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光电子技术实验报告

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《光电子技术实验》实验报告

声光偏转与声光调制

王浩然无112011011202

1实验目的

?理解声光相互作用原理;

?观察喇曼-奈斯衍射和布拉格衍射现象;

?测量声光调制曲线;

?测量声光偏转曲线。

2实验原理

2.1弹光效应

当介质中存在弹性应变时,介质的折射率将发生变化,这种现象称为弹光效应。超声波是弹性波,当在介质内建立超声波场,介质内就会产生随时间和空间周期性变化的弹性形变,介质各点的折射率随改点的弹性应变而发生变化,从而光通过介质时,将会被介质中的超声波衍射,这就是声光效应。设声光介质中的超声波是沿z轴方向传播的平面纵波,频率为ωs,波矢为k s,则弹性波引起的折射率变化可表示为

?(?

1

n

)?

=?

2

n

?n=P S

其中P为弹光系数,S为超声波引起的弹性应变

S=S m sin(ωs t?k s z)

?n=?1

2

n3P S m sin(ωs t?k s z)

令μ=?1

2

n3P S m,则介质折射率在超声波作用下变为

n(z,t)=n+?n=n+μsin(ωs t?k s z)

2.2喇曼-奈斯衍射

当超声波频率较低时,声光相互作用距离较小,光的入射方向垂直于声场的传播方向时,

若满足L≤

λ2

S

2λ/n

,则产生喇曼-奈斯衍射。其中L为声光相互作用区的距离。如下图所示,在

光通过声光作用区的过程中,折射率的变化可以忽略不计,此时超声介质可以看做是一个面光栅。

设入射光波为

E I=Ae iωt

则出射光波为

E O=Ae i[ωt?φ]

光波在经过晶体介质的过程中,如下图所示:

图1:喇曼奈斯衍射

在经过介质之后,光波的相位延迟为

φ=kn(z,t)L=knL+kLμsin(ωs t?k s z)

利用衍射积分的方法可以求出远处光屏上的光场振幅,它取决于如下的相位积分∫?a/2

?a/2

e i[kz sinθ*KLμ(ωs t?k s z)]dz

=a

∑?

r=0

J2r(φm)

{?

e i2rωs t

sin[(k sinθ+2rk s)a/2]

(k sinθ+2rk s)a/2

+e?i2rωs t

sin[(k sinθ+2rk s)a/2]

(k sinθ+2rk s)a/2

}?

+a

∑?

r=0

J2r+1(φm)

{?

e i(2r+1)ωs t

sin[(k sinθ+(2r+1)k s)a/2]

(k sinθ+(2r+1)k s)a/2

+e?i(2r+1)ωs t

sin[(k sinθ+(2r+1)k s)a/2]

(k sinθ+(2r+1)k s)a/2

}?

(1)

利用上式计算结果,由于函数sin x

x

在零处有最大值,可以计算出各级衍射极大值的方向角为

sinθ=m k s

k

=m

λ

λs

m=0,±1,±2,···

其中,各级衍射强度与入射光强之比为

I m

I i

=J2m(Φm)

由上式可以看出,衍射光强与超声场产生的附加相位的峰值φm有关,而

φm=kLμ=?1

2

kLn3P S m

因此,改变超声波的功率,就可以达到改变衍射光强的目的。

2.3布拉格衍射

当超声波频率较高,声光相互作用距离较大,满足L≥

λ2

S

2λ/n

时,产生布拉格衍射,这时

的声光介质做为体光栅处理。

从量子的观点去考虑,把入射光看做动量为ˉ?k i能量为ˉ?ωi的光子,把高频超声波看做动量为ˉ?k s能量为ˉ?ωs的声子,声光相互作用归结为光子和声子的碰撞作用。这个过程遵循能量守恒定律和动量守恒定律。如下如所示:

图2:布拉格衍射

对于各向同性介质,此时有

k i±k s=k d

|k i|=|k d|

则此时对应的入射角满足

sinθB=k s

2k i

=

λ/n

2λs

由于布拉格角一般很小,此时有θB≈sinθB,则

θB=

λ

2nνs

f s

衍射光相对于入射光的偏转角为

α=2θB=

λ

nνs

f s

3实验步骤

实验装置如下图所示:

图3:声光调制实验装置实验步骤如下:

1.观察喇曼奈斯衍射。调节实验装置使得激光垂直入射声光晶体,选择合适的超声波发生器驱动频率,此时屏上应产生对称的衍射光斑,测量各级衍射光斑的光强和相对于中心的偏转距离,计算各级衍射的效率和衍射角。

2.观察布拉格衍射现象。调节声光晶体使得入射光以一定角度入射,在一定频率范围内,调整入射角使出现布拉格衍射,且1级衍射光光强最大,测量每个频率对应的1级衍射光强,画出f s~I1/I i曲线,找出衍射效率最高点对应的频率。

3.在中心频率上调整入射角为布拉格角。保持入射角不变,测量不同频率对应的1即衍射光光强和偏转距离,计算出不同频率对应的衍射效率和衍射光偏转角,画出f s~α曲线和f s~I1/I i曲线,确定布拉格带宽。

4.在中心频率上调至布拉格衍射,改变输入信号功率,测量对应的0级和1级光强I0和I1。作出P~I0和P~I1曲线。

4实验数据

4.1喇曼-奈斯衍射

在声波入射频率f s=60MHz的条件下,在调整喇曼-奈斯衍射左右一级衍射光对称分布的条件下,测得各级衍射光强和相对于零级光的距离如下表,由透镜焦距F=550mm,入射光强I i=0.828mA的条件下,可以计算出各级衍射角和衍射效率如下表:

衍射级次0+1-1+2-2

衍射光强(mA)0.8090.0250.0260.0110.009

偏移距离(mm)0 6.42 6.5113.0112.75

衍射效率0.97710.03020.03140.01330.0109

衍射角(°)00.66880.6781 1.3551 1.3280

表1:喇曼-奈斯衍射各级谱线

4.2布拉格衍射

在频率f s=100MHz~150MHz的条件下,调整入射角,使得对应的一级衍射光最强,在不同频率下,测得的最大衍射光强与计算出的衍射效率如下表:

频率100105110115120125130135140145150最大光强0.3210.3620.4140.4690.5250.5690.6750.5650.4280.4480.404衍射效率0.3880.4370.5000.5660.6340.6870.8150.6820.5170.5410.488

表2:各频率最大一级衍射光强

采用以上数据可以绘制出f s~I1/I i曲线如下:

图4:一级衍射光强最大时的f s~I1/I i曲线

由上表图可以看出,声光衍射系统的中心频率为120MHz附近,在f s=120MHz条件下,保持此时最大一级衍射光强对应的入射角,测量各个频率下对应的一级衍射光强如下表,可以计算出衍射效率如下:

频率100105110115120125130135140145150最大光强0.2930.3600.4240.4770.5300.5850.6760.5250.4210.4480.446衍射效率0.3540.4350.5120.5760.6400.7070.8160.6340.5090.5410.539

表3:中心频率条件下各频率一级衍射光强

此时对应的再中心频率入射角的条件下的f s~I1/I i曲线如下:

图5:中心频率入射角时的f s~I1/I i曲线

此时对应的各频率下的一级衍射光的偏转距离(mm)和偏转角(°)如下表:

频率100105110115120125130135140145150偏转距离14.4714.0113.5313.1512.7012.1711.7211.2610.7310.309.90偏转角 1.507 1.459 1.409 1.370 1.323 1.268 1.221 1.173 1.118 1.073 1.031

表4:中心频率条件下各频率衍射偏转角

可以绘制出f s~α曲线如下

图6:各频率衍射偏转角

由上图可以看出,在中心频率条件下,偏转角与频率近似成线性关系,这与理论分析一致。

理论上有

α=

λ

nνs

f s

转化为角度时,直线斜率近似为

k=

λ

nνs

=

0.6328×10?6

2.39×

3.66×102

×

180

π

=0.0041°/MHz

用最小二乘法拟合上图所示曲线,得到的直线的斜率为

?k=0.0096°/MHz

这与理论计算值有较大的差别,原因是由于我们进行理论分析时,都是在晶体内部进行的分析,而实际实验过程中,光由空气中入射到晶体中,我们测得的相对于空气的入射角与相对于晶体内光的入射角有

?θθ≈

sin?θ

θ

=n=2.39

α=2θ

?k

k

=2.34

所以此时与理论值相符合。

在布拉格中心衍射频率f s=120MHz条件下,测量电声换能装置输入电信号功率和布拉格衍射零级和一级衍射光的光强如下图所示:

图7:零级和一级衍射光强随输入电信号功率变化曲线

采用一级衍射光进行声光调制,在原高频电声转换输入的电信号调幅一个低频信号,

采用

内调制的方式,实验中观察到的现象如下:

1.调制信号为5kHz时,可以看清输入与输出信号的包络。如下图所示:

图8:调制信号为5kHz时的输出波形

2.调制信号为1kHz时,在干扰信号上可以看清调制信号的幅度变化,如下图所示:

图9:调制信号为1kHz时的输出波形

光电子技术安毓英习题答案

光电子技术安毓英习题答案-标准化文件发布号:(9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII

第一章 1. 设在半径为R c 的圆盘中心法线上,距盘圆中心为l 0处有一个辐射强度为I e 的点源S ,如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。 解:因为 ΩΦd d e e I = , 且 ()??? ? ??+- =-===Ω?22000212cos 12sin c R R l l d d r dS d c πθπ?θθ 所以??? ? ??+-=Ω=Φ220012c e e e R l l I d I π 2. 如图所示,设小面源的面积为A s ,辐射亮度为L e ,面源法线 与l 0的夹角为s ;被照面的面积为A c ,到面源A s 的距离为l 0。若c 为辐射在被照面A c 的入射角,试计算小面源在A c 上产生的辐射照度。 解:亮度定义: r r e e A dI L θ?cos = 强度定义:Ω Φ =d d I e e 可得辐射通量:Ω?=Φd A L d s s e e θcos 在给定方向上立体角为:2 cos l A d c c θ?= Ω 则在小面源在?A c 上辐射照度为:20 cos cos l A L dA d E c s s e e e θθ?=Φ= 3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源(如红外装置面对的天空背景),其各处的辐亮度L e 均相同,试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。 答:由θcos dA d d L e ΩΦ = 得θcos dA d L d e Ω=Φ,且() 2 2cos r l A d d +=Ωθ 则辐照度:()e e e L d r l rdr l L E πθπ =+=? ?∞ 20 0222 2 4. 霓虹灯发的光是热辐射吗? l 0 S R c L e A s A c l 0 s c 第1.2题图

光电子技术实验感想

光电子技术实验感想 光电子技术,是电子和光子结合的一门技术。自从激光器的发明,解决了光频载波的产生问题,从此电子技术的各种基本概念(如放大与振荡、调制与解调、直接探测与外差探测、倍频、和频与差频等)几乎都一直到了光频段。电子学与光学之间鸿沟在概念上消失了,产生了光频段的电子技术,习惯说简称为光电子技术。当然由于波段拨通,电子波段和光波段在相应器件的结构上完全不同了。 经过一学期的学习与训练,使我从概念上理解了光电子技术这门课程的意义以及其广泛的应用。为了更好的熟悉这门课程,学院领导开放了实验室,提供了“电子技术实验”这门实验课程,对于我们这些学子来说,无疑是最美好的事情。有了这门实验课程,可以让我们从繁琐的书籍中解脱,加入到际、加具体、加容易让人感受的实验中去。我们在“电子技术实验”中,我们能将理论知识与实际实验过程相结合,在过程中加深对理论知识的理解与认识,在知识的牵引下体会在科技上的应用。 在“光敏二极管特性实验”与“硅光电池实验”中,了解到了光电实验电路模块的概念,还有ZY13OFSens12SB 主机箱的强大功能。据我了解,它是由湖北众友公司生产的光电传感器试验台。ZY13OFSens12SB 型光电传感器实验台,集中了目前常用的光敏元件和传感器,采用模块式组合构造。 在“光纤位移传感器实验”和“纤温度传感系统特性实验”中,让我认识到光电子技术在光纤传感器上的应用。作为光纤传感器,它让一些以前我们无法直接测量的物理量,通过电光的转换,实现了物理量的代换测量,使得我们对测量技术的发展有了显著的提升。 在CCD光电传感实验系列里,我们先了解到了CCD的组成以及其工作原理。之后,又进行实际操作测量CCD的主要特性参数,了解CCD的一些特征,接着运用CCD,对光电信号的二值化以及其测量上的运用。从这里可以看出,CCD器件除了最主要的光电成像以外,还在测量物理量的领域上也有着显著的作用。 实验的最后,我们又学习使用了电光、磁光调制的原理以及其对信号的处理效果的展示。通过实际操作和实际结果,更容易让我们接受以及理解调制的知识。 总的来说,总过实验,让我们学会了合理的选择传感器的原理和方法,培养了我们的动手能力,对新型光电子仪器有了更深的认识以及理解。 在这里,个人的一观点: 这次实验除了学到的东西外,还有个让人有点不能接受的地方,就是实验仪器的老旧化。由于仪器年代有点久远,导致大部分实验的仪器有损坏而不能使用,从而不能保证每位同学都能亲手操作到,这是我们进行实验时非常遗憾的事。当然,能有机会进入实验室,亲自进行实验,也是非常难得的机会。 在最后,感谢老师以及领导们给予我们的一次次宝贵的体验实验的机会,我很高兴能够从中得到锻炼、学到知识。

材料分析方法实验报告

篇一:材料分析方法实验报告 篇二:材料分析方法课程设计报告 材料分析测试方法 课程设计(论文) 题目:磁控溅射c/w多层膜成分及微观分析 学院材料科学与工程 专业材料化学 班级材化082 学生王维娜 学号 3080101296 指导教师陈迪春 起止时间 2010.12.27-2011.1.1 年 材料分析测试方法课程设计任务书 课程设计内容要求: 掌握高分辨透射电子显微镜样品制备方法,学习并了解真空镀膜 技术-磁控溅射技术,多层膜制备过程,以及其微观结构分析,成分 分析所用仪器和原理。 学生(签名) 月日 材料分析测试方法课程设计评语 指导教师(签名) 年日 目录 材料分析测试方法 ............................................................................. .. (1) 1.1 磁控溅射 ............................................................................. (5) 1.2 x射线衍射仪 ............................................................................. . (5) 1.3 透射电子显微镜 ............................................................................. (6) 1.4 x射线光电子能谱仪(xps) ........................................................................ (7) 第二章实验方法 ............................................................................. .. (9) 2.1 tem样品的制备方法 .............................................................................

光电子技术安毓英习题答案

第一章 1. 设在半径为R c 的圆盘中心法线上,距盘圆中心为l 0处有一个辐射强度为I e 的点源S ,如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。 解:因为 , 且 ()??? ? ??+- =-===Ω?22000212cos 12sin c R R l l d d r dS d c πθπ?θθ 所以??? ? ??+-=Ω=Φ220012c e e e R l l I d I π 2. 如图所示,设小面源的面积为?A s ,辐射亮度为L e ,面源法线 与l 0的夹角为θs ;被照面的面积为?A c ,到面源?A s 的距离为l 0。若θc 为辐射在被照面?A c 的入射角,试计算小面源在?A c 上产生的辐射照度。 解:亮度定义: 强度定义:Ω Φ =d d I e e 可得辐射通量:Ω?=Φd A L d s s e e θcos 在给定方向上立体角为:2 0cos l A d c c θ?= Ω 则在小面源在?A c 上辐射照度为:20 cos cos l A L dA d E c s s e e e θθ?=Φ= 3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源(如红外装置面对的天空背景),其各处的辐亮度L e 均相同,试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。 答:由θcos dA d d L e ΩΦ = 得θcos dA d L d e Ω=Φ,且() 2 2cos r l A d d +=Ωθ 则辐照度:()e e e L d r l rdr l L E πθπ =+=? ?∞ 20 0222 2 4. 霓虹灯发的光是热辐射吗? ΩΦd d e e I = r r e e A dI L θ?cos = 第1.1题图 第1.2题图

光电子学实指导书

《光电子学》实验指导书 何宁编 桂林电子科技大学 2013年4月

前言 在现代通信系统中,利用光电子技术实现无线通信,保证通信的有效性是未来通信领域的一门新兴技术和发展方向。二十世纪下半叶,半导体的研究导出了微电子集成电路,同时也制造出了光电器件,它们对信息技术和计算机技术产生了极大的影响,由于微电子技术在向“微”方向的发展上不久将接近极限,而光电子技术还会继续向纵深发展,其应用面将会进一步扩大。 由于光通信具有波束隐蔽、接收天线小、通信速率高、抗电磁干扰和保密性强等优点,1960年激光出现以来,激光技术以其强大的生命力推动着光电子技术的发展,它在民用、医疗和军事方面都得到广泛应用,激光探潜、激光雷达、激光成像、激光测距、激光跟踪、激光制导等技术不断涌现,尤其近几年开展的大气光通信和水下光通信都有较好的实际应用,可以说二十一世纪是光电子技术的时代。 由于光电子技术是一门内容广泛的技术科学,而实验是课堂教学的延伸,通过基本实验可加深对课堂内容的理解,提高同学们的系统概念和实际操作能力,为日后工作和科学研究打下良好的基础。

光束调制 一、 实验目的 1、 理解电光转换的机理,了解内调制和外调制的实现方法。 2、 掌握光束的衍射角的定义和计算。 3、 熟悉常用电光器件和光测试设备的使用。 二、 实验内容及要求 1、 完成光束的直接光强度调制和声光调制。 2、 测试声光调制器的插入损耗和衍射角。 三、 实验原理及步骤 激光是一种光频电磁波,具有良好的相干性,并与无线电波相似。按其工作波长的不同可分为红激光(632nm )、绿激光(532nm )、蓝激光(473nm )三种,将信息加载于激光(载波)的过程称为调制,起控制作用的低频信息称为调制信号。 光波的电场强度为 )cos()(C C C A t E ?ω+= 应用某种物理方法改变光波的振幅(Ac )、频率(C ω)、相位(C ?)、强度和偏振等参量之一,使其按照调制信号的规律变化,那么激光束就受到了信号的调制。 根据调制器与激光器的关系,激光束调制的方法可分为内调制(直接调制)和外调制(间接调制)两种。内调制是指加载信号是在激光振荡过程中进行的,以调制信号改变激光器的振荡参数,从而改变激光器输出特性以实现调制,主要用于光通信的注入式半导体光源中。外调制是指激光形成后,在激光器的光路上放置调制器,用调制信号改变调制器的物理性能,当激光束通过调制器时,使光波的某个参量受到调制。 直接调制是把要传递的信息转变为电流信号注入半导体光源,从而获得调制光信号。根据调制信号的不同类型,直接调制可分为模拟调制和数字调制两种,它们都是对光源进行直接强度调制,调制后的输出光功率是随调制信号而变化的。 声光调制器是由声光介质、电-声换能器、吸声(或反射)装置及驱动电源等组成,声光调制是利用声光效应将信息加载于光频载波上的一种物理过程。当一束光通过变化的声场时,由于光和超声场的互作用,其出射光就具有随时间而变化的各级衍射光,衍射光的强度随超声波强度的变化而变化,调制信号是以电信号(幅度)形式作用于电-声换能器上,再转换为以电信号形式变化的超声场,当光波通过声光介质时,由于声光作用,使光载波受到调制而成为“携带”信息的强度调制波。声光调制器原理如图1,直接强度调制原理如图2, 开关K 是连续光和脉冲光的切换开关。

物理学院2011级研究生光电子学与光子学原理及应用考题

物理学院2011级光学专业研究生 《光电子学与光子学原理及应用》考题 1.简答题 1.1 受抑全内反射有什么特点? (5分) 1.2 解释下图中的现象。(5分) 1.3 本征半导体、n 型半导体和p 型半导体的Fermi 能级以什么特点?? (5分) 1.4 下图是一个LD 的输出谱,解释三个谱变化的物理含义。 (5分) 1.5 下面的雪崩光电二极管中有什么特点?吸收和倍增发生在什么区域? (5分) 2.计算题 2.1 假设一个光源辐射的频率谱有一个中心频率ν0和谱宽?ν。以波长来衡量, 这个频率谱有一个中心波长λ0和谱宽?λ。显然,λ0 = c/ν0。因为?λ << λ0、?ν << ν0,利用λ = c/ν,证明:谱宽?λ和相干长度l c 满足: c 2000λννλνλ?=?=?,λλ?=?=20t c l c

对于He-Ne 激光器,λ0 = 632.8nm ,?ν ≈1.5GHz ,计算?λ。(15分) 2.2 一个介质平板波导中间薄层是一个厚度为0.2μm 的GaAs ,它夹在两个AlGaAs 层之间。GaAs 和AlGaAs 的折射率分别为 3.66和3.40。假设折射率随波长变化不是很大。截止波长是多少?(大于截止波长时波导中只能传播单模)。如果波长为870nm 的辐射(对应于带隙辐射)在GaAs 层传播,消逝波向AlGaAs 层的贯穿深度是多少?这个辐射的模场直径是多少?(15分) 2.3 内量子效率ηint 给出在正向偏置下电子空穴复合中辐射复合并引起光子发射的比例。非辐射跃迁中,电子和空穴通过复合中心复合并发射声子。由定义, nr r r int 111)(τττη+=+=非辐射复合速率辐射复合速率总复合速率辐射复合速率 τr 是少数载流子在辐射复合前的平均寿命,τnr 是少数载流子通过复合中心复合前的平均寿命。 总电流I 是由总复合速率决定的,而每秒发射的光子数(Φph )是由辐射复合速率决定的。所以,内量子效率ηint 又可以写为: e I h P e I //op(int)ph int νη=Φ==每秒损失的总载流子每秒发射的光子 其中,P op(int)是内部产生的光功率(还没有出腔外)。 对一个在850nm 发射的特定的AlGaAs LED ,τr =50ns ,τnr =100ns 。在100mA 的电流下,内部产生的光功率是多少?(15分) 2.4 一个InGaAsP-InP 激光二极管的光学腔长为200μm ,峰值辐射在1550nm 处,InGaAsP 的折射率为4。假设光学增益带宽不依赖于泵浦电流并取为2nm 。问: (1)对应于峰值辐射的模数是多少? (2)腔模之间的间隔是多少? (3)在这个腔中有多少模式? (4)这个光学腔两端(InGaAsP 的晶面)的反射系数和反射率是多少?(15分) 2.5 一个商用的InGaAs pin 光电二极管的响应度曲线如下图。它的暗电流为5nA 。 (1) 在1.55μm 波长下,导致二倍暗电流的光电流的光功率是多少?在1.55μm 处,光电探测器的量子效率是多少? (2) 在1.3μm 波长下,如果入射光功率相同,光电流是多少?在1.3μm 处,光电探测器的量子效率是多少? (15分)

实验1紫外可见吸收光谱实验报告

实验一:紫外—可见吸收光谱 一、实验目的 1.熟悉和掌握紫外—可见吸收光谱的使用方法 2.用紫外—可见吸收光谱测定某一位置样品浓度 3.定性判断和分析溶液中所含物质种类 二、实验原理 紫外吸收光谱的波长范围在200~400,可见光吸收光谱的波长在400~800,两者都属于电子能谱,两者都可以用朗伯比尔(Lamber-Beer’s Law)定律来描述 A=ε bc 其中A为吸光度;ε为光被吸收的比例系数;c为吸光物质的浓度,单位mol/L;b为吸收层厚度,单位cm 有机化合物的紫外-可 见吸收光谱,是其分子中外 层价电子跃迁的结果,其中 包括有形成单键的σ电 子、有形成双键的π电子、 有未成键的孤对n电子。外 层电子吸收紫外或者可见 辐射后,就从基态向激发态 (反键轨道)跃迁。主要有 四种跃迁,所需能量ΔE 大小顺序为σ→σ*> n→σ*>π→π>n→π* 吸收带特征典型基团 σ→σ*主要发生在远紫外区C-C、C-H(在紫外光区观测不到) 跃迁一般发生在150~250nm,因此在紫 n→σ* -OH、-NH 2 、—X、-S 外区不易观察到 跃迁吸收带波长较长,孤立跃迁一般发 π→π* 芳香环 生在200nm左右 跃迁一般发生在近紫外区(200~400n n→π* C=O、C=S、—N=O、-N=N-、C=N ; m) 1、开机 打开紫外-可见分光光度计开关→开电脑→软件→联接→M(光谱方法)进行调节实验需要的参数:波长范围 700-365nm 扫描速度高速;采样间隔: 0.5nm 2、甲基紫的测定

(1)校准基线 将空白样品(水)放到比色槽中,点击“基线”键,进行基线校准(2)标准曲线的测定 分别将5ug/ml、 10ug/ml 、15ug/ml、20ug/ml甲基紫溶液移入比色皿(大约2/3处),放到比色槽中,点击“开始”键,进行扫描,保存 (3)测定试样 将试样甲基紫溶液移入比色皿(大约2/3处),放到比色槽中,点击“开始"键,进行扫描,保存 3、甲基红的测定 (1)校准基线 将空白样品(乙醇)放到比色槽中,点击“基线"键,进行基线校准 (2)测定试样 将试样甲基紫溶液移入比色皿(大约2/3处),放到比色槽中,点击“开始" 键,进行扫描,保存 四、实验结果 1.未知浓度的测定 分别测定了5μg/ml,10μg/ml,15μg/ml,20μg/ml和未知浓度的甲基紫溶液的紫外吸收光谱,紫外吸收谱图如下: 甲基紫在580nm是达到最大吸收见下表: 浓度/μg*ml—1吸光度 50。665 10 1.274 152.048

光电子技术基础考试题及答案

光电子技术基础考试题及答案 一、选择题 1.光通量的单位是( B ). A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯 2. 辐射通量φe的单位是( B ) A 焦耳 (J) B 瓦特 (W) C每球面度 (W/Sr) D坎德拉(cd) 3.发光强度的单位是( A ). A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯 4.光照度的单位是( D ). A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯 5.激光器的构成一般由( A )组成 A.激励能源、谐振腔和工作物质 B.固体激光器、液体激光器和气体激光器 C.半导体材料、金属半导体材料和PN结材料 D. 电子、载流子和光子 6. 硅光二极管在适当偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。适当偏置是(D) A 恒流 B 自偏置 C 零伏偏置 D 反向偏置 7.2009年10月6日授予华人高锟诺贝尔物理学奖,提到光纤以SiO2为材料的主要是由于( A ) A.传输损耗低 B.可实现任何光传输 C.不出现瑞利散射 D.空间相干性好

8.下列哪个不属于激光调制器的是( D ) A.电光调制器 B.声光调制器 C.磁光调制器 D.压光调制器 9.电光晶体的非线性电光效应主要与( C )有关 A.内加电场 B.激光波长 C.晶体性质 D.晶体折射率变化量 10.激光调制按其调制的性质有( C ) A.连续调制 B.脉冲调制 C.相位调制 D.光伏调制 11.不属于光电探测器的是( D ) A.光电导探测器 B.光伏探测器 C.光磁电探测器 D.热电探测元件 https://www.doczj.com/doc/b813170820.html,D 摄像器件的信息是靠( B )存储 A.载流子 B.电荷 C.电子 D.声子 13.LCD显示器,可以分为( ABCD ) A. TN型 B. STN型 C. TFT型 D. DSTN型 14.掺杂型探测器是由( D )之间的电子-空穴对符合产生的,激励过程是使半导体中的载 流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。 A.禁带 B.分子 C.粒子 D.能带 15.激光具有的优点为相干性好、亮度高及( B ) A色性好 B单色性好 C 吸收性强 D吸收性弱 16.红外辐射的波长为( D ). A 100-280nm B 380-440 nm C 640-770 nm D 770-1000 nm 17.可见光的波长范围为( C ).

《光电子技术实验》指导书

《光电子技术实验》指导书 北京航空航天大学 仪器科学与光电工程学院 2010年12月 实验规则及注意事项 由于本实验课所用设备属于高技术实验系统,许多组件价格昂贵,易于损坏,所以实验者在做实验前应该充分复习实验大纲上的内容,实验者在做实验时应注意以下几点事项: 1.操作光纤时应注意不能用力拉扯光纤,不能随意弯曲光纤。实验时不要用手碰动与实验无关的光纤部分。 2.实验调节电流时注意不要使工作电流超过限额。电流过大有可能损坏光源和光探测器以及其它有源器件。 3.不能直视光纤、激光器出射的光束! 4.调节光学微调架时要小心、轻力,严禁强力搬拧光学微调架。 目录 实验1:光源与光纤耦合调整及光纤损耗特性测量实验 (4) 实验2:光纤温度传感系统特性实验 (8) 实验一.光源与光纤耦合调整及光纤损耗特性测量实验 一.实验目的 (1)了解提高光源与光纤耦合效率的原理及方法。重点掌握光路调整及光纤处理的基本方法。

(2) 了解光纤损耗的定义,掌握光纤衰减的测试方法。 二. 实验原理 1. 光源与光纤耦合调整实验原理 (1) 直接耦合:这种方法将光纤的端面直接靠近光源的发光面,为了保证耦合 的效率,光纤的端面必须经过特殊处理,而且光纤端面与光源发光面的距离要尽可能的近。光源的发光面不应该大于纤芯的横截面面积,这是为了避免较大的耦合损耗。通常带尾纤的光源都使用这种耦合方式。这种耦合方法对光源耦合封装工艺技术要求较高。 (2) 使用透镜耦合:具体方法描述如下——将光源发出的光通过透镜聚焦到光 纤的纤芯上,可以使光源与光纤的耦合效率提高。具体原理见图1。 五维调节架五维调节架 图1.透镜耦合 (3) 利用五维调节架对光纤入端及出端进行位置调整,使输出功率达到最大。 (4) 耦合效率的计算(适合所有的耦合方法): 2 1P P ≡η 其中P 1为输出功率,P 2为输入功率。 2. 光纤损耗特性测量实验 光纤衰减是光纤中光功率减少量的一种度量,它取决于光纤的工作波长类型和长度,并受测量条件的影响。

国际光学与光子学会SPIE简介

国际光学与光子学会SPIE简介 SPIE成立于1955年,致力于推动以光为基础的技术,服务了超过170个国家。SPIE 每年组织或赞助近25个大型技术论坛、展览以及培训项目,范围遍及北美、欧洲、亚洲及澳洲。 1957年,出版了第一期SPIE报刊,举办了第一届国家技术研讨会。 1960年,SPIE报刊刊登了第一组技术论文。 1963年,SPIE举办了第一届研讨班形式的会议并出版了第一批会议记录。 1973年,总部从Redondo Beach迁往加州的Palos V erdes。 1975年,协会收入达到50万美元,实现了财政自给。 1977年,成立了协会金牌奖。总部迁往华盛顿Bellingham。 1995年,举办了成立40周年庆典。合作赞助了在西安举办的国际传感器应用与电子器件展览会。 2000年,SPIE会员Zhores I. Alferov因在半导体异质结构和高速光电子学方面的贡献获得诺物理学奖。 2003年,SPIE数字图书馆启动,提供了期刊和会议纪要的七万篇文献。 现在的光学和光电子学大都围绕信息光学展开研究。在集成光信息处理方面,有光计算、光学互连、衍射光学等前沿领域;在成像方面,较热门的技术有光学计算机断层成像和三维共焦成像系统;在光学传感器方面,人们越来越关注三维传感技术;新一代的全息术和光学信息处理技术也亟待开发。同时,信息光学的材料和装置也成为了热门领域。更加偏向应用领域的还有人机接口与显示技术。当然还有很多基础理论问题,如非线性光学、超快光学现象、散射、位相共轭等。 Statement of Purpose SPIE is an international society advancing an interdisciplinary approach to the science and application of light. About the Society SPIE is the international society for optics and photonics founded in 1955 to advance light-based technologies. Serving approximately 180,000 constituents from more than 170 countries, the Society advances emerging technologies through interdisciplinary information exchange, continuing education, publications, patent precedent, and career and professional growth. SPIE annually organizes and sponsors approximately 25 major technical forums, exhibitions, and education programs in North America, Europe, Asia, and the South Pacific. In 2010, the Society provided more than $2.3 million in support of scholarships, grants, and other education programs around the world.

半导体a谱仪实验报告

实验6:半导体α谱仪 实验目的 1.了解α谱仪的工作原理及其特性。 2.掌握应用谱仪测量α粒子能谱的方法。 3.测定241Am核素的α衰变的相对强度。 内容 1.调整谱仪参量,测量不同偏压下的α粒子能量,并确定探测器的工作偏压。 2.测定谱仪的能量分辨率,并进行能量刻度。 3.测量未知α源的能谱,并确定α粒子能量。 原理 半导体α谱仪的组成如图1所示。 金硅面垒探测器是用一片N型硅,蒸上一薄层金(100-2000 A),接近金膜的那一 层硅具有P型硅的特性,这种方式形成的PN结靠近表面层,结区即为探测粒子的灵敏区。探测器工作加反向偏压。α粒子在灵敏区内损失能量转变为与其能量成正比的电脉冲信号,经放大并由多道分析器测出幅度的分布,从而给出带电粒子的能谱。偏置放大器的作用是当多道分析器的道数不够用时,利用它切割、展宽脉冲幅度,以利于脉冲幅度的精确分析。为了提高谱仪的能量分辨率,探测器要放在真空室中。另外金硅面垒探测器一般具有光敏的特性,在使用过程中,应有光屏蔽措施。 金硅面垒型半导体α谱仪具有能量分辨率高、能量线性范围宽、脉冲上升时间快、体积小和价格便宜等优点,在α粒子及其它重带电粒子能谱测量中有着广泛的应用。 带电粒子进入灵敏区,损失能量产生电子空穴对。形成一对电子空穴所需的能量w,与半导体材料有关,与入射粒子的类型和能量无关。对于硅,在300K时,w为3.62eV,77K时为3.76eV。对于锗,在77K时w为2.96eV。若灵敏区的厚度大于入射

粒子在硅中的射程,则带电粒子的能量E 全部损失在其中,产生的总电荷量Q 等于 e w E )/(。w E /为产生的电子空穴对数,e 为电子电量。由于外加偏压,灵敏区的电 场强度很大,产生的电子空穴对全部被收集,最后在两极形成电荷脉冲。通常在半导体探测器设备中使用电荷灵敏前置放大器。它的输出信号与输入到放大器的电荷量成正比。 探测器的结电容d C 是探测器偏压的函数,如果核辐射在探测器中产生电荷量为Q ,那么探测器输出脉冲幅度是d C Q /。因此,由于探测器偏压的微小变化所造成的d C 变化将影响输出脉冲的幅度。事实上,电源电压的变化就可以产生偏压近种微小变化。此外,根据被测粒子的射程调节探测器的灵敏区厚度时,也往往需要改变探测器的偏压。要减少这些变化对输出脉冲幅度的影响,前级放大器对半导体探测器系统的性能越着重要的作用。图2表示典型探测器的等效电路和前置放大器的第一级。其中一K 是放大器的开环增益,f C 是反馈电容,1C 是放大器的总输入电容,它等于 '',C C C d +是放大器插件电缆等寄生电容。前置放大器的输入信号是d C Q /,它的等 到效输入电容近似等于f KC ,只要1C KC f >>,那么前置放大器的输出电压为 f f C Q C K C KQ V - =++- =)1(10 ( 1 ) 这样一来,由于选用了电荷灵敏放大器作为前级放大器,它的输出信号与输入电荷Q 成正比,而与探测器的结电容d C 无关。 1. 确定半导体探测器偏压

光电子技术实验讲义

《光电了技术实验》 实验讲义 光信息教研室

2012年9月

目录 实验一LD/LED 的P-I-V 特性曲线测试............. - 2 -实验二光纤数值孔径测量实验................ - 8 - 实验三光源调制与解调实验 (10) 实验四电光调制实验 (15) 实验五声光调制实验 (19) 实验六、APD特性参数的测量 (25)

实验一 LD/LED 的P-I-V 特性曲线测试 、实验目的 1、通过测试LD/LED 的功率一电流(P-I )特性曲线和电压一电流(V-I )特性曲线,计算阈 值电流(I th ),掌握LED 发光二极管和LD 半导体激光器的工作特性。 、实验内容 1、测试LD/LED 的功率一电流(P-I )特性曲线和电压一电流(V-I )特性曲线。 三、 实验仪器 1、 LD 激光二极管(带尾纤输出, FC 型接口) 1 只 2、 LED 发光二极管 1 只 3、 LD/ LED 电流源 1 台 4、 光功率计 1 台 5、 万用表 1 台 四、 实验原理 激光器是使工作物质实现粒子数反转分布产生受激辐射,再利用谐振腔的正反馈,实现光放 大而产生激光振荡的。激光,其英文 LASER 就是 Light Amplification by Stimulated Emission of Radiatio n (受激辐射的光放大)的缩写。 1、半导体激光器的结构 半导体是由大量原子周期性有序排列构成的共价晶体,由于邻近原子的作用,电子所处的能 态扩展成能级连续分布的能带,如下图( a )所示,能量低的能带称为价带,能量高的能带称为 导带,导带底的能量 Eu 和价带顶的能量E 之间的能量差E u E l E g 称为禁带宽度或带隙, 不同的半导体材料有不同的带隙。本征半导体中导带和价带被电子和空穴占据的几率是相同的, N 型半导体导带被电子占据的几率大, P 型半导体价带被空穴占据的几率大。如下图( b )、 (c ) 所示。 图1半导体激光器的电子和空穴分布 半导体激光器的结构多种多样,基本结构是下图所示的双异质结平面条形结构。这种结构由 三层不同类型半导体材料构成,中间层通常为厚度为 0.1?0.3卩m 的窄带隙P 型半导体,称为有 源层,作为工作介质,两侧分别为具有较宽带隙的 N 型和P 型半导体,称为限制层。具有不同带 隙宽度的两种半导体单晶之间的结构称为异质结。有源层与右侧的 导带 ? 4 * 4 ? ? ? ? ? ? ?* 带常 Eg 1 E L Q Q O 匚|_ O Q O O o O 卒征半导体 N 型半导体 a b N 层之间形成的是 P--N 异质 P 型半导体

透射电镜实验报告

透射电镜实验报告 实验报告 课程名称电镜技术成绩姓名学号实验日期 2013.3.27 实验名称透射电子显微镜原理、结构、性能及成像方指导教师 式 一、实验目的与任务 1. 初步了解透射电镜操作过程 2. 初步掌握样品的制样方法(主要是装样过程) 3.拍摄多晶金晶体的低分辨率照片(<300000倍)和高分辨率照片(>300000 倍),并对相关几何参数、形态给予描述。用能谱分析仪对样品的成分进行分析。 二、实验基本原理 1.仪器原理 透射电子显微镜是以图像方式提供样品的检测结果,其成像的决定因素是样品对入射电子的散射,包括弹性散射和非弹性散射两个过程。样品成像时,未经散射的电子构成背景,而像的衬底取决于样品各部分对电子的不同散射特性。采用不同的实验条件可以得到不同的衬底像,透射电子显微镜不仅能显示样品显微组织的形貌,而且可以利用电子衍射效应同样获得样品晶体学信息。本次实验将演示透射电镜的透射成像方式和衍射成像方式。 (1)成像方式 电子束通过样品进入物镜,在其像面形成第一电子像,中间镜将该像放大,成像在自己的像面上,投影镜再将中间镜的像放大,在荧光屏上形成最终像。 (2)衍射方式

如果样品是晶体,它的电子衍射花样呈现在物镜后焦面上,改变中间镜电流,使其对物镜后焦面成像,该面上的电子衍射花样经中间镜和投影镜放大,在荧光屏上获得电子衍射花样的放大像。 2.仪器结构 主机主要由:照明系统、样品室、放大系统、记录系统四大部分构成。 3.透射电子显微镜的样品制备技术 4.图像观察拍照技术 透射电镜以图像提供实验结果。在观察样品之前对电子光学系统进行调查,包括电子枪及象散的消除。使仪器处于良好状态。观察过程中选合适的加速电压和电流。明场、暗场像及选区电子衍射的观察和操作方法不同,应按况选择。三、实验方法与步骤 1( 登陆计算机 2( 打开操作软件 3( 检查电镜状态 4( 装载样品 5( 插入样品杆 6( 加灯丝电流 7( 开始操作 8( 结束操作 9( 取出样品杆 10( 卸载样品 11( 刻录数据 12( 关闭操作软件 13( 退出计算机

光电子技术安毓英习题答案(完整版)

第一章 2. 如图所示,设小面源的面积为?A s ,辐射亮度为L e ,面源法线与l 0 的夹角为θs ;被照面的面积为?A c ,到面源?A s 的距离为l 0。若θc 为辐射在被照面?A c 的入射角,试计算小面源在?A c 上产生的辐射照度。 解:亮度定义: r r e e A dI L θ?cos = 强度定义:Ω Φ =d d I e e 可得辐射通量:Ω?=Φd A L d s s e e θcos 在给定方向上立体角为: 2 cos l A d c c θ?= Ω 则在小面源在?A c 上辐射照度为:2 cos cos l A L dA d E c s s e e e θθ?=Φ= 3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源(如红外装置面对 的天空背景),其各处的辐亮度L e 均相同,试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。 答:由θcos dA d d L e ΩΦ = 得θcos dA d L d e Ω=Φ,且() 2 2cos r l A d d +=Ωθ 则辐照度:()e e e L d r l rdr l L E πθπ =+=? ?∞ 20 0222 2 7.黑体辐射曲线下的面积等于等于在相应温度下黑体的辐射出射度M 。试有普朗克的辐射公式导出M 与温度T 的四次方成正比,即 M=常数4T ?。这一关系式称斯特藩-波耳兹曼定律,其中常数为 5.6710-8W/m 2K 4 解答:教材P9,对公式2 1 5 1 ()1 e C T C M T e λλλ=-进行积分即可证明。 第二章 3.对于3m 晶体LiNbO3,试求外场分别加在x,y 和z 轴方向的感应主折射率及相应的相位延迟(这里只求外场加在x 方向上) 解:铌酸锂晶体是负单轴晶体,即n x =n y =n 0、n z =n e 。它所属的三方晶系3m 点群电光系数有四个,即γ22、γ13、γ33、γ51。电光系数矩阵为: L e ?A s ?A c l 0 θs θc 第1.2题图

电子能谱XPS实验报告

实验报告 电子能谱实验

实验报告 一、 实验名称 电子能谱实验 二、 实验目的 (1) 了解X 光电子能谱(XPS )测量原理、仪器工作结构及应用; (2) 通过对选定的样品实验,初步掌握XPS 实验方法及谱图分析。 三、 实验原理 在现代材料分析中,表面问题是材料研究中很重要的部分。尤其是在微型材料、超薄 材料、薄膜材料和材料的表面处理等,都离不开表面科学。而X 光电子能谱(简称XPS )则是一项重要的表面分析方法。一定能量的X 光作用到样品上,将样品表面原子中的不同能级的电子激发成为自由电子,这些电子带有样品表面信息,具有特征能量,研究这类电子的能量分布,即为X 光电子能谱分析。 (1)光电发射 在具体介绍XPS 原理时,先介绍光电发射效应。光电发射是指,在轨道上运动的电子收到入射的光子的激发而由发射出去成为自由电子的过程。对于固体样品光电发射的能量关系如下: 'b k sa E h E νφ=--(固体)(1) 其中b E 为相对于费米能级的结合能,h ν为光子的能量,'k E 为光电子的动能,sa φ为样品的功函数。 光电发射示意图如下: 原子能级结合能b E 对于原子来说是特征的,具有特异性,可以用它来标识原子及原子能级。 由样品发射的光电子最终将会被探测器俘获,对于探测器有如下能量关系:

b k sp E h E νφ=--(探测器)(2) 式中,sp φ为探测器的功函数。如下图所示: (二)化学位移 XPS 在进行定量分析的时候,有一项很重要的应用就是化学态分析,其中包括化学位移和化学能移。 化学位移是指由于原子处于不同的化学环境而引起的结合能的位移(b E ?)。如化合过程+X+Y=X Y -,X 、Y 因电子的转移引起结合能的变化。相应的电子能谱也会发生改变,通过这种方法,还可以区别同一类原子处于何种能态,这为表面分析提供了很大的便利。 (三)X 光电子能谱仪原理示意图 如下图所示,由X 射线源发出的X 射线入射到样品表面,激发出自由光电子。光电子经过半球形能量分析器后被探测器吸收。探测器将光电子的所携带的信息转化为电信号,由示波器收集并在电脑中显示出来。 XPS 测量原理示意图 X 光电子能谱仪结构示意图

光电子技术题目与答案8页

1) 色温是指在规定两波长处具有与热辐射光源的辐射比率 相同的黑体的温度 2) 自发跃迁是指处于高能级的粒子自发地跃迁到低能级上。 受激跃迁是指由于外界辐射场作用而产生的粒子能级间的跃迁。 3) 受激辐射下光谱线展宽的类型分为均匀展宽和非均匀展宽,其中 均匀展宽有自然展宽、碰撞展宽、热振动展宽,非均匀展宽有多普勒展宽、残余应力展宽。 4) 常见的固体激光器有红宝石激光器、钕激光器、钛宝石激光器(写 出两种),常见的气体激光器有He-Ne激光器、Ar激光器、CO2激光器(写出两种)。 5) 光是一种以光速运动的光子流,光子和其它基本粒子一样,具有 能量、动量和质量;其静止质量为零。 6) 激光与普通光源相比具有如下明显的特点:方向性好、单色性好、相干性好、强度大 7) 简述光子的基本特性。 答:1、光子能量E与光波频率v对应:E=hv 2、光子具有运动质量m,m=E/c2=hv/c2 3、光子的动量与单色平面波矢对应:P=?k 4、光子具有两种可能的独立偏振状态,对应于光波场的两个独立偏振方向 5、光子具有自旋性,并且自旋量子数为整数

8) 简述激光产生的条件、激光器的组成及各组成部分的作用。 答:必要条件:粒子数反转分布和减少振荡模式数 充分条件:激光在谐振腔内的增益要大于损耗 稳定振荡条件:增益饱和效应 组成:工作物质、泵浦源、谐振腔 作用:工作物质:在这种介质中可以实现粒子数反转 泵浦源:将粒子从低能级抽运到高能级的装置 谐振腔:1、使激光具有极好的方向性 2、增强光放大作用 3、使激光具有极好的单色性 1)声波在声光晶体中传播会引起晶体中的质点按声波规律在平衡位置振动,按照声波频率的高低以及声波和光波作用的长度不同,声光相互作用可以分为拉曼-纳斯衍射,布喇格衍射两种类型。 2) 磁光效应是指外加磁场作用所引起的材料光学各项异性,法拉第磁光效应的规律(1)对于给定的介质,光振动面的旋转角与样品的长度和外加的磁感应强度成正比(2)光的传播方向反转时,法拉第旋转的左右方向互换。 3) 电致折射率变化是指晶体介质的介电系数与晶体中的电荷分布有关,当晶体被施加电场后,将引起束缚电荷的重新分布,并导致离子晶格的微小型变,从而引起介电系数的变化,并最终导致晶体折射率变化的现象。 4) 光纤色散的主要危害是使脉冲信号展宽,限制了光纤的宽带或传输容量,多模光纤的色散主要有模色散、材料色散、波导色散

光电子技术实验报告

《光电子技术实验》实验报告 波分复用光纤传输系统 王浩然无112011011202

1实验目的 ?了解WDM的特性及其简单应用; ?掌握WDM的复用方法,实现单纤单向和单纤双向的双波长复用和解复用; ?观察菲涅尔反射现象,了解其在光纤传输中的影响。 2实验原理 波分复用技术是在单根光纤中传输多个波长光信号的一项技术。典型的波分复用的框图如下所示: 图1:波分复用系统框图 其基本原理是在发送端将不同波长的光信号组合在一起复用,并耦合到光纤线路中的同一根光纤中进行传输,在接收端又将组合波长的光信号解复用,并做进一步处理,恢复出原信号送入不同的终端。目前波长域的波分复用技术主要有三种:粗波分复用、密集波分复用和光频分复用。三者的区别是复用的信道的波长间隔不同。 3实验装置 波分复用实验的光端机为视频光发射机和视频光接收机。实验装置包括视频光发端机三台,视频光接收机三台,摄像头三台,监视器三台,视频电缆6跟,高隔离度的WDM2只,的隔离度的WDM2只,OADM1只,固定光衰减器若干,法兰盘若干,可调衰减器2只。 4实验步骤 1.搭建两种波长分别为1310nm和1550nm的点到点的光纤传输系统,测量两种系统的接收机灵敏度,计算等效传输距离。 2.按照如下框图搭建单纤单向传输的波分复用系统,观察监视器上的图像,测量两种波长系统的接收机灵敏度,计算等效传输距离。

图2:单纤单向传输波分复用系统 3.按下图搭建单纤双向传输的波分复用系统,观察监视器上的图像,测量两种波长系统的接收机灵敏度,计算等效传输距离。 图3:单纤双向波分复用系统 4.如下图所示,将发射端WDM的1310nm和1550nm的发送端接反,观察监视器上的图像。将接收端也接反,观察监视器上的图像变化。 图4:单纤单向发射端反接 5.单纤单向传输时,如下图所示,发射端用隔离度较低的WDM,观察监视器上的图像变化。如果接收端用隔离度较低的WDM光茶监视器上的图像变化。 图5:单纤单向发射端低隔离度WDM 图6:单纤单向接收端低隔离度WDM

清华大学电子工程系学科方向

电子工程系学科设置? 通信与信息系统 信号与信息处理 电磁场与微波技术? 物理电子学 电路与系统 电子工程系教学工作? 年本科开课目录? 年研究生课程目录? 各研究所教研室介绍 信息光电子研究所? 一、情况介绍和研究方向 二、年在研的科研项目? 三、课题组介绍() 通信与微波研究所? 一、情况介绍和研究方向 二、年在研的科研项目? 三、课题组介绍() 通信技术方向 电磁场与微波技术方向? 高速信号处理与网络传输研究所 一、情况介绍和研究方向 二、年在研的科研项目 网络与人机语音通信研究所? 一、情况介绍和研究方向? 二、年在研的科研项目 三、研究方向()? 图象图形研究所 一、情况介绍和研究方向 二、年在研的科研项目

三、联系方式? 电路与系统教研室 一、情况介绍和研究方向? 二、年在研的科研项目? 三、研究方向()

电子工程系学科设置 专业设置 本科生专业: ?电子信息科学类 研究生专业: 一级学科???二级学科 电子科学与技术???物理电子学 ????电路与系统 ??????微电子学与固体电子学 ??????电磁场与微波技术 信息与通信工程??通信与信息系统 ??????信号与信息处理 ????电子与通信工程(工硕) 通信与信息系统 学科方向:通信与信息系统 研究课题:、信息传输与接入 、数字信号处理与终端技术 、无线通信技术与系统 、通信网络与交换技术 、通信与信息系统的仿真与集成 依托国家重点实验室及相关学术领域: 微波与数字通信国家重点实验室、集成光电子学国家重点实验室 系内:微波与天线、信息光电子与光电子学、电路与系统、信号与信息处理 跨系、所:微电子学研究所、计算机科学与技术系、自动化系、电机工程与应用电子技术系、工程力学系、材料科学与工程系

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