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单相移相可控硅触发板

单相移相可控硅触发板
单相移相可控硅触发板

单相移相可控硅触发板

晶闸管过零触发电路

精心整理 TSC 的触发电路 1.介绍晶闸管投切电容器的原理和快速过零触发要求 晶闸管投切电容器组的关键技术是必须做到电流无冲击。晶闸管投切电容器组的机理如图一所示,信息请登陆:输配电设备网 当电路的谐振次数n 为2、3时,其值很大。 式(2)的第三项给出当触发角偏离最佳点时的振荡电流的幅值;式(2)中的第二项给出当偏离最佳予充电值时振荡电流的幅值。若使电容器电流ic=C*du/dt=0,则du/dt=0,即晶闸管必须在电源电压的正或负峰值触发导通投切电容器组,电容器预充电到峰值电压。 1. 当得到TSC 电管+高。如果 MOC3083芯片内部有过零触发判断电路,它是为220V 电网电压设计的,芯片的双向可控硅耐压800V ,在4、6两端电压低于12V 时如果有输入触发电流,内部的双向可控硅就导通。 用在380V 电网的TSC 电路上要串联几只3083。在2控3的TSC 电路应用如图四: 图四2控3的TSC 电路 用2对晶闸管开关控制3相电路,电路简单了,控制机理复杂了。这种触发电路随机给触发命令要出现下面的许多麻烦问题。 快速动作时,有触发命令,一对晶闸管导通另一对晶闸管不通电压反而升高了,限于篇幅和重点,本文不分析为什么电压反而高了,只是从测量的2控3电路中看到了确实存在电压升高的现象和危险,这种现象如同倍压整流电路直流电压升高了一样。图五测量不正常工作的两对晶闸管的电压波形。此试验晶闸管存在高压击穿的可能,所以用调压器将电网电压调低。晶闸管导通时两端电压

为零,不导通,晶闸管有电容器的直流电压和电网的交流电压。测量C相停止时峰峰值电压为540V,其有效值=,图中C相升高的电压峰值为810V,升高电压约为电网电压有效值的倍数:。推算,400V 电压下工作,晶闸管有可能承受的电压,400V电网的TSC电路多数是采用模块式的晶闸管,模块的耐压不高,常规为1800V,升高的管压降很容易击穿晶闸管元件。信息请登陆:输配电设备网图五不正常的两对晶闸管的电压波形信息来自:输配电设备网*在晶闸管电压波形过零点,串联的MOC3083由于分压不均匀,使得3083有的导通有的停止。电网电压升高时,原先导通的依然导通,不同的要承受更高的电压,3083有可能击穿。信息请登陆:输配电设备网 *在初次投切时有一定的冲击。下面是国外着名产品的首次投切的电流波形。 图六:国外公司产品的第一次触发冲击波形 记录C相晶闸管两端电压,A相电流。电流投切冲击很大,使得电网电压都产生了变形。信息来自: * * * * 3. 努力, 源: 切停止后,电容器上有电网峰值电压,晶闸管在电网电压和电容器直流电压的合成下,存在着过零电压,在过零点触发晶闸管是理想状态,应该没有冲击电流。 新触发电路达到了快速20ms动作,两路晶闸管都动作,无电流冲击,晶闸管在停止时的承受电压低,最大为3倍的有效值电压。 用双踪示波器测试波形.一只表笔测量晶闸管两端的电压和另一只测量晶闸管的电流波形,这样,可以看出晶闸管是否在过零点投入,又可以看出投入时的电流冲击。由于使用两个开关控制三相电路,用双踪示波器分别测量两路的电压电流,就可以完整的观察到触发器运行的效果。A探头为电压,B探头为电流。 图十二为:连续投切的A相晶闸管电压和C相电流的动作波形。 横轴为时间200ms/格,纵轴电压500V/格,电流20A/格。可控硅工作时两端的电压零,线路中有电流,停止时可控硅两端有电压,电流为零。在连续动作中,电流没有冲击。

晶闸管模拟移相触发配套芯片KC41KC42(补发、脉冲串(精)

KC41六路双脉冲形成器 一、功能与特点 KC41六路双脉冲形成器是三相全控桥式触发线路中必备的电路, 具有双脉冲形成和电子开关控制封锁双脉冲形成二种功能。使用 2块有电子开关控制的 KC41电路能组成逻辑控制适用于正反组可逆系统。 二、概述 KC41电路是脉冲逻辑电路。当把移相触发器的触发胲冲输入到 KC41电路的1~6端时,由输入二极管完成了补脉冲, 再由 T 1~T6电流放大分六路输出。补脉冲按+A→ -C , -C → +B, +B→ -A , -A → +C, +C→ -B , -B → +A顺序排列组合。 T 7是电子开关,当控制 7#端接逻辑“ 0”电平时 T 7截止,各路有 输出触发脉冲。当控制 7#端接逻辑“ 1”电平(+15V时, T 7导通 ,各种无输出触发脉冲。 KC41 内部原理图见图 (1。 KC41应用实例见图 (2,各点波形分别见图 (3。图中输出端如果接 3DK4作功率放大可得到 800mA 的触发脉冲电流。使用 2块KC41电路相应的输入端并联 ,二个控制端分别作为正反组控制输入端,输出接12个功率放大管。这样就可组成一个 12脉冲正反组控制可逆系统,控制端逻辑“ 0”电平有效 。

图 (1 KC41电路内部原理图 三、主要技术数据 1、电源电压:直流 +15V, 允许波动±5%(±10%时功能正常 2、电源电流:≤ 20mA 3、输出脉冲 : 3. 1.最大输出能力:20mA (流出脉冲电流 3. 2.幅度:≥ 13V 4、输入端二极管反压:≥ 18V 5、控制端正向电流:≤ 8mA 6、封装:KC41电路采用 16脚陶瓷双列直插式封装 7.允许使用环境温度:-10℃— +70

晶闸管触发驱动电路设计-张晋远要点

宁波广播电视大学 机械设计制造及其自动化专业 《机电接口技术》 课程设计 题目晶闸管触发驱动电路设计 姓名张晋远学号1533101200119 指导教师李亚峰 学校宁波广播电视大学 日期2017 年 4 月20 摘要 晶闸管是一种开关元件,能在高电压、大电流条件下工作,为了控制晶闸管的导通,必须在控制级至阴极之间加上适当的触发信号(电压及电流),完成此任务的就是触发电路。本课题针对晶闸管的触发电路进行设计,其电路的主要组成部分由触发电路,交流电路,同步电路等电路环节组成。有阻容移相桥触发电路、正弦波同步触发电路、单结晶体触发电路、集成

UAA4002、KJ006触发电路。包括电路的工作原理和电路工作过程以及针对相关参数的计算。 关键词:晶闸管;触发电路;脉冲;KJ006; abstract Thyristor is a kind of switch components, can work under high voltage, high current conditions, in order to control thyristor conduction, must be between control level to the cathode with appropriate trigger signal (voltage and current), complete the task is to trigger circuit. This topic in view of the thyristor trigger circuit design, the main part of the circuit by the trigger circuit, communication circuit, synchronous circuit and other circuit link. There is a blocking phase bridge trigger circuit, the sine wave synchronous trigger circuit, the single crystal trigger circuit, the integrated UAA4002, the KJ006 trigger circuit. This includes the working principle of the circuit and the circuit working procedure and the calculation of the relevant parameters. Keywords: thyristor; Trigger circuit; Pulse; KJ006; 目录 第一章绪论 1.1设计背景与意义…………………………………… 1.2 晶闸管的现实应用……………………………………

双向可控硅及其触发电路

双向可控硅及其触发电路 双向可控硅是一种功率半导体器件,也称双向晶闸管,在单片机控制系统中,可作为功率驱动器件,由于双向可控硅没有反向耐压问题,控制电路简单,因此特别适合做交流无触点开关使用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器,且连接在强电网络中,其触发电路的抗干扰问题很重要,通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰,交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。(过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通,由于采用过零触发,因此需要正弦交流电过零检测电路) 双向可控硅分为三象限、四象限可控硅,四象限可控硅其导通条件如下图: 总的来说导通的条件就是:G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通,这个电压可以是正、负,和T1、T2之间的电流方向也没有关系。因为双向可控硅可以双向导通,所以没有正极负极,但是有T1、T2之分 再看看BT134-600E的简介:(飞利浦公司的,双向四象限可控硅,最大电流4A)

推荐电路: 为了提高效率,使触发脉冲与交流电压同步,要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲,且触发脉冲电压应大于4V ,脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器,TPL521 - 2 为光电耦合器,起隔离作用。当正弦交流电压接近零时,光电耦合器的两个发光二极管截止,三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通,产生负脉冲信号,T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚,以引起中断。在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间,然后发出双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。

单向双向可控硅触发电路设计原理

单向/双向可控硅触发电路设计原理 1,可以用直流触发可控硅装置。 2,电压有效值等于U等于开方{(电流有效值除以2派的值乘以SIN二倍电阻)加上(派减去电阻的差除以派)}。 3,电流等于电压除以(电压波形的非正弦波幅值半波整流的两倍值)。 4,回答完毕。 触摸式台灯的控制原理 这种台灯的主要优点是没有开关,使用时通过人体触摸,完成开启、调光、关闭动作,给使用带来方便。 一、电路设计原理 人体感应的信号加在电源电路可控硅的触发极,使电路导通,并给负载——灯泡或灯管供电,使灯按弱光、中光、强光、关闭4个状态动作,达到调光的目的。电路见图1,该电路的关键器件是采用CMOS工艺制造的集成电路BA210l。 二、降压稳压电路 由R3、VDl、VD4、C4组成。输出9V直流电,供给BA2101,由③⑦脚引入。 三、触发电路 由触发电极M将人体的感应信号,经c3、R8、R7送至④脚的sP端,经处理后,由⑥脚输出触发信号,经cl、R1加至可控硅VS的G极,VS导通,电灯H点亮。第二次触摸,可改变触发脉冲前沿的到达时间,而使电灯亮度改变。反复触摸,可按弱光、中光、强光和关闭四个动作状态循环,达到调节亮度的目的。可控硅VS在动作中其导通角分别为120度、86度、17度。 四、辅助电路 VD2和vD3为保护集成电路而设。防止触摸信号过大而遭破坏。C3为隔离安全电容。R4为取得同步交流信号而设。R5为外接振荡电阻。 五、使用中经常出现的故障 (1)由震动引发的故障。触摸只需轻轻触及即可。但在家庭使用中触击的强度因人而异,小孩去触摸可能是重重的一拳。性格刚烈的人去触摸,可能引起剧烈震动。因此经常出现灯泡断丝。 (2)集成块焊脚由震动而产生脱焊。如③脚脱焊,使电源切断而停止工作;④、⑥脚脱焊,使触摸信号中断,都会引起灯泡不亮。因此要检查集成块各脚是否脱焊。 (3)可控硅VS一般采用MAC94A4型双向可控硅,由于反复触发,或意外大信号触发,会引起可控硅击穿而停止工作。 触摸式台灯的控制原理 这种台灯的主要优点是没有开关,使用时通过人体触摸,完成开启、调光、关闭动作,给使用带来方便。 一、电路设计原理 人体感应的信号加在电源电路可控硅的触发极,使电路导通,并给负载——灯泡或灯管供电,使灯按弱光、中光、强光、关闭4个状态动作,达到调光的目的。电路见图1,该电路的关键器件是采用CMOS工艺制造的集成电路BA210l。 二、降压稳压电路 由R3、VDl、VD4、C4组成。输出9V直流电,供给BA2101,由③⑦脚引入。 三、触发电路 由触发电极M将人体的感应信号,经c3、R8、R7送至④脚的sP端,经处理后,由⑥脚输出触发信号,

双向可控硅移相触发器模块TRIAC

双向可控硅移相触发器模块TRIAC-JK: 双向可控硅移相触发器模块TRIAC-JK只有一路输出,且要求可控硅移相触发器模块所取的同步信号与电网相位同步,以控制 信号为0~5VDC的G型为例,当控制电压在0~5V之间变化时,触发器模块内部便输出与电网电压同步、脉冲宽度可相对电网电压从 180°~0°可调节的触发信号通过光耦隔离,输出端(A、G)便可触发相应的双向可控硅导通,从而达到移相调压的目的。 双向可控硅移相触发器模块TRIAC-JK 在使用时需要外接一组与输入电网同步的、通过变压器隔离降压后的18VAC同步电压信 号,此同步电压信号还同时作为移相触发器模块内部电源用,并产生一组辅助电源作为电位器手动调节时用。可控硅移相触发器模块 内部集相位检测电路、移相电路、光电隔离触发电路于一体,实现了高压与控制部分的隔离,输入控制信号可由其它自动控制设备输

出供给,也可以由内部电源外接一只电位器进行手动调节。使用安全、简单、方便。 双向可控硅移相触发器模块的命名规则: 主要型号表: 产品外形尺寸:

可控硅移相触发器模块的引脚功能: 1、①、②脚接18VAC输出的同步变压器的副边绕组18Vac,供给移相触发器电源和同步基准; 2、③脚接可控硅的触发门极(G); 3、④脚TRIAC-JK双向可控硅移相触发器时接双向可控硅的主电极(T1) 。 4、⑤脚为内部地,当移相触发器由外电路输入控制信号时,⑤脚与外电路的地相连; 5、⑥脚为控制端,以控制信号为0~5V输入(E型)移相触发器模块为例,当⑥脚输入0~5V变化的电压信号时,对阻性负载 而言,③④便触发可控硅在180~0°范围内导通。 6、⑦脚为模块内部产生的+5V电源端,当⑤⑥⑦脚外接电位器手动控制时,⑦脚提供电源,当控制信号由外电路提供控制信 号时,⑦脚悬空不用。

KC05、06可控硅移相触发器

KC05、06可控硅移相触发器 KC05:适用于双向可控硅或二只反向并联可控硅线路的交流相位控制;移相范围宽,控制方式简单,易于集中控制,有失交保护,输出电流大等优点。是交流调光、调压的理想电路。 KC05电路应用实例 主要技术数据: 1、电源电压:直流+15V 波动±5%(±10%时有功能) 2、电源电流:≤12mA 3、同步电压:≥10V(有效值) 4、移相范围:≥170° 5、移相输入端偏置电流:≤10μA 6、输出脉冲宽度:100μS——2mS(改变脉宽电容) 7、输出脉冲幅度:≥13V(1KΩ负载) 8、最大输出能力:200mA(吸入脉冲电流) 9、输出管反压:BVceo ≥18V 10、正负半周脉冲相位不均衡度:≤±3°

11、使用环境温度:-10℃——+70℃ KC06:适用于双向可控硅或二只反向并联可控硅线路的交流相位控制;移相范围宽,控制方式简单,易于集中控制,有失交保护,输出电流大等优点。是交流调光、调压的理想电路。具有自生直流电源,可由交流电网直接供电,无需外加同步、脉冲变压器和外接直流电源。 KC06电路应用实例 主要技术数据: 1、电源电压:(1)外接直流电源:+15V 波动±5%(±10%时有功能) (2)自生直流电源电压:+12——+14V 2、电源电流:≤12mA 3、同步电压:≥10V(有效值) 4、同步输入端允许最大同步电流:5mA 5、移相范围:≥170°(同步电压220V,同步输入电阻51KΩ) 6、移相输入端偏置电流:≤10μA 7、输出脉冲宽度:100μS——2mS(改变脉宽电容) 8、输出脉冲幅度:≥13V(电源电压15V时,1KΩ负载)

晶闸管的触发方式有移相触发和过零触发两种

过零触发双硅输出光耦-MOC3061的应用 晶闸管的触发方式有移相触发和过零触发两种。常用的触发电路与主回路之间由于有电的联系,易受电网电压的波动和电源波形畸变的影响,为解决同步问题,往往又使电路较为复杂。MOTOROLA 公司生产的MOC3021-3081器件可以很好地解决这些问题。该器件用于触发晶闸管,具有价格低廉、触发电路简单可靠的特点。下面以MOC3061为例介绍其工作原理和应用。 一、内部结构及主要性能参数 MOC3061的内部结构及管脚排列见图1,它采用 双列直插6脚封装。主要性能参数:可靠触发电流 Ift5-15mA ;保持Ih 100μA ;超阻断电压600V ;重 复冲击电流峰值1A ;关断状态额定电压上升率dV/dt 100V/μs 。 MOC3061的管脚排列如下:1、2脚为输入 端;4、6为输出端;3、5脚悬空,详见图1 。 图1 图2、图3分别为MOC3061用于触发双向晶闸管和反并联单向晶闸管的基本 电路。 图2 图3 二、应用电路 图4是一个可简单编程的四路彩灯控制电路。电路中采用一块时基电路产生一脉冲,74LS194产是通过控制P0、P1、P2、P3的电平高低来实现的。采用MOC3061触发晶闸管,强、弱的电之间在电靠地触发50A 或更大的功率的晶闸管。

图4

5是一 个采用 MOC3061 过零触 发晶闸 管构成 的炉温 控制系 统。一 方法都 采用移 相触发 晶闸 管,控 制晶闸 管的导 通角来 控制输 出功 率。触 发电路 要求一 定幅值 且相位 能改变 的脉 冲,而 且还需 图5 要解决 与主回 路电压 同步的 问题, 使电路 较复 杂;采 用移相 触发晶

双向可控硅的控制原理

双向可控硅的工作原理 1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成 当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。 由于BG1和BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断的。 由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化 2,触发导通 在控制极G上加入正向电压时(见图5)因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用(见图2)的基础上,加上IGT的作用,使可控硅提前导通,导致图3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。 一、可控硅的概念和结构? 晶闸管又叫可控硅。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族,它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管,等等。今天大家使用的是单向晶闸管,也就是人们常说的普通晶闸管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极〔图2(a)〕:第一层P型半导体引出的电极叫阳极A,第三层P型半导体引出的电极叫控制极G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到,它和二极管一样是一种单方向导电的器件,关键是多了一个控制极G,这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。

可控硅触发电路.doc

可控硅触发电路必须满足的三个主要条件 一、可控硅触发电路的触发脉冲信号应有足够的功率和宽度 为了使所有的元件在各种可能的工作条件下均能可靠的触发,可控硅触发电路所送出的触发电压和电流,必须大于元件门极规定的触发电压UGT与触发电流IGT的最大值,并且留有足够的余量。另外,由于可控硅的触发是有一个过程的,也就是可控硅触发电路的导通需要一定的时间,不是一触即通,只有当可控硅的阳极电流即主回路电流上升到可控硅的擎住电流IL以上时,管子才能导通,所以触发脉冲信号应有一定的宽度才能保证被触发的可控硅可靠导通。例如:一般可控硅的导通时间在6μs左右,故触发脉冲的宽度至少在6μs以上,一般取20~50μs,对于大电感负载,由于电流上升较慢,触发脉冲宽度还应加大,否则脉冲终止时主回路电流还未上升到可控硅的擎任电流以上,则可控硅又重新关断,所以脉冲宽度下应小于300μs,通常取1ms,相当广50Hz正弦波的18°电角度。 二、触发脉冲的型式要有助于可控硅触发电路导通时间的一致性 对于可控硅串并联电路,要求并联或者串联的元件要同一时刻导通,使两个管子中流过的电流及或承受的电压及相同。否则,由于元件特性的分散性,在并联电路中使导通较早的元件超出允许范围,在串联电路中使导通较晚的元件超出允许范围而被损坏,所以,针对上述问题,通常采取强触发措施,使并联或者串联的可控硅尽量在同一时间内导通。 三、触发电路的触发脉冲要有足够的移相范围并且要与主回路电源同步 为了保证可控硅变流装置能在给定的控制范围内工作,必须使触发脉冲能在相应的范围内进行移相。同时,无论是在可控整流、有源逆变还是在交流调压的触发电路中,为了使每—周波重复在相同位置上触发可控硅,触发信号必须与电源同步,即触发信号要与主回路电源保持固定的相位关系。否则,触发电路就不能对主回路的输出电压Ud进行准确的控制。逆变运行时甚至会造成短路事故,而同步是由相主回路接在同一个电源上的同步变压器输出的同步信号来实现的。 可控硅(晶闸管)的交流调压原理 一、双向可控硅交流调压原理 一只双向可控硅的工作原理,可等效两只同型号的单向可控硅互相反向并联,然后串联在调压电路中实现其可控硅交流调压的。为50Hz交流电的电压波形。在0~a′时间内,SCR1因控制极G无正脉冲信号而正向阻断,而SCR2则反向不导通。在a′~?π时间内,SCR1控制极G受触发脉冲触发而导通. 将可控硅在正向阳极电压作用下不导通的范围称为控制角,用字母a表示,而导通范围称为导通角,用字母θ表示。显然控制角a的大小,可改变正负半周波形切割面积的大小。当a越小被切割的波形面积越小,输出交流电压的平均值越大。相反,当a角越大,被切割的波形面积越大,输出交流电压的平均值越小。 二、单向可控硅交流调压原理 50Hz交流电压通过四个二极管组成的单向器,将50Hz正负半波变换为相对应时刻的单向电压,再用一只单向可控硅来实现交流调压。 可控硅的工作电流就等于I,在实际应用中SCR的工作电流一般取1~1.5I。由于采用了单向器,所以SCR不承受反向电压,为了防止单向器二极管击穿短路而损坏可控硅,实际应用时SCR反向工作电压仍应取≥400V。 双向可控硅交流稳压器电路

基于TCA785移相触发器控制双向可控硅电路原理

0 引言 磁粉探伤机由于其结构相对简单、检测速度快、成本低、对环境污染较小等特点,已广泛应用于航空、机械、汽车、内燃机、铁道、船泊等部门。由于某些车轮轮对荧光磁粉探伤机的退磁不稳定,故需要对周向电流电路控制系统中的可控硅调压方案进行改进。目前,在生产中使用的磁粉探伤设备中,周向电流多采用2只可控硅反向并联组成调压电路。而本文则给出了采用TCA785移相触发器对可控硅实现调压的方法。 1 可控硅调压原理和触发方式 可控硅具有体积小、重量轻、耐压高、价格低廉、控制灵敏和使用寿命长等优点,它使半导体器件的应用从弱电领域进入强电领域,而且广泛应用于整流、逆变和调压等大功率电子电路中。可控硅是一种有源开关器件,平时它保持在非导通状态,直到一个较小的控制信号对其触发(或称“点火”)使其导通,而且一旦导通后,即使撤离触发信号,它也保持导通,而要使其关断,可在其阳极与阴极间加上反向电压或将流过可控硅二极管的电流减少到某一个阀值以下。磁粉探伤机的磁化电路绝大多采用可控硅调压方式来控制周向磁化电流。 1.1 可控硅调压原理 可控硅导通和关断的条件是:当阳极电位高于阴极电位且控制极有足够的正向电压和电流时,即可实现从关断到导通;而阳极电位高于阴极电位且阳极电流大于维持电流时,可维持可控硅的导通:阳极电位低于阴极电位或阳极电流小于维持电流时,可控硅便从导通状态变为关断。 产生触发脉冲是可控硅导通的必要条件之一,其质量将直接对可控硅的工作情况和性能造成影响。因此,产生触发信号的触发电路的可靠性直接关系到可控硅调压装置的质量。 1.2 可控硅的触发方式 用可控硅实现交流调压通常有两种触发方式,即过零触发方式和移相触发方式。 过零触发是在电源电压零点附近触发晶闸管导通,并通过改变设定周期内晶闸管导通的周波数来实现交流调压。可控硅定周期过零触发工作波形如图l所示。 图1 中,Tc为控制信号的周期,t1和t2分别为可控硅的通、断时间,且Tc=t1+t2。该电路是通过改变可控硅的通断时间,即改变通断的周波数来实现电压调节。通常控制电路先把负载与输入电压U在周期Tc时间接通t1秒(通n个周波),然后再断开t2秒(断m个周波),即通过改变通断时间来调节负载的输出电压。

触发双向可控硅调压电路

过零触发双向可控硅调压电路图 新一代晶闸管触发模块KTM2011A的原理及应用 摘要:KTM2011A是青岛珠峰科技有限公司推出的新一代晶闸管触发模块,具有体积小、重量轻、触发动率大及波形对称性对等优点。文中详细介绍了KTM2011A的内部结构、工作原理、设计特点及具体的应用电路。 关键词:触发电路隔离脉冲KTM2011A 1 概述 KTM2011A是青岛珠峰科技有限公司经过优化设计和精心研制的新一代晶闸管触发模块,具有体积小、重量轻、触发功率大及波形对称性好等优点。其输出可触发单相电路中两个相位互差180°的晶闸管,可广泛用于单相交流调压、单相桥式半控整流电路中作为晶闸管的触发电路,由于模块内部集成有隔离单元,故使用中不需要外接脉冲变压器。KTM2011具有如下特点:

2.2 极限参数 KTM2011A的极限工作参数如下: ●输入交流同步电 压:15~17V; ●输出直流电压 V+:22V; ●输入移相电压 VK:0~+10V; ●输出触发电流:≤750mA; ●输出脉冲幅度:18~21V; ●

移相范围:0~180°; ●脉冲宽度:≮2ms ; ● 需配变压器容量:5~10VA ; ●输入、输出间隔离电压:2500VDC ; ●工作温度范围:-10~+70℃。 ●工作电源电压VCC :+16V ; 3 结构及原理 KTM2011A 的内部结构及工作原理框图如图2所示。它由同步环节、锯齿波形成、整流电路、脉冲形成、脉冲放大及隔离整形环节共五个单元电路组成。工作时,KTM2011A 首先将来自同步电流变压器副边的电压信号经整流电路整流,并通过引脚4的内部送给脉冲放大与隔离整形电路,同时将滤波稳压后的电压经引脚3输入给锯齿波形成和脉冲形成部分作为供电电源。另一方面,来自同步电源变压器副边的电压信号经同步环节检测出过零点,并在锯齿波形成环节根据用户在引脚7所接电阻的大小而决定的斜率形成锯齿波。将该锯齿波与引脚9输入的控制电压 Uk 相比较以形成对应于同步信号的正、负半周脉冲。此时如引脚6(Lock )为低电平,则所形成的脉冲经脉冲放大与隔离整形电路后输出;如引脚6 (Lock 端)为高电平,则脉冲形成环节的输出被封锁,此时脉冲放大与隔离整形环节无输出。图3给出了KTM2011A 的工作波形,其中下标为对应 KTM2011A 的引脚号。 4 应用 KTM2011A 可以很方便地在单相桥式半控、单相半波整流电路以及单相交流调压系统中用来触发晶闸管。图4给出了KTM2011A 的典型接线图,图中应用L7812作三端稳压器,供电电源为12V 。 4.1 单相桥式半控整流电路 4.2 双向晶闸管触发电路 图6给出了KTM2011A 在交流调压系统中用来触发双各晶闸管的原理图。图中将KTM2011A 输出的两路脉冲“或”起来作为双向晶闸管的触发脉冲,该调压装置可以输出较大的功率。 4.3 反并联晶闸管触发电路 图7给出了在单相交流调压系统中应用KTM2011A 触发两个反并联晶闸管的原理电路图。图中两个反并联晶闸管可选用较大的容量,因而可用于工业电炉及其它需要控温、调功的场合。需要指出的是,如果把图5到图7中的KTM2011A 使用电路在三相系统中的每相中使用,便可组成三相半波、三相桥式可控或三相交流调压系统。 4.4 应用注意事项 在使用KTM2011A 时,有时尽管已接好电路,但在Uk 变化时,晶闸管却不能触发。这是因为加到晶闸管两端的交流电压相位与解发脉冲相位不同步引起的。此时只要将同步电源变压器原边或副边绕组的两根线对调,即可正常工作。 互补振荡器触发电路图 该电路如图所示。电路中的VT1与VT2组成正反馈环节,产生自激振荡触发脉冲,调节RP 可以改变自激振荡脉冲的周期,起到移相的作用。

晶闸管模拟移相触发芯片KC785原理与应用

一、概述: KC785可控硅移相触发器主要用于单相、三相全控桥式供电装置中作可控硅的双路脉冲移相触发,KC785电路有两路相位差180度的移相脉冲输出可构成全控桥式触发线路。该电路具有输出负载能力大、移相性能好,正负半周脉冲相位均衡性好,移相范围宽,对同步电压要求小,有宽脉冲输出等特点,可与西德TCA785电路进行直接互换。 KC785电路内部原理图(1)波形图见图(2),应用实例见图(3)。同步电压可由电网直接或同步变压器再通过电阻给5#提供一个同步信号控制产生一锯齿波,R9确定了给电容C10充电的锯齿波斜率。如果斜率上升电压V10达到移相控制电压V11,就有一个信号送到逻辑部分。所以改变V11的大小,即改变了V11与V10的交点,即实现了移相触发脉冲由0o~180o的变化。 送出与A1,A2反相的脉冲电压信号。3#送出从Ф开始每隔180o转换的信号,7#送 出与A1,A1反相的连续脉冲电压信号(

d)移相电压范围:-0.5V~(Vs-2)V e)移相范围:≥170o f)锯齿波幅度:(Vs-2)V g)输出脉冲: 1.幅度:高电平≥(Vs-2.5)V:低电平:≤2V 2.宽度:无C12:30us左右 有C12:(400~600)us∕nF 3.最大输出能力:55mA(流出脉冲电流) h)2#3#4#7#脉冲电压输出端输出能力:≤2mA(灌入脉冲电流) i)封装:采用16脚塑料双列直插封装 j)允许使用温度:-10℃~+70℃ 应用举例

KJ004可控硅移相电路

KJ004可控硅移相电路 可控硅移相触发电路适用于单相、三相全控桥式供电装置中,作可控硅的双路脉冲移相触发。器件输出两路相差180度的移相脉冲,可以方便地构成全控桥式触发器线路。电路具有输出负载能力大、移相性能好、正负半周脉冲相位均衡性好、移相范围宽、对同步电压要求低,有脉冲列调制输出端等功能与特点。 一、电路工作原理: 电路由同步检测电路、锯齿波形成电路、偏形电压、移相电压及锯齿波电压综合比较放大电路和功率放大电路四部分组成。电原理见下图:锯齿波的斜率决定于外接电阻R6、RW1,流出的充电电流和积分电容C1的数值。对不同的移相控制电压VY,只有改变权电阻R1、R2的比例,调节相应的偏移电压VP。同时调整锯齿波斜率电位器RW1,可以使不同的移相控制电压获得整个移相范围。触发电路为正极性型,即移相电压增加,导通角增大。R7和C2形成微分电路,改变R7和C2的值,可获得不同的脉宽输出。的同步电压为任意 值。 二、封装形式 电路采用双列直插C—16白瓷和黑瓷两种外壳封装,外形尺寸按电子工业部部颁标准。《半导体

7.输出脉冲: (1)宽度:400μS—2mS(通过改变脉宽阻容元件达到)。 (2)幅度:≥13V。 (3)最大输出能力100mA(流出脉冲电流)。 (4)输出管反压:BVCEO≥18V(测试条件Ie≤100μA)。 8.正负半周脉冲相位不均衡≤±30。 9.使用环境温度为四级:C:0—70℃R:-55—85℃E:-40—85℃M:-55—125℃

4.保护电路 4.1保护电路设计在电力电子电路中,除了电力电子器件参数选择合适、驱动电路设计良好外,采用合适的过电压、过电流、du/dt保护和di/dt 保护也是必要的。 4.2 过电压的产生及过电压保护18 电力电子装置中可能发生的过电压分为外因过电压和内应过电压两类。外应过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外部原因,包括: 1)操作过电压:由分闸、合闸等开关操作引起的过电压,快速直流开关的切断等经常性操作中的电磁过程引起的过压。 2)雷击过电压:由雷击引起的过电压。内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程,包括: 1)换相过电压:由于晶闸管或者全控器件反并联的续流二极管在换相结束后不能立刻恢复阻断能力,因而有较大的反向电流流过,使残存的载流子恢复,当其恢复了阻断能力时,反向电流急剧减小,这样的电流突变会因线路电感而在晶闸管阴阳极之间或与续流二极管反并联的全控型器件两端产生过电压。 2)关断过电压:全控型器件在较高的频率下工作,当器件关断时,因正向电流的迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压。 过压保护要根据电路中过压产生的不同部位,加入不同的保护电路,当达到—定电压值时,自动开通保护电路,使过压通过保护电路形成通路,消耗过压储存的电磁能量,从而使过压的能量不会加到主开关器件上,保护了电力电子器件。为了达到保护效果,可以使用阻容保护电路来实现。将电容并联在回路中,当电路中出现电压尖峰电压时,电容两端电压不能突变的特性,可以有效地抑制电路中的过压。与电容串联的电阻能消耗掉部分过压能量,同时抑制电路中的电感与电容产生振荡,过电压保护电路如图2-3所示。

可控硅的三大常见应用误区

可控硅的三大常见应用误区 中心议题: 可控硅触发电路的设计误区电感负载的不当应用不可用的无级直流输出调压电路 在电子制作中,运用单向或双向可控硅作为开关、调压的执行器件是很方便的,而且还可以控制直流、交流电路的负载功率。但是,目前有些电子制作文章中,对可控硅的运用常有谬误之处。常见的电路设计不当之处大约有以下几点。 一、触发电路的问题 若欲使可控硅触发导通,除有足够的触发脉冲幅度和正确的极性以外,触发电路和可控硅阴极之间必须有共同的参考点。有些电路从表面看,触发脉冲被加到可控硅的触发极G,但可控硅的阴极和触发信号却无共同参考点,触发信号并未加到可控硅的G—K之间,可控硅不可能被触发。 图1a例为555组成的自动水位控制电路,用于水塔自动保持水位。该文制作者考虑到水井和水塔中的水不能带市电,故555控制系统用

变压器隔离降压供电。555第3脚输出脉冲接入双向可控硅的G点。由于双向可控硅T1对控制电路是悬空的,555第3脚输出脉冲根本不能形成触发电流,可控硅不可能导通。再者,该电路虽采用隔离市电的低压供电,但控制电路仍然通过G、T1极与市电相连,当220V 输入端B为火线时,井水和水塔供水将代有市电电压,这是绝不允许的! 正确的方式见图1b。可控硅与抽水电机组成抽水控制开关,SCR的触发由T2与G间接入电阻控制。当水位降低时,控制触点开路,555第3脚输出高电平(此电路部分省略),使Q导通,继电器J吸合,S CR触发导通,电机开始运转。当水位达到时,触点经水接通,555第3脚输出低电平,Q截止,SCR在交流电过零时截止,抽水停止。 上述电路因设计考虑不周,出现了不该有的低级错误。但类似水塔供

可控硅移相触发调压器使用手册

YY-ZK系列微电脑工业智能控制器 使用手册 可控硅移相触发/调压器镇江市溢阳电气有限公司

目录 概述 (1) 主要技术指标 (1) YYZK-C1型可控硅移相触发器 (2) 1 外形、接线端子 (2) 2 输出规格 (2) 3 接线方法 (2) YYZK-C4型三相可控硅移相触发器 (3) 1 外形、接线端子 (4) 2 输出规格 (4) 3 接线方法 (4) YYZK-C3型三相可控硅移相触发器 (5) 1 外形、接线端子 (6) 2 输出规格 (6) 3 接线方法 (7) YYZK-D系列智能移相触发器/调压器 (10) 1 概述 (10) 2 参数和设置 (11) 3 接线方法 (16) YY-DDCMAC1 移相触发仪表 (19) YY-DDCMAC4 移相触发仪表 (20) YY-DDCMAC3移相触发仪表 (21) 附录 1、常用塑封双向可控硅、功率模块引脚排列 (22) 2、常见故障及处理方法 (23) 3、附注A (25) 4、附注B (25)

一 概述 YYZK 系列移相触发器/调压器采用板卡+模块化结构,高性能开关电源。具有多种输入规格。控制输入与触发输出光电隔离。既可以与各种自动化仪表配套使用〈对仪表无干扰〉,也可以手动控制。广泛应用于负载要求连续平滑调节、低电压大电流以及控制精度要求较高或不允许大电流冲击的单、三相控制系统。如调压、充电、交、直流电机调速等。接线简便,无需外接同步变压器。可靠的保护使得主回路可控硅损坏不会导致控制器损坏,性价比高。 YYZK 系列移相触发器可选择一种D 型软起模块,一般在移相控制系统中,负载都不允许大电流冲击,配置该模块可提供30s 的过渡时间,以避免开机或停机后重新来对负载造成的冲击。 二 主要技术指标 输入规格: 0-10mA 、4-20mA 、0-5V 、1-5V 可选 移相范围: 0-180 触发容量: ≤800A 的双向或两个单向反并联的可控硅 电源电压: 85-264VAC 外形尺寸:96×48×115mm (高 ×宽 ×深) 开口尺寸:92 ×45mm ﹙高 ×宽﹚ YYZK-C1型可控硅移相触发器/调压器 1 外形、接线端子。 2 输出规格 单相单路触发﹙负载电压220V ﹚,两相制触发﹙负载电压380V ﹚ 当触发器

晶闸管过零触发电路

TSC的触发电路 1. 介绍晶闸管投切电容器的原理和快速过零触发要求 晶闸管投切电容器组的关键技术是必须做到电流无冲击。晶闸管投切电容器组的机理如图一所示,信息请登陆:输配电设备网 当电路的谐振次数n为2、3时,其值很大。 式(2)的第三项给出当触发角偏离最佳点时的振荡电流的幅值;式(2)中的第二项给出当偏离最佳予充电值时振荡电流的幅值。若使电容器电流ic=C*du/dt=0,则du/dt=0,即晶闸管必须在电源电压的正或负峰值触发导通投切电容器组,电容器预充电到峰值电压。 触发电路的功能是:电流无冲击触发;快速投切,20ms的动作。这个20ms不是得到投切命令到产生动作的时间,而是从停止到再投入动作的时间为20ms。快速反应时,在平衡补偿电路,不能出现不平衡动作,即有的相有电流,有的没有。 1. 两类晶闸管的触发电路的特点和存在的问题

从同步信号的采集上,有两类晶闸管触发电路。一类为从电网电压取得同步信号,一类为从晶闸管两端取得同步信号。 从电网电压取得同步信号的电路框图如图二:信息来源:https://www.doczj.com/doc/bd1983794.html, 电路中包括同步变压器、同步信号处理电路和功率驱动电路、脉冲变压器隔离电路等。当得到触发命令后,在投切点产生触发脉冲列,经过脉冲变压器的隔离,推动晶闸管。同步信号处理电路有滤波处理功能,可以是CMOS等的电子电路组成,也可以是单片机、GAL电路等。电路中包括相序错判断功能。信息来自:输配电设备网 从电网电压取得同步信号的优点为在主回路没有送电时,给触发命令,可以测量晶闸管的触发脉冲幅度和相位,在主回路得电后,给触发命令,可以放心, TSC为正确的投入工作。对于TSC电路中的两只晶闸管+一只二极管的“2+1”电路、两只晶闸管+两只二极管的“2+2”电路、三只晶闸管+三只二极管的“3+3”电路,电容器有二极管预充电, 电容器上一直存在直流电压,晶闸管的交直流电压不变,电网电压取得同步信号触发适合。缺点为电路复杂,对于400V小容量的TSC电路造价高。如果TSC全部采用晶闸管不用二极管,由于晶闸管两端的电压随着电容器放电电压的减少逐渐小,意味着触发点在变动,上述电路不能跟随变化触发点,所以不适应了。信 图二: 电网电压取得同步信号的触发电路 从晶闸管两端取得过零信号比较困难,过零触发要求电压高时截止,电压最低低时导通触发。几乎找不出什么元件是这种特性.如稳压管,电压低截止,电压高维持电压不变.不满足要求。 目前,从晶闸管两端取得过零信号的典型触发电路是MOC3083,它的框图如图三:信 图三:MOC3083电路图 MOC3083芯片内部有过零触发判断电路,它是为220V电网电压设计的,芯片的双向可控硅耐压800V,在4、6两端电压低于12V时如果有输入触发电流,内部的双向可控硅就导通。 用在380V电网的TSC电路上要串联几只3083。在2控3的TSC电路应用如图四:

可控硅应用电路举例

可控硅应用电路举例 1. 可控硅应用电路_直流可控硅触发电路:如图G2是一个电视机常用的过压保护电路,当E+电压过高时A点电压也变高,当它高于稳压管DZ的稳压值时DZ道通,可控硅D受触发而道通将E+短路,使保险丝RJ熔断,从而起到过压保护的作用。 2. 可控硅应用电路_相位可控硅触发电路:相位触发电路实际上是交流触发电路的一种,如图G3,这个电路的方法利用是RC回路控制触发信号的相位。当R值较少时,RC时间常数较少,触发信号的相移A1较少,因此负载获得较大的电功率;当R值较大时,RC时间常数较大,触发信号的相移A2较大,因此负载获得较少的电功率。这个典型的电功率无级调整电路在日常生活中有很多电气产品中都应用它。 可控硅的3种触发方式: 1.强电触发: 采用MOC3061、MOC3021等高压光耦,从可控硅的A极引入触发电压,这种触发不需要其他触发电源,电路非常简单,主要元器件工作在400V强脉冲环境,可靠性最差。采用触发二极管(DB3)电路与这种结构相似。 2.变压器隔离触发: 这是工业上最常用结构,优点是强弱电隔离触发波形好,缺点是长脉冲触发时变压器体积太大,成本高电路复杂。元器件工作在100V脉冲环境,可靠性一般。 3.隔离电源直流触发: 图片上的这种触发结构,缺点是功耗较大,发热量大。优点是强弱隔离触发电流大,低频长脉冲、高频脉冲串等都适用,电路简单成本低,元器件工作在20V 脉冲环境。可靠性好。这种机构的移相触发器经半年多实际使用(10kw变压器负载,镀铝机蒸发舟加热),极少出现烧保险丝和烧可控硅现象,原来是采用变压器触发结构,经常烧保险丝,可控硅也有损坏。 以上仅是一己拙见,请大家谈谈各自看法。

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