风华高科贴片电感型号规格的命名方法作品来源：新晨阳电容电感
广东风华高科提供的贴片电感主要包括三类：片式叠层电感、片式绕线电感和片式功率电感。
贴片叠层电感包括常规叠层片式铁氧体电感和叠层片式陶瓷芯高频电感.
片式绕线电感：FHW陶瓷芯系列、FHW铁氧体芯系列
片式功率电感：LBS系列功率电感、PIO系列功率电感、MS系列功率电感、BTC系列功率电感、HC系列功率电感、PB系列功率电感、PS系列功率电感、军品级功率电感系列.
以下是具体规格型号表示方法（命名规则）具体说明——
各类产品的命名方法略有不同。以下以铁氧体常规贴片电感为例说明，同时会在下面的文字介绍里列举其他型号的表示方法。
第一、CMI：表示叠层片式电感。其他可能出现的字符含义：
CMI 叠层片式电感VHF 叠层片式高频电感
FHW 片式绕线电感
LBS LBS系列功率电感PIO PIO系列功率电感
MS MS系列功率电感BTC BTC系列功率电感
HC HC系列功率电感PB PB系列功率电感
PS PS系列功率电感
第二、风华高科的贴片电感各个品种的尺寸表示方法不尽相同。请对照下表查看：
本例中，20129是指2.0*1.2*0.9（长*宽*高）
品种代号品种名称
规格尺寸（L*W*H）
代号长*宽*高（单位：mm）
CMI叠层片式电感100505 1.0*0.5*0.5 160808 1.6*0.8*0.8 201209 2.0*1.2*0.9 321609 3.2*1.9*0.9 322513 3.2*2.5*1.3 451616 4.5*1.6*1.6 453215 4.5*3.2*1.5
VHF叠层片式高频电感100505 1.0*0.5*0.5 160808 1.6*0.8*0.8 201209 2.0*1.2*0.9
FHW片式绕线电感0402 1.0*0.5(L*W) 0603 1.6*0.8（L*W）0805 2.0*1.2（L*W）1008 2.5*2.0（L*W）1210 3.2*2.5（L*W）1812 4.5*3.2（L*W）
LBS功率电感
6028 6.0*6.0*2.8 70307.0*3.0*3.0 70457.0*4.5*4.5 1014510.0*10.0*4.5
MS
737.3*7.3*3.4 747.3*7.3*4.5 10410.0*10.0*4.0 12412.0*12.0*4.5 12512.0*12.0*6.0 12712.0*12.0*8.0
HC
737.0*6.0*3.0 10410.7*10.4*4.0 12512.9*12.9*5.7
PIO
43 4.5*4.0*3.2 54 5.8*5.2*4.5 757.8*7.0*5.0 10510.0*9.0*5.4
BTC待补充内容待补充内容
PB
PBO系列
1608 6.60*4.45*2.92
331612.95*9.40*5.2 PBS系列502218.54*15.24*7.11
PS
5020 5.0*2.0
5030 5.0*3.0
6020 6.0*2.0
6030 6.0*3.0
第三、贴片电感所使用的原材料为V料。不同的材料对电感的性能会有影响，但是具体电感选型时以参数为准，材料一般不须考虑。
第四、感量为47nH=0.047μH
,N代表0.0（nH）,即N=0.0（nH），R代表0.0（μH）即N=0.0（μH）。如果为纯数字没有字母后缀，则默认单位为μH ，其中前两位为有效数字，后一位为有效数字后门零的个数。
其他例子：R10=0.10μH；1RO=1.0μH ；151=150μH
第五、K表示误差精度为±10% ；
其他精度表示为：D——005级——±0.5%；F——01级——±1%；G——02级——±2%；J——I级——±5%；K——II级——±10%；L——±15%；M——III 级——±20%。
第六、包装形式：T代表卷带盘装。
其他包装形式：B表示散装
常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号 一．电阻器、电容器、电感器和变压器
二．半导体管 三．其它电气图形符号
第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器 1．电阻器和电位器的型号命名方法 示例： (1)精密金属膜电阻器 R J 7 3 第四部分：序号 第三部分：类别（精密） 第二部分：材料（金属膜） 第一部分：主称（电阻器） (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分：序号 第三部分：类别（多圈） 第二部分：材料（线绕） 第一部分：主称（电位器）
2．电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率 电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。 (2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 (3) 允许误差等级 3．电阻器的标志内容及方法 (1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ， 表５
例如： RJ71－0.125－5k1－II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率1/8W 型号 由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。 (2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差 图1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。例如，色环为棕黑红，表示10?102＝1.0kΩ±20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示15?103＝15kΩ±5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表示275?104＝2.75MΩ±1%的电阻器。
贴片电阻为白色 一般来说： 1000：100欧 1001：1k欧 国内贴片电阻的命名方法： 1、5%精度的命名：RS-05K102JT 2、1％精度的命名：RS-05K1002FT R －表示电阻 S －表示功率0402是1/16W、0603是1/10W、0805是1/8W、1206是1/4W、1210是1/3W、1812是1/2W、2010是3/4W、2512是1W。 05 －表示尺寸(英寸)：02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1812表示1812、10表示2010、12表示2512。 K －表示温度系数为100PPM, 102－5％精度阻值表示法：前两位表示有效数字，第三位表示有多少个零，基本单位是Ω，102＝1000Ω＝1KΩ。1002是1％阻值表示法：前三位表示有效数字，第四位表示有多少个零，基本单位是Ω，1002＝10000Ω＝10KΩ。 J －表示精度为5％、F－表示精度为1％。 T －表示编带包装 贴片电阻阻值误差精度有±1％、±2％、±5％、±10％精度，常规用的最多的是±1％和±5％， ±5％精度的常规是用三位数来表示例例512，前面两位是有效数字，第三位数2表示有多少个零，基本单位是Ω,这样就是5100欧，1000Ω＝ 1KΩ,1000000Ω=1MΩ 为了区分±5％，±1％的电阻，于是±1％的电阻常规多数用4位数来表示， 这样前三位是表示有效数字，第四位表示有多少个零4531也就是4530Ω，也就等于4.53KΩ
贴片电阻的封装与功率关系如下表： 封装额定功率@ 70°C 最大工作电压(V) 英制(mil) 公制(mm) 常规功率系列提升功率系列 0201 0603 1/20W / 25 0402 1005 1/16W / 50 0603 1608 1/16W 1/10W 50 0805 2012 1/10W 1/8W 150 1206 3216 1/8W 1/4W 200 1210 3225 1/4W 1/3W 200 1812 4832 1/2W / 200 2010 5025 1/2W 3/4W 200 2512 6432 1W / 200 注：电压=√功率x电阻值(P=V2/R) 或最大工作电压两者中的较小值. 其他： 133R是133欧（这是英国标法）英文字代表误差，G=2%、F=1%、D=0.5%、C=0.25%、B=0.1%、A(或Ω)=0.05%、Q=0.02%、T=0.01%、V=0.005%。
声明： 1、本规格书是由风华高科授权代理商－南京南山半导体有限公司自风华高科官方网站下载整理，若有变更，恕不另行通知； 2、本规格书没有足够的空间说明详细电性能参数，仅列明了标准规格，在订购产品之前谨请与风华高科代理商南京南山半导体有限公司确认。 |特性 *具有高电容量稳定性，在-55℃~125℃工作范围内，其温度系数为0±30ppm/℃、0±60ppm/℃*独石结构，具有高可靠性。 *优良的焊接性和耐旱性，适合于回流焊和波峰焊。 |贴片电容封装代号与外形尺寸 L(长)尺寸 1.6±0.1mm W(宽)尺寸0.8±0.1mm T(高)尺寸0.8±0.1mm 电极宽度wb 0.30±0.10mm 公制封装代号 1608英制封装代号 0603
|通用型贴片电容特性曲线 ※ 贴片电容交流特性图 ※C0G 贴片电容温度系数图※X7R 贴片电容温度系数图※Y5V 贴片电容温度系数图※Z5U贴片电容温度系数图※贴片电容偏压特性图※贴片电容器老化特性图
贴片电感样品申请单 南山联系资料 总机：技术支持：客服：传真：电邮： 客户基本资料 公司名称网址： 联系方式电话：传真：□生产型企业□贸易商 收货地址 生产产品 姓名：职务：□技术□采购□其他 联络人 电话：手机：电邮： 样品明细资料 元器件名称型号及封装单机用量申请数量备注 预计生产情况 预计小批量生产日期：规模生产日期：样品申请日期： 样品申请流程 1、请详细、全面、真实填写上列各项。表格不够填写，可自行复制。 Service@https://www.doczj.com/doc/b712673735.html, 2、请以附件的形式将该文档通过E-mail发送，并请将此单打印盖章后，电邮至： ：。 3、公司将根据客户所填信息并综合相关情况，由样品小组负责确定该样品申请单是否执行及如何执行。 4、收到样品申请单并经审核通过后，南京库有现货2个工作日内发出；如需订货，交期3-4周，非常规品顺延1-2周。 5、样品免费，运费到付(一般选择顺丰快递)；样品数量：单个型号5～20pcs，或根据BOM表清单按2～5套提供。 6、说明：接单后，样品小组将努力跟进，但由于原厂生产等环节存有不确定因素，我们无法保证样品数量、型号完 全符合要求，也不承诺一定按期交出。 跟进记录 □已中止进行□中止原因描述： □已联系客户 □已建议生产□已发送样品/日期□客户已签收/日期
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式 半导体器件(semiconductor device)通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN 结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类 按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。 导体：具有良好导电性能的物质，如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体：导电能力很差或不导电的物质，如玻璃、陶瓷、塑料。 电阻率在108Ω?cm以上 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如锗、硅。 纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性 与导体、绝缘体相比，半导体具有三个显著特点： (1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大，如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼，硅的电阻率就会从241000Ω?cm下降到0.4Ω?cm，变化了50多万倍; (2)电阻率受环境温度的影响很大。 例如：温度每升高8℃时，纯净硅的电阻率就会降低一半左右;金属每升高10℃时，电阻率只增加4%左右。
我们常说的贴片电阻(SMD Resistor)学名叫：片式固定电阻器，是从Chip Fixed Resistor直接翻译过来的。特点是耐潮湿，耐高温，可靠度高，外观尺寸均匀，精确且温度系数与阻值公差小。 按生产工艺分厚膜(Thick Film Chip Resistors)、薄膜(Thin Film Chip Resistors)两种。厚膜是采用丝网印刷将电阻性材料淀积在绝缘基体(例如玻璃或氧化铝陶瓷)上，然后烧结形成的。我们通常所见的多为厚膜片式电阻，精度范围±0.5% ~ 10%，温度系数:±50PPM/℃~ ±400PPM/℃。薄膜是在真空中采用蒸发和溅射等工艺将电阻性材料淀积在绝缘基体工艺(真空镀膜技术)制成，特点是低温度系数(±5PPM/℃)，高精度(±0.01%～±1%)。 封装有：0201，0402，0603，0805，1206，1210，1812，2010，2512。其常规系列的精度为5%，1%。阻值范围从0.1欧姆到20M欧姆。标准阻值有E24，E96系列。功率有1/20W、1/16W、1/8W、1/10W、1/4W、1/2W、1W。 特性： 体积小，重量轻 适合波峰焊和回流焊 机械强度高，高频特性优越 常用规格价格比传统的引线电阻还便宜 生产成本低，配合自动贴片机，适合现代电子产品规模化生产 使用状况：由于价格便宜，生产方便，能大面积减少PCB面积，减少产品外观尺寸，现在已取代绝大部分传统引线电阻。除一些小厂或不得不使用引线电阻的设计，各种电器上几乎都在使用。目前绝大部分电子产品，以0603、0805器件为主；以手机，PDA为代表的高密度电子产品多使用0201、0402的器件；一些要求稳定和安全的电子产品，如医疗器械、汽车行驶记录仪、税控机则多采用1206、1210等尺寸偏大的电阻。 市场状况：目前，在全球的市场份额中，排名依次是台湾、日本、中国、韩国，欧美几乎不再生产。主要的生产厂商几乎都在中国建立生产基地。台湾国巨（Yageo）公司为世界上第一大生产商。日本企业则生产一些如0201、0402、高精度、高电压，具有工艺难度，利润高的系列。台湾及国内工厂则多生产些常规系列。 零售市场多见为一些台湾厂和国产的品牌，如国巨(Yageo)、风华(FH)、三星机电、厚生、丽智、美隆. 贴片电阻分为以下几大类：
贴片电阻、贴片电容规格、封装、尺寸·功率 贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸： 英制(inch) 公制 (mm) 长(L) (mm) 宽(W) (mm) 高(t) (mm) a (mm) b (mm) 0201 0603 0.60±0.050.30±0.050.23±0.050.10±0.050.15±0.05 0402 1005 1.00±0.100.50±0.100.30±0.100.20±0.100.25±0.10 0603 1608 1.60±0.150.80±0.150.40±0.100.30±0.200.30±0.20 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.150.50±0.100.40±0.200.40±0.20 1206 3216 3.20±0.20 1.60±0.150.55±0.100.50±0.200.50±0.20 1210 3225 3.20±0.20 2.50±0.200.55±0.100.50±0.200.50±0.20 1812 4832 4.50±0.20 3.20±0.200.55±0.100.50±0.200.50±0.20 2010 5025 5.00±0.20 2.50±0.200.55±0.100.60±0.200.60±0.20 2512 6432 6.40±0.20 3.20±0.200.55±0.100.60±0.200.60±0.20 贴片电阻电容功率与尺寸对应表 电阻封装尺寸与功率关系,通常来说: 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是: 0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5 常规贴片电阻(部分) 常规的贴片电阻的标准封装及额定功率如下表：
一、常用元器件的型号命名方法 1.电阻器、电容器、电位器型号命名方法 根据国家标准GB2470-81《电子设备用电阻器、电容器型号命名方法》的规定?电阻器、电容器产品型号一般由以下四部份组成: (1)第一部份用一字母表示产品的主称 (2)第二部份用字母表示产品的材料(电阻的导电材料?电容器的介质材料) (3)第三部份一般用数字表示分类?个别类型用字母表示 (4)第四部份用数字表示序号?以区分外形尺寸和性能指针 (5)举例 R J 7 1 型精密金属膜电阻器 C C G 1 型瓶形高功率瓷介电容器 1) 2) 3) 4) 1) 2) 3) 4) 注: 1)为主称2)为材料3)为分类4)为序号 2.敏感电阻器型号命名方法 根据标准SJ1150-82《敏感组件型号命名方法》的规定?热敏电阻器、光敏电阻器、压敏电阻器、湿敏电阻器、磁敏电阻器、力敏电阻器和气敏电阻器?这些敏感电阻器的产品型号按下面所述的方法命名。 产品型号由下列四部份组成: 第一部份: 主称(用字母表示) 第二部份: 类别(用字母表示) 第三部份: 用途和特征(用字母或数字表示) 第四部份: 序号(用数字表示) 第五部份：应用举例 M F 4 1 A 普通旁热式负温度系数热敏电阻器 1) 2) 3) 4) 区别代号 注: 1)为主称2)为材料3)为分类4)为序号 3.电感器型号命名方法 这里介绍的是一些习惯上使用的命名方法?仅供参考 ●电感线圈的型号命名方法 电感线圈的字母组成的型号、代号及其意义如下: 第一部份: 主称?用字母表示(其中L表示线圈?ZL表示高频或低频阻流圈) 第二部份: 特征?用字母表示(其中G表示高频) 第三部份: 型式?用字母表示(其中X表示小型) 第四部份: 区别代号?用字母表示 ●变压器型号的命名方法 它由三部份组成: 第一部份: 主称?用字母表示 第二部份: 功率?用数字表示?计量单位用VA或W标志?但RB型变压器除外 第三部份: 序号?用数字表示 例如: DB-60-2 表示为60VA电源变压器
贴片电阻的命名方法： 1、5%精度的命名：RS-05K102JT 2、1％精度的命名：RS-05K1002FT R－表示电阻 S－表示功率，0402是1/16W、0603是1W。 05－表示尺寸（英寸）：02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1812表示1812、10表示2010、12表示2512。 K－表示温度系数为100PPM。 102－5％精度阻值表示法：前两位表示有效数字，第三位表示有多少个零，基本单位是Ω，102＝1000Ω＝1KΩ。1002是1％阻值表示法：前三位表示有效数字，第四位表示有多少个零，基本单位是Ω，1002＝10000Ω＝10KΩ。 J －表示精度为5％、F－表示精度为1％。 T －表示编带包装 贴片电阻阻值误差精度有±1％、±2％、±5％、±10％精度，常规用的最多的是±1％和±5％。±5％精度的常规是用三位数来表示例，例512，前面两位是有效数字，第三位数2表示有多少个零，基本单位是Ω，这样就是5100欧，1000Ω＝1KΩ，1000000Ω=1MΩ。 为了区分±5％，±1％的电阻，于是±1％的电阻常规多数用4位数来表示，这样前三位是表示有效数字，第四位表示有多少个零4531也就是4530Ω，也就等于4.53KΩ。是1/10W、0805是1/8W、1206是1/4W、1210是1/3W、1812是1/2W、2010是3/4W、2512 贴片电阻封装与功率的关系 贴片电阻的封装与功率关系如下表： 封装额定功率@ 70°C 最大工作电压(V) 英制(mil) 公制(mm) 常规功率系列提升功率系列 0201 0603 1/20W / 25 0402 1005 1/16W / 50 0603 1608 1/16W 1/10W 50 0805 2012 1/10W 1/8W 150 1206 3216 1/8W 1/4W 200 1210 3225 1/4W 1/3W 200 1812 4832 1/2W / 200 2010 5025 1/2W 3/4W 200 2512 6432 1W / 200 注：电压=√功率x电阻值(P=V2/R) 或最大工作电压两者中的较小值 电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为 分流、限流、分压、偏置等。 1、参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等。换算方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧
贴片电容材质及规格 贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材质规格，不同的规格有不同的用途。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 一NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。 二X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。 三Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。 尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。 Z5U电容器的其他技术指标如下: 工作温度范围+10℃--- +85℃ 温度特性+22% ---- -56% 介质损耗最大4%
基本术语 SMD:Surface Mount Devices/表面贴装元件。 RA：Resistor Arrays/排阻。 MELF：Metal electrode face components/金属电极无引线端面元件. SOT：Small outline transistor/小外形晶体管。 SOD：Small outline diode/小外形二极管。 SOIC：Small outline Integrated Circuits/小外形集成电路. SSOIC:Shrink Small Outline Integrated Circuits/缩小外形集成电路. SOP:Small Outline Package Integrated Circuits/小外形封装集成电路. SSOP:Shrink Small Outline Package Integrated Circuits/缩小外形封装集成电路. TSOP:Thin Small Outline Package/薄小外形封装. TSSOP:Thin Shrink Small Outline Package/薄缩小外形封装. CFP:Ceramic Flat Packs/陶瓷扁平封装. SOJ:Small outline Integrated Circuits with J Leads/“J”形引脚小外形集成电路. PQFP：Plastic Quad Flat Pack/塑料方形扁平封装。 SQFP：Shrink Quad Flat Pack/缩小方形扁平封装。 CQFP：Ceramic Quad Flat Pack/陶瓷方形扁平封装。 PLCC：Plastic leaded chip carriers/塑料封装有引线芯片载体。 LCC：Leadless ceramic chip carriers/无引线陶瓷芯片载体。 DIP：Dual-In-Line components/双列引脚元件。 PBGA：Plastic Ball Grid Array/塑封球栅阵列器件。 1使用说明 外形尺寸：指元件的最大外型尺寸。 主体尺寸：指元件的塑封体的尺寸=长度X宽度。 尺寸单位：英制单位为mil，公制单位为mm。 小数点的表示：在命名中用“p”代表小数点。例如：1.0表示为1p0。 注：当不同物料的封装图形名称相同时，且描述的内容不同时，可在名称后面加-1，-2等后缀加以区分。 作者：wugehao
电容命名规则及采购信息要求 （一）国巨贴片电容的命名： 贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、容值精度、贴片电容的材质、电压、电容容量、端头材料以及包装要求。 例国巨贴片电容CC0805JRNPO9BN101 CC：表示国巨电容系列名称——多层陶瓷贴片电容。国巨电容的系列 还有CA（表示排容），CH（表示高频电容）等等。 0805：表示尺寸，长度为0.08英寸，宽度为0.05英寸。此外，常见 的电容尺寸还有0201，0402，0603，1206，1210，1808，1812等。 J：表示电容容量的误差精度为±5%；另外B=±0.1PF,C=±0.25PF,D= ±0.5PF,F=±1PF,G=±2PF,K=±10%,M=±20%,Z=-20%~+80%。 R：表示7寸盘纸带包装。 NPO：表示电容材质。此外，常用的电容材质还有X5R,X7R,Y5V。 9：表示电压为50V。4=4V, 5=6.3V, 6=10V, 7=16V, 8=25V, 0=100V, A=200V, B=500V, C=1KV, D=2KV, E=3KV等（注意：100V是用数字0 表示，不是字母O） B：表示端头材料是镍电极。 N：表示NPO。 101：表示容值，前面两个数字为有效数字，第三个数字表示有几个 零。101=100PF, 102=1000PF, 103=10,000PF……以此类推。
（二）贴片电容的尺寸表示方法 贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是以英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示。以英寸为单位来表示的称为英制尺寸，以毫米为单位来表示的称为公制尺寸。国巨贴片电容通常用英制尺寸来表示。
【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】
https://www.doczj.com/doc/b712673735.html,
MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR
COG/COH
COG
, ,
-55
125
,
0
30ppm/
0
60ppm/
0805
CG
101
J
500
N
T
(PF) ( 0402 0.04 0603 0.06 0805 0.08 1206 0.12 ) 0.02 0.03 0.05 0.06 1.00 1.60 2.00 3.20 ( ) 0.50 0.80 1.25 1.60 CG CH COG NPO COH 100 101 102 10 10
0 1
J G C B D
5.00% 2.00% 0.25PF 0.10PF 0.50PF
10 10 10 10
2
6R3 100 250 500
6.3V 10V 25V 50V
S C N / / T B
WB
W
T
L mm L 0402 0603 0805 1206 1005 1608 2012 3216 1.00 1.60 2.00 3.20 0.05 0.10 0.20 0.30 W 0.50 0.80 1.25 1.60 0.05 0.50 0.10 0.80 0.20 0.80 1.00 1.25 0.20 0.80 1.00 1.25 T WB 0.05 0.25 0.10 0.30 0.20 0.50 0.20 0.20 0.20 0.60 0.20 0.20 0.10 0.10 0.20 0.30
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精品文档 精品文档 目 次 1 范围 ................................................................................ 1 2 规范性引用文件 ...................................................................... 1 3制订规则 ............................................................................. 1 3.1以B 开头的封装 ..................................................................... 1 3.2以C 开头的封装 ..................................................................... 1 3.3以D 开头的封装 ..................................................................... 2 3.4以E 开头的封装 ..................................................................... 2 3.5以F 开头的封装 ..................................................................... 2 3.6以G 开头的封装 ..................................................................... 2 3.7以H 开头的封装 ..................................................................... 2 3.8以K 开头的封装 ..................................................................... 2 3.9以L 开头的封装 ..................................................................... 2 3.10以R 开头的封装 .................................................................... 2 3.11以S 开头的封装 .................................................................... 3 3.12以T 开头的封装 .................................................................... 3 3.13以U 开头的封装 .................................................................... 3 3.14以V 开头的封装 .................................................................... 3 3.15以X 开头的封装 .................................................................... 3 3.16以Z 开头的封装 .. (4) 印制板设计 元器件封装命名规则
HOW TO ORDER Technical Data: All technical data relate to an ambient temperature of +25°C Capacitance Range:0.1 μF to 2200 μF Capacitance Tolerance:±10%; ±20% Rated Voltage (V R )?+85°C: 2.54 6.3101620253550Category Voltage (V C )?+125°C: 1.7 2.7 4 71013172333Surge Voltage (V S )?+85°C: 3.3 5.28132026324665Surge Voltage (V S )?+125°C: 2.2 3.45813162028 40 Temperature Range:-55°C to +125°C Reliability:1% per 1000 hours at 85°C, V R with 0.1Ω/V series impedance, 60% confidence level Qualification:CECC 30801 - 005 issue 2EIA 535BAAC Termination Finished: Sn Plating (standard), Gold and SnPb Plating upon request TECHNICAL SPECIFICATIONS CASE DIMENSIONS: millimeters (inches) For part marking see page 127 TAJ Type C Case Size See table above 106 Capacitance Code pF code: 1st two digits represent significant figures 3rd digit represents multiplier (number of zeros to follow) M T olerance K=±10%M=±20% 035 Rated DC Voltage 002=2.5Vdc 004=4Vdc 006=6.3Vdc 010=10Vdc 016=16Vdc 020=20Vdc 025=25Vdc 035=35Vdc 050=50Vdc R Packaging R = 7" T/R (Lead Free since p roduction date 1/1/04) S = 13" T/R (Lead Free since p roduction date 1/1/04) A = Gold Plating 7" Reel B = Gold Plating 13" Reel H = Tin Lead 7" Reel K = Tin Lead 13" Reel NJ Specification Suffix NJ = Standard Suffix — Additional characters may be added for special requirements V = Dry pack Option (selected codes only) ? Generic SMT chip tantalum series ? 6 case sizes available ? Low profile options available COMPONENT
电子元器件型号命名规则
一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。 表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。 表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、
3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。 两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。 三、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。 美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、 无非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。 第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。 多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下:
各种贴片封装尺寸 贴片元件封装 SMT(Surface Mount Technology)是电子业界一门新兴的工业技术，它的兴起及迅猛发展是电子组装业的一次革命，被誉为电子业的”明日之星”，它使电子组装变得越来越快速和简单，随之而来的是各种电子产品更新换代越来越快，集成度越来越高，价格越来越便宜。为IT （Information Technology）产业的飞速发展作出了巨大贡献。 SMT零件 SMT所涉及的零件种类繁多，样式各异，有许多已经形成了业界通用的标准，这主要是一些芯片电容电阻等等；有许多仍在经历着不断的变化，尤其是IC类零件，其封装形式的变化层出不穷，令人目不暇接，传统的引脚封装正在经受着新一代封装形式（BGA、FLIP CHIP 等等）的冲击，在本章里将分标准零件与IC类零件详细阐述。 一、标准零件 标准零件是在SMT发展过程中逐步形成的，主要是针对用量比较大的零件，本节只讲述常见的标准零件。目前主要有以下几种：电阻(R)、排阻(RA或RN)、电感(L)、陶瓷电容(C)、排容(CP)、钽质电容(C)、二极管(D)、晶体管(Q)【括号内为PCB（印刷电路板）上之零件代码】，在PCB上可根据代码来判定其零件类型，一般说来，零件代码与实际装着的零件是相对应的。 1、零件规格: (1)、零件规格即零件的外形尺寸，SMT发展至今，业界为方便作业，已经形成了一个标准零件系列，各家零件供货商皆是按这一标准制造。 标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法，如下表 公制表示法 1206 0805 0603 0402 英制表示法 3216 2125 1608 1005 含义 L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm) L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm) L:0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm) L:0.4inch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm) 注：a、L（Length）：长度； W（Width）：宽度； inch：英寸 b、1inch=25.4mm （2）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时应以实际量测为准。 （3）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小，且形状也多种多样，在此不作讨论。 （4）、SMT发展至今，随着电子产品集成度的不断提高，标准零件逐步向微型化发展，如今最小的标准零件已经到了0201。 2、钽质电容(Tantalum) 钽质电容已经越来越多应用于各种电子产品上，属于比较贵重的零件，发展至今，也有了一
PCB元件库命名规则 2.1 集成电路（直插） 用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装 尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm 如：DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装 2.2 集成电路（贴片） 用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装 尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽150mil,引脚间距1.27mm M为介于N和W之间的封装，体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm 如：SO-16N表示的是体宽150mil，引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装 若SO前面跟M则表示为微形封装，体宽118mil,引脚间距0.65mm 2.3 电阻 2.3.1 SMD贴片电阻命名方法为：封装+R 如：1812R表示封装大小为1812的电阻封装 2.3.2 碳膜电阻命名方法为：R-封装 如：R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 2.3.3 水泥电阻命名方法为：R-型号 如：R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装 2.4 电容 2.4.1 无极性电容和钽电容命名方法为：封装+C 如：6032C表示封装为6032的电容封装 2.4.2 SMT独石电容命名方法为：RAD+引脚间距 如：RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装 2.4.3 电解电容命名方法为：RB+引脚间距/外径 如：RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装 2.5 二极管整流器件 命名方法按照元件实际封装，其中BAT54和1N4148封装为1N4148 2.6 晶体管 命名方法按照元件实际封装，其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装，另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名 2.7 晶振 HC-49S,HC-49U为表贴封装，AT26,AT38为圆柱封装，数字表规格尺寸 如：AT26表示外径为2mm，长度为8mm的圆柱封装 2.8 电感、变压器件 电感封封装采用TDK公司封装 2.9 光电器件 2.9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示 如：0805D表示封装为0805的发光二极管 2.9.2 直插发光二极管表示为LED-外径 如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管