我们从事电路板维修事业算算也有十几年了，在过年的工作中，有遇到过技术非常了得经验丰富的老技术人员，也有爱好电子维修技术，没日没夜钻研的年轻后背。个人觉得学习好电路板维修技术，经验的积累固然重要，当掌握正确的维修方法和灵活的维修思路，才能够成为已经技术一流的电路板维修技术人员。
本章节主要介绍了一些集成电路板的检查方法，为基础知识供大家藏考。
一集成电路的检测方法
现在的电子产品往往由于一块集成电路损坏，导致一部分或几个部分不能正常工作，影响设备的正常使用。那么如何检测集成电路的好坏呢?通常一台设备里面有许多个集成电路，当拿到一部有故障的集成电路的设备时，首先要根据故障现象，判断出故障的大体部位，然后通过测量，把故障的可能部位逐步缩小，最后找到故障所在。要找到故障所在必须通过检测，通常修理人员都采用测引脚电压方法来判断，但这只能判断出故障的大致部位，而且有的引脚反应不灵
敏，甚至有的没有什么反应。就是在电压偏离的情况下，也包含外围元件损坏的因素，还必须将集成块内部故障与外围故障严格
区别开来，因此单靠某一种方法对集成电路是很难检测的，必须依赖综合的检测手段。
现以万用表检测为例，介绍其具体方法。我们知道集成块使用时，总有一个引脚与印制电路板上的“地”线是焊通的，在电路中称之为接地脚。由于集成电路内部都采用直接耦合，因此，集成块的其它引脚与接地脚之间都存在着确定的直流电阻，这种确定的直流电阻称为该脚内部等效直流电阻，简称R 内。当我们拿到一块新的集成块时，可通过用万用表测量各引脚的内部等效直流电阻
来判断其好坏，若各引脚的内部等效电阻R 内与标准值相符，说明这块集成块是好的，反之若与标准值相差过大，说明集成块内部损坏。
测量时有一点必须注意，由于集成块内部有大量的三极管，二极管等非线性元件，在测量中单测得一个阻值还不能判断其好坏，必须互换表笔再测一次，获得正反向两
个阻值。只有当R内正反向阻值都符合标准，才能断定该集成块完好。在实际修理中，
通常采用在路测量。先测量其引脚电压，如果电压异常，可断开引脚连线测接线端电压，以判断电压变化是外围元件引起，还是集成块内部引起。也可以采用测外部电路到地之间的直流等效电阻(称R 外)来判断，通常在电路中测得的集成块某引脚与接地脚之间
的直流电阻(在路电阻)，实际是R内与R外并联的总直流等效电阻。在修理中常将在路电压与在路电阻的测量方法结合使用。有时在路电压和在路电阻偏离标准值，并不一定是集成块损坏，而是有关外围元件损坏，使R外不正常，从而造成在路电压和在路电阻的异常。这时便只能测量集成块内部直流等效电阻，才能判定集成块是否损坏。
根据实际检修经验，在路检测集成电路内部直流等效电阻时可不必把集成块从电
路上焊下来，只需将电压或在路电阻异常的脚与电路断开，同时将接地脚也与电路板断开，其它脚维持原状，测量出测试脚与接地脚之间的R内正反向电阻值便可判断其好
坏。例如，电视机内集成块TA7609P 瑢
脚在路电压或电阻异常，可切断瑢脚和⑤脚(接地脚)然后用万用表内电阻挡测瑢脚与
⑤脚之间电阻，测得一个数值后，互换表笔再测一次。若集成块正常应测得红表笔接地时为8.2kΩ ，黑表笔接地时为272kΩ的
R内直流等效电阻，否则集成块已损坏。
在测量中多数引脚，万用表用R×1k挡，当个别引脚R内很大时，换用R×10k挡，这是因为R×1k挡其表内电池电压只有
1.5V，当集成块内部晶体管串联较多时，电表内电压太低，不能供集成块内晶体管进入正常工作状态，数值无法显现或不准确。总之，在检测时要认真分析，灵活运用各种方法，摸索规律，做到快速、准确找出故障。
二集成电路的检测经验介绍
(一) 常用的检测方法
集成电路常用的检测方法有在线测量法、非在线测量法和代换法。
1.非在线测量非在线测量潮在集成电
路未焊入电路时，通过测量其各引脚之间的直流电阻值与已知正常同型号集成电路各
引脚之间的直流电阻值进行对比，以确定其是否正常。
2.在线测量在线测量法是利用电压测量法、电阻测量法及电流测量法等，通过在电路上测量集成电路的各引脚电压值、电阻值和电流值是否正常，来判断该集成电路是否损坏。
3.代换法代换法是用已知完好的同型号、同规格集成电路来代换被测集成电路，可以判断出该集成电路是否损坏。
(二) 常用集成电路的检测
1.微处理器集成电路的检测微处理器
集成电路的关键测试引脚是VDD电源端、RESET复位端、XIN晶振信号输入端、XOUT晶振信号输出端及其他各线输入、输出端。在路测量这些关键脚对地的电阻值和电压值，看是否与正常值(可从产品电路图或有关维修资料中查出)相同。不同型号微处理器的RESET 复位电压也不相同，有的是低电平复位，即在开机瞬间为低电平，复位后维持高电平;有的是高电平复位，即在开关瞬间为高电平，复位后维持低电平。
2.开关电源集成电路的检测开关电源
集成电路的关键脚电压是电源端(VCC)、激励脉冲输出端、电压检测输入端、电流检测输入端。测量各引脚对地的电压值和电阻值，若与正常值相差较大，在其外围元器件正常的情况下，可以确定是该集成电路已损坏。内置大功率开关管的厚膜集成电路，还可通过测量开关管C、B、E极之间的正、反向
电阻值，来判断开关管是否正常。
3.音频功放集成电路的检测检查音频
功放集成电路时，应先检测其电源端(正电
源端和负电源端)、音频输入端、音频输出
端及反馈端对地的电压值和电阻值。若测得各引脚的数据值与正常值相差较大，其外围元件与正常，则是该集成电路内部损坏。对引起无声故障的音频功放集成电路，测量其电源电压正常时，可用信号干扰法来检查。测量时，万用表应置于R×1档，将红表笔
接地，用黑表笔点触音频输入端，正常时扬声器中应有较强的“喀喀”声。
4.运算放大器集成电路的检测用万用
表直流电压档，测量运算放大器输出端与负
电源端之间的电压值(在静态时电压值较高)。用手持金属镊子依次点触运算放大器的两个输入端(加入干扰信号)，若万用表表针有较大幅度的摆动，则说明该运算放大器完好;若万用表表针不动，则说明运算放大器已损坏。
5.时基集成电路的检测时基集成电路内含数字电路和模拟电路，用万用表很难直接测出其好坏。测试电路由阻容元件、发光二极管LED、6V 直流电源、电源开关S 和8脚IC插座组成。将时基集成电路(例如NE555)插信IC插座后，按下电源开关S，若被测时基集成电路正常，则发光二极管LED将闪烁发光;若LED不亮或一直亮，则说明被测时基集成电路性能不良。
三集成电路代换技巧
(一)、直接代换
直接代换是指用其他IC不经任何改动而直接取代原来的IC，代换后不影响机器的主要性能与指标。
其代换原则是：代换IC的功能、性能指标、封装形式、引脚用途、引脚序号和间
隔等几方面均相同。其中IC的功能相同不仅指功能相同;还应注意逻辑极性相同，即输出输入电平极性、电压、电流幅度必须相同。例如：图像中放IC，TA7607 与
TA7611，前者为反向高放AGC，后者为正向高放AGC，故不能直接代换。除此之外还有输出不同极性AFT电压，输出不同极性的同步脉冲等IC 都不能直接代换，即使是同一270 _f8公司或厂家的产品，都应注意区分。性能指标是指IC 的主要电参数(或主要特性曲线)、最大耗散功率、最高工作电压、频率范围及各信号输入、输出阻抗等参数要与原IC相近。功率小的代用件要加大散热片。
1 同一型号IC的代换
同一型号IC的代换一般是可靠的，安装集成电路时，要注意方向不要搞错，否则，通电时集成电路很可能被烧毁。有的单列直插式功放IC，虽型号、功能、特性相同，但引脚排列顺序的方向是有所不同的。例如，双声道功放IC LA4507，其引脚有“正”、“反”之分，其起始脚标注(色点或凹坑)方向不同;
没有后缀与后缀为"R"的IC 等,例如
M5115P 与M5115RP.
2 不同型号IC的代换
(1) 型号前缀字母相同、数字不同IC 的代换。这种代换只要相互间的引脚功能完全相同，其内部电路和电参数稍有差异，也可相互直接代换。如：伴音中放IC LA1363和LA1365，后者比前者在IC第⑤脚内部增加了一个稳压二极管，其它完全一样。
(2) 型号前缀字母不同、数字相同IC 的代换。一般情况下，前缀字母是表示生产厂家及电路的类别，前缀字母后面的数字相同，大多数可以直接代换。但也有少数，虽数字相同，但功能却完全不同。例如，HA1364是伴音IC，而uPC1364是色解码IC;4558，8脚的是运算放大器
NJM4558,14脚的是CD4558数字电路; 故二者完全不能代换。
(3) 型号前缀字母和数字都不同IC的代换。有的厂家引进未封装的IC芯片，然后加工成按本厂命名的产品。还有如为了提高某些参数指标而改进产品。这些产品常用
不同型号进行命名或用型号后缀加以区别。例如，AN380 与uPC1380可以直接代换;AN5620、TEA5620、DG5620等可以直接代换。
(二)、非直接代换
非直接代换是指不能进行直接代换的IC 稍加修改外围电路，改变原引脚的排列或增减个别元件等，使之成为可代换的IC 的方法。
代换原则：代换所用的IC可与原来的IC引脚功能不同、外形不同，但功能要相同，特性要相近;代换后不应影响原机性能。
1 不同封装IC的代换
相同类型的IC 芯片，但封装外形不同，代换时只要将新器件的引脚按原器件引脚
的形状和排列进行整形。例如，AFT电路CA3064和CA3064E，前者为圆形封装，辐射状引脚;后者为双列直插塑料封装，两者内部特性完全一样，按引脚功能进行连接即可。双列IC AN7114、AN7115与
LA4100、LA4102封装形式基本相同,引脚和散热片正好都相差180°。前面提到的
AN5620带散热片双列直插16脚封装、TEA5620双列直插18脚封装，9、10脚位于集成电路的右边，相当于AN5620的散热片，二者其它脚排列一样，将9、10脚连起来接地即可使用。
2 电路功能相同但个别引脚功能不同IC的代换
代换时可根据各个型号IC的具体参数及说明进行。如电视机中的AGC、视频信号输出有正、负极性的区别，只要在输出端加接倒相器后即可代换。
3 类型相同但引脚功能不同IC的代换
这种代换需要改变外围电路及引脚排列，因而需要一定的理论知识、完整的资料和丰富的实践经验与技巧。
4 有些空脚不应擅自接地
内部等效电路和应用电路中有的引出脚没有标明，遇到空的引出脚时，不应擅自接地，这些引出脚为更替或备用脚，有时也作为内部连接。
5 用分立元件代换IC
有时可用分立元件代换IC 中被损坏的部分，使其恢复功能。代换前应了解该IC 的内部功能原理、每个引出脚的正常电压、波形图及与外围元件组成电路的工作原理。同时还应考虑：
(1) 信号能否从IC中取出接至外围电
路的输入端：
(2) 经外围电路处理后的信号，能否连接到集成电路内部的下一级去进行再处理(连接时的信号匹配应不影响其主要参数和
性能)。如中放IC损坏，从典型应用电路和内部电路看，由伴音中放、鉴频以及音频放大级成，可用信号注入法找出损坏部分，若是音频放大部分损坏，则可用分立元件代替。
6 组合代换
组合代换就是把同一型号的多块IC内
部未受损的电路部分，重新组合成一块完整的IC，用以代替功能不良的IC的方法。对买不到原配IC的情况下是十分适用的。但
要求所利用IC内部完好的电路一定要有接
口引出脚。非直接代换关键是要查清楚互相代换的两种IC 的基本电参数、内部等效电
路、各引脚的功能、IC 与外部元件之间连接关系的资料。实际操作时予以注意：
(1) 集成电路引脚的编号顺序，切勿接错;
(2) 为适应代换后的IC的特点，与其相连的外围电路的元件要作相应的改变;
(3) 电源电压要与代换后的IC相符，如果原电路中电源电压高，应设法降压;电压低，要看代换IC能否工作;
(4) 代换以后要测量IC的静态工作电流，如电流远大于正常值，则说明电路可能产生自激，这时须进行去耦、调整。若增益与原来有所差别，可调整反馈电阻阻值;
(5) 代换后IC的输入、输出阻抗要与原电路相匹配;检查其驱动能力;
(6) 在改动时要充分利用原电路板上的脚孔和引线,外接引线要求整齐，避免前后交叉，以便检查和防止电路自激，特别是防止高频自激;
(7) 在通电前电源Vcc回路里最好再串接一直流电流表，降压电阻阻值由大到小观察集成电路总电流的变化是否正常;
电路板维修技术一门比较冷门的专业技术，学好电路板维修技术需要技术人员长期的
刻苦坚持和钻研，很多从事电路板维修的人，在学徒期间，就应为顶不住加大的压力和枯燥的工作环境而跳槽转行；当然，也有很多年轻人热衷与电子行业，认真的埋头钻研技术。这篇文章简单介绍了一些集成PCB的
维修方法，如有不正确的地方，望指正。
集成电路IC常识 中国半导体器件型号命名方法 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 日本半导体分立器件型号命名方法 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。 第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。 第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。 集成电路(IC)型号命名方法/规则/标准 原部标规定的命名方法X XXXXX 电路类型电路系列和电路规格符号电路封装T：TTL；品种序号码（拼音字母）A：陶瓷扁平； H：HTTL；（三位数字） B ：塑料扁平； E：ECL； C：陶瓷双列直插； I：I-L； D：塑料双列直插； P：PMOS； Y：金属圆壳； N：NMOS； F：金属菱形； F：线性放大器； W：集成稳压器； J：接口电路。 原国标规定的命名方法CXXXXX中国制造器件类型器件系列和工作温度范围器件封装符号 T：TTL；品种代号C：（0-70）℃；W：陶瓷扁平； H：HTTL；（器件序号）E ：（-40~85）℃；B：塑料扁平； E：ECL； R：（-55~85）℃；F：全密封扁平； C：CMOS； M：（-55~125）℃；D：陶瓷双列直插； F：线性放大器； P：塑料双列直插； D：音响、电视电路； J：黑瓷双理直插； W：稳压器； K：金属菱形； J：接口电路； T：金属圆壳； B：非线性电路； M：存储器； U：微机电路；其中，TTL中标准系列为CT1000系列；H 系列为CT2000系列；S系列为CT3000系列；LS系列为CT4000系列； 原部标规定的命名方法CX XXXX中国国标产品器件类型用阿拉伯数字和工作温度范围封装 T：TTL电路；字母表示器件系C：（0~70）℃F：多层陶瓷扁平； H：HTTL电路；列品种G：（-25~70）℃B：塑料扁平； E：ECL电路；其中TTL分为：L：（-25~85）℃H：黑瓷扁平； C：CMOS电路；54/74XXX；E：（-40~85）℃D：多层陶瓷双列直插； M：存储器；54/74HXXX；R：（-55~85）℃J：黑瓷双列直插； U：微型机电路；54/74LXXX；M：（-55~125）℃P：塑料双列直插； F：线性放大器；54/74SXXX； S：塑料单列直插； W：稳压器；54/74LSXXX； T：金属圆壳； D：音响、电视电路；54/74ASXXX； K：金属菱形； B：非线性电路；54/74ALSXXX； C：陶瓷芯片载体； J：接口电路；54/FXXX。 E：塑料芯片载体； AD：A/D转换器；CMOS分为： G：网格针栅阵列； DA：D/A转换器；4000系列；本手册中采用了： SC：通信专用电路；54/74HCXXX； SOIC：小引线封装（泛指）； SS：敏感电路；54/74HCTXXX； PCC：塑料芯片载体封装；SW：钟表电路； LCC：陶瓷芯片载体封装； SJ：机电仪电路； W：陶瓷扁平。SF：复印机电路； 一。如何鉴别IC原装、散新 在研发或学习过程中，经常需要买少量的片子，代理的质量虽然好，但是数量
手机焊接技术 1、掌握热风枪和电烙铁的使用方法。 2、掌握手机小元件的拆卸和焊接方法。 3、熟练掌握手机表面安装集成电路的拆卸和焊接方法。 4、熟练掌握手机BGA集成电路的拆卸和焊接方法。 热风枪和电烙铁的使用 —、热风枪的使用 1、指导 热风枪是一种贴片元件和贴片集成电路的拆焊、焊接工具，热风枪主要由气泵、线性电路板、气流稳定器、外壳、手柄组件组成。性能较好的850热风枪采用 850原装气泵。具有噪音小、气流稳定的特点，而且风流量较大一般为27L／mm；NEC组成的原装线性电路板，使调节符合标准温度(气流调整曲线)，从而获得均匀稳定的热量、风量；手柄组件采用消除静电材料制造，可以有效的防止静电干扰。 由于手机广泛采用粘合的多层印制电路板，在焊接和拆卸时要特别注意通路孔，应避免印制电路与通路孔错开。更换元件时，应避免焊接温度过高。有些金属氧化物互补型半导体(CMOS)对静电或高压特别敏感而易受损。这种损伤可能是潜在的，在数周或数月后才会表现出来。在拆卸这类元件时，必须放在接地的台子上，接地最有效的办法是维修人员戴上导电的手套，不要穿尼龙衣服等易带静 电的服装。 2、操作 (1)将热风枪电源插头插入电源插座，打开热风枪电源开关。 (2)在热风枪喷头前10cm处放置一纸条，调节热风枪风速开关，当热风枪的风速在1至8档变化时，观察热风枪的风力情况。 (3)在热风枪喷头前10cm处放置一纸条，调节热风枪的温度开关，当热风枪的温度在1至8档变化时，观察热风枪的温度情况。 (4)实习完毕后，将热风枪电源开关关闭，此时热风枪将向外继续喷气，当喷气 结束后再将热风枪的电源插头拔下。 二、电烙铁的使用 1．指导 与850热风枪并驾齐驱的另一类维修工具是936电烙铁，936电烙铁有防静电(一般为黑色)的，也有不防静电(一般为白色)的，选购936电烙铁最好选用防静 电可调温度电烙铁。在功能上，936电烙铁主要用来焊接，使用方法十分简单， 只要用电烙铁头对准所焊元器件焊接即可，焊接时最好使用助焊剂，有利于焊 接良好又不造成短路。 2．操作
1、描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标及其物理含义 ⑴集成度(Integration Level)：以一个IC芯片所包含的元件(晶体管或门/数)来衡量，（包括有源和无源元件）。 ⑵特征尺寸 (Feature Size) /（Critical Dimension）：特征尺寸定义为器件中最小线条宽度(对MOS器件而言，通常指器件栅电极所决定的沟道几何长度)，也可定义为最小线条宽度与线条间距之和的一半。 ⑶晶片直径(Wafer Diameter)：当前的主流晶圆的尺寸为12寸(300mm)，正在向18寸(450mm)晶圆迈进。 ⑷芯片面积(Chip Area)：随着集成度的提高，每芯片所包含的晶体管数不断增多，平均芯片面积也随之增大。 ⑸封装（Package）：指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便于其它器件连接。封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。 2、简述集成电路发展的摩尔定律。 集成电路芯片的集成度每三年提高4倍，而加工特征尺寸缩小倍，这就是摩尔定律。当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍 3、集成电路常用的材料有哪些？ 集成电路中常用的材料有三类：半导体材料，如Si、Ge、GaAs?以及InP?等；绝缘体材料，如SiO2、SiON?和Si3N4?等；金属材料，如铝、金、钨以及铜等。
4、集成电路按工艺器件类型和结构形式分为哪几类，各有什么特点。 双极集成电路：主要由双极晶体管构成（NPN型双极集成电路、PNP型双极集成电路）。优点是速度高、驱动能力强，缺点是功耗较大、集成度较低。 CMOS集成电路：主要由NMOS、PMOS构成CMOS电路，功耗低、集成度高，随着特征尺寸的缩小，速度也可以很高。 BiCMOS集成电路：同时包括双极和CMOS晶体管的集成电路为BiCMOS集成电路，综合了双极和CMOS器件两者的优点，但制作工艺复杂。 5、解释基本概念: 微电子、集成电路、集成度、场区、有源区、阱、外延 微电子：微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术，微电子技术是微电子学中的各项工艺技术的总和。微电子学是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小型化电路、电路及微电子系统的电子学分支。 集成电路：通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能。 集成度：集成电路的集成度是指单块芯片上所容纳的元件数目。
一、集成电路板维修方法： 1.微处理器集成电路的检测微处理器集成电路的关键测试引脚是VDD电源端、RESET复位端、XIN晶振信号输入端、XOUT晶振信号输出端及其他各线输入、输出端。在路测量这些关键脚对地的电阻值和电压值，看是否与正常值(可从产品电路图或有关维修资料中查出)相同。不同型号微处理器的RESET 复位电压也不相同，有的是低电平复位，即在开机瞬间为低电平，复位后维持高电平;有的是高电平复位，即在开关瞬间为高电平，复位后维持低电平。 2.开关电源集成电路的检测开关电源集成电路的关键脚电压是电源端(VCC)、激励脉冲输出端、电压检测输入端、电流检测输入端。测量各引脚对地的电压值和电阻值，若与正常值相差较大，在其外围元器件正常的情况下，可以确定是该集成电路已损坏。内置大功率开关管的厚膜集成电路，还可通过测量开关管C、B、E极之间的正、反向电阻值，来判断开关管是否正常。
3.音频功放集成电路的检测检查音频功放集成电路时，应先检测其电源端(正电源端和负电源端)、音频输入端、音频输出端及反馈端对地的电压值和电阻值。若测得各引脚的数据值与正常值相差较大，其外围元件与正常，则是该集成电路内部损坏。对引起无声故障的音频功放集成电路，测量其电源电压正常时，可用信号干扰法来检查。测量时，万用表应置于R×1档，将红表笔接地，用黑表笔点触音频输入端，正常时扬声器中应有较强的“喀喀”声。 4.运算放大器集成电路的检测用万用表直流电压档，测量运算放大器输出端与负电源端之间的电压值(在静态时电压值较高)。用手持金属镊子依次点触运算放大器的两个输入端(加入干扰信号)，若万用表表针有较大幅度的摆动，则说明该运算放大器完好;若万用表表针不动，则说明运算放大器已损坏。 5.时基集成电路的检测时基集成电路内含数字电路和模拟电路，用万用表很难直接测出其好坏。测试电路由阻容元件、发光二极管LED、6V 直流电源、电源开关S 和8脚IC插座组成。将时基集成电路(例如NE555)插信IC插座后，按下电源开关S，若被测时基集成电路正常，则发光二极管LED将闪烁发光;若LED不亮或一直亮，则说明被测时基集成电路性能不良。
第三章、器件 一、超深亚微米工艺条件下MOS 管主要二阶效应： 1、速度饱和效应：主要出现在短沟道NMOS 管，PMOS 速度饱和效应不显著。主要原因是 TH G S V V -太大。在沟道电场强度不高时载流子速度正比于电场强度（μξν=） ，即载流子迁移率是常数。但在电场强度很高时载流子的速度将由于散射效应而趋于饱和，不再随电场 强度的增加而线性增加。此时近似表达式为：μξυ=（c ξξ<），c s a t μξυυ==（c ξξ≥） ，出现饱和速度时的漏源电压D SAT V 是一个常数。线性区的电流公式不变，但一旦达到DSAT V ，电流即可饱和，此时DS I 与GS V 成线性关系（不再是低压时的平方关系）。 2、Latch-up 效应：由于单阱工艺的NPNP 结构，可能会出现VDD 到VSS 的短路大电流。 正反馈机制：PNP 微正向导通，射集电流反馈入NPN 的基极，电流放大后又反馈到PNP 的基极，再次放大加剧导通。 克服的方法：1、减少阱/衬底的寄生电阻，从而减少馈入基极的电流，于是削弱了正反馈。 2、保护环。 3、短沟道效应：在沟道较长时，沟道耗尽区主要来自MOS 场效应，而当沟道较短时，漏衬结（反偏）、源衬结的耗尽区将不可忽略，即栅下的一部分区域已被耗尽，只需要一个较小的阈值电压就足以引起强反型。所以短沟时VT 随L 的减小而减小。 此外，提高漏源电压可以得到类似的效应，短沟时VT 随VDS 增加而减小，因为这增加了反偏漏衬结耗尽区的宽度。这一效应被称为漏端感应源端势垒降低。
4、漏端感应源端势垒降低（DIBL）： VDS增加会使源端势垒下降，沟道长度缩短会使源端势垒下降。VDS很大时反偏漏衬结击穿，漏源穿通，将不受栅压控制。 5、亚阈值效应（弱反型导通）：当电压低于阈值电压时MOS管已部分导通。不存在导电沟道时源（n+）体（p）漏（n+）三端实际上形成了一个寄生的双极性晶体管。一般希望该效应越小越好，尤其在依靠电荷在电容上存储的动态电路，因为其工作会受亚阈值漏电的严重影响。 绝缘体上硅（SOI） 6、沟长调制：长沟器件：沟道夹断饱和；短沟器件：载流子速度饱和。 7、热载流子效应：由于器件发展过程中，电压降低的幅度不及器件尺寸，导致电场强度提高，使得电子速度增加。漏端强电场一方面引起高能热电子与晶格碰撞产生电子空穴对，从而形成衬底电流，另一方面使电子隧穿到栅氧中，形成栅电流并改变阈值电压。 影响：1、使器件参数变差，引起长期的可靠性问题，可能导致器件失效。2、衬底电流会引入噪声、Latch-up、和动态节点漏电。 解决：LDD（轻掺杂漏）：在漏源区和沟道间加一段电阻率较高的轻掺杂n-区。缺点是使器件跨导和IDS减小。 8、体效应：衬底偏置体效应、衬底电流感应体效应（衬底电流在衬底电阻上的压降造成衬偏电压）。 二、MOSFET器件模型 1、目的、意义：减少设计时间和制造成本。 2、要求：精确；有物理基础；可扩展性，能预测不同尺寸器件性能；高效率性，减少迭代次数和模拟时间 3、结构电阻：沟道等效电阻、寄生电阻 4、结构电容： 三、特征尺寸缩小 目的：1、尺寸更小；2、速度更快；3、功耗更低；4、成本更低、 方式： 1、恒场律（全比例缩小），理想模型，尺寸和电压按统一比例缩小。 优点：提高了集成密度 未改善：功率密度。 问题：1、电流密度增加；2、VTH小使得抗干扰能力差；3、电源电压标准改变带来不便；4、漏源耗尽层宽度不按比例缩小。 2、恒压律，目前最普遍，仅尺寸缩小，电压保持不变。 优点：1、电源电压不变；2、提高了集成密度 问题：1、电流密度、功率密度极大增加；2、功耗增加；3、沟道电场增加，将产生热载流子效应、速度饱和效应等负面效应；4、衬底浓度的增加使PN结寄生电容增加，速度下降。 3、一般化缩小，对今天最实用，尺寸和电压按不同比例缩小。 限制因素：长期使用的可靠性、载流子的极限速度、功耗。
文件编号：GD/FS-8265 （安全管理范本系列） 使用集成电路的基本知识 详细版 In Order To Simplify The Management Process And Improve The Management Efficiency, It Is Necessary To Make Effective Use Of Production Resources And Carry Out Production Activities. 编辑：_________________ 单位：_________________ 日期：_________________
使用集成电路的基本知识详细版 提示语：本安全管理文件适合使用于平时合理组织的生产过程中，有效利用生产资源，经济合理地进行生产活动，以达到实现简化管理过程，提高管理效率，实现预期的生产目标。，文档所展示内容即为所得，可在下载完成后直接进行编辑。 1．集成电路型号的识别 要全面了解一块集成电路的用途、功能、电特性，那必须知道该块集成电路的型号及其产地。电视、音响、录像用集成电路与其它集成电路一样，其正面印有型号或标记，从而根据型号的前缀或标志就能初步知道它是那个生产厂或公司的集成电路，根据其数字就能知道属哪一类的电路功能。例如 AN5620，前缀AN说明是松下公司双极型集成电路，数字“5620”前二位区分电路主要功能，“56”说明是电视机用集成电路，而70～76属音响方面的用途，30～39属录像机用电路。详细情况请
参阅部分生产厂集成电路型号的命名，但要说明，在实际应用中常会出现A4100，到底属于日立公司的HA、三洋公司的LA、日本东洋电具公司的BA、东芝公司的TA、南朝鲜三星公司的KA、索尼公司的CXA、欧洲联盟、飞利浦、莫托若拉等国的TAA、TCA、TDA的哪一产品？一般来说，把前缀代表生产厂的英文字母省略掉的集成路，通常会把自己生产厂或公司的名称或商标打印上去，如打上SONY，说明该集成电路型号是CXA1034，如果打上SANYO，说明是日本三洋公司的LA4100，C1350C 一般印有NEC，说明该集成电路是日本电气公司生产的uPC1350C集成电路。 有的集成电路型号前缀连一个字母都没有，例如东芝公司生产的KT－4056型存储记忆选台自动倒放
集成电路基础维修操作技巧 收集整理一、贴片式元器件的拆卸、焊接技巧 贴片式元器件的拆卸、焊接宜选用200～280℃调温式尖头烙铁。 贴片式电阻器、电容器的基片大多采用陶瓷材料制作，这种材料受碰撞易破裂，因此在拆卸、焊接时应掌握控温、预热、轻触等技巧。控温是指焊接温度应控制在200～250℃左右。预热指将待焊接的元件先放在100℃左右的环境里预热1～2分钟，防止元件突然受热膨胀损坏。轻触是指操作时烙铁头应先对印制板的焊点或导带加热，尽量不要碰到元件。另外还要控制每次焊接时间在3秒钟左右，焊接完毕后让电路板在常温下自然冷却。以上方法和技巧同样适用于贴片式晶体二、三极管的焊接。 贴片式集成电路的引脚数量多、间距窄、硬度小，如果焊接温度不当，极易造成引脚焊锡短路、虚焊或印制线路铜箔脱离印制板等故障。拆卸贴片式集成电路时，可将调温烙铁温度调至260℃左右，用烙铁头配合吸锡器将集成电路引脚焊锡全部吸除后，用尖嘴镊子轻轻插入集成电路底部，一边用烙铁加热，一边用镊子逐个轻轻提起集成电路引脚，使集成电路引脚逐渐与印制板脱离。用镊子提起集成电路时一定要随烙铁加热的部位同步进行，防止操之过急将线路板损坏。 换入新集成电路前要将原集成电路留下的焊锡全部清除，保证焊盘的平整清洁。然后将待焊集成电路引脚用细砂纸打磨清洁，均匀搪锡，再将待焊集成电路脚位对准印制板相应焊点，焊接时用手轻压在集成电路表面，防止集成电路移动，另一只手操作电烙铁蘸适量焊锡将集成电路四角的引脚与线路板焊接固定后，再次检查确认集成电路型号与方向，正确后正式焊接，将烙铁温度调节在250℃左右，一只手持烙铁给集成电路引脚加热，另一只手将焊锡丝送往加热引脚焊接，直至全部引脚加热焊接完毕，最后仔细检查和排除引脚短路和虚焊，待焊点自然冷却后，用毛刷蘸无水酒精再次清洁线路板和焊点，防止遗留焊渣。 检修模块电路板故障前，宜先用毛刷蘸无水酒精清理印制板，清除板上灰尘、焊渣等杂物，并观察原电路板是否存在虚焊或焊渣短路等现象，以及早发现故障点，节省检修时间。 二、拆卸扁平封装集成电路简法 取直径为1毫米的铜线10厘米长,一端弯成小钩，另一端绕到起子上便于拉扯．电路铁头部一定要尖细，以不使集成块两脚短接为宜．拆卸集成块时，将铜线的小钩伸进集成块内钩住一个引脚．在以后的操作中应尽量使铜线的钩头压贴在电路板上，然后把发热的烙铁头压到钩住的引脚上，随着焊锡的熔化，轻轻拉扯铜线的另一端，使铜线的钩子从集成块引脚与电路板间扯出，迅速移去电烙铁．这时集成块引脚与电路的联系断开．该集成块引脚仅仅向上移动了一毫米左右，不会对集成块造成机械损坏。用这种方法拆卸集成块大约需要十分钟左右。不过，该方法的不足之处是：有时可能会把电路板上的铜箔拉扯开来．所以用力要均匀．电烙铁温度不应太高。
集成电路分析 集成工业的前后道技术：半导体（wafer）制造企业里面，前道主要是把mos管，三极管作到硅片上，后道主要是做金属互联。 集成电路发展：按规模划分，集成电路的发展已经历了哪几代？ 参考答案： 按规模，集成电路的发展已经经历了：SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI及GSI。它的发展遵循摩尔定律 解释欧姆型接触和肖特基型接触。 参考答案： 半导体表面制作了金属层后，根据金属的种类及半导体掺杂浓度的不同，可形成欧姆型接触或肖特基型接触。 如果掺杂浓度比较低，金属和半导体结合面形成肖特基型接触。 如果掺杂浓度足够高，金属和半导体结合面形成欧姆型接触。 、集成电路主要有哪些基本制造工艺。 参考答案： 集成电路基本制造工艺包括：外延生长，掩模制造，光刻，刻蚀，掺杂，绝缘层形成，金属层形成等。 光刻工艺： 光刻的作用是什么？列举两种常用曝光方式。 参考答案： 光刻是集成电路加工过程中的重要工序，作用是把掩模版上的图形转换成晶圆上的器件结构。 曝光方式：接触式和非接触式 25、简述光刻工艺步骤。 参考答案： 涂光刻胶，曝光，显影，腐蚀，去光刻胶。 26、光刻胶正胶和负胶的区别是什么？ 参考答案： 正性光刻胶受光或紫外线照射后感光的部分发生光分解反应，可溶于显影液，未感光的部分显影后仍然留在晶圆的表面，它一般适合做长条形状；负性光刻胶的未感光部分溶于显影液
中，而感光部分显影后仍然留在基片表面，它一般适合做窗口结构，如接触孔、焊盘等。常规双极型工艺需要几次光刻？每次光刻分别有什么作用？ 参考答案： 需要六次光刻。第一次光刻--N+隐埋层扩散孔光刻；第二次光刻--P+隔离扩散孔光刻 第三次光刻--P型基区扩散孔光刻；第四次光刻--N+发射区扩散孔光刻；第五次光刻--引线接触孔光刻；第六次光刻--金属化内连线光刻 掺杂工艺： 掺杂的目的是什么？举出两种掺杂方法并比较其优缺点。 参考答案： 掺杂的目的是形成特定导电能力的材料区域，包括N型或P型半导体区域和绝缘层，以构成各种器件结构。 掺杂的方法有：热扩散法掺杂和离子注入法掺杂。与热扩散法相比，离子注入法掺杂的优点是：可精确控制杂质分布，掺杂纯度高、均匀性好，容易实现化合物半导体的掺杂等；缺点是：杂质离子对半导体晶格有损伤，这些损伤在某些场合完全消除是无法实现的；很浅的和很深的注入分布都难以得到；对高剂量的注入，离子注入的产率要受到限制；一般离子注入的设备相当昂贵， 试述PN结的空间电荷区是如何形成的。 参考答案： 在PN结中，由于N区中有大量的自由电子，由P区扩散到N区的空穴将逐渐与N区的自由电子复合。同样，由N区扩散到P区的自由电子也将逐渐与P区内的空穴复合。于是在紧靠接触面两边形成了数值相等、符号相反的一层很薄的空间电荷区，称为耗尽层。简述CMOS工艺的基本工艺流程（以1×poly，2×metal N阱为例）。 参考答案： 形成N阱区，确定nMOS和pMOS有源区，场和栅氧化，形成多晶硅并刻蚀成图案，P＋扩散，N＋扩散，刻蚀接触孔，沉淀第一金属层并刻蚀成图案，沉淀第二金属层并刻蚀成图案，形成钝化玻璃并刻蚀焊盘。 表面贴装技术：电子电路表面组装技术（Surface Mount Technology，SMT）， 称为表面贴装或表面安装技术。它是一种将无引脚或短引线表面组装元器件（简称SMC/SMD，中文称片状元器件）安装在印制电路板（Printed Circuit Board，PCB)的表面或其它基板的表面上，通过再流焊或浸焊等方法加以焊接组装的电路装连技术。[1]工艺流程简化为：印刷-------贴片-------焊接-------检修 有源区和场区：有源区：硅片上做有源器件的区域。（就是有些阱区。或者说是采用STI等隔离技术，隔离开的区域）。有源区主要针对MOS而言，不同掺杂可形成n或p型有源区。有源区分为源区和漏区（掺杂类型相同）在进行互联
一、填空 1.ls (填写参数)命令用于显示隐藏文件。（-a） 2.进入当前目录的父目录的命令为 (%cd ..) 3.查看当前工作目录的命令为：（%pwd） 4.目录/home//uuu已建立，当前工作目录为/home/，采用绝对路径进入/home//uuu 的命令为：（%cd /home//uuu） 5.假设对letter文件有操作权限，命令%chmod a+rw letter会产生什么结果：（对 所有的用户增加读写权限。） 6.显示当前时间的命令为：（%date） 7.打开系统管理窗口的命令为：（%admintool） 8.与IP地址为166.111.4.80的主机建立FTP连接的命令为：（%ftp 166.111.4.80 or %ftp %open 166.111.4.80） 9.建立FTP连接后，接收单个文件的命令为：（%get） 10.建立FTP连接后，发送多个文件的命令为：（%mput） 11.有一种称为0.13um 2P5M CMOS单井工艺, 它的特征线宽为______，互连层共有 _____层，其电路类型为_______。0.13um 7 CMOS 12.请根据实际的制造过程排列如下各选项的顺序： a.生成多晶硅 b.确定井的位置和大小 c.定义扩散区，生成源漏区 d.确定有源区的位置和大小 e.确定过孔位置 正确的顺序为：___ _________________。bdace 13.集成电路中的电阻主要有__________, ____________, _____________三种。井电 阻，扩散电阻，多晶电阻 14.为方便版图绘制，通常将Contact独立做成一个单元，并以实例的方式调用。若该 Contact单元称为P型Contact，由4个层次构成，则该四个层次分别为：_________，_________, _________, ___________. active, P+ diffusion, contact, metal. 15.CMOS工艺中，之所以要将衬底或井接到电源或地上，是因为 ___________________________________。报证PN结反偏，使MOS器件能够正常工 作。 16.版图验证主要包括三方面：________，__________，__________; 完成该功能的 Cadence工具主要有（列举出两个）：_________，_________。DRC, LVS, ERC, Diva, Dracula 17.造成版图不匹配的因数主要来自两个方面：一是制造工艺引起的，另一个是 __________;后者又可以进一步细分为两个方面：_______________， _____________。片上环境波动，温度波动，电压波动。 18.DRC包括几种常见的类型，如最大面积（Maximum Dimension），最小延伸（Minimum Extension），此外还有_________，_________，_________。最小间距，最小宽度，最小包围（Minimum Enclosure）。 19.减少天线效应的三种方法有：____________，____________，__________。插入二 极管，插入缓冲器，Jumper (或者，通过不同的金属层绕线)。 20.由于EDA工具的不统一，出现了各种不同的文件格式，如LEF, DEF等，业界公认 的Tape out的文件格式为 _______，它不可以通过文本编辑器查看，因为它是
我们从事电路板维修事业算算也有十几年了，在过年的工作中，有遇到过技术非常了得经验丰富的老技术人员，也有爱好电子维修技术，没日没夜钻研的年轻后背。个人觉得学习好电路板维修技术，经验的积累固然重要，当掌握正确的维修方法和灵活的维修思路，才能够成为已经技术一流的电路板维修技术人员。 本章节主要介绍了一些集成电路板的检查方法，为基础知识供大家藏考。 一集成电路的检测方法 现在的电子产品往往由于一块集成电路损坏，导致一部分或几个部分不能正常工作，影响设备的正常使用。那么如何检测集成电路的好坏呢?通常一台设备里面有许多个集成电路，当拿到一部有故障的集成电路的设备时，首先要根据故障现象，判断出故障的大体部位，然后通过测量，把故障的可能部位逐步缩小，最后找到故障所在。要找到故障所在必须通过检测，通常修理人员都采用测引脚电压方法来判断，但这只能判断出故障的大致部位，而且有的引脚反应不灵
敏，甚至有的没有什么反应。就是在电压偏离的情况下，也包含外围元件损坏的因素，还必须将集成块内部故障与外围故障严格 区别开来，因此单靠某一种方法对集成电路是很难检测的，必须依赖综合的检测手段。 现以万用表检测为例，介绍其具体方法。我们知道集成块使用时，总有一个引脚与印制电路板上的“地”线是焊通的，在电路中称之为接地脚。由于集成电路内部都采用直接耦合，因此，集成块的其它引脚与接地脚之间都存在着确定的直流电阻，这种确定的直流电阻称为该脚内部等效直流电阻，简称R 内。当我们拿到一块新的集成块时，可通过用万用表测量各引脚的内部等效直流电阻 来判断其好坏，若各引脚的内部等效电阻R 内与标准值相符，说明这块集成块是好的，反之若与标准值相差过大，说明集成块内部损坏。 测量时有一点必须注意，由于集成块内部有大量的三极管，二极管等非线性元件，在测量中单测得一个阻值还不能判断其好坏，必须互换表笔再测一次，获得正反向两
Layout主要工作注意事项 ●画之前的准备工作 ●与电路设计者的沟通 ●Layout 的金属线尤其是电源线、地线 ●保护环 ●衬底噪声 ●管子的匹配精度 一、l ayout 之前的准备工作 1、先估算芯片面积 先分别计算各个电路模块的面积，然后再加上模块之间走线以及端口引出等的面积，即得到芯片总的面积。 2、Top-Down 设计流程 先根据电路规模对版图进行整体布局，整体布局包括：主要单元的大小形状以及位置安排；电源和地线的布局；输入输出引脚的放置等；统计整个芯片的引脚个数，包括测试点也要确定好，严格确定每个模块的引脚属性，位置。 3、模块的方向应该与信号的流向一致 每个模块一定按照确定好的引脚位置引出之间的连线 4、保证主信号通道简单流畅，连线尽量短，少拐弯等。 5、不同模块的电源，地线分开，以防干扰，电源线的寄生电阻尽可能较小，避免各模块的 电源电压不一致。 6、尽可能把电容电阻和大管子放在侧旁，利于提高电路的抗干扰能力。 二、与电路设计者的沟通
搞清楚电路的结构和工作原理明确电路设计中对版图有特殊要求的地方 包含内容：（1）确保金属线的宽度和引线孔的数目能够满足要求（各通路在典型情况和最坏情况的大小）尤其是电源线盒地线。 （2）差分对管，有源负载，电流镜，电容阵列等要求匹配良好的子模块。 （3）电路中MOS管，电阻电容对精度的要求。 （4）易受干扰的电压传输线，高频信号传输线。 三、layout 的金属线尤其是电源线，地线 1、根据电路在最坏情况下的电流值来确定金属线的宽度以及接触孔的排列方式和数目，以避免电迁移。 电迁移效应：是指当传输电流过大时，电子碰撞金属原子，导致原子移位而使金属断线。在接触孔周围，电流比较集中，电迁移更容易产生。 2、避免天线效应 长金属（面积较大的金属）在刻蚀的时候，会吸引大量的电荷，这时如果该金属与管子栅相连，可能会在栅极形成高压，影响栅养化层质量，降低电路的可靠性和寿命。 解决方案：（1）插一个金属跳线来消除（在低层金属上的天线效应可以通过在顶层金属层插入短的跳线来消除）。 （2）把低层金属导线连接到扩散区来避免损害。 3、芯片金属线存在寄生电阻和寄生电容效应 寄生电阻会使电压产生漂移，导致额外的噪声的产生 寄生电容耦合会使信号之间互相干扰 关于寄生电阻： （1）镜像电流镜内部的晶体管在版图上放在一起，然后通过连线引到各个需要供电的版图。
编订：__________________ 审核：__________________ 单位：__________________ 使用集成电路的基本知识 Deploy The Objectives, Requirements And Methods To Make The Personnel In The Organization Operate According To The Established Standards And Reach The Expected Level. Word格式 / 完整 / 可编辑
文件编号：KG-AO-1587-33 使用集成电路的基本知识 使用备注：本文档可用在日常工作场景，通过对目的、要求、方式、方法、进度等进行具体的部署，从而使得组织内人员按照既定标准、规范的要求进行操作，使日常工作或活动达到预期的水平。下载后就可自由编辑。 1．集成电路型号的识别 要全面了解一块集成电路的用途、功能、电特性，那必须知道该块集成电路的型号及其产地。电视、音响、录像用集成电路与其它集成电路一样，其正面印有型号或标记，从而根据型号的前缀或标志就能初步知道它是那个生产厂或公司的集成电路，根据其数字就能知道属哪一类的电路功能。例如AN5620，前缀AN 说明是松下公司双极型集成电路，数字“5620”前二位区分电路主要功能，“56”说明是电视机用集成电路，而70～76属音响方面的用途，30～39属录像机用电路。详细情况请参阅部分生产厂集成电路型号的命名，但要说明，在实际应用中常会出现A4100，到底属于日立公司的HA、三洋公司的LA、日本东洋电具公司的
电路板维修基础知识 一、电容篇 1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C25表示编号为25的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘 材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。 容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量) 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。 2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法 拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=103毫法=106微法=109 纳法=1012皮法 容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示6 字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。 如：102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF 3、电容容量误差表 符号 F G J K L M 允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如：一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 uF、误差为±5%。
4、故障特点 在实际维修中，电容器的故障主要表现为： （1）引脚腐蚀致断的开路故障。 （2）脱焊和虚焊的开路故障。 （3）漏液后造成容量小或开路故障。 （4）漏电、严重漏电和击穿故障。 二、二极管 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的二极管。 1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导 通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、 调频调制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如1N4148）、肖特基二极管（如 BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N 极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些 二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。 发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。 3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻
常用电子元件电路维修知识 一、电容篇 1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C25表示编号为25的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。 容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量) 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。 2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法 容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示6 字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。 如：102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF 3、电容容量误差表 符号F G J K L M 允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如：一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 uF、误差为±5%。 4、故障特点 在实际维修中，电容器的故障主要表现为： （1）引脚腐蚀致断的开路故障。 （2）脱焊和虚焊的开路故障。 （3）漏液后造成容量小或开路故障。 （4）漏电、严重漏电和击穿故障。
1.基本概念： 集成电路：是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体有源器件、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部“集成”在一块半导体单晶片上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能的电路。集成度：每块集成电路芯片中包含的元器件数目。 多项目晶圆技术：多项目晶圆就是将多个使用相同工艺的集成电路设计放在同一晶圆片上流片，制造完成后，每个设计可以得到数十片芯片样品，这一数量对于原型设计阶段的实验、测试已经足够。而该次制造费用就由所有参加MPW的项目按照芯片面积分摊，成本仅为单独进行原型制造成本的5%-10%，极大地降低了产品开发风险、培养集成电路设计人才的门槛和中小集成电路设计企业在起步时的门槛。 无生产线集成电路设计： 代工厂：加工厂的铸造车间，无自己产品。优良的加工技术(包括设计和制造)及优质的服务为客户提供加工服务。 2.微电子的战略地位：对人类社会的巨大作用 3.集成电路分类： 按器件结构类型分类：①双极集成电路②金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路 ③双极-MOS(BiMOS)集成电路 按集成度分类：①小规模集成电路②中规模集成电路③大规模集成电路 ④超大规模集成电路⑤特大规模集成电路⑥巨大规模集成电路按使用的基片材料分类：①单片集成电路②混合集成电路 按电路的功能结构分类：①数字集成电路②模拟集成电路③数模混合集成电路按应用领域分类：①标准通用集成电路②专用集成电路 4.集成电路按规模划分经历了哪几代？遵循什么定律？ 小规模集成（SSI）→中规模集成（MSI）→大规模集成（LSI）→超大规模集成电路(VLSI) →特大规模集成电路(ULSI) → GSI(巨大规模集成) →SoC(系统芯片)。 摩尔定律：集成电路芯片的集成度每三年提高4倍，而加工特征尺寸缩小根号2倍。 5.IC（集成电路）、VLSI(超大规模集成电路）、ULSI(特大规模集成电路） 6.高K介质： 问题：90 nm工艺之前，晶体管之间的电流泄露问题并不是很严重，因为晶体管之间有较长的间距。但随着特征尺寸减小，不同晶体管间距变得很短，电流泄露现象变得异常严重，为了抵消泄露电流，芯片不得不要求更大的供电量，造成的直接后果就是芯片功耗增加。无论英特尔还是AMD（超微半导体），90纳米工艺制造的产品都没有在功耗方面表现出应有的优势，而按照惯例，每次新工艺都会让同型芯片的功耗降低30%左右。 解决：采用高K值的氧化物材料来制造晶体管的栅极，英特尔称之为“高K门电介
Digital IC：数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统 第一章引论 1、数字IC芯片制造步骤 设计：前端设计（行为设计、体系结构设计、结构设计）、后端设计（逻辑设计、电路设计、版图设计） 制版：根据版图制作加工用的光刻版 制造：划片：将圆片切割成一个一个的管芯（划片槽） 封装：用金丝把管芯的压焊块（pad）与管壳的引脚相连 测试：测试芯片的工作情况 2、数字IC的设计方法 分层设计思想：每个层次都由下一个层次的若干个模块组成，自顶向下每个层次、每个模块分别进行建模与验证 SoC设计方法：IP模块（硬核（Hardcore)、软核（Softcore)、固核（Firmcore））与设计复用Foundry（代工）、Fabless（芯片设计）、Chipless（IP设计）“三足鼎立”——SoC发展的模式 3、数字IC的质量评价标准（重点：成本、延时、功耗，还有能量啦可靠性啦驱动能力啦之类的） NRE (Non-Recurrent Engineering) 成本 设计时间和投入，掩膜生产，样品生产 一次性成本 Recurrent 成本 工艺制造（silicon processing），封装（packaging），测试（test） 正比于产量 一阶RC网路传播延时：正比于此电路下拉电阻和负载电容所形成的时间常数 功耗：emmmm自己算 4、EDA设计流程 IP设计系统设计（SystemC）模块设计（verilog） 综合 版图设计(.ICC) 电路级设计（.v 基本不可读）综合过程中用到的文件类型(都是synopsys)： 可以相互转化 .db（不可读）.lib（可读） 加了功耗信息
愿与爱好无盘安装使用、电脑主板、显示器、笔记本、硬盘等各种硬件电脑芯片级维修的朋友共同探讨学习、资料共享： 维修技术探讨QQ：403883935 维修基础知识(三)电感 维修基础知识(三)电感 电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L6表示编号为6的电感。 电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。 直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。 电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。如：棕、黑、金、金表示1uH （误差5%）的电感。 电感的基本单位为：亨（H）换算单位有：1H=103mH=106uH。 维修基础知识(一)电容篇 维修基础知识(一)电容篇 电容 1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C25表示编号为25的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。
电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。 容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量) 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。 2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。 其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法 容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示 字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。 如：102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF 3、电容容量误差表 符号F G J K L M 允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如：一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 uF、误差为±5%。 4、故障特点 在实际维修中，电容器的故障主要表现为： （1）引脚腐蚀致断的开路故障。