当前位置:文档之家› 射频衰减器的类型及作用介绍

射频衰减器的类型及作用介绍

射频衰减器的类型及作用介绍

射频衰减器的类型及作用介绍

在RF电路中,更高的信号电平通常是一件好事。它们可以提高信噪比(SNR),减少内部电路元件噪声和外部信号噪声引起的问题。结果,更高的信号电平通常简化了RF电路设计的许多挑战。

然而,在许多系统中,RF信号不可避免地具有跨越30,40或更多dB的宽动态范围;一些设计必须处理范围超过100 dB的信号。示例包括雷达或远程无线,甚至是短距离LAN,其中一个或两个链路节点正在移动并且存在障碍物和干扰。

如果系统设计为使用较低级别的信号正常工作,则可能没有更高功率信号的余量(RF,功率和信号电平通常密切相关)。结果是过载,饱和甚至可能损坏敏感的模拟组件,如前端放大器。即使没有永久性损坏,只要信号链的元件被“最大化”,系统就无法正常工作。在这些情况下,组件可能需要相对较长的时间才能摆脱饱和状态连锁再次可行。在其他情况下,衰减器将一个点的信号的最大值与链中另一个级的更大限制的最大值匹配。

由于这些原因,通常需要管理和衰减信号电平。通过已知或可控量,这是射频衰减器发挥作用的地方。有三种类型的RF衰减器:

1)固定值衰减器,提供一个或两个dB,或10 dB,20 dB或更多dB的值。

2 )电压可变或电压控制衰减器,其中模拟电压设置在连续可变范围内的衰减水平,例如在0 dB和30 dB之间或0 dB和60 dB之间。

3)数字化受控衰减器或数字步进衰减器(DSA),其中多位代码在0 dB至32或64 dB的范围内以离散步长建立衰减,例如,以1或2 dB/位的步长;有些产品提供小至0.25 dB的步长。

(请注意,还有机械控制的衰减器,用户可通过旋钮设置衰减。这些衰减器几乎只用于测试环境或高功率一次性设计。)

可控衰减器是可变增益放大器(VGA)的补充,它可以增强信号以匹配链中的组件范围。对于需要额外灵活性的设计,甚至还有可用的VGA,它们可以跨越增益和衰减,例如-10到+40 dB;在内部,这些是由可变衰减器(电压或数字控制)与增益模块串联构建的。

衰减器基础知识

衰减器基础知识 同轴衰减器、射频衰减器、衰减器、高功率衰减器 衰减器,射频微波中简单的一个附件之一,要说哪个射频实验室没有,估计大家都不相信,当然,衰减器的大用户是用来衰减功率或者保护后级。 衰减器按照组成类型来分的话,主要有同轴、波导、PIN二极管等多种形式。同轴衰减器以吸收式也就是我们的衰减片为主。所以在衰减器厂商中能把衰减片做好可是一门绝活,据称一般不外传。 衰减片 先不表IC衰减器,同轴衰减器从应用类型来分,可以分为固定衰减器、手动可调衰减器、可编程衰减器等。在这里要多叨叨一句,如果是可编程衰减器,分为“make before break”(先合后断)和“break before make”(先断后合)两种。如果想衰减值之间无中断地切换的话,应该选择“make before break”类型,否则可能会出现开关切换时的开路状态哈! 衰减器的主要射频指标 1) 频率范围:这个不用说,大家都明白,还是和其它器件一样,越高频越难做。一般6G以下除了比较高的功率外,我们倾向于认为国产品牌已经做的不错了。 2) 承载功率:这个很讲究。 大家看指标书的时候请务必看一下,标出的一般都是25℃下连续波功率。所以大家在遇到脉冲功率的时候,请务必换算一下脉冲占空比哦。 这里请大家注意哦,如果是同轴衰减器的话,因为是无源功率器件,需要考虑一个温度系数,单位为dB/℃,表征随着温度变化标称衰减值的变化量: 一般随着温度的升高,承载功率是线性下降的。所以如果衰减器的应用环境是室外的高温环境的话,请一定记得提高承载功率,否则衰减器烧毁估计就是妥妥的了。 3)衰减值 既然作为衰减器,衰减值当然是重要的了。一般我们常见到的是3,6,10,20,30,40,50dB。所以如果亲想要一个2.5dB的精密衰减器,这八成就得订做了。

射频功率放大器

实验四:射频功率放大器 【实验目的】 通过功率放大器实验,让学生了解功率放大器的基本结构,工作原理及其设计步骤,掌握功率放大器增益、输出功率、频率范围、线性度、效率和输入/输出端口驻波比等主要性能指标的测试方法,以此加深对以上各项性能指标的理解。 【实验环境】 1.实验分组:每组2~4人 2.实验设备:直流电源一台,频谱仪一台,矢量网络分析仪一台,功率计一只,10dB衰减器一个,万用表一只,功率放大器实验电路 板一套 【实验原理】 一、功率放大器简介 功率放大器总体可分成A、B、C、D、E、F六类。而这六个小类又可以归入不同的大类,这种大类的分类原则,大致有两种:一种是按照晶体管的导通情况分,另一种按晶体管的等效电路分。按照信号一周期内晶体管的导通情况,即按导通角大小,功率放大器可分A、B、C三类。在信号的一周期内管子均导通,导θ(在信号周期一周内,导通角度的一半定义为导通角θ),称为A 通角? =180 θ。导通时间小于一半周期的类。一周期内只有一半导通的成为B类,即? =90 θ。如果按照晶体管的等效电路分,则A、B、C属于一大称为C类,此时? <90 类,它们的特点是:输入均为正弦波,晶体管都等效为一个受控电流源。而D、E、F属于另一类功放,它们的导通角都近似等于? 90,均属于高功率的非线性放大器。 二、功率放大器的技术要求 功率放大器用于通信发射机的最前端,常与天线或双工器相接。它的技术要求为: 1. 效率越高越好 2. 线性度越高越好 3. 足够高的增益

4. 足够高的输出功率 5. 足够大的动态范围 6. 良好的匹配(与前接天线或开关器) 三、功率放大器的主要性能指标 1.工作频率 2.输出功率 3.效率 4.杂散输出与噪声 5.线性度 6.隔离度 四、功率放大器的设计步骤 1.依据应用要求(功率、频率、带宽、增益、功耗等),选择合适的晶体管 2.确定功率放大器的电路和类型 3.确定放大器的直流工作点和设计偏置电路 4.确定最大功率输出阻抗 5.将最大输出阻抗匹配到负载阻抗(输出匹配网络) 6.确定放大器输入阻抗 7.将放大器输入阻抗匹配到实际的源阻抗(输入匹配网络) 8.仿真功率放大器的性能和优化 9.电路制作与性能测试 10.性能测量与标定 五、本实验所用功率放大器的简要设计过程 1. PA 2. 晶体管的选择 本实验所选用的晶体管为安捷伦公司的ATF54143_PHEMT,这种晶体管适合用来设计功率放大器。单管在~处能达到的最大资用增益大于18dB,而1dB压缩点高于21dB。

功率衰减器参数及检测

1 / 5 功率衰减器参数与检测 TP-LINK 内销PE 李悦 一、概述 在无线系统测试中常常需要对从一个设备到另一个设备的信号进行衰减。例如,射频发射机测试中,涉及的功率等级常常从几瓦到几百瓦甚至上千瓦,这么大功率的信号必须得经过衰减以后才可以连接到大部分的测试设备中,否则会对测试设备有损害。一种叫做衰减器的简单电路常常能用来减少信号幅度,而且衰减器不但可以把信号电压衰减到一定值还可以对阻抗值进行变换。 衰减器的技术指标包括衰减器的工作频带、衰减量、功率容量、回波损耗等。工作频带是指在给定频率范围内使用衰减器,衰减量才能达到指标值;衰减量是指输入信号与输出信号功率的对数值之差;功率容量就是衰减器正常工作时能够承受的最大功率损耗,衰减器是一种能量消耗元件,功率消耗后变成热量。可以想象,材料结构确定后,衰减器的功率容量就确定了;回波损耗指的是传输信号被反射到发射端的比例,可以用驻波比来形容,对于功率衰减器,要求其两端的输入输出驻波比应尽可能小;衰减器是一个功率消耗元件,不能对两端电路有影响,也就是说,与两端电路都是匹配的。 二、两个重要指标 进行衰减器设计时,最基础的两个指标要求如下: 2.1衰减量 无论构成功率衰减的机理和具体结构如何,总是可以用下图所示的二端口网络来描述衰减器。 图中,信号输入端的功率为P 1,而输出端的功率为P 2,衰减器的功率衰减量为A(dB)。若P 1、P 2以分贝毫瓦(dBm)表示,则两端功率间的关系为: 即:  可以看出,衰减量描述功率通过衰减器后功率的变小程度。衰减量的大小由构成衰减器的材料和结构确定。衰减量用分贝作单位,便于整机指标计算。  2.2阻抗匹配 利用电阻构成的T 型或П型网络实现集总参数衰减器,通常情况下,衰减量是固定的,且由三个电阻值决定。两种电路拓扑下图所示。图中Z 1、 Z 2是电路输入端、 输出端的特性阻抗。 T 型功率衰减器; π型功率衰减器 1 2() ()10lg () P mW A dB P mW = (a )(b )Port ‐2 P2 Port ‐1 P1 ()()()21P dBm =P dBm -A dB

衰减器

功率衰减器是一种能量损耗性射频/微波元件,元件内部含有电阻性材料。除了常用的电阻性固定衰减器外,还有电控快速调整衰减器。衰减器广泛使用于需要功率电平调整的各种场合。 原理 1.技术指标工作频带 2.衰减量 3.功率容量 4.回波损耗 5.功率系数 6.基本构成 7.主要用途 8.相关参数 9.种类位移型光衰减器 10.薄膜型光衰减器 11.衰减片型光衰减器 12.注意事项原理 13.技术指标工作频带 14.衰减量 15.功率容量 16.回波损耗 17.功率系数 18.基本构成 19.主要用途 20.相关参数 21.种类位移型光衰减器 22.薄膜型光衰减器 23.衰减片型光衰减器 24.注意事项 原理: 衰减器是在指定的频率范围内,一种用以引入一预定衰减的电路。一般以所引入衰减的分贝数及其特性阻衰减器抗的欧姆数来标明。在有线电视系统里广泛使用衰减器以便满足多端口对电平的要求。如放大器的输入端、输出端电平的控制、分支衰减量的控制。衰减器有无源衰减器和有源衰减器两种。有源衰减器与其他热敏元件相配合组成可变衰减器,装置在放大器内用于自动增益或斜率控制电路中。无源衰减器有固定衰减器和可调衰减器。 技术指标 工作频带 衰减器的工作频带是指在给定频率范围内使用衰减器,衰减器才能达到指标值。由于射频/

微波数字衰减器结构与频率有关,不同频段的元器件,结构不同,也不能通用。现代同轴结构的衰减器使用的工作频带相当宽,设计或使用中要加以注意。 衰减量 无论形成功率衰减的机理和具体结构如何,总是可以用下图所示的两端口网络来描述衰减器。图中,信号输入端的功率为P1,而输出端得功率为P2,衰减器的功率衰减量为A (dB)。若P1 、P2 以分贝毫瓦(dBm)表示,则两端功率间的关系为P2(dBm)=P1(dBm)-A(dB)可以看出,衰减量描述功率通过衰减器后功率的变小程度。衰减量的大小由构成衰减器的材料和结构确定。衰减量用分贝作单位,便于整机指标计算。 功率容量 衰减器是一种能量消耗元件,功率消耗后变成热量。可以想象,材料结构确定后,衰减器的功率容量就确定了。如果让衰减器承受的功率超过这个极限值,衰减器就会被烧毁。设计和使用时,必须明确功率容量。 回波损耗 回波损耗就是衰减器的驻波比,要求衰减器两端的输入输出驻波比应尽可能小。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件,不能对两端电路有影响,也就是说,与两端电路都是匹配的。设计衰减器时要考虑这一因素。 功率系数 当输入功率从10mW变化到额定功率时,衰减量的变化系数表示为dB/(dB*W)。衰减量的变化值的具体算法是将系数乘以总衰减量功率(W)。如:一个功率容量50W,标称衰减量为40dB的衰减器的功率系数为0.001dB/(dB*W),意味着输入功率从10mW加到50W时,其衰减量会变化0.001*40*50=2dB之多! 基本构成 构成射频/微波功率衰减器的基本材料是电阻性材料。通常的电阻是衰减器的一大功率衰减器种基本形式,由此形成的电阻衰减器网络就是集总参数衰减器。通过一定的工艺把电阻材料放置到不同波段的射频/微波电路结构中就形成了相应频率的衰减器。如果是大功率衰减器,体积肯定要加大,关键就是散热设计。随着现代电子技术的发展,在许多场合要用到快速调整衰减器。这种衰减器通常有两种实现方式,一是半导体小功率快调衰减器,如PIN 管或FET单片集成衰减器;二是开关控制的电阻衰减网络,开关可以是电子开关,也可以是射频继电器。 衰减器有以下基本用途:1) 控制功率电平:在微波超外差接收机中对本振输出功率进行控制,获得光敏衰减器最佳噪声系数和变频损耗,达到最佳接收效果。在微波接收机中,实现自动增益控制,改善动态范围。2) 去耦元件:作为振荡器与负载之间的去耦合元

射频功率放大器实时检测的实现

射频功率放大器实时检测的实现 广播电视发射机是一个综合的电子系统,它不仅包括无线发射视音频通道,而且还包括通道的检测和自动控制电路,因此在设计时,它除了必须保证无线通道的技术指标处于正常范围外,还必须设计先进的取样检测和保护报警等电路,以确保发射机工作正常,从而实现发射机在线自动监测和控制。近年来,随着大功率全固态电视发射机多路功率合成技术的发展,越来越多的厂家采用模块化结构设计,因此单个功率放大器模块是整个发射机的基本测单元,本文就着重讨论单个模块的检测和控制电路,从而实现发射机在线状态自动监测。 一、工作原理 在功放模块中,主要检测和控制参数为电源电压,各放大管的工作电流,输出功率,反射功率,过温度和过激励保护等,图1为实现上述检测控制功能的方框图,它由取样放大电路,V/F变换,隔离电路,F/V变换,A/D转换,AT89C51,显示电路和输出保护电路等组成。 1、隔离电路 在功放模块中,由于大功率器件的应用,往往单个模块的输出功率都比较大,因而对小信号存在较大的高频干扰,如处理不好,就会影响后级模数转换电路工作,从而导致检测数据不准确,显示数据跳动的现象,甚至出现误动作。这里采用光电耦合器进行隔离,由于光电耦合器具有体积小、使用寿命长、工作温度范围宽、抗干扰性能强、无触点且输入与输出在电气上完全隔离等特点,从而将模拟电路和数字电路完全隔离,保障系统在高电压、大功率辐射环境下安全可靠地工作。 2、LM331频率电压转换器

V/F变换和F/V变换采用集成块LM331,LM331是美国NS公司生产的性能价格比较高的集成芯片,可用作精密频率电压转换器用。LM331采用了新的温度补偿能隙基准电路,在整个工作温度范围内和低到4.0V电源电压下都有极高的精度。同时它动态范围宽,可达100dB;线性度好,最大非线性失真小于0.01%,工作频率低到0.1Hz时尚有较好的线性;变换精度高,数字分辨率可达12位;外接电路简单,只需接入几个外部元件就可方便构成V/F或F/V等变换电路,并且容易保证转换精度。 图2是由LM331组成的电压频率变换电路,LM331内部由输入比较器、定时比较器、R-S触发器、输出驱动、复零晶体管、能隙基准电路和电流开关等部分组成。输出驱动管采用集电极开路形式,因而可以通过选择逻辑电流和外接电阻,灵活改变输出脉冲的逻辑电平,以适配TTL、DTL和CMOS等不同的逻辑电路。 当输入端Vi+输入一正电压时,输入比较器输出高电平,使R-S触发器置位,输出高电平,输出驱动管导通,输出端f0为逻辑低电平,同时电源Vcc也通过电阻R2对电容C2充电。当电容C2两端充电电压大于Vcc的2/3时,定时比较器输出一高电平,使R-S触发器复位,输出低电平,输出驱动管截止,输出端f0为逻辑高电平,同时,复零晶体管导通,电容C2通过复零晶体管迅速放电;电子开关使电容C3对电阻R3放电。当电容C3放电电压等于输入电压Vi时,输入比较器再次输出高电平,使R-S触发器置位,如此反复循环,构成自激振荡。输出脉冲频率f0与输入电压Vi成正比,从而实现了电压-频率变换。其输入电压和输出频率的关系为:fo=(Vin×R4)/(2.09×R3×R2×C2) 由式知电阻R2、R3、R4、和C2直接影响转换结果f0,因此对元件的精度要有一定的要求,可根据转换精度适当选择。电阻R1和电容C1组成低通滤波器,可减少输入电压中的干扰脉冲,有利于提高转换精度。 同样,由LM331也可构成频率-电压转换电路。

射频功率放大器的主要技术指标

射频功率放大器是各种无线发射机的主要组成部分。在发射机的前级电路中,调制振荡电路所产生的射频信号功率很小,需要经过一系列的放大如缓冲级、中间放大级、末级功率放大级,获得足够的射频功率后,才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频输出功率,必须采用射频功率放大器。 射频功率放大器电路设计需要对输出功率、激励电平、功耗、失真、效率、尺寸和重量等问题进行综合考虑。 射频功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率,是研究射频功率放大器的关键。而对功率晶体管的要求,主要是考虑击穿电压、最大集电极电流和最大管耗等参数。 为了实现有效的能量传输,天线和放大器之间需要采用阻抗匹配网络。 3.1.1输出功率 在发射系统中,射频末级功率放大器输出功率的范围可小到毫瓦级(便携式移动通信设备)、大至数千瓦级(发射广播电台)。 为了要实现大功率输出,末级功率放大器的前级放大器单路必须要有足够高的激励功率电平。显然大功率发射系统中,往往由二到三级甚至由四级以上功率放大器组成射频功率放大器,而各级的工作状态也往往不同。 根据对工作频率、输出功率、用途等的不同要求,可以用晶体管、FET 、射频功率集成电路或电子管作为射频功率放大器。 在射频功率方面,目前无论是在输出功率或在最高工作频率方面,电子管仍然占优势。现在已有单管输出功率达2000kW 的巨型电子管,千瓦级以上的发射机大多数还是采用电子管。 当然,晶体管、FET 也在射频大功率方面不断取得新的突破。例如,目前单管的功率输出已超过100W ,若采用功率合成技术,输出功率可以达到3000W 。 3.1.2效率 效率是射频功率放大器极为重要的指标,特别是对于移动通信设备。定义功率放大器的效率,通常采用集电极效率?c 和功率增加效率PAE 两种方法。 1. 集电极效率?c 集电极效率?c 定义为输出功率P out 与电源供给功率P dc 之比,即 dc out p P =c η (3.1.1) 2.功率增加效率(PAE ,power added efficiency ) 功率增加效率定义为输出功率P out 与输入功率P in 的差于电源供给功率P dc 之比,即 c p dc in out PAE A P P P PAE ηη)11(-=-== (3.1.2) 功率增加效率PAE 的定义中包含了功率增益的因素,当有比较大的功率增益。 如何提高输出功率和保证高的效率,是射频功率放大器设计目标的核心。 3.1.3线性 ? 衡量射频功率放大器线性度的指标有三阶互调截点(IP3)、1dB 压缩点、谐波、邻道功率比等。邻道功率比衡量由放大器的非线性引起的频谱再生对邻道的干扰程度。 ? 由于非线性放大器的效率高于现行放大器的效率,射频功率放大器通常采用非线性放大器。但是分线性放大器在放大输入信号的放大的同时会产生一系列的有害影响。 ? 从频谱的角度看,由于非线性的作用,输出信号中会产生新的频率分量,如三阶互调分 量、五阶互调分量等,它干扰了有用信号并使被放大的信号频谱发生变化,即频带展宽了。

Pi型衰减器设计

低成本的表面贴PIN管的Pi型衰减器 简介 模拟衰减器在射频以及微波网络方面得到了很广泛的应用。无论是采用砷化镓微波集成电路(GaAs MMICs)还是采用PIN管的网络,它们都是通过电压来控制射频信号的功率的。在商业应用中,比如蜂窝电话网,个人通信网络,无线局域网以及便携式无线电等,衰减器的造价是设计中的一个重要因素。本文描述了一种利用塑胶封装的表面贴片设计的低造价、宽频带的PIN管Pi型衰减器。 背景 图1描绘了基本的Pi型衰减器以及它的设计 方程。调整分流电阻R1和串联电阻R3以满足 衰减值A=20 log(K),同时提供与系统特性阻抗 匹配的输入输出阻抗。当PIN管工作在高于其截 止频率fc(见附录A)时,它可以用作为流控可 变电阻。故可用三个PIN管代替Pi型电路中的 固定电阻来构造一个可变衰减器。 作为一个例子,图2给出了一个由三个PIN管构成的衰减器,这个电路在10MHZ到500MHZ的频率范围内有良好的性能。然而,在Pi型电路中用三个PIN 管作为三个可变电阻导致了网络的不对称,这就使偏置电路相当复杂。

4个PIN管组成的Pi型衰减器 如图3,如果用两个PIN管来代替电阻R3,会有很多好处。首先,由于网络的最大隔离度是由串联的PIN管决定的,用两个PIN管取代一个管子将提高衰减的最大值,或是在一定的衰减量下使频率上限增加一倍。第二,代替串联电阻的两个PIN 管180度反相工作,使得偶数阶的非线性产物得以抵消。第三,构成的衰减器网络是对称的,而且偏置电路非常简单。V+是一固定电压,Vc是控制网络衰减量的可变电压。采用两个串联PIN管代替一个管子的唯一负面影响就是导致插损的轻微增加,合计小于0.5dB。R1和R2分别作为串联PIN管D2和D3的偏流电阻,它们必须做得足够高以减小插损;然而,如果它们作得太高,就需要非常高的控制电压Vc。如果设计者不需要很大的带宽的话,可以通过在R1和R2及RF线之间加装一些扼流圈来改善插损特性,这些电感可以降低网络射频部份的电阻。R3和R4的选择视具体的PIN管而定;选择合适的话,它们将在串联与并联的PIN管之间提供

(完整版)射频功率放大器的发展现状

1.1 研究背景 随着人类社会进入信息化时代,无线通信技术有了飞速的发展,从手机,无线局域网,蓝牙等,到航空航天宇宙探测,已经深入到当今社会生活的各个方面,成为社会生活和发展不可或缺的一部分。无线通信设备由最初体积庞大且功能单一的时代,发展到如今的口袋尺寸,方寸之间集成了各类功能强大的电路。这些翻天覆地的变化,都离不开射频与微波技术的支持。而急速增长的应用需求又促使着射频微波领域不断的研究,更新换代。快速的发展使得射频微波领域的研究进入了白热化阶段,而在几乎所有的射频与微波系统中,都离不开信号的放大,射频与微波功率放大器作为系统中功耗最大,产生非线性最强的模块,它的性能将直接影响系统性能的优劣,由于其在射频微波系统中的突出位置,功率放大器的研究也成为射频微波领域研究的一个十分重要的方向[1]。 功率放大器作为射频微波系统中最重要的有源模块,其理论方面已经十分成熟。 A 类、 B 类、 C 类、 D 类、AB 类、E/I E 类、F/I F 类、Doherty等各类功率放大器也已经成功应用到各个领域。 1.2射频功率放大器的发展现状 射频功率放大器的核心器件为其功率元器件——晶体管,它是一种非线性三端口有源半导体器件,它的放大作用,并不是晶体管能凭空产生能量,使能量放大,而是完全由集电极(BJT)或漏极(FET)电源的直流功率转换而来的。晶体管只是起到了一种控制作用,即用比较小的信号去控制直流电源产生随小信号变化的大信号,从而把电源的直流功率转换成为负载上的信号功率。功率放大器的理论知识发展已经十分完善,其面临的更多是一些工程的问题。所以,射频功率放大器性能的提升主要来自于晶体管性能的提升,即半导体技术的发展,和放大器本身电路形式的改进。根据晶体管所用的半导体材料的不同,可以大体将其分为三个不同的发展阶段。第一代半导体材料以硅(Si)和锗( Ge)等元素半导体为主。第二代半导体材料以砷化镓(GaAs)、磷化铟( InP)、锗硅(SiGe)等化合物半导体为代表,相比于第一代半导体材料,其禁带更宽、 1

射频功放设计

基于ADS的射频功率放大器仿真设计 1.引言 各种无线通信系统的发展,如GSM、WCDMA、TD-SCDMA、WiMAX和Wi-Fi,大大加速了半导体器件和射频功放的研究过程。射频功放在无线通信系统中起着至关重要的作用,它的设计好坏影响着整个系统的性能。因此,无线通信系统需要设计性能优良的放大器。而且,为了适应无线系统的快速发展,产品开发的周期也是一个重要因素。另外,在各种无线系统中由于采用了不同调制类型和多载波信号,射频工程师为减小功放的非线性失真,尤其是设计无线基站应用的高功率放大器时面临着巨大的挑战。采用Agilent ADS 软件进行电路设计可以掌握设计电路的性能,进一步优化设计参数,同时达到加速产品开发进程的目的。功放(PA)在整个无线通信系统中是非常重要的一环,因为它的输出功率决定了通信距离的长短,其效率决定了电池的消耗程度及使用时间。 2.功率放大器基础 2.1功率放大器的种类 根据输入与输出信号间的大小比例关系,功放可以分为线性放大器与非线性放大器两种。输入线性放大器的有A、B、AB类;属于非线性放大器的则有C、E 等类型的放大器。 (1)A类:其功率器件再输入信号的全部周期类均导通,但效率非常低,理想状态下效率仅为50%。 (2)B类:导通角仅为180°,效率在理想状态下可达到78%。 (3)AB类:导通角大于180°但远小于360°。效率介于30%~60%之间。 (4)C类:导通角小于180°,其输出波形为周期性脉冲。理论上,效率可达100%。 (5)D、E类:其原理是将功率器件当作开关使用。 设计功放电路前必须先考虑系统规格要求的重点,再来选择电路构架。对于射频功放,有的系统需要高效率的功放,有些需要高功率且线性度佳的功放,有些需要较宽的操作频带等,然而这些系统需求往往是相互抵触的。例如,B、C、E类构架的功率放大器皆可达到比较高的效率,但信号的失真却较为严重;而A

射频功率放大器

射频功率放大器 射频功率放大器(RF PA)是各种无线发射机的重要组成部分。在发射机的前级电路中,调制振荡电路所产生的射频信号功率很小,需要经过一系列的放大一缓冲级、中间放大级、末级功率放大级,获得足够的射频功率以后,才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频输出功率,必须采用射频功率放大器。 目录 一、什么是射频功率放大器 二、射频功率放大器技术指标 三、射频功率放大器功能介绍 四、射频功率放大器的工作原理 五、射频放大器的芯片 六、射频功率放大器的技术参数 七、射频放大器的功率参数 八、射频功率放大器组成结构 九、射频功率放大器的种类 正文

一、什么是射频功率放大器 射频功率放大器是发送设备的重要组成部分。射频功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率。除此之外,输出中的谐波分量还应该尽可能地小,以避免对其他频道产生干扰。 射频功率放大器是对输出功率、激励电平、功耗、失真、效率、尺寸和重量等问题作综合考虑的电子电路。在发射系统中,射频功率放大器输出功率的范围可以小至mW,大至数kW,但是这是指末级功率放大器的输出功率。为了实现大功率输出,末前级就必须要有足够高的激励功率电平。 射频功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率,是研究射频功率放大器的关键。而对功率晶体管的要求,主要是考虑击穿电压、最大集电极电流和最大管耗等参数。为了实现有效的能量传输,天线和放大器之间需要采用阻抗匹配网络。 二、射频功率放大器技术指标 1、工作频率范围 一般来讲,是指放大器的线性工作频率范围。如果频率从DC开始,则认为放大器是直流放大器。 2、增益

工作增益是衡量放大器放大能力的主要指标。增益的定义是放大器输出端口传送到负载的功率与信号源实际传送到放大器输入端口的功率之比。 增益平坦度,是指在一定温度下,整个工作频带范围内放大器增益的变化范围,也是放大器的一个主要指标。 3、输出功率和1dB压缩点(P1dB) 当输入功率超过一定量值后,晶体管的增益开始下降,最终结果是输出功率达到饱和。当放大器的增益偏离常数或比其他小信号增益低1dB时,这个点就是大名鼎鼎的1dB压缩点(P1dB)。一般说放大器的功率容量,就是拿1dB压缩点来表示的了。 4、效率 由于功放是功率元件,需要消耗供电电流。因此功放的效率对于整个系统的效率来讲极为重要。 功率效率是功放的射频输出功率与供给晶体管的直流功率之比。 ηp=射频输出功率/直流输入功率 5、交调失真(IMD) 交调失真是指具有不同频率的两个或者更多的输入信号通过功率放大器而产生的混合分量。这是由于功放的非线性特质造成的。

10W-射频同轴衰减器

10W 射频同轴衰减器 同轴衰减器、射频衰减器、高频衰减器、高功率衰减器、同轴终端、同轴负载 同轴衰减器: ● 频率范围0至26.5GHz,高达2000W 功率 ● 应用于民用,军事,航天,空间技术等 ● 低插损,高隔离度,高功率 ● 可按客户要求订制生产 10W 固定同轴衰减器指标参数: DC-3GHz 、DC-6GHz 同轴衰减器具体指标参数:

10W同轴衰减器规格尺寸:

10W同轴衰减器实物图: 100W同轴衰减器实物图: 关于同轴衰减器的概述: 衰减器是在指定的频率范围内,一种用以引入一预定衰减的电路。一般以所引入衰减的分贝数及其特性阻抗的欧姆数来标明。在有线电视系统里广泛使用衰减器以便满足多端口对电平的要求。如放大器的输入端、输出端电平的控制、分支衰减量的控制。衰减器有无源衰减器和有源衰减器两种。有源衰减器与其他热敏元件相配合组成可变衰减器,装置在放大器内用于自动增益或斜率控制电路中。无源衰减器有固定同轴衰减器和可调衰减器。

衰减器是由电阻性材料构成。通常的电阻是同轴衰减器的一种基本形式,由此形成的电阻衰减器网络就是集总参数衰减器。通过一定的工艺把电阻材料放置到不同波段的射频微波电路结构中就形成了相应频率的衰减器。如果是大功率衰减器,体积肯定要加大,关键就是散热设计。 优译主要生产: 同轴隔离器、嵌入式(带线)隔离器、宽带隔离器、双节隔离器、表面封装(SMT)隔离器、微带(基片)隔离器、波导隔离器、高功率隔离器、同轴环形器、嵌入式(带线)环形器、宽带环形器、双节环形器、表面封装(SMT)环形器、微带(基片)环形器、波导环形器、高功率环形器、同轴衰减器、同轴终端(负载)、滤波器、放大器、功分器、电桥、定向耦合器、波导同轴转换、双工器/三工器等微波通讯产品,更多产品可参考优译官网:https://www.doczj.com/doc/bc17796751.html,

射频功率放大器(RF PA)概述

基本概念 射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分,其重要性不言而喻。在发射机的前级电路中,调制振荡电路所产生的射频信号功率很小,需要经过一系列的放大(缓冲级、中间放大级、末级功率放大级)获得足够的射频功率以后,才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频输出功率,必须采用射频功率放大器。在调制器产生射频信号后,射频已调信号就由RF PA将它放大到足够功率,经匹配网络,再由天线发射出去。 放大器的功能,即将输入的内容加以放大并输出。输入和输出的内容,我们称之为“信号”,往往表示为电压或功率。对于放大器这样一个“系统”来说,它的“贡献”就是将其所“吸收”的东西提升一定的水平,并向外界“输出”。如果放大器能够有好的性能,那么它就可以贡献更多,这才体现出它自身的“价值”。如果放大器存在着一定的问题,那么在开始工作或者工作了一段时间之后,不但不能再提供任何“贡献”,反而有可能出现一些不期然的“震荡”,这种“震荡”对于外界还是放大器自身,都是灾难性的。 射频功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率,如何提高输出功率和效率,是射频功率放大器设计目标的核心。通常在射频功率放大器中,可以用LC谐振回路选出基频或某次谐波,实现不失真放大。除此之外,输出中的谐波分量还应该尽可能地小,以避免对其他频道产生干扰。 分类 根据工作状态的不同,功率放大器分类如下:

传统线性功率放大器的工作频率很高,但相对频带较窄,射频功率放大器一般都采用选频网络作为负载回路。射频功率放大器可以按照电流导通角的不同,分为甲(A)、乙(B)、丙(C)三类工作状态。甲类放大器电流的导通角为360°,适用于小信号低功率放大,乙类放大器电流的导通角等于180°,丙类放大器电流的导通角则小于180°。乙类和丙类都适用于大功率工作状态,丙类工作状态的输出功率和效率是三种工作状态中最高的。射频功率放大器大多工作于丙类,但丙类放大器的电流波形失真太大,只能用于采用调谐回路作为负载谐振功率放大。由于调谐回路具有滤波能力,回路电流与电压仍然接近于正弦波形,失真很小。 开关型功率放大器(Switching Mode PA,SMPA),使电子器件工作于开关状态,常见的有丁(D)类放大器和戊(E)类放大器,丁类放大器的效率高于丙类放大器。SMPA将有源晶体管驱动为开关模式,晶体管的工作状态要么是开,要么是关,其电压和电流的时域波形不存在交叠现象,所以是直流功耗为零,理想的效率能达到100%。 传统线性功率放大器具有较高的增益和线性度但效率低,而开关型功率放大器具有很高的效率和高输出功率,但线性度差。具体见下表: 电路组成 放大器有不同类型,简化之,放大器的电路可以由以下几个部分组成:晶体管、偏置及稳定电路、输入输出匹配电路。

衰减器的特性

题目:衰减器的特性学院:电子工程

一、实验目的 1.了解衰减器的特性,掌握衰减器的测量方法。 2.学会测量衰减器的幅频特性 二、实验设备 1.微波信号发生器 2.衰减器 3.频谱分析仪 三、实验原理 功率衰减器是能量损耗性射频/微波元件,元件内部含有电阻性材料。衰减器是在指定的频率范围内,一种用以引入一预定衰减的电路。一般以所引入衰减的分贝数及其特性阻抗的欧姆数来标明。 四、实验操作步骤 衰减特性测量 1.设置微波信号发生器输出指定频率和功率的单载波信号(如850MHz、-20dBm)。 2.将输入输出电缆短接。用频谱分析仪测量衰减器的输入信号电平,测试数据记录到表格1中。 3.接入被测衰减器。用频谱分析仪测量衰减器的输出信号电平,计算衰减器的衰减量以及与标称值得误差,测试数据记录到表格1中。 分析: 因为我们本次实验使用的衰减器是PIN衰减器,上面标明的衰减量为>=10dB,而实际上要求用的衰减器其衰减量为10dB,因此在计算标称误差的时候,是以标准衰减量10dB来计算的。可见:误差在允许的范围内可以被接受。 幅频特性测量 1.设置微波信号发生器输出指定频率和功率的单载波信号(如850MHz、-20dBm)。 2.将输入和输出电缆短接。用频谱分析仪测量并记录衰减器的输入信号电平。 3.接入被测衰减器。设置频谱分析仪的中心频率为指定频率(如850MHZ),设置合适的扫描带宽(如100MHZ),适当调整参考电平使频谱图显示在合适的位置。 4.设置频谱分析仪的轨迹为最大保持功能(Trace->Trace type Max hold).

5.按照一定的步进(如0.1MHZ),用手动旋钮在指定的频率范围内(如830~870MHZ),调整微波信号发生器的输出频率,在频谱分析仪上显示幅频特性曲线。 6.根据频谱分析仪显示的幅频特性曲线,测量并计算衰减器在指定频带内的最小 最小衰减量=衰减器输入信号电平-衰减后最大输出电平 幅频特性=最小衰减量/带宽 四、实验总结 本实验计算量不大,但是需要时间熟悉频谱分析仪的使用,尤其是调频谱分析仪会比较麻烦。总体来说,整个实验还是很顺利的,队友分工明确,很轻松的完成了实验。

同轴衰减器的原理与用途

概述: 同轴衰减器是一种能量损耗性射频微波元件,元件内部含有电阻性材料。除了常用的电阻性固定衰减器外,还有电控快速调整衰减器。衰减器广泛使用于需要功率电平调整的各种场合。 原理: 衰减器是在指定的频率范围内,一种用以引入一预定衰减的电路。一般以所引入衰减的分贝数及其特性阻抗的欧姆数来标明。在有线电视系统里广泛使用衰减器以便满足多端口对电平的要求。如放大器的输入端、输出端电平的控制、分支衰减量的控制。衰减器有无源衰减器和有源衰减器两种。有源衰减器与其他热敏元件相配合组成可变衰减器,装置在放大器内用于自动增益或斜率控制电路中。无源衰减器有固定衰减器和可调衰减器。 同轴衰减器的技术指标: 1、工作频带:衰减器的工作频带是指在给定频率范围内使用衰减器,衰减器才能达到指标值。由于射频微波结构与频率有关,不同频段的元器件,结构不同,也不能通用。现代同轴结构的衰减器使用的工作频带相当宽,设计或使用中要加以注意。 2、衰减量:无论形成功率衰减的机理和具体结构如何,总是可以用两端口网络来描述衰减器。信号输入端的功率为P1,而输出端得功率为P2,衰减器的功率衰减量为A (dB )。若P1 、P2 以分贝毫瓦(dBm )表示,则两端功率间的关系为:P2(dBm )=P1(dBm )-A (dB ) 1 2 P 1 P 2 可以看出,衰减量描述功率通过衰减器后功率的变小程度。衰减量的大小由构成衰减器的材料和结构确定。衰减量用分贝作单位,便于整机指标计算。 3、功率容量:衰减器是一种能量消耗元件,功率消耗后变成热量。因此,材料结构确定后,衰减器的功率容量就确定了。如果让衰减器承受的功率超过这个极限值,衰减器就会被烧毁。所以,在设计和使用时,必须明确衰减器的功率容量。 4、回拨损耗:回拨损耗就是衰减器的驻波比,要求衰减器两端的输入输出驻波比应尽可能小。 我们希望的衰减器是一个功率消耗元件,不能对两端电路有影响,也就是说,与两端电路都是匹配的。 功率衰减器 A (db )

HMC衰减器

1 引言 在现代通信系统(如空间分集智能天线和相控阵系统)中,均要进行幅度和相位的调整。一般情况下系统均要求调整相位时的幅度变化越小越好和调整幅度时的相位变化越小越好,这可以由宽带单片压控衰减器实现。本文介绍的HMC346压控衰减器(VCA)具有大动态衰减范围、优良的衰减随控制电压变化的线性度、优异的输入和输出驻波等优良特点。HMC3 46压控衰减器可广泛用于通信基站系统、宽带通信系统,微波通信、卫星通讯、军用无线电、雷达和测试电子系统中。 2 HMC346的主要特点和功能 HMC346是Hittite微波公司的一款高性价比、吸收性宽带压控衰减器,利用其内部自带的参考衰减器和一个外部运算放大器便可由一路O V~3 V的控制电压实现对压控衰减器的有效控制。HMC346的引脚排列如图1所示,它的主要技术指标如表1所列。HMC34 6的主要特点如下: ●具有DC~14 GHz的宽带衰减特性; ●具有低相移与衰减比; ●具有30 dB的较大衰减动态范围;

●具有良好的宽带阻抗匹配特性; ●控制方式简单; ●采用3mmX3mmxlmm的16引脚SMT封装。 3 压控衰减器电路设计 该VCA需要Vl和V2二路控制电压才可满足互补关系,即它们的控制关系是V1增加时V2减小,但它们均需负电源。I的主要功能是为VCA提供驱动电流。为了减少为一路控制并实现良好的宽带衰减特性,要求保持输入、输出均为50 Ω的特性阻抗。为此,笔者在设计中结合图2所示的内部衰减电路,利用图3所示的外部运算放大器来实现宽带衰减器的有效阻抗匹配。从图2和图3可知,电路内部采用T型拓扑的主从衰减结构,在主衰减器中,采用连接FET的集电极和发射极之间的电阻为50 Ω,而从衰减器中为500 Ω,其1 0:1的目的是允许外部阻抗变换电路可以同时调节主从衰减的阻抗特性。这样可以利用外部

射频功率放大器开题报告

第1章概述 本章介绍了射频功率放大器的研究目的和意义,讨论现阶段的研究现状以及发展趋势,最后阐述了在论文期间所做的主要工作和前期计划结构。 1.1课题研究的目的和意义 随着21世纪的到来,人类社会已步入信息时代社会信息极大的改变了人类社会的生产、工作、学习和生活方式,人们对信息的依赖与需求越来越大,随时随地、迅速可靠的与通信的另一方进行任何方式的信息交流成为人们不断追求的目标。从全球范围来看,无线通信用户的年增量都在大幅度的增长,无线通信已经进入规模化发展的阶段。如今快速的发展无线通信已成为信息产业中最耀眼的亮点,并成为社会经济发展的动力。现代通信迅速发展,对射频功率放大器的要求也越来越高,其在整个无线电通讯系统中非常重要,输出功率决定了通讯距离的长短,其他方面也对通讯的效率性能指标起决定性作用。 射频功率放大器由于尺寸、线性度高、噪声低等优点,广泛运用与在卫星通信、雷达和电子战以及各种工业装备,伴随着无线通讯和军事领域新标准新技术的发展,对射频功率放大器的性能要求也高,使之在更宽频带内,具有更高的输出功率、效率和可靠性,例如为在有限的频谱范围内容纳入更多的内容就要求更多的通讯通道,获得较高的输出功率,现在通讯系统均采用了QPSK、64QSN等线性调制技术,这些调制技术对功放的非线性非常敏感,因而对放大器有更高的线性要求,提高功率放大器的可靠传输,以避免对其他信道的干扰,保证通讯的正常可靠。 为了满足各种应用需求,近十几年来人们不断推动射频功率放大器的发展和进步,在这十几年发展过程中,射频器件及射频技术的发展是推动射频功率放大器发展的俩大因素射频器件的发展是射频功率放大器的发展成为可能,射频技术的发展使射频功率放大器的性能得到提高。目前,由于无线领域局域网的市场潜力,世界各国的工业界和科技界都投入巨大的力量,加强这方面的研究与开发工

04射频功率放大器

第四章射频功率放大器 本章介绍射频功率放大器RFPA 与射频匹配网络、射频功率合成技术4.1 引言 4.2 A类射频功率放大器 4.3 B类和C类射频功率放大器4.4 高效射频功率放大器 4.5 阻抗匹配网络与网络设计4.6 射频宽带功率合成 返回

4.1 引言 RFPA应用于发射机末级,将已调信号放大到所需功率值,送天线发射。 RFPA所带来的问题: ◆为输出大电流,输出级晶体管芯片面积增大,导致极间电容增加; ◆电路寄生参数影响较大; ◆晶体管等效输入输出阻抗小,且为复数;

◆指标与以前的 放大器不同: 输出功率P 0, 电源供给功率P D,管耗P T, 效率η 等。 ◆对功率管的要求: 最大击穿电压V (BR)CEO 、最大集电极电流I CM、最大管耗P CM及最高工作频率f max等 ◆多级功放的级间匹配网络设计计算; 一、RFPA的特点

二、RFPA的工作状态 为提高效率而设计成各种工作状态: 1.A类(甲类)工作状态: ◆输入正弦波的一周期内,功率管全导通。 ◆输入是正弦波,输出也是正弦波,且频率相同,因此是同频线性放大器。 2.B类(乙类)工作状态: ◆输入正弦波的一个周期内,功率管半个周期导通,半周期截止。 ◆形成半波失真输出,产生多次谐波。 ◆常用LC并联谐振回路选频:同频放大和倍频放大

3. C类(丙类)工作状态 ◆在输入正弦波的一周期内,功率管导通时间小于半个周 期。 ◆输出为小于半个周期的余弦脉冲,从而形成丰富的谐波输 出。 ◆同频放大和倍频放大 4. 高效功率放大 ◆为进一步提高效率,要求功率管处于开关状态。 ◆双管D类功放。 ◆单管E类功放。 ◆单管F类功放。

同轴衰减器的原理与作用

同轴衰减器的原理与作用 2011-04-29 10:57 概述:同轴衰减器是一种能量损耗性射频/微波元件,元件内部含有电阻性材料。除了常用的电阻性固定衰减器外,还有电控快速调整衰减器。衰减器广泛使用于需要功率电平调整的各种场合。 一.同轴衰减器的技术指标 同轴衰减器的技术指标包括衰减器的工作频带、衰减量、功率容量、回波损耗等。 1.工作频带 衰减器的工作频带是指在给定频率范围内使用衰减器,衰减器才能达到指标值。由于 射频/微波结构与频率有关,不同频段的元器件,结构不同,也不能通用。现代同轴结构的衰减器使用的工作频带相当宽,设计或使用中要加以注意。 2.衰减量 无论形成功率衰减的机理和具体结构如何,总是可以用下图所示的两端口网络来描述衰减器。 信号输入端的功率为P1,而输出端得功率为P2,衰减器的功率衰减量为A(Db)。若P1 、P2 以分贝毫瓦(dBm)表示,则两端功率间的关系为 P2(dBm)=P1(dBm)-A(dB) 可以看出,衰减量描述功率通过衰减器后功率的变小程度。衰减量的大小由构成衰减器的材料和结构确定。衰减量用分贝作单位,便于整机指标计算。 3.功率容量 衰减器是一种能量消耗元件,功率消耗后变成热量。可以想象,材料结构确定后,衰减器的功率容量就确定了。如果让衰减器承受的功率超过这个极限值,衰减器就会被烧毁。设计和使用时,必须明确功率容量。 4.回拨损耗 回拨损耗就是衰减器的驻波比,要求衰减器两端的输入输出驻波比应尽可能小。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件,不能对两端电路有影响,也就是说,与两端电路都是匹配的。设计衰减器时要考虑这一因素。

二.同轴衰减器的基本构成 构成同轴衰减器的基本材料是电阻性材料。通常的电阻是同轴衰减器的一种基本形式,由此形成的电阻衰减器网络就是集总参数衰减器。通过一定的工艺把电阻材料放置到不同波段的射频/微波电路结构中就形成了相应频率的衰减器。如果是大功率衰减器,体积肯定要加大,关键就是散热设计。随着现代电子技术的发展,在许多场合要用到快速调整衰减器。这种衰减器通常有两种实现方式,一是半导体小功率快调衰减器,如PIN管或FET单片集成衰减器;二是开关控制的电阻衰减网络,开关可以是电子开关,也可以是射频继电器。 三. 同轴衰减器的主要用途 1. 控制功率电平:在微波超外差接收机中对本振输出功率进行控制,获得最佳噪声系数和变频损耗,达到最佳接收效果。在微波接收机中,实现自动增益控制,改善动态范围。 2. 去耦元件:作为振荡器与负载之间的去耦合元件。 3. 相对标准:作为比较功率电平的相对标准。 4. 用于雷达抗干扰中的跳变衰减器:是一种衰减量能突变的可变衰减器,平时不引入衰减,遇到外界干扰时,突然加大衰减。 从微波网络观点看,衰减器是一个二端口有耗微波网络。它属于通过型微波元件。 三.衰减器的相关参数 衰减器是微波射频系统中非常要要的一种元器件。关于衰减器,有一些参数是关键性的,基础的。这些参数非常重要,它可能影响整个系统的效率,甚至是整体的成败。 1.衰减: 用于描述传输过程中从一端到另一端的信号减少的量值。可用倍数或同轴衰减器分贝数来表达。 2.VSWR: 等于特性阻抗与连接在传输线输出端的负载阻抗的比值。 3.最大平均功率: 在衰减器输出端接特性阻抗时,在指定的最高工作温度上可长期加到衰减器输入端的最大功率。当工作温度降至20ºC,输入功率降到10mW时,衰减器的其它指标不应该发生变化。

相关主题
文本预览
相关文档 最新文档