高，同时对逆变角的限制为。 13、电压型逆变器其中间直流环节以贮能。 14、晶闸管串联时，给每只管子并联相同的RC电路是措施。 二、选择题（本题共10小题，每题1分，共10分） 1、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )
A、导通状态 B、关断状态 C、饱和状态 D、不定 2、在型号KP10－12G中，数字10表示( ) A、额定电压10V B、额定电流10A C、额定电压1000V D、额定电流100A 3、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( ) A、90° B、120° C、150° D、180° 4、三相半波可控整流电路的自然换相点是( ) A、交流相电压的过零点 B、本相相电压与相邻相电压正半周的交点处 C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30° D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60° 5、在晶闸管三相桥式可控整流电路电流断续时的机械特性中，当α( )时，所有不同控制角的特性曲线实际空载转速均相同。 A、≤300 B、≤600 C、≤900 D、≤1200 6、在大电感负载三相全控桥中，当α>60°时，在过了自然换相点之后和下一个晶闸管被触发之前，整流输出u 为负值，交流电源接受回馈的能量，电感( ) d A、释放储能 B、既不释放能量也不储能 C、吸收能量 D、以储能为主 7、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是( ) A、有源逆变器 B、A/D变换器 C、D/A变换器 D、无源逆变器 8、采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为( ) A、减小输出幅值 B、增大输出幅值 C、减小输出谐波 D、减小输出功率 9、180°导电型电压型三相桥式逆变电路，其换相是在如下哪种情形的上、下二个开关之间进行( ) A、同一相 B、不同相 C、固定相 D、不确定相 10、直波斩波电路是一种( )变换电路 A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC
《电力电子技术》试卷 一．填空（共15分，1分/空） 1.电力电子技术通常可分为（）技术和（）技术两个分支。 2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为（）型器件和（）型器件两类，晶闸管属于其中的（）型器件。 3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时（变压器二次侧电压有效值为U ，忽略主电路 2 各部分的电感），与电阻负载时相比，晶闸管提前了电角度δ停止导电，δ称为（）角，数量关系为δ=（）。 4.三相桥式全控整流电路的触发方式有（）触发和（）触发两种，常用的是（）触发。 5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为（）组和（）组两种。 6.在特定场合下，同一套整流电路即可工作在（）状态，又可工作在（）状态，故简称变流电路。 7.控制角α与逆变角β之间的关系为（）。 二．单选（共10分，2分/题） 1．采用（）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。 A.直流断路器 B. 快速熔断器 C.过电流继电器 2．晶闸管属于（）。 A.不可控器件 B. 全控器件 C.半控器件 3．单相全控桥式整流电路，带阻感负载（L足够大）时的移相范围是（）。 A．180O B.90O C.120O 4．对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说，正常工作时触发脉冲相位应依次差（）度。 A.60 B. 180 C. 120 5．把交流电变成直流电的是（）。 A. 逆变电路 B.整流电路 C.斩波电路 三．多选（共10分，2分/题） 1．电力电子器件一般具有的特征有。 A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数 B.一般工作在开关状态 C.一般需要信息电子电路来控制 D.不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器 2．下列电路中，不存在变压器直流磁化问题的有。 A.单相全控桥整流电路 B.单相全波可控整流电路 C.三相全控桥整流电路 D.三相半波可控整流电路 3．使晶闸管关断的方法有。 A.给门极施加反压 B.去掉阳极的正向电压 C.增大回路阻抗 D.给阳极施加反压 4．逆变失败的原因有。 A.触发电路不可靠 B.晶闸管发生故障 C.交流电源发生故障 D.换相裕量角不足 5．变压器漏抗对整流电路的影响有。 A.输出电压平均值降低 B.整流电路的工作状态增多 C.晶闸管的di/dt减小 D.换相时晶闸管电压出现缺口 四．判断（共5分,1分/题） 1.三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150O。（） 2.晶闸管是一种四层三端器件。（）
电力电子模拟试卷四（附答案） 一、填空题：（本题共5小题，每空1分，共20分） 1、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为I Tn等于倍I T（AV），如果I T（AV）=100 安培，则它允许的有效电流为安培。通常在选择晶闸管时还要留出倍的裕量。 2、三相桥式全控整流电路是由一组共极三只晶闸管和一组共极的三只晶闸管串联后 构成的，晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。每隔换一次相，在电流连续时每只晶闸管导通度。要使电路工作正常，必须任何时刻要有只晶闸管同时导通，一个是共极的，另一个是共极的元件，且要求不是的两个元件。 3、为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路种类很多， 但归纳起来可分为与两大类。 4、提高变流置的功率因数的常用方法有、、、几种。 5、三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围，三相全控桥电阻性负载时，电 路的移相范围，三相半控桥电阻性负载时，电路的移相范围。 二、判断题：（本题共10小题，每题1分，共10分） 1、双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样，双向晶闸管的额定电流是 用电流有效值来表示的。（） 2、逆变器采用负载换流方式实现换流时，负载谐振回路不一定要呈电容性。（） 3、无源逆变指的是把直流电能转换成交流电能送给交流电网。（） 4、对三相桥式全控整流电路的晶闸管进行触发时，只有采用双窄脉冲触发，电路才能正常工 作。（） 5、PWM脉宽调制型逆变电路中，采用不可控整流电源供电，也能正常工作。（） 6、在变流装置系统中，增加电源的相数也可以提高电网的功率因数。（） 7、过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通。（） 8、电流可逆斩波电路可实现直流电动机的四象限运行。（） 9、为避免三次谐波注入电网，晶闸管整流电路中的整流变压器应采用Y/Y接法（） 10、在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。（） 三、选择题：（本题共10小题，每题1分，共10分） 1、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0o时，输出的负载电压平均值为（）。A、0.45U2 B、0.9U2 C、1.17U2 D、2.34U2
《电子技术Ⅱ课程设计》 报告 姓名 xxx 学号 院系自动控制与机械工程学院 班级 指导教师 2014 年 6 月18日
目录 1、目的和意义 (3) 2、任务和要求 (3) 3、基础性电路的Multisim仿真 (4) 3.1 半导体器件的Multisim仿真 (4) 3.11仿真 (4) 3.12结果分析 (4) 3.2单管共射放大电路的Multisim仿真 (5) 3.21理论计算 (7) 3.21仿真 (7) 3.23结果分析 (8) 3.3差分放大电路的Multisim仿真 (8) 3.31理论计算 (9) 3.32仿真 (9) 3.33结果分析 (9) 3.4两级反馈放大电路的Multisim仿真 (9) 3.41理论分析 (11) 3.42仿真 (12) 3.5集成运算放大电路的Multisim仿真（积分电路） (12) 3.51理论分析 (13) 3.52仿真 (14) 3.6波形发生电路的Multisim仿真（三角波与方波发生器） (14) 3.61理论分析 (14) 3.62仿真 (14) 4.无源滤波器的设计 (14) 5.总结 (18) 6.参考文献 (19)
一、目的和意义 该课程设计是在完成《电子技术2》的理论教学之后安排的一个实践教学环节.课程设计的目的是让学生掌握电子电路计算机辅助分析与设计的基本知识和基本方法，培养学生的综合知识应用能力和实践能力，为今后从事本专业相关工程技术工作打下基础。这一环节有利于培养学生分析问题，解决问题的能力，提高学生全局考虑问题、应用课程知识的能力，对培养和造就应用型工程技术人才将能起到较大的促进作用。 二、任务和要求 本次课程设计的任务是在教师的指导下，学习Multisim仿真软件的使用方法，分析和设计完成电路的设计和仿真。完成该次课程设计后，学生应该达到以下要求： 1、巩固和加深对《电子技术2》课程知识的理解； 2、会根据课题需要选学参考书籍、查阅手册和文献资料； 3、掌握仿真软件Multisim的使用方法； 4、掌握简单模拟电路的设计、仿真方法； 5、按课程设计任务书的要求撰写课程设计报告，课程设计报告能正确反映设计和仿真结果。
全国2018年7月自考电力电子变流技术试题 课程代码：02308 一、单项选择题(本大题共20小题，每小题1分，共20分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 l.三相半波可控整流电路的自然换相点( ) A.是交流相电压的过零点 B.是相邻相电压正半周的交点R 、S 、T 处 C.比三相不控整流电路的自然换相点超前 D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后 2.三相半波可控整流电路换相重叠角γ与( ) A.控制角α、负载电流I d 和变压器漏抗X c 有关 B.控制角α和负载电阻R 有关 C.控制角α和相电压U 2有关 D.控制角α、相电压U 2和变压器漏抗X c 有关 3.整流变压器中的漏抗( ) A.可以抑制dt di B.可以抑制 dt du C.使输出电压升高 D.使换相重叠角γ减小 4.单相半波电阻负载可控整流电路，直流输出电压平均值U d 是( ) A.0.45U 2 2 cos 1α+ B.0.45U 2cos α C.0.9U 2cos α D.0.9U 2 2 cos 1α + 5.降压斩波电路中，已知电源电压U d =16V ，导通比K t =4 3 ，则负载电压U 0=( ) A.4V B.9V C.12V D.15V 6.功率晶体管GTR 的安全工作区由几条曲线所限定( ) A.2条 B.3条 C.4条 D.5条 7.电感性负载三相半波可控整流电路，三个晶闸管的导通角相等且等于( ) A.90° B.120° C.150° D.180° 8.三相全控桥式变流器直流电动机卷扬机拖动系统，当α>2 π 时，变流器输出电压波形u d 的正面积与负面积之比为( )
20××－20××学年第一学期期末考试 《电力电子技术》试卷(A) （时间90分钟 满分100分） （适用于 ××学院 ××级 ××专业学生） 一、 填空题（30分,每空1分）。 1．如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是________，属于半控型器件的是________，属于全控型器件的是________；属于单极型电力电子器件的有________，属于双极型器件的有________，属于复合型电力电子器件得有 ________；在可控的器件中，容量最大的是________，工作频率最高的是________，属于电压驱动的是________，属于电流驱动的是________。（只写简称） 2．单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为 _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 ；带阻感负载时，α角移相范围为 ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 。 3．直流斩波电路中最基本的两种电路是 和 。 4．升降压斩波电路呈现升压状态时，占空比取值范围是__ _。 5．与CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有 、 和 。 6．当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz 时，单相交交变频电路的输出上限频率约为 。 7．三相交交变频电路主要有两种接线方式，即 _和 。 8．矩阵式变频电路是近年来出现的一种新颖的变频电路。它采用的开关器件是 ；控制方式是 。 9．逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为 型逆变器和 型逆变器。 10．把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为 。 二、简答题（18分,每题6分）。 1．逆变电路多重化的目的是什么？如何实现？串联多重和并联多重逆变电路各应用于什么场合？ 2．交流调压电路和交流调功电路有什么异同？ 3．功率因数校正电路的作用是什么？有哪些校正方法？其基本原理是什么？ 三、计算题（40分，1题20分，2题10分，3题10分）。 1．一单相交流调压器，电源为工频220V ，阻感串联作为负载，其中R=0.5Ω，L=2mH 。 试求：①开通角α的变化范围；②负载电流的最大有效值；③最大输出功率及此时电源侧的功率因数；④当2πα＝时，晶闸管电流有效值，晶闸管导通角和电源侧功率因数。 2．.三相桥式电压型逆变电路，工作在180°导电方式，U d =200V 。试求输出相电压的基波幅值U UN1m 和有效值U UN1、输出线电压的基波幅值U UV1m 和有效值U UV1、输出线电压中7次谐波的有效值U UV7。 3 ．如图所示降压斩波电路E=100V ，L 值极大，R=0.5Ω，E m =10V ，采用脉宽调制控制方式，T=20μs ，当t on =5μs 时，计算输出电压平均值U o ，输出电流平均值
全国2003年4月自考模拟数字及电力电子技术试题 （课程代码：02238） 第一部分选择题 (共32分) 一、单项选择题(本大题共16小题，每小题2分，共32分) 在每小题列出的四个选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1. 在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为 2.8V、 3.5V、6V， 则这只三极管属于（） A. 硅PNP型 B. 硅NPN型 C. 锗PNP型 D. 锗NPN型2．题2图所示理想运放组成的运算电路的电压放大倍数为（） A. -11 B. -10 C. 10 D. 11 u o 题2图
3．题3图所示反馈放大电路的级间反馈属于（） u u o + - A. 电流串联负反馈 B. 电流并联负反馈 C. 电压串联负反馈 D. 电压并联负反馈 4．逻辑函数F AB BC ACBDE =++的最简与或式为（） A. AB BC + B. A BC + C. AB BC + D. A BC + 5．逻辑函数F AB BC A C =??的标准与或式为（） A. ∑(0,1,3,5) B. ∑(2,3,5,6) C. ∑(1,3,4,5) D. ∑(0,2,6,7) 6．逻辑函数F(A,B,C)=∑(2,4,5,6)的最简或与式为（） A. ()() A B B C ++ B. ()() A C B C ++ C. ()() A B B C ++ D. ()() A C B C ++ 7．逻辑函数F(A,B,C,D)=∑(0,3,7,8,10)，其约束条件为0 AB CD +=，则最简与或式为（） A. AD AD CD ++ B. AD AD BC ++ C. AB CD BD ++ D. AB CD BD ++ 8．题8图中为TTL逻辑门，其输出F为（）